专利名称：电压检测电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种由MIS晶体管构成的电源电压检测电路。
2、背景技术至今为止，在半导体集成电路中所提供的电源电压低的地方的情况下，操作易于变成不稳定的，通过采用如
图10所示的电源电压检测电路，在低电源电压的时电路已经复位了。
在下文中，将根据附图描述该电路。
一种N型耗尽MIS晶体管2003，其中栅极和源极接地并作为一恒流元件而工作，该晶体管接到由P型增强MIS晶体管2001和P型增强MIS晶体管2002构成的电流镜电路的输入侧，一N型增强MIS晶体管2004接到该电流镜电路的输出侧结点。
此外，该电路包括一N型增强MIS晶体管2008，其中漏极和栅极二者都饱和连接到Vcc，和一N型耗尽MIS晶体管2007，其漏极接到N型增强MIS晶体管2008的源极，其栅极和源极接地，而且其作为一恒流元件而工作，N型增强MIS晶体管2008和N型耗尽MIS晶体管2007之间的连接点N2接到N型增强MIS晶体管2004的栅极，连接点N2处的电压变化被放大并呈现在结点N3处。
该N型增强MIS晶体管2008和N型耗尽MIS晶体管2007组成一偏置电路2009，结点N3处的电压通过一由P型增强MIS晶体管2005和一N型增强MIS晶体管构成的反相器进一步地放大，其波形被成形，它以VDETX输出作为电源电压的检测输出。
图11A和11B示出了相对于电源电压的变化各结点N1，N2和N3的电压变化，虽然在低电压检测状态下，在释放低电压的状态下，结点N3输出电压近乎等于电源电压，但输出并未降低到高电平(GRANDLEVEL)，而当电源电压变高时，它逐渐地接近地电平。
这是因为，立刻检测结点N2处的电压释放之后，N型增强MIS晶体管2004的栅极不能完全地偏置，并且N型增强MIS晶体管2004的电流驱动性能不足以胜过该电流镜电路的供电性能。
由于结点N3处的电压以这种方式变化，因此在该检测释放状态，构成该反相器的N型增强MIS晶体管2006不能完全地被关掉，这就产生了泄露电流，这导致了电流损耗的增加。
本发明的概述为了达到上述目的，按照本发明的第一方面，提供了一种电压检测电路包括电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压，栅极接第一电源电压；一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端接用于输出第一电源电压的电压检测输出的一端口。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第二个方面，在本发明第一方面中，提供了一种电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第三个方面，在本发明第二方面中，提供了一种电压检测电路，其中连接到第二恒流电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压比构成电流镜电路和放大电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第四个方面，提供了一种电压检测电路，电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有第二阈值电压并包括栅极、漏极和源极，漏极接第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压；反相器电路，包括一个输出端和一个输入端，该输出端接具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的栅极；以及一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端接反相器电路的输入，该输出端是用于输出该电源电压的电压检测输出的一端口。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第五个方面，在本发明第四个方面中，提供了一种电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第六个方面，在本发明第五个方面中，提供了一种电压检测电路，其中具有第一阈值电压且连接到第二恒流电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压、具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压，二者比构成电流镜电路和放大电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高，具有第一阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压比具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第七个方面，提供了一种电压检测电路包括电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有第一电流驱动性能并包括栅极、漏极和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压，栅极接第一电源电压；第二传导型增强MIS晶体管，具有第二电流驱动性能并包括栅极、漏极和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压；一反相器电路，包括一个输出端和一个输入端，该输出端接具有第二电流驱动性能的第二传导型增强MIS晶体管的栅极；以及一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端接反相器电路的输入，该输出端是一个用于输出该电源电压的电压检测输出的端口。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
