专利名称：固态硬盘自动更新装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种固态硬盘自动更新技术，尤其是涉及一种固态硬盘自动更新装置。
背景技术：
固态硬盘(Solid State Drive, SSD)主要包括Flash管理芯片和Flash芯片，与传统硬盘相比其特别之处在于没有机械结构，具有低耗电、耐震、稳定性高、耐低温等优点。Flash管理芯片负责完成Flash的管理和数据存储的管理。数据存储的管理主要是通过写均衡算法(Wear Levelling算法)来保证系统中所有的Flash被均勻的擦写和使用，以延长整个SSD产品的使用寿命。Flash管理芯片还负责通过标准接口与宿主设备(使用SSD作为存储的设备)互通。现有SSD的不足之处在于，都是通过Flash管理芯片直接对Flash进行读写控制，所以整个SSD的读写速度受到Flash本身读写速度的限制，尽管有些SSD的读写速度已经超过传统硬盘，但仍然无法满足一些对读写速度有较高要求的应用场合。
实用新型内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种固态硬盘自动更新装置。本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:—种固态硬盘自动更新装置，其特征在于，包括带目录索引文件的固态硬盘、CPU、ROM、RAM、系统总线和上位机，所述的系统总线分别与固态硬盘、CPU、ROM、RAM、上位机连接。所述的RAM为双端口 RAM。与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:提高了固态硬盘的读取速度，避免了上位机读写文件目录时，反复读取固态硬盘，影响主系统反应速度。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例如图1所示，一种固态硬盘自动更新装置，包括带目录索引文件的固态硬盘1、CPU4、R0M3、RAM2、系统总线5和上位机6，所述的系统总线6分别与固态硬盘1、CPU4、R0M3、RAM2、上位机6连接。所述的RAM2为双端口 RAM。本实用新型的工作流程包括以下步骤:[0016]I)系统初始化；2)固态硬盘上的目录索引文件映射到RAM的设定区域；3)上位机通过访问RAM来获得当前固态硬盘的文件信息；4)上位机对固态硬盘的文件信息进行读写后，把RAM设定区域内的信息保存到固态硬盘的目录索引文件中。
权利要求1.一种固态硬盘自动更新装置，其特征在于，包括带目录索引文件的固态硬盘、CPU、ROM、RAM、系统总线和上位机，所述的系统总线分别与固态硬盘、CPU、ROM、RAM、上位机连接。
2.根据权利要求1所述的一种固态硬盘自动更新装置，其特征在于，所述的RAM为双端Π RAM。
专利摘要本实用新型涉及一种固态硬盘自动更新装置，包括带目录索引文件的固态硬盘、CPU、ROM、RAM、系统总线和上位机，所述的系统总线分别与固态硬盘、CPU、ROM、RAM、上位机连接。与现有技术相比，本实用新型具有提高了固态硬盘的读取速度等优点。
文档编号G06F13/16GK203038261SQ20122070437
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日
发明者滕辉 申请人:上海黄浦船用仪器有限公司