中央处理单元外壳的制作方法
【专利摘要】本发明揭示一种用于降低电磁干扰并且大体上均匀地分布热量的电磁干扰（EMI）屏蔽。所述EMI屏蔽包括经配置以遮蔽EMI的第一层以及经配置以散热的第二层。所述EMI屏蔽进一步包括界面。一些实施例还提供用于遮蔽EMI并且均匀地驱散电子部件热量的方法。
【专利说明】中央处理单元外壳
【技术领域】
[0001]本发明涉及电磁干扰（EMI)屏蔽【技术领域】，具体来说，涉及一种中央处理单元外 冗。
【背景技术】
[000引 由电子装置内件或部件产生的电磁（EM)福射可W中断电子操作并且致使电子装 置发生故障。该就是电磁干扰（EMI)。随着工作频率增加并且电子装置变得更加复杂，电子 装置可能更容易受电磁干扰（EMI)的影响。
[0003] 通常在某个设计中实施Effl屏蔽，用W将电子装置的一个内件或区段与另一个内 件或区段隔离，或者保护电子装置内件的电路免受外部(包括其他电子部件）的影响。EMI 屏蔽可W焊接到或者夹到部件上的触点上。
[0004] 为了确保可靠且稳健的电磁密封，EMI屏蔽围起电子装置的整个电磁福射内件，例 女口，中央处理单元（CPU)或集成电路。由内件例如CPU产生的热量将积聚在EMI屏蔽中，并 且不利地影响内件的性能。Effl屏蔽上的开口或孔能用来通风，从而解决了热量积聚的问 题。然而，该些特征可能会削弱遮蔽效果。因此，需要具有改进的散热特性W及遮蔽Effl效 果的EMI屏蔽。
【发明内容】
[0005] -些实施例提供一种Effl屏蔽，其中所述屏蔽经配置W使得在屏蔽的一侧暴露于 热源中时，整个屏蔽大体上均匀地分布热量，所述热源在屏蔽的较多暴露于热源的侧与屏 蔽的较少暴露于热源的相对侧之间产生温度失衡。在一个示例性实施例中，Effl屏蔽包括 经配置W遮蔽Effl的第一层W及经配置W散热的第二层。
[0006] -些实施例提供一种包括EMI屏蔽的设备。
[0007] -些实施例涉及一种设备，所述设备包括；用于遮蔽电磁干扰（EMI)并且大体上 均匀地散热的构件；W及电子部件，所述电子部件中的至少一者由所述遮蔽Effl构件进行 遮蔽Effl或所述电子部件发出的Effl被所述遮蔽Effl的构件遮蔽。构件的一侧暴露于电子 部件时，所述构件大体上均匀地散热，当所述电子部件在构件的较多暴露于电子部件中的 侧与构件的较少暴露于电子部件中的相对侧之间产生温度失衡。
[0008] 另一实施例提供一种便携式电子装置，例如，膝上计算机、台式计算机、手持式通 信装置等，所述电子装置包括：母板；中央处理单元（CPU),所述中央处理单元支撑在所述 母板的第一侧上；W及EMI屏蔽，所述EMI屏蔽围绕未被所述母板围绕的CPU侧面，所述屏 蔽包括；经配置W遮蔽Effl的第一层；W及经配置W散热的第二层，其中所述屏蔽经配置W 屏蔽的一侧暴露于热源中时，整个屏蔽大体上均匀地分布热量，所述热源在屏蔽较多暴露 于热源的侧与屏蔽较少暴露于热源的相对侧之间产生温度失衡，其中所述屏蔽经配置，使 得当CPU在一段时间内输出2. 5瓦特的热能时，其中从CPU传递到屏蔽的热量已达到饱和， 并且使得CPU在距离屏蔽约0. 5mm的第一位置处具有摄氏68. 5度的表面温度，屏蔽的温度 分布使得在60X60mm2的屏蔽的相对侧上距离第一位置的最近点约为摄氏50度，所述屏蔽 的相对侧在几何学上W第一位置为中也并且背朝屏蔽，并且屏蔽中在距离最近点最远的侧 面上的位置具有在约摄氏48度至约摄氏50度范围内的温度。
[0009] 实施例还涉及用于降低电子部件的外表面温度W及减少从电子部件进出的EMI 的Effl遮蔽方法。所述方法包括W下动作：
