一种双用途电流源产生器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开一种双用途电流源产生器，包括带隙源核心模块、隔离模块二、滤波器、基准电流产生器、隔离模块一和PTAT电流产生器，所述带隙源核心模块，用于产生稳定基准电压；所述隔离模块二与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离；所述滤波器与所述隔离模块二连接；所述基准电流产生器与所述滤波器连接；所述隔离模块一与所述带隙源核心模块连接；所述PTAT电流产生器与所述隔离模块一连接。本专利有两种用途：一是提供随温度变化很小的电流源，二是提供随温度升高而升高（PTAT）的电流源；具有高PSRR、超低温度系数、极低噪声性能和正温度系数的特点。
【专利说明】
一种双用途电流源产生器
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种电流源产生器，特别是用于手机和物联网射频通讯集成电路 的电流源产生器。
【背景技术】
[0002] 在电子设备领域，特别是手机和物联网射频通讯集成电路设计中，都需要通过带 隙源（bandgap)产生低功耗、高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比）、低噪 声、超低温度系数的、可调的精确的电压和电流，同时还需要产生精确的正温度系数的电 流，如低至luA、5uA的低电流。对于一个S0C(System on Chip，片上系统)芯片而言，需要 低成本，则可依赖数字的可调，需要高PSRR，低的输出阻抗，低功耗，还要面积小，适合集 成。
[0003] 如图1是通常的带隙源的结构示意图，利用D1和D2的器件个数比，并利用运放 把Va和Vb钳制相等，再调试合适的R1、R2、R3的电阻值，得到基准电压Vref，完成电 流产生器的设计。
[0004] 上述这种结构只能产生精确的基准电压，其功耗和PSRR性能一般，想要得到一 个低功耗、高PSRR、低噪声的基准源则达不到。
[0005] PSRR通常在低频是比较大，在中频时比较弱，在高频时又变得大。同时基准源需 要输出低的阻抗，这样在一个很宽的频率范围内，当并联噪声源时，能有效地降低对输出的 波动影响。带隙源的波动因数有：电源波动、输出波动、工艺波动(corner)、器件失配、封装 影响、温度波动。
[0006] 为了减少温度范围的波动，许多高阶的温度补偿技巧开发出来，如正交温度补偿、 指数温度补偿、分段线性补偿、温度相关的电阻比率补偿。基本思路是实现数学函数抵消PN 结的高阶温度系数。然而这些方法要求精确的电流镜匹配，否则在参考电压输出引入误差。 【实用新型内容】
[0007] 为了解决现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种双用途电流源产生 器。该电流源产生器有两种用途:一是提供随温度变化很小的电流源，二是提供随温度升高 而升高（PTAT)的电流源，用以解决现有技术中电流源产生器不能同时具有低功耗、高 PSRR、低噪声的问题。
[0008] 为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：
[0009] -种双用途电流源产生器，包括带隙源核心模块、隔离模块二、滤波器、基准电流 产生器、隔离模块一和PTAT电流产生器，所述带隙源核心模块，用于产生稳定基准电压;所 述隔离模块二与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离;所述 滤波器与所述隔离模块二连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行滤波;所述基 准电流产生器与所述滤波器连接，用于产生基准电流;所述隔离模块一与所述带隙源核心 模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离;所述PTAT电流产生器与所述隔离模块 一连接，用于产生正温度系数的电流。
[0010] 进一步地，所述带隙源核心模块，包括preLDO电路、金属氧化物半导体场效应晶 体管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1和MN2,以及三极管PNPUPNP2和PNP3,所述金属氧化物半 导体场效应晶体管MP1的栅极分别与金属氧化物半导体场效应晶体管MP2、MP3、MP4 的栅极连接；金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的源极均与 preLDO电路连接;金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极与其漏极连接;金属氧化 物半导体场效应晶体管MN1的栅极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的栅极连接， 