专利名称：漏极饱和电流仿真电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及漏极饱和电流仿真电路，特别是涉及一种利用单一电压源对PMOS管与NMOS管漏极饱和电流同时仿真的漏极饱和电流仿真电路。
背景技术：
QA(QUALITYASSURANCE,品质保证)是集成电路设计与制造中重要的一环。而在集成电路设计中，晶体管是使用较多的器件之一，因此对于晶体管有关参数的仿真检查是QA 的一个重要手段。由于饱和电流是晶体管的最基本的参数，经常需要知道在改变其他参数后该量的变化情况，因此QA中经常需要对晶体管的饱和电流进行仿真。图1现有技术中一种漏极饱和电流(Idsat)仿真的等效电路图。其中，图1以 NMOS晶体管为例，NMOS晶体管m源极和衬底接地，栅极接偏置电压(该偏置电压也可以为正电源Vdd)，漏极接正电源Vdd，此仿真电路存在的问题是同一时间只能对NMOS晶体管或 PMOS晶体管的漏极饱和电流Idsat进行仿真，如需要从N沟道(NMOS)换成P沟道(PMOS) 的仿真，则需要改变偏置条件和模型名。更具体地说，图2为PMOS晶体管漏极饱和电流仿真的等效电路图，PMOS晶体管Pl源极接Vdd，栅极接地或低偏置电压，漏极接负电源或地。 可见当实现从NMOS管漏极饱和电流仿真换成PMOS管漏极饱和电流仿真时，需要将模型从 NCH换成PCH，偏置电压需要重新设置，网表要重新连接，相当麻烦。综上所述，可知先前技术的漏极饱和电流仿真电路存在由于同一时间只能对NMOS 管或PMOS管漏极饱和电流仿真导致变换仿真时需重新改变偏置条件及模型名称的问题， 因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
发明内容
为克服上述现有技术的漏极饱和电流仿真电路存在由于同一时间只能对NMOS管或PMOS管漏极饱和电流仿真导致变换仿真时需重新改变偏置条件及模型名称的问题，本发明的主要目的在于提供一种漏极饱和电流仿真电路，其通过在同一仿真电路中同时对 PMOS管及NMOS管漏极饱和电流进行仿真，克服了现有技术中重新改变偏置条件及模型名称的问题，简化了仿真过程。为达上述及其它目的，本发明一种漏极饱和电流仿真电路，至少包括偏置电压产生电路，用以产生偏置电压；一 NMOS晶体管，其源极及衬底接地，栅极与漏极与该偏置电压产生电路相连；以及一 PMOS晶体管，其漏极与栅极接地，源极及衬底与该偏置电压产生电路相连。进一步地，该偏置电压产生电路为一电压源。与现有技术相比，本发明一种漏极饱和电流仿真电路通过在同一仿真电路中同时对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流进行仿真，克服了现有技术中对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流进行仿真需重新改变偏置条件及模型名称的问题，简化了仿真过程。
图1现有技术中一种NMOS管漏极饱和电流(Idsat)仿真的等效电路图；图2现有技术中一种PMOS管漏极饱和电流(Idsat)仿真的等效电路图；图3为本发明一种漏极饱和电流仿真电路之较佳实施例的等效电路图。
具体实施例方式以下通过特定的具体实例并结合
本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。图3为本发明一种漏极饱和电流仿真电路之较佳实施例的等效电路图。如图3所示，本发明之漏极饱和电流仿真电路可用于集成电路设计中以保证电路的品质，其至少包括偏置电压产生电路301、NM0S晶体管m及PMOS晶体管P1，其中NMOS晶体管附源极及衬底接地，栅极与漏极接偏置电压产生电路301，PMOS晶体管Pl漏极与栅极接地，源极及衬底接偏置电压产生电路301，偏置电压产生电路301可以为电源电压Vdd。根据图3，可见本发明通过在同一仿真电路中利用单一电压源Vdd同时对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流(Idsatl及Idsat2)进行仿真，克服了现有技术中对PMOS管及NMOS 管漏极饱和电流进行仿真需重新改变偏置条件及模型名称的问题，简化了仿真过程。上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此， 本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
权利要求
1.一种漏极饱和电流仿真电路，至少包括 偏置电压产生电路，用以产生偏置电压；一 NMOS晶体管，其源极及衬底接地，栅极与漏极与该偏置电压产生电路相连；以及一 PMOS晶体管，其漏极与栅极接地，源极及衬底与该偏置电压产生电路相连。
2.如权利要求1所述的漏极饱和电流仿真电路，其特征在于该偏置电压产生电路为一电压源。
全文摘要
本发明公开一种漏极饱和电流仿真电路，至少包括偏置电压产生电路，用以产生偏置电压；一NMOS晶体管，其源极及衬底接地，栅极与漏极与该偏置电压产生电路相连；以及一PMOS晶体管，其漏极与栅极接地，源极及衬底与该偏置电压产生电路相连，通过在同一仿真电路中利用单一电压源同时对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流进行仿真，本发明克服了现有技术中对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流分别进行仿真需重新改变偏置条件及模型名称的问题，简化了仿真过程。
文档编号G06F17/50GK102436526SQ201110341958
公开日2012年5月2日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年11月2日
发明者吉远倩 申请人:上海宏力半导体制造有限公司