按照本发明的第八个方面，在本发明的第七个方面中，提供了一种电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，以及该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。因此，减少该电路的泄露电流并由此降低所损耗电流成为了可能。
附图的简要说明在下列附图中图1是表示按照本发明实施例1的电压检测电路的结构的方框图；图2是表示按照本发明实施例2的电压检测电路的结构的电路图；图3是表示按照本发明实施例3的电压检测电路的结构的电路图；图4A和4B示出了在本发明实施例1至3的电压测试电路中，各结点处电压随供电电压的改变而变化的曲线图；图5是表示按照本发明实施例4的电压检测电路的结构的方框图；图6是表示按照本发明实施例5的电压检测电路的结构的电路图；图7是表示按照本发明实施例6的电压检测电路结构的电路图；图8A和8B示出了在本发明实施例4至6和7的电压测试电路中，各结点处电压随供电电压的改变而变化的曲线图；图9是按照本发明实施例7的电压检测电路结构的电路示意图；图10是一个常规电压检测电路结构的电路示意图；图11A和11B示出了在常规电压检测电路中，各结点处电压随供电电压变化而变化的曲线图；优选实施例的详细描述在下文中将参照附图详述本发明的电压检测电路实施例1至7。
(实施例1)图1是表示按照本发明实施例1的电压检测电路的结构的方框图；在本发明中，第一恒流电路102被连接到电流镜电路101的输入侧N1，一个N型增强MIS三极管连接到输出侧N3，一个放大电路104连接到电流镜电路的输出侧N3，该放大电路输出一检测输出VDETX。
一个N型增强MIS三极管103的栅极接到第二恒流电路105和P型增强MIS三极管106的漏极之间的连结点上。第二恒流电路105和P型增强MIS三极管106构成一个偏置电路107。
P型增强MIS三极管的栅极接地作为第一个电源电位，它的源极连接到Vcc作为第二电源电位。栅极源电压Vgs如此设计使得能一直提供最大偏压。
用这个结构，在电源电压超过P型增强MIS三极管106的阈值电压的一瞬间，在节点N2的电位突然从地电压级变成电源电压级，N型增强MIS三极管103的栅极源电压也极大地变化，它的栅极被足够地偏置，这样结点N3的电压由电源电压水平急剧地降低到接地水平。图4显示了在此时节点N1、N2和N3处电压的变化。
用这个结构，可以防止Vcc和地之间的中间电压被施加到放大电路104的输入端并避免放大电路中的泄漏电流。
此外，虽然电源电压的检测电压具有一个接近于P型增强MIS三极管106的阈值电压的值，但也可以通过合适地调整P型增强MIS三极管106的电流驱动能力与恒流电路的电流驱动能力之间的比率来调节该检测电压。
(实施例2)图2是表示按照本发明实施例2的电压检测电路的结构的电路图；在此图中，示出了实施例1中电流镜电路、放大电路和恒流电路的详细结构的例子。
电流镜电路是由P型增强MIS晶体管201和202组成的，其中，栅极被连接在一起，P型增强MIS晶体管201的栅极和漏极连在一起作为电流镜电路的输入端N1。
P型增强MIS晶体管202的漏极作为该电流镜电路的输出端N3。
P型增强MIS晶体管208和N型耗尽MIS晶体管207构成一个偏置电路209。
N型耗尽MIS晶体管203和207作为恒流元件工作，每个的栅极和源极都接到地。与图1中放大电路104相对应的部分是一普通CMOS反向器，其由P型增强MIS晶体管205和一个N型增强MIS晶体管206组成。
由于在实施例2中节点N1、N2和N3处的电位变化也显示出如图4所示的性能，因此有可能防止Vcc和地之间的中间电压被施加到构成放大电路的该P型增强MIS晶体管205和该N型增强MIS晶体管206的栅极上并进一步防止放大电路中的渗漏电流。
(实施例3)图3是表示按照本发明实施例3的电压检测电路的结构的电路图；在实施例3中，为了获得具有高精度的相当高的检测电压，P型增强MIS晶体管的阈值电压应比构成放大电流镜电路的P型MIS晶体管301和302以及构成反相放大器的P型MIS晶体管305的阈值电压要高。在此所述的阈值电压的强度是绝对值的相互比较。
一P型增强MIS晶体管308和一个N型耗尽晶体管307组成一个偏置电路309。
例如，P型MIS晶体管301、302和305的阈值电压近似为0.7伏，P型MIS晶体管308的阈值电压近似为-1.9伏。
结果是，能够获得近似1.9伏的电压，作为本发明电压检测电路的检测电压，而且当构成一逻辑电路的P型MIS晶体管的阈值电压近似为-0.7伏时，就有可能避免这样一个缺点，即在达到电路工作稳定的电源电压之前检测信号就被发出，这样就不能进行足够的电路复位。
此外，通过改变P型MIS晶体管308阈值电压的目标值可以很容易改变检测电压。进一步地，通过适当地设置P型增强MIS晶体管308与N型耗尽晶体管307的大小比率可以调节该检测电压，并由此调节它们电流驱动性能之间的比率。
