透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置。透明电极基板具备绝缘基板和在绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层。导体层具备：在绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层，在透明导体层的厚度方向单侧形成的、使导体层的电阻减少的低电阻化层，以及夹在透明导体层和低电阻化层之间的、含磷比率为8质量%以上的密合层。
【专利说明】透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及透明电极基板、其制造方法以及图像显示装置，详细而言，涉及透明电极基板的制造方法、通过该方法得到的透明电极基板、以及具备该透明电极基板的图像显示装置。
【背景技术】
[0002]以往，已知有使用设有透明电极的透明电极基板作为触摸面板用于液晶显示装置等图像显示装置。
[0003]例如，公开有一种显示装置用基板，其是通过在形成于基板的主面整面的透明电极上，实施镀镍，进而在其上实施镀铜而得到的(例如，参照日本特开平6-148661号公报。)。
[0004]日本特开平6-148661号公报的显示装置用基板中，通过铜层(镀铜层)，减少了这些层叠体的电阻，并且，通过镍层(镀镍层)，提高了透明电极和铜层之间的密合力。
【发明内容】
[0005]然而，根据显示装置用基板的用途和目的的不同，希望进一步提高透明电极和铜层之间的密合力。
[0006]本发明的目的在于提供透明导体层和低电阻化层之间的密合力得到提高的透明电极基板、其制造方法以及具备该透明电极基板的图像显示装置。
[0007]本发明的透明电极基板的特征在于，具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层；前述导体层具备:在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层，在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层，以及夹在前述透明导体层和前述低电阻化层之间的、含磷比率为8质量％以上的
密合层。
[0008]本发明的透明电极基板中，优选的是，前述透明导体层由铟锡氧化物形成，前述低电阻化层由选自由铜、银和金组成的组中的至少一种金属形成，前述密合层由含有镍和磷的组合物形成。
[0009]本发明的透明电极基板中，优选前述导体层在前述低电阻化层的前述厚度方向单面进一步具备由易蚀刻材料形成的保护层。
[0010]本发明的透明电极基板中，优选前述易蚀刻材料为选自镍、锡以及镍铜合金的至少一种金属。
[0011]本发明的透明电极基板中，优选的是，前述透明导体层形成于前述绝缘基板的前述厚度方向单侧整面，前述密合层形成于前述透明导体层的前述厚度方向单面整面，前述低电阻化层形成于前述密合层的前述厚度方向单面整面。
[0012]本发明的透明电极基板中，优选前述导体层在前述绝缘基板上形成为导体图案。
[0013]本发明的透明电极基板中，优选的是，前述导体图案具备:由前述导体层形成的引出布线，和与前述引出布线连接而形成的、由前述透明导体层形成的透明电极。
[0014]本发明的透明电极基板的制造方法的特征在于，具备:准备层叠板的准备工序，该层叠板具备绝缘基板和层叠在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧的透明导体层；密合层层叠工序，将密合层层叠于前述透明导体层的前述厚度方向单面，使得前述密合层中的含磷比率为8质量％以上；以及低电阻化工序，将低电阻化层层叠于前述密合层的前述厚度方向单面。
[0015]本发明的透明电极基板的制造方法优选在前述低电阻化工序之后，进一步具备图案化工序:将具备前述透明导体层、前述密合层和前述低电阻化层的导体层蚀刻而形成导体图案。
[0016]本发明的透明电极基板的制造方法优选进一步具备如下的工序:通过从前述导体图案的一部分将前述低电阻化层和前述密合层去除，由前述透明导体层形成透明电极，并且将对应于前述导体图案的剩余部分的前述导体层作为引出布线。
[0017]本发明的透明电极基板的制造方法优选的是，进一步具备将由易蚀刻材料形成的保护层层叠在前述低电阻化层的前述厚度方向单面的工序；并且，在前述图案化工序中，将具备前述透明导体层、前述密合层、前述低电阻化层和保护层的导体层蚀刻而形成导体图案。
