瞬间高电压吸收回路的制作方法

文档序号:6285265阅读:702来源:国知局
专利名称:瞬间高电压吸收回路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及补偿式无触点交流稳压器,特别涉及其中补偿变 压器中的瞬间高电压吸收回路。
背景技术
目前市场上的补偿式稳压器主要由碳刷调节式和可控硅调节式, 相对于碳刷调节式,可控硅调节具有无触点调节、响应时间快,无噪 音、无磨损、无机械传动、免维护等优点,但由于可控硅属于半导体 元件,承受瞬间大电流、大电压能力较差,容易被击穿而损坏。
如图1所示,是补偿式稳压器中的补偿变压器的工作原理图。将
一个补偿变压器的次级串联在主电路中,由可控硅K1、 K2控制补偿 变压器T的初级。当K1导通、K2断开时,补偿变压器T投入工作, 产生补偿电压AU,此时,输出电压UL2:UL1+AU,其中UL1为补 偿变压器T的输入电压;当Kl断开、K2导通时,补偿变压器不工 作,输出电压UL2等于输入电压UL1,从而达到了根据输入电压变 化调整稳定输出电压的目的。
由于当Kl断开,K2还未接通的瞬间,补偿变压器初级线圈在 L3点与N点间会产生很高的感应电势(如果输入电压为220V时, 感应电势将超过470V),该电势叠加到可控硅K1和K2两端,很可 能把可控硅击穿而造成稳压器出现故障。
实用新型内容
本实用新型为解决上述问题,提供了一种用于补偿变压器初级线圈中的高电压吸收回路。
本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是 一种瞬间高电 压吸收回路,用于吸收补偿变压器初级线圈的高电压,包括并联在所 述补偿变压器初级线圈两端的可控开关单元,所述补偿变压器的初级 线圈的高电位一端还连接有压敏电阻,所述压敏电阻的另一端与所述 可控开关单元的控制端相连。
所述可控开关单元还可串联有一个隔离电阻。
所述压敏电阻的另一端还可连接有一个下拉电阻。
所述可控开关单元可采用可控硅。
本实用新型通过可控开关单元并联接在补偿变压器初级线圈的 两端,由于线圈在通、断过程中,会产生很大的感应电势,直接作用 在所述开关控制单元的两端,在压敏电阻的控制下击穿,能有效的吸 收由线圈产生的瞬间感应电势,保护稳压器中的可控硅。

图1为现有补偿变压器工作原理图2为本实用新型中带有吸收回路的补偿变压器工作原理图。
具体实施方式

如图2中所示,本实用新型由电阻R、 Rl、压敏电阻TVR、可 控硅K3组成。所述隔离电阻R和可控硅K3串联后,并联在所述补 偿变压器初级线圈的两端,即L3点和N点之间,所述压敏电阻TVR 的一端连接在所述补偿变压器的初级线圈的高电位一端,即L3端, 另一端与所述可控硅的控制端相连。所述压敏电阻的另一端还通过下 拉电阻R1连接到N端。
当K1接通,K2断开时,补偿变压器开始工作,在本实用新型吸收回路,即L3点和N点间加入了 220V电压,此时,压敏电阻TVR 不导通,由所述压敏电阻TVR控制的可控硅K3也不导通;当K1断 开,K2还未接通的瞬间,在L3、 N之间会产生很高的感应电势(超 过470V),从而使压敏电阻TVR导通并流过一定的电流,触发双向 可控硅K3导通,使L3、 N之间的感应电势迅速被吸收,从而确保 Kl和K2不受损坏而正常工作。
其中,所述电阻R选用了一个低阻值电阻,使得可控硅K3在导 通时,吸收回路对瞬间大电压吸收更快速,吸收更彻底,且对系统损 耗低。
以上对本实用新型所提供的瞬间高电压吸收回路进行了详细介 绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐 述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心
思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想, 在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书
内容不应理解为对本实用新型的限制。
权利要求1. 一种瞬间高电压吸收回路,用于吸收补偿变压器初级线圈的高电压,其特征在于包括并联在所述补偿变压器初级线圈两端的可控开关单元,所述补偿变压器的初级线圈的高电位一端还连接有压敏电阻,所述压敏电阻的另一端与所述可控开关单元的控制端相连。
2. 根据权利要求1所述的瞬间高电压吸收回路,其特征在于所 述可控开关单元还串联有一个隔离电阻。
3. 根据权利要求1所述的瞬间高电压吸收回路,其特征在于所 述压敏电阻的另一端还连接有一个下拉电阻。
4. 根据权利要求1或2或3所述的瞬间高电压吸收回路,其特征 在于所述可控开关单元采用可控硅。
专利摘要本实用新型涉及补偿式无触点交流稳压器,特别涉及其中补偿变压器中的瞬间高电压吸收回路,包括并联在所述补偿变压器初级线圈两端的可控开关单元,所述补偿变压器的初级线圈的高电位一端还连接有压敏电阻,所述压敏电阻的另一端与所述可控开关单元的控制端相连。本实用新型通过可控开关单元并联接在补偿变压器初级线圈的两端,由于线圈在通、断过程中,会产生很大的感应电势,直接作用在所述开关控制单元的两端,在压敏电阻的控制下击穿,能有效的吸收由线圈产生的瞬间感应电势,保护稳压器中的可控硅。
文档编号G05F1/10GK201266330SQ200820152880
公开日2009年7月1日 申请日期2008年9月9日 优先权日2008年9月9日
发明者坚 吕, 泮金德 申请人:上海华润特种变压器成套有限公司
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