(实施例4)图5是表示按照本发明实施例4的电压检测电路的结构的方框图；连接到实施例1中结点N2上的一个P型增强MIS晶体管改变为具有不同阈值电压的二个P型增强MIS晶体管。
与实施例1中的P型增强MIS晶体管106类似，P型增强MIS晶体管506的栅极被接地，而且在其栅极/源极之间总是施加最大偏压。电源电压的检测输出VDETX是由反相器508转换的，而且一反馈信号被施加到另一个P型增强MIS晶体管507的栅极上。第二恒流电路505和P型增强MIS晶体管506以及507组成了一偏置电路509。
此处，P型增强MIS晶体管506阈值电压的绝对值比P型增强MIS晶体管507阈值电压的绝对值要高。例如，P型增强MIS晶体管506阈值电压近似为-1.9伏，而P型增强MIS晶体管507阈值电压近似为-0.7伏。
用这种结构，当电源电压提高时的检测输出和电源电压降低时的检测输出可以设计为具有滞后，这可以避免在该检测释放电压附近的无意的输出摆动，因此，这使得避免施加有检测输出的电路的误操作以及降低电流损耗成为可能。
图8示出了在此时结点N1，N2和N3处的电压变化。
该检测和释放电压可以通过适当地设置P型增强MIS晶体管506，P型增强MIS晶体管507和恒流电路505中的电流驱动性能来进行调节。
(实施例5)图6是表示按照本发明实施例5的电压检测电路的结构的电路图；在该图中，示出了实施例4中电流镜电路，放大电路和恒流电路的详细结构的例子。
一电流镜电路由栅极连接在一起的P型增强MIS晶体管601和602构成，P型增强MIS晶体管601的栅极和漏极连接在一起作为电流镜电路的输入端N1。
此外，P型增强MIS晶体管602的漏极作为电流镜电路的输出端N3。
P型增强MIS晶体管608和609，以及N型耗尽MIS晶体管607组成一偏置电路611。
N型耗尽MIS晶体管603和607二者都作为恒流元件工作，每个的栅极和源极都接到地。与图5中放大电路504相对应的部分是一普通CMOS反向器，其由一P型增强MIS晶体管605和一N型增强MIS晶体管606组成。
由于在实施例5中节点N1、N2和N3处的电位变化也显示出如图8所示的性能，因此有可能防止Vcc和地之间的中间电压被施加到构成放大电路的P型增强MIS晶体管605和N型增强MIS晶体管606的栅极上并防止放大电路中的渗漏电流。
此外，通过采用这种结构，当电源电压升高时的释放输出和电源电压降低时的检测输出允许具有滞后。这样就可以避免在该检测释放电压附近的无意的输出摆动，因此，这使得避免施加有检测输出的电路的误操作以及降低电流损耗成为可能。
(实施例6)图7是表示按照本发明实施例6的电压检测电路结构的电路图；与结点N2相连的P型增强MIS晶体管709的阈值电压设置为不同于构成电流镜电路的P型增强MIS晶体管701和构成一反相器的P型增强MIS晶体管705的阈值电压。
P型增强MIS晶体管708的阈值电压和P型增强MIS晶体管701、702和705的阈值电压的之间的数是这样设置的，例如，当P型增强MIS晶体管708的阈值电压近似为-1.9V，P型增强MIS晶体管701、702和705的阈值电压是-0.7V时，P型增强MIS晶体管709的阈值电压近似为1.6V。在此时，电压检测电路的释放电压近似为1.9V，检测电压近似为1.6V。
通过采用这种结构，当电源电压升高时的释放输出和电源电压降低时的检测输出允许具有滞后。这样就可以避免在该检测释放电压附近的无意的输出摆动，因此，这使得避免施加有检测输出的电路的误操作以及降低电流损耗成为可能。进一步地，由于检测释放电压的波动几乎只取决于阈值电压的波动，因此精确度很高，并且当构成输入有检测信号的逻辑电路的P型MIS晶体管的阈值电压设计为近似-0.7V时，就有可能避免这样一个缺点，即在达到电路工作稳定的电源电压之前当电源电压升高时检测信号就被发出，这样就不能进行完全的电路复位。此外，在电路进行不稳定操作之前当电源电压降低时可以进行复位。
图8同样地示出了在此时结点N1，N2和N3处的电压变化。
此外，通过改变P型MIS晶体管708和709的阈值电压的目标值可以很容易地改变检测电压。进一步地，通过适当地设置P型增强MIS晶体管708和709与N型耗尽晶体管707的大小比率可以调节该检测电压，并由此调节它们电流驱动性能之间的比率。
(实施例7)图9是按照本发明实施例7的电压检测电路结构的电路示意图。虽然本发明具有与实施例6类似的电路结构，但P型增强MIS晶体管808和809设计为与构成一电流镜电路的P型增强MIS晶体管801和802以及构成一反相器的P型增强MIS晶体管805相同的值。
检测电压和释放电压之间的差值是通过适当地设置P型增强MIS晶体管808和809与N型耗尽晶体管807间的大小比率而形成的，并由此调节它们电流驱动性能之间的比率，这样提供了滞后。
通过改变晶体管尺寸中通道宽度或长度的尺寸可以很容易地调节电流驱动性能。为了提供合适的滞后，必须调节该尺寸使得P型增强MIS晶体管809的电流驱动性能比P型增强MIS晶体管808的电流驱动性能要高。
通过采用这种结构，可以减少用于形成多个阈值电压的通道杂质的引入步骤。因此，可以低成本构成本发明的电压检测电路。
如上所述，按照本发明，作为电压检测电路最后阶段的放大电路的输入，在电压检测之前或之后极大地被改变，这样使得减少放大电路的漏电流和降低整个电路所损耗的电流成为可能。
进一步地，检测电压和释放电压可设计为具有滞后，这样使得避免施加有检测输出的电路的误操作以及降低所损耗电流成为可能。
权利要求