[0018]本发明的透明电极基板的制造方法优选进一步具备如下的工序:通过从前述导体图案的一部分将前述保护层、前述低电阻化层和前述密合层去除，由前述透明导体层形成透明电极，并且将对应于前述导体图案的剩余部分的前述导体层作为引出布线。
[0019]本发明的图像显示装置的特征在于，具备上述的透明电极基板，前述透明电极基板具备绝缘基板和在前述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层，前述导体层具备:在前述绝缘基板的前述厚度方向单侧形成的透明导体层，在前述透明导体层的前述厚度方向单侧形成的、使前述导体层的电阻减少的低电阻化层，以及夹在前述透明导体层和前述低电阻化层之间的、含磷比率为8质量％以上的密合层。
[0020]本发明的图像显示装置中，优选前述透明电极基板为触摸面板。
[0021]本发明的图像显示装置优选为液晶显示装置。
[0022]通过本发明的透明电极基板的制造方法得到的本发明的透明电极基板具备夹在透明导体层和低电阻化层之间的、含磷比率为8质量％以上的密合层，因此能够充分提高透明导体层和低电阻化层之间的密合力。因此，能够提高可靠性。
[0023]因此，本发明的图像显示装置具备可靠性提高了的透明电极基板，因此可靠性优
巳
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1为表示本发明的透明电极基板的制造方法的第一实施方式的工序图，
[0025]图1的(a)表示准备绝缘基板、层叠光学调节膜的工序；
[0026]图1的(b)表示在光学调节膜的上表面层叠透明导体层的工序；
[0027]图1的(c)表示在透明导体层的上表面层叠密合层的工序；
[0028]图1的(d)表示在密合层的上表面层叠低电阻化层的工序；
[0029]图1的(e)表示在低电阻化层的上表面层叠保护层的工序。[0030]图2为由图1的(e)所表示的透明电极基板的导体层形成导体图案的工序图，
[0031]图2的(a)表示在保护层的上表面层叠第一蚀刻阻剂(etching resist)的工序；
[0032]图2的(b)表示将导体层蚀刻，接着去除第一蚀刻阻剂的工序；
[0033]图2的(C)表示以覆盖导体图案中对应于引出布线的部分的方式，在绝缘基板上层叠第二蚀刻阻剂的工序；
[0034]图2的(d)表示将由第二蚀刻阻剂露出的保护层、低电阻化层以及密合层蚀刻，接着去除第二蚀刻阻剂的工序。
[0035]图3表示设置有图2的(d)所示的透明电极基板作为触摸面板的液晶显示装置的截面图。
[0036]图4表示将图3所示的液晶显示装置的触摸面板分解时的放大截面图。
[0037]图5表示第一实施方式的透明电极基板的变形例(在绝缘基板的两侧设置有导体层的方式)的截面图。
[0038]图6表示第一实施方式的透明电极基板的变形例(不设有保护层的方式)的截面图。
[0039]图7表示第一实施方式的透明电极基板的变形例(不设有光学调节膜的方式)的截面图。
[0040]图8表示第一实施方式的透明电极基板的变形例(不设有光学调节膜的方式)的截面图。
【具体实施方式】
[0041]第一实施方式
[0042]诱明电极某板
[0043]各图中，存在将纸面上下方向(厚度方向)作为第一方向、将纸面左右方向作为第二方向、将纸面向里方向(前后方向)作为第三方向的情况。
[0044]图1的(e)中，作为本发明的一个实施方式的透明电极基板I形成为平板形状，具备绝缘基板2和在绝缘基板2上(厚度方向单侧)形成的导体层3。
[0045]绝缘基板2形成为在俯视时对应于透明电极基板I的外形形状的薄膜状(或者薄板状)。作为形成绝缘基板2的材料，可列举出例如透明材料。作为透明材料，可列举出:例如玻璃等无机透明材料；例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、环烯烃聚合物(COP)等有机透明材料。从轻薄性的观点出发，优选列举出有机透明材料、更优选列举出PET。上述材料的玻璃化转变温度为例如180°C以上，并且为例如220°C以下。绝缘基板2的厚度为例如10 μ m以上,优选为25 μ m以上,并且为例如300 μ m以下，优选为200 μ m以下。