金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的栅极与其漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体 管MP1、MP2、MP3和MP4的源级连接在一起;金属氧化物半导体场效应晶体管MP1的漏 极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体管 MP2的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的漏极连接;金属氧化物半导体场效应 晶体管MN1的源极通过电阻R1与三极管PNP1的发射极连接，金属氧化物半导体场效应 晶体管MN2的源极与三极管PNP2的发射极连接，三极管PNP1的基极与三极管PNP2 的基极连接；三极管PNP2的发射极通过电阻R2与MP3的漏极连接；三极管PNP3的发 射极通过电阻R3与金属氧化物半导体场效应晶体管MP4的漏极连接，三极管PNP3的 基极与其集电极连接；三极管PNP1、PNP2和PNP3的集电极连接在一起;所述金属氧化 物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MN1和MN2管构成自偏置镜像电流源结构，用以调节 金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的宽长比；金属氧化物半导体场 效应晶体管丽1和丽2组成N型电流镜。
[0011] 进一步地，所述preLDO电路包括误差放大器、金属氧化物半导体场效应晶体管 PM6和匪7,其中误差放大器的两个输入端分别与金属氧化物半导体场效应晶体管MP1和 MP2的漏极连接，输出端分别与金属氧化物半导体场效应晶体管PM6的漏极和金属氧化 物半导体场效应晶体管匪7的栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM6的漏极和金 属氧化物半导体场效应晶体管NM7的漏极连接，NM7的源极接地。
[0012]进一步地，所述误差放大器包括金属氧化物半导体场效应晶体管PM1、PM2、 PM3、PM4、匪1、匪2和匪3,其中，金属氧化物半导体场效应晶体管PM1的栅极与金属 氧化物半导体场效应晶体管PM2的栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM1的源 极与金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的源极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管 PM1的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管NM1的漏极连接，金属氧化物半导体场效 应晶体管PM1的栅极与其漏极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的漏极同时与 金属氧化物半导体场效应晶体管PM3、PM4的源极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管 PM3的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管匪2的漏极连接，金属氧化物半导体场效应 晶体管PM4的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管NM3的漏极连接，金属氧化物半导体 场效应晶体管匪3的漏极与其栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管匪1、匪2和 匪3的栅极连接在一起，金属氧化物半导体场效应晶体管匪1、匪2和NM3的源极连接 在一起，金属氧化物半导体场效应晶体管PM3的栅极和金属氧化物半导体场效应晶体管 PM4的栅极为误差放大器EA的两个输入端A、B，金属氧化物半导体场效应晶体管PM4的 源极为误差放大器EA的输出端V_out。
[0013]进一步地，所述隔离模块一包括运算放大器，运算放大器的负端与输出端连接。
[0014] 进一步地，所述隔离模块一和隔离模块二结构相同。
[0015] 进一步地，所述滤波模块包括彼此连接的M0S电容和电阻，电阻的阻值大于50k Q且小于200kQ;M0S电容的电容值大于O.lnf且小于Inf。
[0016] 进一步地，所述电流源产生器上电连接有自校准电阻模块，自校准电阻模块连接 在过滤器和基准电流产生器之间，用于提供达到设定精度的电阻值。
[0017] 进一步地，所述自校准电阻模块包括电阻校正器和电阻串控制器、电阻比较器，其 中，电阻比较器，用以将精确参考电压和待比电压进行比较，比较的结果反馈给电阻校正器 进行校正，通过电阻串控制器调整电阻值，产生反方向的待比电压；当精确参考电压和待比 电压在电阻比较器的设定范围内时，获取到校准的电压。
[0018] 本实用新型的有益效果：
