专利名称：内存侦测电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种内存侦测电路，特别涉及一种计算机主板上的内存侦测电路。
背景技术：
随着计算机高端处理器的不断发展，处理器对内存系统的带宽要求越来越高，内存带宽成为内存系统越来越大的瓶颈。内存厂商只要提高内存的运行频率，就可以增加带宽，但是由于受到晶体管本身的特性和制造技术的制约，内存频率不可能无限制地提升，所以在全新的内存研发出来之前，组建内存的双通道模式就成了一种可以有效地提高内存带宽的技术。内存的双通道模式是指内存与CPU之间进行数据读写的方式，就是在北桥芯片里设计有两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个内存控制器控制一个内存通道。在这两个内存通道内CPU可分别寻址、读取数据，在理论上相对于内存单通道模式把内存带宽提
高了一倍，加快了数据传输速率。
支持内存双通道模式的主板至少有两个内存插槽，分别在每个内存插槽内都插上内存条即可组建双通道模式，否则，则需要判断内存插槽是否属于同一通道。目前，市面上部分主板厂商规定内存插槽颜色相同的属于同一通道，而其他部分主板厂商则未规定。由于各个主板厂商对于内存插槽的颜色的定义没有一个固定的标准，所以用户常常分不清楚主板上的内
存插槽是否属于同一通道，而只能在BIOS里査看内存条是工作于单通道模式还是双通道模式。但是，在BIOS里査看内存条的工作模式需要用户更换内存条插入不同的内存插槽，然后重复开机自检，因而浪费了大量的时间。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种可侦测内存条工作模式的内存侦测电路，以提示用户内存条工作于单通道模式还是双通道模式。
一种内存侦测电路，包括一第一开关元件，其第一端与一备用电源相连，并与一第一通道的内存插槽相连以接收一第一内存侦测信号，其第二端与所述备用电源相连，其第三端接地； 一第二开关元件，其第一端与所述第一开关元件的第一端相连，所述第二开关元件的第二端和所述备用电源相连； 一第三开关元件，其第一端与所述备用电源相连，并与一第二通道的内存插槽相连以接收一第二内存侦测信号，所述第三开关元件的第二端与所述第二开关元件的一第三端相连，所述第三开关元件的第三端接地； 一第四开关元件，其第一端与所述第三开关元件的第一端相连，所述第四开关元件的第二端与所述第一开关元件的第二端相连，所述第四开关元件的第三端接地； 一第五开关元件，其第一端与所述第四开关元件的第二端相连，所述第五开关元件的第二端与所述第二开关元件的第二端相连，所述第五开关元件的第三端接地； 一第一指示装置，与所述第二开关元件的第二端相连；以及一第二指示装置，与所述第四开关元件的第二端相连；当仅第一通道的内存插槽插入内存条时，所述第一内存侦测信号为低电平，所述第二内存侦测信号为高电平，使所述第一、第二开关元件截止，第三、第四开关元件导通，第五开关元件截止，所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式；当仅第二通道的内存插槽插入内存条时，所述第一内存侦测信号为高电平，所述第二内存侦测信号为低电平，使所述第一、第二开关元件导通，第三、第四开关元件截止，第五开关元件截止，所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式；当第一、第二通道的内存插槽均插入内存条时，所述第一、第二内存侦测信号均为低电平，使所述第一、第二、第三、第四开关元件均截止，第五开关元件导通，所述第二指示装置显示内存条工作于双通道模式。
本发明内存侦测电路在计算机接通电源不开机的情况下即可通过内存侦测信号控制NMOS场效应管的通断，使得发光二极管发光或不发光，以提示用户当前内存条是工作于双通道模式还是单通道模式，从而使得用户可方便快速的组建内存双通道模式，无需重复开机自检。
图l为本发明内存模式侦测电路的较佳实施方式的电路图。
具体实施例方式
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述