[0046]另外，在绝缘基板2的上表面整面形成有光学调节膜24。光学调节膜24由例如SiO2类材料等无机光学材料或者有机光学材料等形成，玻璃化转变温度为180°C以上；厚度为例如Inm以上，优选为5nm以上，并且也为例如IOOOnm以下，优选为500nm以下。
[0047]在绝缘基板2上隔着光学调节膜24的间隔而设置有导体层3。即，导体层3层叠于光学调节膜24的上表面整面。导体层3由多层组成，具体而言，其具备在光学调节膜24的上表面(厚度方向单面)形成的透明导体层4、在透明导体层4上(厚度方向单侧)形成的低电阻化层5、夹在透明导体层4以及低电阻化层5之间的密合层6。进而，导体层3还具备在低电阻化层5的上表面(厚度方向单面)形成的保护层7。即，导体层3中，在光学调节膜24上(厚度方向单侧)依次层叠有透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7。
[0048]透明导体层4在后述的透明电极10 (参照图2的(d))中为用于触摸输入(touchinput)的层，在导体层3中位于最下层，形成于光学调节膜24的上表面整面。作为形成透明导体层4的透明导体，例如可列举出铟锡氧化物(ITO)等氧化物。透明导体层4的厚度为例如5nm以上，优选为IOnm以上，并且也为例如200nm以下，优选为30nm以下。
[0049]低电阻化层5为减少导体层3的电阻的层，间隔(隔着)密合层6层叠在透明导体层4上。作为形成低电阻化层5的材料，可列举出例如:铜、银、金、它们的合金等导电材料(具体而言，为金属)。优选列举出铜、银、金。这些材料的低电阻化层5的厚度根据导体层3中要求的电阻值而适宜设定，具体而言，为例如50nm以上，优选为IOOnm以上，并且也为例如3000nm以下，优选为IOOOnm以下。
[0050]密合层6为提高透明导体层4和低电阻化层5的密合力的层，形成于透明导体层4的上表面整面以及低电阻化层5的下表面整面。作为形成密合层6的材料，可列举出例如:含有镍和磷作为必需成分的组合物等。
[0051]镍在组合物中作为主要成分而含有，其含有比例为磷的含有比例的剩余部分。
[0052]磷在组合物中作为副成分而含有，其含有比例(磷的含有比例)为8质量％以上，优选为9质量％以上,更优选为10质量％以上,并且也为例如15质量％以下,优选为13质
量％以下。
[0053]如果磷的含有比例为上述下限以下，不能充分地提高透明导体层4和密合层6之间的密合力。另一方面，如果磷的含有比例超过上述上限，存在不能进行稳定的镀覆的情况。
[0054]另外，组合物可根据需要以适宜的比例含有钯、铑等贵金属等催化剂作为任意成分。
[0055]密合层6的厚度为例如50nm以上,优选为IOOnm以上，并且为例如3000nm以下，优选为500nm以下。
[0056]保护层7为保护低电阻化层5的层，其位于导体层3中的最上层，形成于低电阻化层5的上表面整面。保护层7由例如镍、锡、镍铜合金、金等保护材料形成。优选保护层7由易蚀刻材料形成。易蚀刻材料为在后述的蚀刻(参照图2的(b)以及图2的(d))中容易被蚀刻(去除)的材料，具体而言，可列举出镍、锡、镍铜合金等金属。需要说明的是，上述各材料可以以包含在保护层7的形成工序中混入的添加物(例如磷等)等的组合物的形式制备。保护层7可以以单层或者材料不同的多层的形式形成。优选以单层的形式形成。保护层7的厚度为例如20nm以上，并且如果考虑后述的第二蚀刻中的蚀刻时间，为例如IOOnm以下。
[0057]接着，参照图1的(a)?图1的(e)对透明电极基板I的制造方法进行说明。
[0058]在该方法中，首先，如图1的(a)所示，准备绝缘基板2。接着，在绝缘基板2的上表面整面形成(层叠)光学调节膜24。
[0059]接着，如图1的(b)?图1的(e)所示，在光学调节膜24上形成导体层3。
[0060]S卩，为了在光学调节膜24上形成导体层3，首先，如图1的(b)所示，在光学调节膜24的上表面层叠透明导体层4。[0061]具体而言，为了形成透明导体层4，可以使用例如:真空蒸镀、离子镀、溅射等物理蒸镀。优选使用溅射。
[0062]由此，准备层叠板19(准备工序)，该层叠板19具备:绝缘基板2和光学调节膜24、以及层叠在光学调节膜24的上表面(厚度方向单面)的透明导体层4。
[0063]接着，如图1的(C)所示，在透明导体层4的上表面形成密合层6 (密合层层叠工序)。
[0064]具体而言，通过例如镀覆、物理蒸镀等在透明导体层4的上表面形成密合层6。优选使用镀覆。