[0010] (a)将热量从部件传递到Effl屏蔽，其中所述Effl屏蔽与所述部件处于传热连通；
[0011] (b)在EMI屏蔽的平面方向上大体上均匀地驱散从部件传递到EMI屏蔽的热量；
[0012] (C)相对于不存在EMI屏蔽的情况，减少从部件进入周围环境中的EMI。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 通过参考附图，一些实施例的其他功用将在该些实施例的W下详细描述中变得清 晰明白，在附图中：
[0014] 图1示意性地图示了EMI屏蔽1的一个实施例的截面图。所述EMI屏蔽1包括W 下各层；经配置W遮蔽Effl的第一层2W及用于散热的第二层3,它们在4处接合。
[00巧]图2示意性地图示了EMI屏蔽1的另一实施例的截面图。所述EMI屏蔽1包括W下各层；经配置W遮蔽Effl的第一层2W及用于散热的第二层3,它们通过界面4A接合。 [001引图3图不了EMI屏蔽1的一个实施例的俯视图。
[0017] 图4示意性地图示了图3中的EMI屏蔽1W及电气部件5的截面图。
[0018] 图5示意性地图示了图4中的EMI屏蔽的一个示例性散热路径的截面图。
[0019] 图6示意性地图示了支撑在母板6上的EMI屏蔽1的截面图，示出了EMI屏蔽1 围绕未被母板6围绕的电子部件5的侧面的情况W及工作实例1中的各个检测点（H、L、M、 R和 0)。
[0020] 图7A至图7E示意性地图示了Effl屏蔽1的各个实施例。
【具体实施方式】[00川定义
[0022] 除非另外指明，否则上文和本发明全文使用的W下术语应理解为具有W下含义。
[0023] 此处所用的单数形式"一"、"一个"和"所述"包括多个引用，除非上下文另有明确 指示。
[0024]EMI屏蔽
[002引如图1所示，EMI屏蔽1的示例性实施例包括经配置W遮蔽EMI的第一层2 (或Effl遮蔽层）W及经配置W散热的第二层3 (或散热层）。
[0026] 如图2所示，在另一示例性实施例中，一个或多个界面4A介于Effl遮蔽层2与散 热层3之间。
[0027] 在一些实施例中，Effl遮蔽层2与散热层3通过W下工艺中的一种在4处连接：层 压、涂覆(需要一个或多个界面4A)W及电锻(需要一个或多个界面4A)。在一些实施例中， EMI屏蔽1的厚度至少为约10. 5ym。在一个实施例中，EMI屏蔽1的EMI遮蔽层2与散热 层3的厚度是相同的。在另一实施例中，EMI屏蔽1的EMI遮蔽层2与散热层3的厚度是 不同的。
[002引在一个实施例中，如图7A至7C及图7D所示，EMI屏蔽1包含两层或多于两层的EMI遮蔽层2。在一个实施例中，此两层EMI遮蔽层2为相同的金属或材料。在另一个实施 例中，此两层Effl遮蔽层2为不同的金属或材料。在另一个实施例中，如图7D及图7E所示， EMI屏蔽1进一步包含一或多层绝缘膜12。在一个实施例中，绝缘膜12面对电子部件5。
[0029]在一个实施例中，通过W此方式形成EMI屏蔽1，Effl遮蔽层2与各向同性散热层 3的并置会达成各向异性导热性。
[0030] 如图3所示，在一个示例性实施例中，Effl屏蔽1包括大体上平坦的主表面8和一 个或多个侧壁9。在一些实施例中，如图3所示，在EMI屏蔽1的侧壁9上具有开口 11。在 一个示例性实施例中，该些开口用于将Effl屏蔽1支撑在母板6上。在另一示例性实施例 中，Effl屏蔽1的大体上平坦的主表面8大体上不存在孔或开口 11，因此，与在大体上平坦 的主表面8上具有孔或开口的EMI屏蔽相比，在EMI遮蔽方面更加有效。