[0019] 本专利有两种用途:一是提供随温度变化很小的电流源，二是提供随温度升高而 升高(PTAT)的电流源，用以解决现有技术中电流源产生器不能同时具有低功耗、高PSRR、 低噪声的问题，使本专利具有高PSRR、超低温度系数、极低噪声性能和正温度系数的特点。
【附图说明】
[0020] 下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明：
[0021 ]图1是现有带隙源的结构示意图；
[0022]图2是本发明实施例中一种电流源产生器的结构示意图；
[0023]图3是本发明实施例中带隙源核心模块和PTAT电流产生器的电原理图；
[0024]图4是本发明实施例中preLDO电路的电路原理图；
[0025] 图5是本发明实施例中误差放大器的电路原理图；
[0026] 图6是本发明实施例中隔离模块的电路原理图；
[0027] 图7是本发明实施例中滤波模块的电路原理图；
[0028] 图8是本发明实施例中另一种电流源产生器的结构示意图；
[0029] 图9是本发明实施例中电阻校准算法示意图。
【具体实施方式】
[0030] 如图2所示，一种双用途电流源产生器，包括带隙源核心模块、隔离模块二、滤波 器、基准电流产生器、隔离模块一和PTAT电流产生器，所述带隙源核心模块，用于产生稳定 基准电压;所述隔离模块二与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪 声隔离;所述滤波器与所述隔离模块二连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行 滤波;所述基准电流产生器与所述滤波器连接，用于产生基准电流;所述隔离模块一与所述 带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离;所述PTAT电流产生器与所 述隔离模块一连接，用于产生正温度系数的电流。
[0031] 如图3所示，所述带隙源核心模块，包括preLDO电路、金属氧化物半导体场效应 晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1和MN2,以及三极管PNPUPNP2和PNP3,所述金属氧化物 半导体场效应晶体管MP1的栅极分别与金属氧化物半导体场效应晶体管MP2、MP3、MP4 的栅极连接；金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的源极均与 preLDO电路连接;金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极与其漏极连接;金属氧化 物半导体场效应晶体管MN1的栅极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的栅极连接， 金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的栅极与其漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体 管MP1、MP2、MP3和MP4的源级连接在一起;金属氧化物半导体场效应晶体管MP1的漏 极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体管 MP2的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的漏极连接;金属氧化物半导体场效应 晶体管MN1的源极通过电阻R1与三极管PNP1的发射极连接，金属氧化物半导体场效应 晶体管MN2的源极与三极管PNP2的发射极连接，三极管PNP1的基极与三极管PNP2 的基极连接；三极管PNP2的发射极通过电阻R2与MP3的漏极连接；三极管PNP3的发 射极通过电阻R3与金属氧化物半导体场效应晶体管MP4的漏极连接，三极管PNP3的 基极与其集电极连接；三极管PNP1、PNP2和PNP3的集电极连接在一起；
[0032]所述金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MN1和MN2管构成自偏置镜像 电流源结构，目的是增大输出电阻，减小沟道调制效应引起的电流不匹配，从而减小镜像电 流之间的误差。通过调节MP1~MP4的宽长比，使图3中支路的金属氧化物半导体场效 应晶体管MP1、MP2、MP3和MP4中电流大小关系满足1:1:4:1。金属氧化物半导体场 效应晶体管MN1和金属氧化物半导体场效应晶体管MN2组成N型电流镜，其漏极用运放 强制成相等，同时丽1、丽2组成分压电路通过MP2和MP3的叠加，由负温度系数部分 (CTAT)和正温度系数部分（PTAT)组成了稳定基准电压Vref?。金属氧化物半导体场效 应晶体管MP1和MP2、MP3、MP4管是P型电流镜像管，金属氧化物半导体场效应晶体管 丽1和丽2也构成电流镜，是N型电流共栅结构，电阻Rl、R2和三极管PNP1和PNP2 是产生PTAT部分的三极管。三极管PNP3和电阻R3是镜像并输出PTAT电流。