[0065]作为镀覆，可列举出例如:无电解镀覆、电解镀覆，优选列举出无电解镀覆。
[0066]为了通过无电解镀覆在透明导体层4的上表面形成密合层6，首先，根据需要预先对例如密合层6的上表面进行预处理。
[0067]作为预处理，可列举出例如脱脂、软蚀刻、酸洗等。脱脂中，在中性的脱脂液中浸溃层叠板19。软蚀刻中，例如在过硫酸钠等过硫酸盐的水溶液中浸溃层叠板19。
[0068]预处理后，根据需要，在透明导体层4的上表面(表面)层叠催化剂覆膜(未图示)。催化剂覆膜(未图示)是通过将层叠板19浸溃于催化剂液体中而形成的。作为催化剂液体，可列举出例如包含催化剂或者将其作为组成而含有的催化剂化合物的液体(分散液或者溶液)等。作为催化剂，可列举出例如:钯、铑等贵金属。作为催化剂化合物，可列举出例如:贵金属化合物(贵金属盐)等。水溶液中的催化剂和/或催化剂化合物的含有比例可以适宜设定。
[0069]浸溃温度为例如15°C以上，优选为20°C以上，并且也为例如50°C以下，优选为40°C以下。
[0070]浸溃时间为例如0.5分钟以上，优选为I分钟以上，并且也为例如10分钟以下，优选为5分钟以下。
[0071]接着，将表面上层叠有催化剂覆膜(未图示)的层叠板19浸溃于无电解镀液中。
[0072]无电解镀液是通过将镍化合物和、磷化合物或硼化合物和、水配混而制备的。
[0073]作为镍化合物，可以列举出例如:硫酸镍、硝酸镍等镍盐等。镍盐配混于水中时，生成镍阳离子(Ni2+)。
[0074]作为磷化合物，可列举出例如:次磷酸、次磷酸盐(例如次磷酸钠等)等磷类还原齐U。磷类还原剂配混于水中时，生成磷类阴离子(具体而言，次磷酸阴离子:hpo2_)。
[0075]另外，无电解镀液中也可以以适宜的比例含有络合剂、羟基羧酸、氯化铵等添加剂。
[0076]无电解镀液的pH调节为例如2以上，优选为3以上，并且为调节为例如7以下，优选为5以下。
[0077]浸溃温度、即无电解镀液的温度为例如40°C以上，优选为60°C以上，并且也为例如90°C以下，优选为80°C以下。浸溃温度如果在上述范围外，存在不能将密合层6的厚度设定为所希望的范围内的情况。
[0078]如果将层叠板19浸溃于无电解镀液中，则在密合层6 (详细而言，催化剂覆膜)的表面，通过磷类阴离子(具体而言，次磷酸阴离子:HP02_)的还原作用，还原镍阳离子(Ni2+)，生成镍(Ni)，并且内部含有磷(P)，形成密合层6。[0079]之后，根据需要，对密合层6进行加热(烘培)。
[0080]加热温度为绝缘基板2以及光学调节膜24的玻璃化转变温度以下，并且为例如100°C以上，优选为120°C以上。加热时间为例如I分钟以上，优选为5分钟以上，并且为例如90分钟以下、优选为60分钟以下。
[0081]之后，根据需要，对密合层6的上表面(表面)进行水洗。
[0082]接着，如图1的(d)所示，将低电阻化层5形成于密合层6的上表面(低电阻化工序)。
[0083]具体而言，将低电阻化层5通过例如镀覆、物理蒸镀等形成于密合层6的上表面。优选为镀覆；从提高对密合层6的密合性的观点出发，更优选通过电解镀覆形成低电阻化层5。
[0084]之后，如图1的(e)所示，将保护层7形成于低电阻化层5的上表面。
[0085]保护层7可以通过与上述的密合层6同样的方法而形成。需要说明的是，作为镀覆，从保护层7的厚度的均匀性以及低电阻化层5的防腐蚀的观点出发，优选采用无电解镀覆。
[0086]由此，得到透明电极基板I。
[0087]该透明电极基板I如图1的(e)所示，将导体层3形成于光学调节膜24的上表面整面(透明导体层4的上侧整体)上，但例如也可以如图2的(d)所示形成为导体图案8。
[0088]S卩，如图2的(a)?(d)所示，在透明电极基板I中，导体图案8是通过对导体层3进行蚀刻从而进行图案加工而得到的。
[0089]如图2的(d)所示，导体图案8具备引出布线9、与引出布线9连接(未图示)而形成的透明电极10。
[0090]引出布线9在透明电极基板I的周边部分相互隔有间隔而配置多个。引出布线9在光学调节膜24的上表面(绝缘基板2上)，由导体层3 (具体而言，透明导体层4、密合层
6、低电阻化层5以及保护层7)形成。
[0091]透明电极10在后述的液晶显示装置30 (参照图3)中构成检测部(传感器)，在透明电极基板I的中央相互隔有间隔而配置多个。作为透明电极10的图案，例如在前后方向上延伸、在左右方向上相互隔有间隔而形成。透明电极10在光学调节膜24上，由透明导体层4形成。
