一种移相式高频变换振荡系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及同时与振荡电路和变压器T1原边非同名端相连接的移相处理电路组成，变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与微处理电路相连接；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管Q7，三极管Q8等组成。本发明采用移相处理电路，使振荡系统在发出高频率的同时还能保护高稳定性。
【专利说明】一种移相式高频变换振荡系统
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种振荡系统，具体是指一种移相式高频变换振荡系统。
【背景技术】
[0002]随着通讯的不断发展，振荡器被广泛应用于无线电广播等通信设备中，然而目前的振荡系统在发出高频率时其频率并不稳定。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前振荡系统在发出高频率时其频率并不稳定的缺陷，提供一种移相式高频变换振荡系统。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种移相式高频变换振荡系统，由变压器Tl，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及同时与振荡电路和变压器Tl原边非同名端相连接的移相处理电路组成，变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管Q7，三极管Q8，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R15，负极经电阻R16后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C11，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管Q7的集电极相连接的极性电容C9，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与电容C9的正极相连接电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管Q7的基极相连接的二极管Dl，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管Q8的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片Ul的VCC+管脚与外部电压相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管Q7的发射极与三极管Q8的基极相连接，三极管Q8的集电极接地，极性电容Cll的负极与振荡电路相连接，电容C9的正极与变压器Tl原边非同名端相连接。
[0005]所述的振荡电路由振荡晶体管T，三极管Ql，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端与电容Cll的负极相连接电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接。
[0006]所述的微处理电路包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ；电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极同时与三极管Q2的集电极以及电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。
[0007]所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与双栅极场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到双栅极场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，双栅极场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0008]所述的第一转换电路由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0009]所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻Rll组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与双栅极场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
[0010]所述的第二转换电路包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ;电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接；所述变压器T2副边同名端接地。
[0011]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
(I)本发明采用移相处理电路，使振荡系统在发出高频率的同时还能保护高稳定性。
[0012]( 2)本发明能够大大提高振荡系统的工作频率，使其应用范围更广。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
[0015]如图1所示，本发明的移相式高频变换振荡系统，由变压器Tl，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及同时与振荡电路和变压器Tl原边非同名端相连接的移相处理电路组成，变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接。
[0016]其中，所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管Q7，三极管Q8，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R15，负极经电阻R16后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的ΙΝ2管脚相连接的极性电容Cl I，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管Q7的集电极相连接的极性电容C9，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与电容C9的正极相连接电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管Q7的基极相连接的二极管Dl，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管Q8的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片Ul的VCC+管脚与外部电压相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管Q7的发射极与三极管Q8的基极相连接，三极管Q8的集电极接地，极性电容Cll的负极与振荡电路相连接，电容C9的正极与变压器Tl原边非同名端相连接。移相处理电路，使振荡系统在发出高频率的同时还能保护高稳定性。为了保证实施效果，所述的移相芯片Ul优选为LM741集成芯片，其灵敏度高，价格低廉。
[0017]该振荡电路用于产生电磁波，其由振荡晶体管Τ，三极管Q1，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端与电容Cll的负极相连接电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接。
[0018]微处理器对振荡电路所产生的电磁波进行处理，其包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ;电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极同时与三极管Q2的集电极以及电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。
[0019]所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与双栅极场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到双栅极场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，双栅极场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0020]第一转换电路把输入的交流电转换成直流电，其由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0021]所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻Rll组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与双栅极场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
[0022]第二转换电路包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ;电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接；所述变压器T2副边同名端接地。
[0023]如上所述，便可很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:由变压器Tl，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及同时与振荡电路和变压器Tl原边非同名端相连接的移相处理电路组成，变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管Q7，三极管Q8，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R15，负极经电阻R16后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容Cl I，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管Q7的集电极相连接的极性电容C9，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容ClO，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与电容C9的正极相连接电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管Q7的基极相连接的二极管D1，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管Q8的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片Ul的VCC+管脚与外部电压相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管Q7的发射极与三极管Q8的基极相连接，三极管Q8的集电极接地，极性电容Cll的负极与振荡电路相连接，电容C9的正极与变压器Tl原边非同名端相连接。
2.根据权利要求1所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述的振荡电路由振荡晶体管T，三极管Q1，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端与电容Cll的负极相连接电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接。
3.根据权利要求2所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述的微处理电路包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ；电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极同时与三极管Q2的集电极以及电阻R4和电阻R5的连接点相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。
4.根据权利要求3所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与双栅极场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到双栅极场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，双栅极场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述的第一转换电路由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
6.根据权利要求5所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻RlI组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与双栅极场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
7.根据权利要求6所述的一种移相式高频变换振荡系统，其特征在于:所述的第二转换电路包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ；电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接；所述变压器T2副边同名端接地。
【文档编号】G05B19/042GK104407549SQ201410695836
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月26日 优先权日:2014年11月26日
【发明者】刘芳, 谢静 申请人:成都创图科技有限公司