请参考图l，本发明内存侦测电路设置于一主板上，其较佳实施方式包括五个NMOS场效应管Q1 Q5、四个电阻RrR4以及两个发光二极管Dl和D2。所述NM0S场效应管Q1的栅极通过所述电阻R1与所述主板上的一5V备用电源5V—SB相连，并与两内存插槽DI丽1、 DI丽2的地线相连，以接收一内存侦测信号GNDDET—A，所述NM0S场效应管Q1的漏极通过所述电阻R2与所述5V备用电源5V—SB相连，其源极接地。所述NM0S场效应管Q2的栅极与所述NM0S场效应管Q1的栅极相连，所述丽0S场效应管Q2的漏极通过所述电阻R3与所述5V备用电源5V—SB相连，还与所述发光二极管D1的阳极相连，其源极与所述NM0S场效应管Q3的漏极相连。所述NMOS场效应管Q3的栅极通过所述电阻R4接所述5V备用电源5V—SB，并与两内存插槽DI丽3、 DI丽4的地线相连，以接收另一内存侦测信号GNDDET—B，其源极接地。所述NM0S场效应管Q4的栅极与所述NM0S场效应管Q3的栅极相连，所述NMOS场效应管Q4的漏极与所述NMOS场效应管Q5的栅极以及发光二极管D2的阳极均相连，所述NM0S场效应管Q4的源极接地。所述NMOS场效应管Q5的栅极还与所述NM0S场效应管Q1的漏极相连，所述NMOS场效应管Q5的漏极与所述NMOS场效应管Q2的漏极相连，所述NMOS场效应管Q5的源极接地。所述发光二极管D1、 D2的阴极均接地。
本较佳实施方式中，假设所述内存插槽DI丽1、 Dl丽2同属于第一通道Channel A，所述内存插槽DI丽3、 Dl丽4同属于第二通道Channel B。所述内存侦测信号GNDDET—A和GNDDET—B分别用于指示所述第一通道Channel A和第二通道Channel B的内存插槽中是否插入内存条。当所述第一通道Channel A或第二通道Channel B的任意一个内存插槽内插有内存条时，例如所述内存插槽DIMM1插有内存条，则所述内存插槽DIMM1的地线接地，从而使得对应的内存侦测信号GNDDET—A为低电平。当所述第一通道Channel A或第二通道Channel B的两个内存插槽内均没有插入内存条时，则对应的内存侦测信号GNDDET—A或GNDDET—B为高电平。
本实施方式仅对主板上具有两条内存条的情况进行说明。当主板上只具有一条内存条时，其显然工作于单通道模式。当主板具有三条或四条内存条时，其工作原理与主板上具有两条内存条时相同。当用户在所述第一通道Channel A的内存插槽DI丽1、 DI丽2内插入两条内存条时，所述内存侦测信号GNDDET—A为低电平，所述内存侦测信号GNDDET—B为高电平，此时所述NM0S场效应管Q1、 Q2截止，所述NMOS场效应管Q3、 Q4导通，所述NMOS场效应管Q5截止，则所述5V备用电源5V—SB通过所述电阻R3使所述发光二极管D1发光，所述发光二极管D2不发光，以提示用户此时两条内存条工作于单通道模式。
当用户在所述第二通道Channel B的内存插槽DI丽1、 DI丽2内插入两条内存条时，所述内存侦测信号GNDDET—A为高电平，所述内存侦测信号GNDDET—B为低电平，此时所述NMOS场效应管Q1、 Q2导通，所述NMOS场效应管Q3、 Q4截止，所述NMOS场效应管Q5截止，则所述5V备用电源5V—SB通过所述电阻R3使所述发光二极管D1发光，所述发光二极管D2不发光，以提示用户此时所述两条内存条工作于单通道模式。
当用户将一条内存条插入所述第一通道Channel A的内存插槽DI丽1或DI丽2时，另一条内存条插入所述第二通道Channel B的内存插槽DI丽3或DI丽4时，所述内存侦测信号GNDDET—A、 GNDDET—B均为低电平，此时所述NM0S场效应管Q1 、 Q2、 Q3、 Q4均截止，所述NMOS场效应管Q5导通，则所述发光二极管D1不发光，所述5V备用电源5V—SB通过所述电阻R2使所述发光二极管D2发光，以提示用户此时两条内存条工作于双通道模式。
当所述第一通道Channel A的内存插槽DIMM1、 DIMM2和第二通道Channel B的内存插槽DIMM3、 DIMM4均没有插入内存条时，所述内存侦测信号GNDDET—A和GNDDET—B均为高电平，此
6时所述NM0S场效应管Q1、 Q2、 Q3、 Q4均导通，所述NM0S场效应管Q5截止，因而所述发光二极管D1、 D2均不发光，以提示用户此时所述第一通道Channel A和第二通道Channel B的内存插槽内均无内存条。
本较佳实施方式中，所述发光二极管D1及D2可设置于一计算机机箱面板上，以方便提示用户此时系统内存条的工作模式。由于一ATX电源在通电后，其将会输出所述5V备用电源5V—SB给主板，因此本发明内存侦测电路在计算机接通电源不开机的情况下即可通过所述内存侦测信号GNDDET—A和GNDDET—B控制所述NM0S场效应管QrQ5的通断，使得所述发光二极管D1和D2发光或不发光，以提示用户当前内存条是工作于双通道模式还是单通道模式，从而使得用户可方便快速的组建内存双通道模式，无需重复开机自检。在其他实施方式中，所述NMOS场效应管QrQ5可选择性地使用三极管等其他开关元件，所述发光二极管D1、 D2可选择性地使用蜂鸣器等其他指示装置，如本领域技术人员所熟知的那样，同样可达到本发明目的
权利要求