[0092]接着，参照图2的(a)?图2的(d)对透明电极基板I中将导体层3蚀刻而形成导体图案8的方法(图案化工序)进行说明。
[0093]首先，该方法中，如图2的(a)所示，将第一蚀刻阻剂17形成于导体层3的上表面。
[0094]具体而言，首先，将干膜蚀刻剂层叠于保护层7的上表面整面；接着，通过曝光和显影，将第一蚀刻阻剂17形成为与导体图案8相同的图案。
[0095]之后，在该方法中，如图2的(b)所示，将由第一蚀刻阻剂17露出的导体层3蚀刻。该蚀刻中，使用溶解导体层3、而不溶解透明导体层4以及光学调节膜24的蚀刻液。
[0096]由此，形成由透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7形成的导体图案8。
[0097]之后，将第一蚀刻阻剂17剥离而去除。
[0098]接着，在该方法中，如图2的(C)所示，将第二蚀刻阻剂18以覆盖对应于引出布线9 (参照图2的(d))的导体层3、露出对应于透明电极10 (参照图2的(d))的导体层3的方式形成在光学调节膜24上。
[0099]具体而言，首先，将干膜蚀刻剂层叠于包含导体层3(导体图案8)的光学调节膜24的上表面整面，接着，通过曝光以及显影，将第二蚀刻阻剂18形成为上述的图案。
[0100]接着，在该方法中，如图2的(d)所示，将从第二蚀刻阻剂18露出的导体层3的一部分即保护层7、低电阻化层5以及密合层6通过蚀刻而去除。
[0101]蚀刻中，使用溶解保护层7、低电阻化层5以及密合层6、而不溶解透明导体层4以及光学调节膜24的蚀刻液。
[0102]之后，将第二蚀刻阻剂18剥离而去除。
[0103]由此，通过从导体图案8的一部分去除保护层7、低电阻化层5以及密合层6，由透明导体层4形成透明电极10，并且将对应于导体图案8的剩余部分的导体层3作为引出布线9。
[0104]需要说明的是，除了透明电极10以及引出布线9的图案以外的导体层3中，通过如图2的(b)所示的蚀刻，保护层7、低电阻化层5、密合层6以及透明导体层4已经被蚀刻。
[0105]由此，如图2的(d)所示，得到如下透明电极基板1:在光学调节膜24的上表面形成有具备引出布线9以及透明电极10的导体图案8。
[0106]可以将如图2的(d)所示的透明电极基板I作为例如触摸面板而使用。
[0107]通过该制造方法得到的透明电极基板I具备夹在透明导体层4和低电阻化层5之间的、含磷比率为8质量％以上的密合层，因此能够充分提高透明导体层4和低电阻化层5之间的密合力。因此，能够提高可靠性。
[0108]触摸面板
[0109]接着，参照图3和图4对具备使用如图2的(d)所示的透明电极基板I的触摸面板20的液晶显示装置30进行说明。
[0110]图3中，液晶显示装置30为例如触摸面板式移动电话，具备板状的IXD模块14、在IXD模块14上隔有间隔而设置的偏光板12、设置在偏光板12的上表面的触摸面板20、设置在触摸面板20的上表面的保护玻璃层11。
[0111]另外，在LCD模块14的下侧，虽然未图示，但设有电路基板以及壳体等。
[0112]另外，在液晶显示装置30的左右方向以及前后方向的中央部，在IXD模块14和偏光板12之间，设有作为空气层的间隙层13。需要说明的是，间隙层13由在周边部分被配置为框状的间隔物21隔开。
[0113]如图4所示，触摸面板20具备2个透明电极基板I (详细而言，导体层3形成为导体图案8的透明电极基板I)。
[0114]具体而言，触摸面板20具备:在厚度方向上隔有间隔而配置的多个(2个)透明电极基板1、夹在它们之间的透明绝缘薄膜22、多个(3个)粘合剂层15。
[0115]在2个透明电极基板I上，导体层3都面向上侧(厚度方向)而配置。另外，2个透明电极基板I中，将透明电极10的延伸方向以在厚度方向上投影时相互交叉(具体而言，垂直)的方式设定，例如:上侧的透明电极10在前后方向上延伸、在左右方向上相互隔有间隔而配置；而下侧的透明电极10在左右方向上延伸、在前后方向上相互隔有间隔而配置。
[0116]透明绝缘薄膜22以与上述透明电极基板I中的绝缘基板2同样的材料以及尺寸形成。
[0117]粘合剂层15设置于下侧的透明电极基板I和透明绝缘薄膜22之间、透明绝缘薄膜22和上侧的透明电极基板I之间、以及上侧的透明电极基板I的上表面。