[0031] 参考图4,在一些实施例中，Effl屏蔽1在7处与母板6直接物理接触，围绕未被母 板6围绕的电子部件5的侧面（即，为了围住热源或电子装置5的内部部件)。在其他实施 例中，EMI屏蔽在7处与母板6间接接触巧P，EMI屏蔽1定位在与母板6相距预定间隔处)， 并且围绕未被母板6围绕的电子部件5的侧面。Effl屏蔽1通过焊接或者通过夹持构件与 母板6接触。在一个示例性实施例中，Effl屏蔽1的内表面与热源5的上表面之间的距离 (在图4中用*表示）至少为0. 05mm，W避免EMI屏蔽1压塌被围起的热源5。
[003引参考图6, 一些实施例在外壳10的内表面与EMI屏蔽1的外表面之间的间隙中，在EMI屏蔽1的外表面上提供一个或多个加强肋，从而加固了EMI屏蔽1。
[0033]在一组实施例中，当屏蔽的一侧暴露于热源中时，EMI屏蔽1在屏蔽1上均匀地分 布热量，所述热源在屏蔽较多暴露于热源的侧与屏蔽较少暴露于热源的相对侧之间产生温 度失衡。
[0034]在一个实施例中，Effl屏蔽1经配置，一热源输出2. 5瓦特的热能并且在距离EMI屏蔽1最近，约0. 5mm的位置处具有摄氏68. 5度的表面饱和温度，所述温度分布使得 60X60mm2的EMI屏蔽1与距离所述位置的最近点的相对侧约为摄氏50度，所述EMI屏蔽 1的相对侧在几何学上W所述位置为中也并且背朝EMI屏蔽1，并且EMI屏蔽1中在距离所 述最近点最远的侧面上的位置具有在约摄氏48度至约摄氏50度范围内的温度。
[00巧]在一些实施例中，EMI屏蔽1对约50MHz至约4. 2GHz范围内的EMI具有屏蔽效果， 所述EMI屏蔽效果在约88地至约75地范围内。
[0036]在一个示例性实施例中，存在一种便携式电子装置，例如膝上计算机，所述电子装 置具有壳体/外壳，所述壳体/外壳的内部高度小于2英寸、小于1. 5英寸、小于1. 0英寸、 小于0. 75英寸、小于0. 5英寸或者在其之间W0. 1英寸递增的任何值或值范围（例如，1. 8 英寸、0. 7英寸、0. 6英寸至1. 2英寸等)，并且具有较大尺寸的宽度和长度，此处详述的任何 或所有部件位于所述壳体中，其中相应高度、宽度和长度W相同方式至少大体上对齐。此种 壳体或外壳的实例是具有键盘或其他用户界面的膝上计算机的底座，其中，在此种示例性 壳体的一个示例性实施例中，所述底座W可拆卸的方式附接到液晶显示器。
[0037]EMI遮蔽层
[0038]在一个示例性实施例中，EMI遮蔽层2遮蔽EMI并且大体上是平坦的。
[0039] 此处用于描述Effl遮蔽层2或散热层3的表面的术语"大体上平坦的"是指不接 触被Effl屏蔽1围绕的电子部件5的侧面的表面。大体上平坦的表面可W包括具有各种表 面特性的平坦表面，所述平坦表面不接触被Effl屏蔽1围绕的电子部件5的侧面。另外，大 体上平坦的表面可W具有轻微曲度，只要此种曲度不会致使EMI屏蔽1接触被EMI屏蔽1 围绕的电子部件5的侧面。Effl遮蔽层2或散热层3的大体上平坦的表面可W具有确定的 或圆形的边缘。
[0040] 在一个示例性实施例中，Effl遮蔽层2的厚度等于或大于约0. 5ym。在另一示例 性实施例中，Effl遮蔽层2具有W下特性中的一者或多者；散热性、延展性、弹性、成形性或 自旋性。
[0041] 在一个示例性实施例中，EMI遮蔽层2从W下各项中选择；不镑钢、铅、媒银、马口 铁、锻锡钢、黄铜、合金或上述各项的组合。在另一示例性实施例中，Effl遮蔽层2为不镑钢。
[0042] 散热层
