专利名称：调压电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种调压电路。
背景技术：
调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积 较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种MOS结构的调压电路。本实用新型采用的技术方案是这样的本实用新型的一种调压电路，该电路包括第一 NPN双极型晶体管、第二 NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述第一 NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二 NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；第二 NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。在上述的电路中，所述第一 NPN双极型晶体管和第二 NPN双极型晶体管为参数相同的NPN双极型晶体管。在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成，且电路结构简单。
图I是本实用新型调压电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型调压电路的电路原理图。下面结合图I对本实用新型上述各电子元器件间的连接关系做详细说明一种调压电路，该电路包括第一 NPN双极型晶体管Q1、第二 NPN双极型晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、可调电阻RWl和肖特基势垒二极管Zl ;所述第一 NPN双极型晶体管Ql的基极通过第一电阻Rl连接至电压源VDD并通过可调电阻RWl连接至地GND，源极接地GND，集电极连接至肖特基势垒二极管Zl的负极端、第二 NPN双极型晶体管Q2的基极以及通过第二电阻R2连接至电压源VDD ；肖特基势垒二极管Zl的正极端接地；第二 NPN双极型晶体管Q2的源极接地GND，集电极作为输出端Vout的负极。在本实用新型上述的电路中，所述第一 NPN双极型晶体管Ql和第二 NPN双极型晶体管Q2为参数相同的NPN双极型晶体管。 在本实用新型上述的电路中，所述第一电阻Rl和第二电阻R2为参数相同的电阻。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种调压电路，其特征在于，包括第一 NPN双极型晶体管(Tl)、第二 NPN双极型晶体管(T2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、可调电阻(RWl)和肖特基势垒二极管(Zl);所述第一NPN双极型晶体管(Tl)的基极通过第一电阻(Rl)连接至电压源(VDD)并通过可调电阻(RWl)连接至地(GND)，源极接地(GND)，集电极连接至肖特基势垒二极管(Zl)的负极端、第二NPN双极型晶体管(T2 )的基极以及通过第二电阻(R2 )连接至电压源(VDD );肖特基势垒二极管(Zl)的正极端接地；第二 NPN双极型晶体管(T2)的源极接地(GND)，集电极作为输出端(Vout)的负极。
2.根据权利要求I所述的调压电路，其特征在于，所述第一NPN双极型晶体管(Tl)和第二 NPN双极型晶体管(T2)为参数相同的NMOS晶体管。
3.根据权利要求I所述的调压电路，其特征在于，所述第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)为参数相同的电阻。
专利摘要本实用新型公开了一种调压电路。该电路包括第一NPN双极型晶体管、第二NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述第一NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；第二NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。
文档编号G05F1/56GK202795116SQ20122049859
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者周晓东, 王晓娟, 王纪云 申请人:郑州单点科技软件有限公司