[0118]该液晶显示装置30中，手指等接触或接近保护玻璃层11的上表面时，与不接触或不接近的情况相比，产生静电容量的差，其被作为检测信号介由引出布线9传达至未图示的电路基板。
[0119]另一方面，输入信号由电路基板输入至IXD模块14, IXD模块14显不图像。该图像介由偏光板12、触摸面板20以及保护玻璃层11被操作者(或者辨识者)辨识。
[0120]该液晶显示装置30具备可靠性提高了的透明电极基板1，因此可靠性优异。
[0121]夺形例
[0122]图3以及图4的说明中，以液晶显示装置30说明了本发明的图像显示装置，虽然未图示，但例如也可以用作有机电致发光装置(有机EL装置)等。
[0123]另外，在下面的各图中，对于与图1?图4相同的部件，标记相同的参照符号，省略其的详细说明。
[0124]图1的(e)的实施方式中，将导体层3只设置在绝缘基板2的上侧(厚度方向单侧)，但例如也可以如图5所示，设置在绝缘基板2的两侧(上侧和下侧、厚度方向单侧和另一侧)。
[0125]S卩，图5中，透明电极基板I具备:绝缘基板2、分别在其上表面和下表面形成的光学调节膜24、在2个光学调节膜24的表面形成的导体层3。
[0126]绝缘基板2在厚度方向被2个光学调节膜24夹持。
[0127]2个导体层3形成于上侧的光学调节膜24的上表面，并且形成于下侧的光学调节膜24的下表面。
[0128]下侧的导体层3层叠于光学调节膜24的下表面整面。下侧的导体层3中，在光学调节膜24下(厚度方向另一侧)依次层叠有透明导体层4、密合层6、低电阻化层5以及保护层7。
[0129]另外，图5所示的透明电极基板I中，虽然未图示，但可以将导体层3形成为导体图案8。
[0130]将这样的透明电极基板I作为触摸面板20而使用时，可以由I个透明电极基板I构成触摸面板20。上下两侧的导体图案8中的透明电极10形成为在厚度方向投影时相互交叉(具体而言，垂直)的图案。
[0131]另外，图1的(e)的实施方式中，将保护层7设置于导体层3，但例如也可以如图1的(d)所示不设置保护层7而构成导体层3。
[0132]图1的(d)中，导体层3由透明导体层4、密合层6以及低电阻化层5形成。
[0133]另外，也可以将图1的(d)所示的透明电极基板I的导体层3如图6所示形成为具备引出布线9以及透明电极10的导体图案8。
[0134]图6中，引出布线9由透明导体层4、密合层6以及低电阻化层5形成。
[0135]为了得到图6所示的透明电极基板1，参照图2的(a)?图2的(d)，首先，将第一蚀刻阻剂17形成于低电阻化层5的上表面；接着，将从第一蚀刻阻剂17露出的导体层3(透明导体层4、密合层6以及低电阻化层5)蚀刻(图案化);然后，剥离第一蚀刻阻剂17。之后，将第二蚀刻阻剂18以覆盖对应于引出布线9的导体层3、露出对应于透明电极10的导体层3的方式形成在光学调节膜24上；之后，将从第二蚀刻阻剂18露出的低电阻化层5和密合层6通过蚀刻而去除。之后，去除第二蚀刻阻剂18。
[0136]优选如图1的(e)所示，将保护层7设置于导体层3，进而如图2的(d)所示，将保护层7设置于引出布线9。由此，能够有效地防止图1的(e)所示的导体层3中的低电阻化层5的损伤、腐蚀、以及图2的(d)所示的引出布线9中的低电阻化层5的损伤、腐蚀等。
[0137]图1的(e)以及图2的(d)的实施方式中，在绝缘基板2的上表面设有光学调节膜24，但例如也可以如图7和图8所示，不设置光学调节膜24而在绝缘基板2的上表面直接形成透明导体层4。
[0138]从谋求光学特性的提高的观点出发，优选如图1的(e)以及图2的(d)所示，将光学调节膜24设置于绝缘基板2的上表面。
[0139]实施例
[0140]以下示出实施例和比较例，进一步具体地说明本发明。需要说明的是，本发明不受实施例和比较例的限定。
[0141]透明电极基板的制作
[0142]实施例1
[0143]准备由PET (玻璃化转变温度:180°C以上)形成的厚度50 μ m的绝缘基板(参照图1的(a))。接着，将由SiO2类(玻璃化转变温度:200°C以上)形成的厚度25nm的光学调节膜层叠于绝缘基板的上表面整面。
[0144]接着，将导体层形成于绝缘基板(光学调节膜)上(参照图1的(b)?图1的(e))。
[0145]具体而言，首先，将由ITO形成的透明导体层通过溅射形成于光学调节膜的上表面。透明导体层的厚度为25nm。由此，准备具备绝缘基板、光学调节膜和透明导体层的层叠板。
[0146]接着，在透明导体层的上表面形成密合层(参照图1的(C))。