1.一种电压检测电路包括电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压，栅极接第一电源电压；一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端是用于输出第一电源电压的电压检测输出的一端口。
2.按照权利要求1的电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。
3.按照权利要求2的电压检测电路，其中连接到第二恒流电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压比构成电流镜电路和放大电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高。
4.一种电压检测电路包括电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有第一阈值电压并包括栅极、漏极和源极，漏极接第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压，栅极与第一电源电压相连；第二传导型增强MIS晶体管，具有第二阈值电压并包括栅极、漏极和源极，漏极接第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压；反相器电路，包括一个输出端和一个输入端，该输出端接具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的栅极；以及一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端接反相器电路的输入，该输出端是用于输出该电源电压的电压检测输出的一端口。
5.按照权利要求4的电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。
6.按照权利要求5的电压检测电路，其中具有第一阈值电压且连接到第二恒流电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压和具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压二者比构成电流镜电路和放大电路的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高，具有第一阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压比具有第二阈值电压的第二传导型增强MIS晶体管的绝对阈值电压要高。
7.一种电压检测电路包括电流镜电路，具有至少一个输入端和至少一个输出端；第一恒流电路，其输出端接该电流镜电路的输入端；第一传导型增强MIS晶体管，具有栅极、漏极和源极，漏极接该电流镜电路的输出端，源极接第一电源电压；第二恒流电路，其输出端连接到第一传导型MIS晶体管的栅极；第二传导型增强MIS晶体管，具有第一电流驱动性能并包括栅极、漏极和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压，栅极接第一电源电压；第二传导型增强MIS晶体管，具有第二电流驱动性能并包括栅极、漏极，和源极，漏极接该第二恒流电路的输出端，源极接第二电源电压；一反相器电路，包括一个输出端和一个输入端，该输出端接具有第二电流驱动性能的第二传导型增强MIS晶体管的栅极；以及一放大电路，包括至少一个输入端和至少一个输出端，该输入端接该电流镜电路的输出端，该输出端接反相器电路的输入，该输出端是一个用于输出该电源电压的电压检测输出的端口，其中具有第一电流驱动性能的第二传导型增强MIS晶体管的阈值电压等于具有第二电流驱动性能的第二传导型MIS晶体管的阈值电压。
8.按照权利要求7的电压检测电路，其中电流镜电路包括第二传导型第一MIS晶体管和第二传导型第二MIS晶体管，第二传导型第一MIS晶体管的源极接第二电源电压，栅极和漏极接在一起并与电流镜电路的输入端相接，第二传导型第二MIS晶体管的源极接第二电源电压，漏极接电流镜电路的输出端，栅极接第二传导型第一MIS晶体管的栅极和漏极，第一恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第一恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第一恒流电路的输出端，第二恒流电路包括一第一传导型耗尽MIS晶体管，构成第二恒流电路的第一传导型耗尽MIS晶体管的源极和栅极接第一电源电压，漏极接第二恒流电路的输出端，以及该放大电路是一反相器电路，包括第一传导型增强MIS晶体管和第二传导型增强MIS晶体管。
全文摘要
一种电压检测电路，其损耗电流小，精确度高而且很少发生误操作。电压检测电路由偏置电路、电流镜电路、与该电流镜电路相连的负载MIS晶体管以及反相放大电路构成，其中电流驱动性能是由偏置电路的输出电压来改变的，在该电压检测电路中，检测和释放电源电压时的电流镜电路输出结点上的电压变化被极大地改变了，所以整个电路的泄露电流和所损耗电流可以被减少。此外，由于配备了多个偏置电路的负载P型MIS晶体管，因此检测电压和释放电压可以设计成具有滞后作用，从而可以避免检测和释放电压附近的检测输出VDETX的异常波动，还可以避免施加有检测输出的逻辑电路的误操作。
文档编号G05F3/08GK1412633SQ0214421
公开日2003年4月23日 申请日期2002年10月8日 优先权日2001年10月5日
发明者宫城雅记 申请人:精工电子有限公司