[0033] 假设电源电压是Vdd，输出电压是Vo,输出电压Vo和电源电压Vdd的内阻是 rds,输出电压Vo对地的输出阻抗是Zo,反馈环的内阻是Zo-ref。贝1J
[0035]内阻Zo-ref在环路增益很高时有效，影响从低频到中频的PSRR;输出阻抗Zo在 环路增益很低时有效，影响从中频到高频的PSRR。PreLDO电路的加入，加强了 Zo-ref， 提高低频到中频的PSRR。另外，根据电源分压可以提高PSRR的原理，增加了 PreLDO电 路后，PSRR得到极大的改善，同时噪声（Noise)也得到改善。
[0036]如图4所示，所述preLDO电路包括误差放大器、金属氧化物半导体场效应晶体管 PM6和匪7,其中误差放大器的两个输入端分别与金属氧化物半导体场效应晶体管MP1和 MP2的漏极连接，输出端分别与金属氧化物半导体场效应晶体管PM6的漏极和金属氧化 物半导体场效应晶体管匪7的栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM6的漏极和金 属氧化物半导体场效应晶体管匪7的漏极连接，匪7的源极接地。误差放大器EA的输出 接成源极跟随器，金属氧化物半导体场效应晶体管匪7的漏极反馈到金属氧化物半导体场 效应晶体管PM6的漏极，而这个漏极直接输出成preLDO电路的输出Vafterldo。
[0037]如图5所示，所述误差放大器包括金属氧化物半导体场效应晶体管PM1、PM2、 PM3、PM4、匪1、匪2和匪3,其中，金属氧化物半导体场效应晶体管PM1的栅极与金属 氧化物半导体场效应晶体管PM2的栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM1的源 极与金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的源极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管 PM1的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管NM1的漏极连接，金属氧化物半导体场效 应晶体管PM1的栅极与其漏极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的漏极同时与 金属氧化物半导体场效应晶体管PM3、PM4的源极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管 PM3的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管匪2的漏极连接，金属氧化物半导体场效应 晶体管PM4的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管NM3的漏极连接，金属氧化物半导体 场效应晶体管匪3的漏极与其栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管匪1、匪2和 匪3的栅极连接在一起，金属氧化物半导体场效应晶体管匪1、匪2和NM3的源极连接 在一起，金属氧化物半导体场效应晶体管PM3的栅极和金属氧化物半导体场效应晶体管 PM4的栅极为误差放大器EA的两个输入端A、B，金属氧化物半导体场效应晶体管PM4的 源极为误差放大器EA的输出端V_out。
[0038]误差放大器EA是基于PM0S管的运放结构和NM0S成反对称，这样设计的好处 是噪声（Noise)进一步降低。
[0039] 图6是隔离模块的电路原理图，图2中的隔离模块一和隔离模块二结构相同， 下面，以隔离模块一进行描述。所述隔离模块一包括运算放大器，运算放大器的负端与输出 端连接;通过运算放大器的负端和输出相接，得到的模拟buffer产生隔离，对输入电压起 到了有效阻抗，选用cascode结构运放隔离噪声，选用的M0S管是长沟道、大W/L器件以 获取小的输出净空和大的输出电阻，这样的隔离模块对于提高noise性能非常有益。
[0040] 如图7所示，所述滤波模块，包括彼此连接的M0S电容AVSS和电阻R，电阻R的阻值 大于50kQ且小于200kQ;M0S电容AVSS的电容值大于O.lnf且小于Inf。滤波模块由集 成电路上能实现的大电阻和大M0S电容实现，提高中频到高频的PSRR;这样实现能避免 集成电路芯片片外外接的电容，减少B0M用料。
[0041] 如图8所示，所述电流源产生器上电连接有自校准电阻模块，自校准电阻模块连接 在过滤器和基准电流产生器之间，用于提供达到设定精度的电阻值。所述自校准电阻模块 包括电阻校正器和电阻串控制器、电阻比较器，其中，电阻比较器，用以将精确参考电压和 待比电压进行比较。图8中，BG_top表示图2中的电流源产生器，即图8是对图2的 电流源产生器的进一步扩展。