1.一种内存侦测电路，包括一第一开关元件，其第一端与一备用电源相连，并与一第一通道的内存插槽相连以接收一第一内存侦测信号，其第二端与所述备用电源相连，其第三端接地；一第二开关元件，其第一端与所述第一开关元件的第一端相连，所述第二开关元件的第二端和所述备用电源相连；一第三开关元件，其第一端与所述备用电源相连，并与一第二通道的内存插槽相连以接收一第二内存侦测信号，所述第三开关元件的第二端与所述第二开关元件的一第三端相连，所述第三开关元件的第三端接地；一第四开关元件，其第一端与所述第三开关元件的第一端相连，所述第四开关元件的第二端与所述第一开关元件的第二端相连，所述第四开关元件的第三端接地；一第五开关元件，其第一端与所述第四开关元件的第二端相连，所述第五开关元件的第二端与所述第二开关元件的第二端相连，所述第五开关元件的第三端接地；一第一指示装置，与所述第二开关元件的第二端相连；以及一第二指示装置，与所述第四开关元件的第二端相连；当仅第一通道的内存插槽插入内存条时，所述第一内存侦测信号为低电平，所述第二内存侦测信号为高电平，使所述第一、第二开关元件截止，第三、第四开关元件导通，第五开关元件截止，所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式；当仅第二通道的内存插槽插入内存条时，所述第一内存侦测信号为高电平，所述第二内存侦测信号为低电平，使所述第一、第二开关元件导通，第三、第四开关元件截止，第五开关元件截止，所述第一指示装置显示内存条工作于单通道模式；当第一、第二通道的内存插槽均插入内存条时，所述第一、第二内存侦测信号均为低电平，使所述第一、第二、第三、第四开关元件均截止，第五开关元件导通，所述第二指示装置显示内存条工作于双通道模式。
2.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一开关 元件至第五开关元件均为NMOS场效应管，其第一端、第二端及第三端分别为NMOS场效应管的栅极、漏极及源极。
3.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一开关 元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。
4.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一开关 元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。
5.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第二开关 元件的第二端通过一电阻与所述备用电源相连。
6.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第三开关 元件的第一端通过一电阻与所述备用电源相连。
7.如权利要求l所述的内存侦测电路， 装置、第二指示装置分别为一第一发光二极管、 一第二发光二 阳极与所述第二开关的第二端相连，其阴极接地，所述第二发光二极管的阳极与所述第四开 关元件的第二端相连，其阴极接地，当内存条工作于单通道模式时，所述第一发光二极管发 光，当内存条工作于双通道模式时，所述第二发光二极管发光。
8.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一指示 装置、第二指示装置设置于计算机机箱前面板上。
9.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一开关 元件的第一端与所述第一通道的内存插槽的地线相连；所述第三开关元件的第一端与所述第 二通道的内存插槽的地线相连。
10.如权利要求l所述的内存侦测电路，其特征在于所述第一通道 和第二通道均包括至少一个内存插槽。其特征在于所述第一指示 :极管，所述第一发光二极管的
全文摘要
一种内存侦测电路，包括一第一开关元件，与一备用电源相连，并与一第一通道的内存插槽相连以接收一第一内存侦测信号；一第二开关元件，与所述第一开关元件和备用电源相连；一第三开关元件，与所述第二开关元件和备用电源相连，并与一第二通道的内存插槽相连以接收一第二内存侦测信号；一第四开关元件，与所述第三开关元件和备用电源相连；一第五开关元件，与所述第四开关元件和备用电源相连；一第一指示装置，与所述第二开关元件以及备用电源相连；以及一第二指示装置，与所述第四开关元件、第五开关元件以及备用电源相连；当所述第一通道、第二通道的内存插槽都插入内存条时，所述第二指示装置发出指示信号提示用户内存条工作于双通道模式。
文档编号G06F11/22GK101639797SQ200810303229
公开日2010年2月3日 申请日期2008年7月30日 优先权日2008年7月30日
发明者李炳建, 游永兴, 宁 王 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司