[0043] 在一个示例性实施例中，散热层3在整个EMI屏蔽1上大体上均匀地散热并且大 体上是平坦的。在一些实施例中，散热层3在各向异性方向上散热，即，在与散热层3的主 面平行的方向上导热性较高(平面中导热性)，并且在与散热层3的主面垂直的方向上导热 性明显较低（穿透平面的导热性)。
[0044] 在一个示例性实施例中，散热层3的厚度等于或大于约10ym。
[0045] 在一个示例性实施例中，散热层3从W下各项中选择：铜、铅、媒银、马口铁、锻锡 钢、黄铜、合金或上述各项的组合。在另一示例性实施例中，散热层3为铜。
[0046] 界面
[0047] 界面4A设置在Effl遮蔽层2与散热层3之间。合适的界面4A包括，但不限于，粘 合剂和石墨。所述粘合剂为双面粘合带，包括压敏粘合涂层W及防粘衬里。在至少一些实 施例中适用的合适粘合剂的实例包括，但不限于，3M6T16粘合剂W及3M6602粘合剂，两者 均可从美国的3M公司购得。
[0048] 在一些实施例中，石墨界面4A可W用天然的、合成的或者热解的石墨颗粒来 制备。在至少一些实施例中所使用的天然石墨的实例包括，但不限于，柔性膨胀石墨/ flexibleexfoliatedgraphite(通过使用插入到所述石墨的晶体结构中的物质处理天然 的片状石墨而制成)。石墨片的导热性为各向异性的。在一个示例性实施例中，石墨片的各 向异性比率被定义为平面中导热性与穿透平面导热性的比率，介于约2至约800之间。石 墨片可W为约0. 01mm至约0. 5mm。
[0049] 绝缘膜
[0050]在一示例性实施例中，如图7D及7E所示，EMI遮罩1进一步包含一绝缘膜12。用 于绝缘膜12的适宜材料包含但不限于树脂、聚醋(例如，聚对苯二甲酸己二醇醋或PET)W 及聚醜亚胺材料。示范性材料为PET,其厚度大于约0.001mm。可使用所属领域中所知的各 种方法来将所述绝缘膜施加到金属层上，诸如通过使用热层压工艺来涂布，或者通过粘接。 [005。 降低电子部件的外表面温度W及减少Effl的方法
[005引在一些实施例中，提供降低电子部件的外表面温度W及使用Effl屏蔽1减少从电 子部件中产生的Effl的方法。所述方法包括W下动作：
[0053] (a)将热量从部件传递到Effl屏蔽，其中所述Effl屏蔽与所述部件处于传热连通；
[0054] (b)通过Effl屏蔽的平面方向，大体上均匀地驱散从部件传递来的热量；
[005引（c)相对于不存在EMI屏蔽的情况，减少从部件进入周围环境中的EMI。
[0056] 在一些实施例中，所述方法进一步包括W下动作；相对于不存在Effl屏蔽的情况， 减少从周围环境进入部件中的EMI。
[0057] 图5图示了EMI屏蔽1的一个示例性传热路径，W在EMI屏蔽1上均匀地分布热 量。在一个示例性实施例中，Effl屏蔽1在7处与母板6直接物理接触，并且围绕不与母板 6接触的内部部件5的侧面（即，为了围住电子装置5的内部部件)。在另一示例性实施例 中，Effl屏蔽1在7处与母板6间接接触，并且围绕未被母板6围绕的内部部件5的侧面。 母板6的非限制性实例包括印刷电路板（PCB)，或者PCBW机械方式支撑并且使用导电路径 连接的电子部件，即，从层压到非导电衬底上的铜片蚀刻出的迹线或信号迹线，将各电子部 件电连接。内部或电子部件的非限制性实例包括CPU、GPU、Wifi、功率集成电路、3G或具有 lOOmwW上热功率的其他芯片组驱动器。
[0058] 在一个实施例中，内部部件5产生的热量随后被传递到EMI屏蔽1，其中热量在 EMI屏蔽1的平面方向（即，各向异性方向）上传播。在另一实施例中，内部部件5产生的热 量随后被传递到Effl屏蔽1，其中热量在散热层3的平面方向（即，各向异性方向)上传播（图 5所示路径A)。