[0042]图8中也包含了电流校准模块，电流校准模块包括电流校正器和电流控制器、电 流电压转换器和电流比较器，其中，电流控制器从图2中镜像出的Iptatl中按不同开关 配置镜像成l/2*Iptatl，l/4*Iptatl，l/8*Iptatl的不同组合电流，最终可形成例如从5/ 8*Iptatl到ll/8*Iptatl的不同电流；电流校正器（ICAL)是数字硬件实现的模块，可以 根据比较器的输出选择电流控制器的不同配置；电流比较器将产生的PTAT电压和得到校 正的Vxul(通过外部的精确电阻接入产生而来)进行比较，比较的结果反馈给电流校正器 进行校正，直至波动得到校正。
[0043]图9是电阻校准算法示意图。电阻比较器将精确参考电压和待比电压进行比较， 产生正偏差或负偏差，比较的结果反馈给电阻校正器（RCAL)进行校正，通过电阻串控制器 改变开关网络(例如多个电阻并联后的阻值作为最终的输出电阻，每个电阻都连接一个开 关，通过控制开关的闭合，来调整输出电阻的阻值），调整电阻值，产生反方向的待比电压； 当精确参考电压和待比电压在电阻比较器的设定范围内时，数字算法引擎固定下来，获取 到校准的电压。即通过驱动逐次逼近的数字算法引擎控制逻辑，直至实现对波动的校正。
[0044] 需说明的是无论电阻比较器还是电流比较器，都是比较的电压，之所以这么命名， 是为了便于理解其作用是在对电阻矫正上还是在电流矫正上。
[0045]电阻校正在前，电流校正在后，这样在电流源产生器上电后的线路中，就会对由于 电阻、电容、M0S管、PNP管波动产生的电压和电流进行校正。
[0046] 由上述实施例可以看出，通过将电源电压加到preLDO或者运算放大器，运算放 大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压，整个核心电路的偏置电压独立于电源电 压，使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明，其 电源抑制比可达120dB，在一 40°C~125°C温度范围内温度系数为18ppm/°C，功耗仅为 400uA，可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。通过 隔离模块一和隔离模块二，增加环路增益，能有效电源抑制比PSRR，并提高noise性能； 其中用电容能滤除一些噪声;在电源噪声转换到输出的主要路径上增加电容是可以出除 噪声的。本发明的电流源产生器具有高PSRR、超低温度系数、极低噪声性能和正温度系数。
[0047] 以上所述是本实用新型的优选实施方式而已，当然不能以此来限定本实用新型之 权利范围，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，对本实用新型的技术方案进行 修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的保护范围。
【主权项】
1. 一种双用途电流源产生器，其特征在于:包括带隙源核心模块、隔离模块二、滤波器、 基准电流产生器、隔离模块一和PTAT电流产生器，所述带隙源核心模块，用于产生稳定基 准电压;所述隔离模块二与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声 隔离;所述滤波器与所述隔离模块二连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行滤 波;所述基准电流产生器与所述滤波器连接，用于产生基准电流;所述隔离模块一与所述带 隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离;所述PTAT电流产生器与所述 隔离模块一连接，用于产生正温度系数的电流。2. 根据权利要求1所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述带隙源核心模块，包 括preLDO电路、金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1和MN2,以及三 极管PNP1、PNP2和PNP3,所述金属氧化物半导体场效应晶体管MPl的栅极分别与金属 氧化物半导体场效应晶体管MP2、MP3、MP4的栅极连接;金属氧化物半导体场效应晶体 管MP1、MP2、MP3和MP4的源极均与preLDO电路连接;金属氧化物半导体场效应晶体 管MP2的栅极与其漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体管MNl的栅极与金属氧化 物半导体场效应晶体管MN2的栅极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管MNl的栅极与 其漏极连接;金属氧化物半导体场效应晶体管MPl、MP2、MP3和MP4的源级连接在一起； 金属氧化物半导体场效应晶体管MPl的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管MNl的漏 极连接;金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管 MN2的漏极连接；金属氧化物半导体场效应晶体管MNl的源极通过电阻Rl与三极管 