[0147]具体而言，首先，将层叠板浸溃于45°C的中性脱脂液中5分钟，接着浸溃于25°C的过硫酸钠水溶液中5分钟，进行软蚀刻。
[0148]接着，通过将层叠板浸溃于包含钯的25°C的催化剂液体中5分钟，在透明导体层的表面上层叠催化剂覆膜。
[0149]另外制备含有硫酸镍和次磷酸(还原剂)的无电解镀液。无电解镀液中，将镍阳离子(Ni2+)的质量比例调节为2.5质量％，将次磷酸阴离子(ΗΡ02_)的质量比例调节为2质量％。另外，无电解镀液的pH为4.6。
[0150]接着，将透明导体层的表面上层叠有催化剂覆膜的层叠板浸溃于70 V的无电解镀液中5分钟。由此，将由含有镍和磷的组合物形成的厚度500nm的密合层形成于透明导体层的上表面整面(夹着催化剂覆膜)。
[0151]之后，将密合层进行I分钟水洗。
[0152]接着，将低电阻化层形成于密合层的上表面(参照图1的(d))。
[0153]即，将形成有密合层的层叠板浸溃于含有添加剂的硫酸铜镀液中，以平均电流密度IA / dm2进行I分20秒电解镀铜。由此，将由铜形成的厚度200nm的低电阻化层形成于密合层的上表面整面。[0154]之后，将由含有镍和磷的组合物形成的厚度30nm的保护层形成于低电阻化层的上表面(参照图1的(e))。
[0155]低电阻化层按照密合层的形成来形成。
[0156]由此，得到在光学调节膜上依次层叠有透明导体层、密合层、低电阻化层以及保护层的透明电极基板。
[0157]实施例2~5和比较例I~5
[0158]除了将密合层、低电阻化层以及保护层的形成条件等如表1和表2的记载所示进行变更以外，与实施例1同样地处理，得到透明电极基板。
[0159]与实施例1不同的变更点的具体情况如以下所示。
[0160]对于实施例3，通过电解镀镍形成保护层。电解镀镍的详细条件如以下所示。
[0161]电解镀镍液:包含硫酸镍、氯化镍、硼酸、添加剂。
[0162]电解条件:0.5A / dm2
[0163]时间:30秒钟
[0164]温度:40°C
[0165]对于实施例4， 通过无电解镀铜形成低电阻化层。以下示出无电解镀铜的详细的条件。
[0166]无电解镀铜液:包含硫酸铜、福尔马林。
[0167]时间:15秒钟
[0168]温度40°C
[0169]对于实施例5和比较例I，没有形成保护层。
[0170]对于比较例I，通过溅射由铜形成密合层。
[0171]对于比较例3~5，使用含有硫酸镍和硼的无电解镀液，由包含镍和硼的组合物形成密合层。
[0172]比较例3~5各自的覆膜中硼浓度通过镀液中的二甲胺硼烷浓度和硫酸镍浓度的比、pH、添加剂等适宜地进行调节。
[0173]图像显示装置的制作
[0174]对于实施例1~5以及比较例I和5的透明电极基板，将导体层加工为导体图案(参照图2的(a)~图2的(d))，之后根据上述实施方式，制作使用透明电极基板作为触摸面板的液晶显示装置。
[0175]ML
[0176].密合力
[0177]对于形成保护层之前(对于实施例5，为得到的透明电极基板)的透明电极基板，实施密合力试验(胶带划格试验，tape cross cut test)。
[0178]即，在上述的透明电极基板的导体层的Icm见方的区域中，使用切割刀以间隔Imm切入沿着前后方向和左右方向的切缝。之后，将粘合带贴附于导体层，将粘合带由导体层剥离时，将低电阻化层没有从透明导体层剥离的样品评价为“〇”、将低电阻化层从透明导体层剥离的样品评价为“ X ”。
[0179].电阻倌(表面电阻)
[0180]利用电阻率计(LorestaAX MCP-370 型 Mitsubishi Chemical AnalytechC0.，Ltd.制造)测定实施例2~5以及比较例I~5的透明电极基板的导体层的表面电阻。
[0181].防锈件(腐饨件)
[0182]将具备实施例1~5以及比较例I~5的透明电极基板的图像显示装置投入至85°C、85%的恒温高湿器中500小时。之后，将引出布线中没有变色腐蚀的样品评价为“〇”、将有变色腐蚀的样品评价为“ X ”。
[0183].含磷比例和含硼比例
[0184]通过将覆膜溶解进行ICP测定而算出密合层和保护层中的含磷比例或者含硼比例。
[0185]将其结果分别示于密合层栏和保护层栏。
[0186]表1
【权利要求】