[0059] 在一个示例性实施例中，通过将Effl遮蔽层2与各向同性的散热层3 (例如，铜)并 置，散热变成各向异性的，由此热量可W在散热层3的平面方向上传播（图5所示路径A)。
[0060] 在一个示例性实施例中，当EMI屏蔽1的一侧暴露于具有6(TC或更高表面温度的 电子部件中，并且EMI屏蔽1的另一侧暴露于不多于电子部件的50%的热量中时，如果EMI 屏蔽1的温度分布比率小于约15%，那么EMI屏蔽1在EMI屏蔽1上均匀地分布热量。在另 一示例性实施例中，如果EMI屏蔽1的温度分布比率等于或小于约14%、13%、12%、11%、10%、 9%、8%、7%、6%、5%、4%、3%、2%或1%或者在其之间W0. 1%递增的任何值或值范围（例如，约 2. 5%、约4. 5%、约2. 6%至约4. 6%等），那么EMI屏蔽1均匀地分布热量。基于6cmX6cm的 Effl屏蔽的温度分布比率定义为如下；(Effl屏蔽1的最大测得温度-Effl屏蔽1的最小测得 温度）/EMI屏蔽1的最小测得温度。
[0061] 在另一示例性实施例中，如果EMI屏蔽1的最大测得温度与EMI屏蔽1的最小测 得温度的差值等于或小于约1〇^、91：、81：、71：、61：、51：、41：、31：、21：、11：和/或在其之 间W0.rC递增的任何值或值范围（例如，约2. 2°C、约4. 4°C、约2. 2°C至约3. 3°C等)，那么 EMI屏蔽1在屏蔽1上均匀地分布热量。
[0062] W下实例进一步说明了一些实施例。该些实例仅仅意欲为说明性的，而不应被理 解为限制性的。
[0063] 实例1 ;使用EMI屏蔽的热模型化研究
[0064] 在此研究中，热源5被放置成与母板6直接接触，并且使用H种类型的Effl屏蔽1;
[0065] 1.不具有任何开口的不镑钢EMI屏蔽(厚度=0. 2mm);
[006引 2.不具有任何开口的铜EMI屏蔽（厚度=0. 2mm); W及
[0067] 3.不具有任何开口的Effl屏蔽，所述Effl屏蔽包括不镑钢层(厚度为W下各项中的 至少一者：〇. 5mm、0. 45mm、0. 4mm、0. 35mm、0. 3mm、0. 25mm、0. 2mm、0. 15mm、0. 1mm或 0. 05mm)W及铜层（厚度为W下各项中的至少一者；0.3mm、0.25mm、0. 2mm、0. 15mm、0.lmm、0. 09mm、 0. 08mm、0. 07mm、0. 06mm、0. 05mm、0. 04mm、0. 03mm、0. 02mm或 0. 01mm)。
[006引图6图示了在该个研究中EMI屏蔽1相对于热源5和外壳10的放置。
[0069] 在此研究中，热源5为约25. 4mm(长度）X25. 4mm(宽度）X0. 5mm(高度）并且热 功率为约2. 5瓦特。EMI屏蔽1为约60mm(长度）X60mm(宽度）X1mm(高度）并且介于热 源5与外壳10之间。EMI屏蔽1的内表面与热源5的外表面之间的距离为约0. 5mm，并且 EMI屏蔽1的外表面与外壳10的内表面之间的距离为约2mm。
[0070] 在研究开始之前，热源5被预热至8(TC。2小时之后，使用温度计（Y0K0GAWA DX-2048,日本东京）测量温度。温度是在图6中的点H、L、M、R和0点处测得的。研究结果 总结于表1至表4中。
[0(m] 表1.使用3种不同EMI屏蔽的情况下点H处的热源温度。
[0072]
【权利要求】