PNPl的发射极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的源极与三极管PNP2的发射 极连接，三极管PNPl的基极与三极管PNP2的基极连接；三极管PNP2的发射极通过电 阻R2与MP3的漏极连接；三极管PNP3的发射极通过电阻R3与金属氧化物半导体场 效应晶体管MP4的漏极连接，三极管PNP3的基极与其集电极连接;三极管PNPl、PNP2和 PNP3的集电极连接在一起;所述金属氧化物半导体场效应晶体管MPl、MP2、丽1和丽2 管构成自偏置镜像电流源结构，用以调节金属氧化物半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3 和MP4的宽长比；金属氧化物半导体场效应晶体管MNl和MN2组成N型电流镜。3. 根据权利要求2所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述preLDO电路包括误 差放大器、金属氧化物半导体场效应晶体管PM6和匪7,其中误差放大器的两个输入端分 别与金属氧化物半导体场效应晶体管MPl和MP2的漏极连接，输出端分别与金属氧化物 半导体场效应晶体管PM6的漏极和金属氧化物半导体场效应晶体管匪7的栅极连接，金 属氧化物半导体场效应晶体管PM6的漏极和金属氧化物半导体场效应晶体管NM7的漏极 连接，匪7的源极接地。4. 根据权利要求3所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述误差放大器包括金属 氧化物半导体场效应晶体管PM1、PM2、PM3、PM4、匪1、匪2和匪3,其中，金属氧化物半 导体场效应晶体管PMl的栅极与金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的栅极连接，金 属氧化物半导体场效应晶体管PMl的源极与金属氧化物半导体场效应晶体管PM2的源极 连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PMl的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管匪1 的漏极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PMl的栅极与其漏极连接，金属氧化物半导 体场效应晶体管PM2的漏极同时与金属氧化物半导体场效应晶体管PM3、PM4的源极连 接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM3的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管NM2的 漏极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管PM4的漏极与金属氧化物半导体场效应晶体管 匪3的漏极连接，金属氧化物半导体场效应晶体管NM3的漏极与其栅极连接，金属氧化物 半导体场效应晶体管匪1、匪2和匪3的栅极连接在一起，金属氧化物半导体场效应晶 体管匪1、NM2和匪3的源极连接在一起，金属氧化物半导体场效应晶体管PM3的栅极和 金属氧化物半导体场效应晶体管PM4的栅极为误差放大器EA的两个输入端A、B，金属 氧化物半导体场效应晶体管PM4的源极为误差放大器EA的输出端V_out。5. 根据权利要求1所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述隔离模块一包括运算 放大器，运算放大器的负端与输出端连接。6. 根据权利要求1所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述隔离模块一和隔离模 块二结构相同。7. 根据权利要求1所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述滤波模块包括彼此连 接的MOS电容和电阻，电阻的阻值大于50kQ且小于200kQ;M0S电容的电容值大于 0.1 nf且小于Inf。8. 根据权利要求1所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述电流源产生器上电连 接有自校准电阻模块，自校准电阻模块连接在过滤器和基准电流产生器之间，用于提供达 到设定精度的电阻值。9. 根据权利要求8所述的双用途电流源产生器，其特征在于:所述自校准电阻模块包括 电阻校正器和电阻串控制器、电阻比较器，其中，电阻比较器，用以将精确参考电压和待比 电压进行比较，比较的结果反馈给电阻校正器进行校正，通过电阻串控制器调整电阻值，产 生反方向的待比电压；当精确参考电压和待比电压在电阻比较器的设定范围内时，获取到 校准的电压。
【文档编号】G05F3/26GK205507607SQ201620334241
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月20日
【发明人】刘雁鹏, 章国豪, 林俊明, 黄亮
【申请人】佛山臻智微芯科技有限公司