1.一种透明电极基板，其特征在于，具备绝缘基板和在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层， 所述导体层具备: 在所述绝缘基板的所述厚度方向单侧形成的透明导体层， 在所述透明导体层的所述厚度方向单侧形成的、使所述导体层的电阻减少的低电阻化层，和 夹在所述透明导体层和所述低电阻化层之间的、含磷比率为8质量％以上的密合层。
2.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于， 所述透明导体层由铟锡氧化物形成， 所述低电阻化层由选自由铜、银和金组成的组中的至少一种金属形成， 所述密合层由含有镍和磷的组合物形成。
3.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，所述导体层在所述低电阻化层的所述厚度方向单面进一步具备由易蚀刻材料形成的保护层。
4.根据权利要求3所述的透明电极基板，其特征在于，所述易蚀刻材料为选自镍、锡以及镍铜合金的至少一种金属。
5.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于， 所述透明导体层形成于所述绝缘基板的所述厚度方向单侧整面， 所述密合层形成于所述透明导体层的所述厚度方向单面整面， 所述低电阻化层形成于所述密合层的所述厚度方向单面整面。
6.根据权利要求1所述的透明电极基板，其特征在于，所述导体层在所述绝缘基板上形成为导体图案。
7.根据权利要求6所述的透明电极基板，其特征在于，所述导体图案具备: 由所述导体层形成的引出布线，和 与所述引出布线连接而形成的、由所述透明导体层形成的透明电极。
8.—种透明电极基板的制造方法，其特征在于，具备: 准备层叠板的准备工序，该层叠板具备绝缘基板和层叠在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧的透明导体层； 密合层层叠工序，将密合层层叠于所述透明导体层的所述厚度方向单面，使得所述密合层中的含磷比率为8质量％以上；以及 低电阻化工序，将低电阻化层层叠于所述密合层的所述厚度方向单面。
9.根据权利要求8所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，在所述低电阻化工序之后，进一步具备图案化工序:将具备所述透明导体层、所述密合层和所述低电阻化层的导体层蚀刻而形成导体图案。
10.根据权利要求9所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，还具备如下的工序: 通过从所述导体图案的一部分将所述低电阻化层和所述密合层去除，由所述透明导体层形成透明电极，并且将对应于所述导体图案的剩余部分的所述导体层作为引出布线。
11.根据权利要求9所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，还具备将由易蚀刻材料形成的保护层层叠于所述低电阻化层的所述厚度方向单侧的工序，在所述图案化工序中，将具备所述透明导体层、所述密合层、所述低电阻化层和保护层的导体层蚀刻而形成导体图案。
12.根据权利要求11所述的透明电极基板的制造方法，其特征在于，还具备如下的工序: 通过从所述导体图案的一部分将所述保护层、所述低电阻化层和所述密合层去除，由所述透明导体层形成透明电极，并且将对应于所述导体图案的剩余部分的所述导体层作为引出布线。
13.一种图像显示装置，其特征在于，具备透明电极基板， 所述透明电极基板具备绝缘基板和在所述绝缘基板的至少厚度方向单侧形成的导体层， 所述导体层具备: 在所述绝缘基板的所述厚度方向单侧形成的透明导体层， 在所述透明导体层的所述厚度方向单侧形成的、使所述导体层的电阻减少的低电阻化层，和 夹在所述透明导体层和所述低电阻化层之间的、含磷比率为8质量％以上的密合层。
14.根据权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于，所述透明电极基板为触摸面板。
15.根据权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于，其为液晶显示装置。
【文档编号】G06F3/041GK103677396SQ201310400043
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月5日 优先权日:2012年9月5日
【发明者】恒川诚 申请人:日东电工株式会社