1. 一种设备，其包括： 电磁干扰（EMI)屏蔽，所述EMI屏蔽包括： 经配置以遮蔽EMI的第一层；以及 经配置以散热的第二层， 其中所述屏蔽经配置以使得在所述屏蔽的一侧暴露于热源中时，整个所述屏蔽上大体 上均匀地分布热量，当所述热源在所述屏蔽的较多暴露于所述热源的侧与所述屏蔽的较少 暴露于所述热源的相对侧之间产生温度失衡。
2. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述EMI屏蔽包括大体上平坦的主表面和 一个或多个侧壁。
3. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一层为大体上平坦的。
4. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一层为不锈钢层。
5. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二层为大体上平坦的。
6. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二层经配置以各向异性地散热。
7. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二层为铜层。
8. 根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述EMI屏蔽的所述大体上平坦的主表面 大体上不存在开口。
9. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其进一步包括所述第一层与所述第二层 之间的一个或多个界面。
10. 根据权利要求2所述的设备，其特征在于，当所述屏蔽的一侧暴露于具有至少60°C 或更高表面温度的热源中，并且所述屏蔽的另一侧暴露于不多于从所述热源产生的50%的 热能中时，所述EMI屏蔽具有小于约15%的温度分布比率。
11. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述屏蔽经配置使得所述屏蔽的一侧暴 露于热源时在整个所述屏蔽上大体上均匀地分布热量，当所述热源在所述屏蔽的面对所述 热源的一侧与所述屏蔽的相对侧之间产生温度失衡。
12. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述屏蔽经配置，使得热源输出2. 5瓦特 的热能并且在距离所述屏蔽最近且距离所述屏蔽约〇. 5mm的位置处具有摄氏68. 5度的表 面温度，所述温度分布使得60X60mm2的所述屏蔽的相对侧上距离所述位置的最近点约为 摄氏50度，所述屏蔽的相对侧在几何学上以所述位置为中心并且背朝所述屏蔽，并且所述 屏蔽中在距离所述最近点最远的侧面上的位置具有在约摄氏48度至约摄氏50度范围内的 温度。
13. 根据权利要求12所述的设备，其特征在于，摄氏68. 5度的所述表面温度为所述设 备的饱和温度。
14. 根据权利要求12所述的设备，其特征在于，对在约50MHz至约4. 2GHz范围内的EMI 产生的遮蔽效果是在约88dB至约75dB的范围内。
15. 根据权利要求12所述的设备，其特征在于，所述屏蔽的平均厚度为约0. 2mm。
16. 根据权利要求12所述的设备，其特征在于，所述热源面向所述屏蔽的表面区域为 约 25mm X 25mm。
17. -种设备，其包括： 用于遮蔽电磁干扰（EMI)并且大体上均匀地散热的构件；以及 电子部件，所述电子部件中的至少一者通过所述用于遮蔽EMI的构件进行遮蔽EMI或 所述电子部件发出的EMI被该构件遮蔽。
18. 根据权利要求17所述的设备，其特征在于，所述用于遮蔽EMI并且大体上均匀地散 热的构件包括经配置以遮蔽EMI的第一层以及用于散热的第二层。
19. 根据权利要求18所述的设备，其特征在于，其进一步包括所述第一层与所述第二 层之间的一个或多个界面。
20. 根据权利要求17所述的设备，其特征在于，所述用于遮蔽EMI并且大体上均匀地散 热的构件包括大体上平坦的主表面以及一个或多个侧壁。
21. 根据权利要求20所述的设备，其特征在于，所述大体上平坦的主表面大体上不存 在开口。
22. 根据权利要求17所述的设备，其特征在于，当所述构件的一侧暴露于具有60°C或 更高表面温度的所述电子部件中，并且所述构件的另一侧暴露于与不多于所述电子部件发 出的50%热能中时，所述用于遮蔽EMI并且大体上均匀地散热的构件具有小于约15%的温 度分布比率。
23. -种方法，其包括： 降低电子部件的外部表面温度并且减少从所述部件产生的EMI，其包括以下动作： (a) 将热量从所述部件传递到EMI屏蔽，其中所述EMI屏蔽与所述部件处于传热连通； (b) 在所述EMI屏蔽的平面方向上大体上均匀地驱散从所述部件传递到所述EMI屏蔽 的热量；以及 (c) 相对于不存在所述EMI屏蔽的情况，减少从所述部件进入周围环境中的EMI。
24. 根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述EMI屏蔽与母板接触，并且围绕未 被所述母板围绕的电子部件的侧面。
25. 根据权利要求23所述的方法，其特征在于，当所述EMI屏蔽的一侧暴露于具有 60°C或更高表面温度的所述电子部件中，并且所述EMI屏蔽的另一侧暴露于不多于所述电 子部件的50%的热量中时，所述EMI屏蔽具有小于约15%的温度分布比率。
26. 根据权利要求23所述方法，其特征在于，其进一步包括以下动作：相对于不存在所 述EMI屏蔽的情况，减少从周围环境进入所述部件中的EMI。
27. -种便携式电子装置，其包括： 母板； 中央处理单元（CPU)，所述中央处理单元支撑在所述母板的第一侧上； 电磁干扰（EMI)屏蔽，所述EMI屏蔽围绕未被所述母板围绕的所述CPU的侧面，所述屏 蔽包括： 经配置以遮蔽EMI的第一层；以及 经配置以散热的第二层， 其中所述屏蔽经配置以在所述屏蔽的一侧暴露于热源中时，在整个所述屏蔽上大体上 均匀地分布热量，所述热源在所述屏蔽较多暴露于所述热源的侧与所述屏蔽的较少暴露于 所述热源的相对侧之间产生温度失衡，其中所述屏蔽经配置，使得当所述CPU在一段时间 内输出2. 5瓦特的热能时，其中从所述CPU传递到所述屏蔽的热量已达到饱和，并且使得所 述CPU在距离所述屏蔽约0. 5mm的第一位置处具有摄氏68. 5度的表面温度，所述屏蔽的温 度分布使得在60X60mm2的所述屏蔽的相对侧上距离所述第一位置的最近点约为摄氏50 度，所述屏蔽的相对侧在几何学上以所述第一位置为中心并且背朝所述屏蔽，并且所述屏 蔽中在距离所述最近点最远的侧面上的位置具有在约摄氏48度至约摄氏50度范围内的温 度。
【文档编号】G06F1/16GK104375572SQ201310585120
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年11月19日 优先权日:2013年8月12日
【发明者】陈科君, 黄文雄, 杨培民, 梁峻彰 申请人:华宏新技股份有限公司