用于rfid标签芯片的解调电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于RFID标签芯片的解调电路，包括第一二极管、第二二极管、第一电容～第三电容、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、比较器和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻和第二电容构成包络检波电路，第二电阻和第三电容构成均值电路，第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管和第三N沟道绝缘栅双极晶体管构成反相器整形电路。本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，使用高动态范围的比较器。该解调电路的解调动态范围大，能处理大范围内变化的信号。该解调电路的功耗小、稳定性好、灵敏度高。
【专利说明】用于RF ID标签芯片的解调电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于RFID标签芯片的解调电路，尤其涉及一种用于RFID标签芯片的解调动态范围大低功耗闻灵敏度的解调电路。
【背景技术】
[0002]RFID标签需要从阅读器发送的射频信号中恢复数据，然后对数据进行处理，并将得到的数据通过发射射频信号返回给读写器。RFID标签芯片的解调电路的作用是从射频信号中恢复数据，并交由后端控制部分进行处理。目前，RFID标签芯片的解调电路的解调动态范围小，不能处理大范围变化的信号。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于RFID标签芯片的解调动态范围大低功耗闻灵敏度的解调电路。
[0004]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，包括第一二极管、第二二极管、第一电容?第三电容、第一 P沟道绝缘栅双极晶体管?第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管?第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、比较器和直流电源，所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极连接并作为所述解调电路的信号输入端，所述第一二极管的负极同时与所述第一电容的第一端、所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二电阻的第一端连接，所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的基极同时与所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第一电阻的第一端、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第二二极管的正极同时与所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述比较器的负极电源输入端、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述直流电源的负极连接，所述第二电容的第二端与所述比较器的反相输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第三电容的第二端、所述比较器的正相输入端连接，所述比较器的输出端同时与所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述直流电源的正极同时与所述比较器的正极电源输入端、所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接并作为所述解调电路的信号输出端。
[0006]本实用新型的有益效果在于:
[0007]本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，使用高动态范围的比较器。该解调电路的解调动态范围大，能处理大范围内变化的信号。该解调电路的功耗小、稳定性好、灵敏度高。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0010]如图1所示，本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第一 P沟道绝缘栅双极晶体管MP1、第二 P沟道绝缘栅双极晶体管MP2、第三P沟道绝缘栅双极晶体管MP3、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管MN1、第二 N沟道绝缘栅双极晶体管MN2、第三N沟道绝缘栅双极晶体管MN3、第一电阻R1、第二电阻R2、比较器A和直流电源(图中Vdd)，第一二极管Dl的正极与第二二极管的负极D2连接并作为解调电路的信号输入端IN，第一二极管Dl的负极同时与第一电容Cl的第一端、第一 P沟道绝缘栅双极晶体管MPl的发射极、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管丽I的集电极、第二电阻R2的第一端连接，第一 P沟道绝缘栅双极晶体管MPl的基极同时与第一 P沟道绝缘栅双极晶体管MPl的集电极、第一电阻Rl的第一端、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管MNl的基极连接，第二二极管D2的正极同时与第一电容Cl的第二端、第一电阻Rl的第二端、第一N沟道绝缘栅双极晶体管MNl的发射极、第二电容C2的第一端、第三电容C3的第一端、比较器A的负极电源输入端、第二 N沟道绝缘栅双极晶体管MN2的发射极、第三N沟道绝缘栅双极晶体管MN3的发射极、直流电源的负极连接，第二电容C2的第二端与比较器A的反相输入端连接，第二电阻R2的第二端同时与第三电容C3的第二端、比较器A的正相输入端连接，比较器A的输出端同时与第二 P沟道绝缘栅双极晶体管MP2的基极、第二 N沟道绝缘栅双极晶体管MN2的基极连接，直流电源的正极同时与比较器A的正极电源输入端、第二 P沟道绝缘栅双极晶体管MP2的发射极、第三P沟道绝缘栅双极晶体管MP3的发射极连接，第二 P沟道绝缘栅双极晶体管MP2的集电极同时与第三P沟道绝缘栅双极晶体管MP3的基极、第二 N沟道绝缘栅双极晶体管丽2的集电极、第三N沟道绝缘栅双极晶体管MN3的基极连接，第三P沟道绝缘栅双极晶体管MP3的集电极与第三N沟道绝缘栅双极晶体管丽3的集电极连接并作为所述解调电路的信号输出端OUT。
[0011 ] 本实用新型所述用于RFID标签芯片的解调电路，由第一 P沟道绝缘栅双极晶体管MP1、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管MP2、第一电阻Rl、第二电阻R2和第二电容C2构成包络检波电路产生包络信号，由第二电阻R2和第三电容C3构成均值电路产生比较器比较电压，由第二 P沟道绝缘栅双极晶体管MP2、第三P沟道绝缘栅双极晶体管MP3、第二 N沟道绝缘栅双极晶体管MN2和第三N沟道绝缘栅双极晶体管MN3构成反相器整形电路整形输出信号。该解调电路使用高动态范围的比较器A，解调动态范围大，能处理大范围内变化的信号。该解调电路的功耗小、稳定性好、灵敏度闻。
【权利要求】
1.一种用于RFID标签芯片的解调电路，其特征在于:包括第一二极管、第二二极管、第一电容?第三电容、第一 P沟道绝缘栅双极晶体管?第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一 N沟道绝缘栅双极晶体管?第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、比较器和直流电源，所述第一二极管的正极与所述第二二极管的负极连接并作为所述解调电路的信号输入端，所述第一二极管的负极同时与所述第一电容的第一端、所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第二电阻的第一端连接，所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的基极同时与所述第一 P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第一电阻的第一端、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第二二极管的正极同时与所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端、所述第一 N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述比较器的负极电源输入端、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述直流电源的负极连接，所述第二电容的第二端与所述比较器的反相输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第三电容的第二端、所述比较器的正相输入端连接，所述比较器的输出端同时与所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述直流电源的正极同时与所述比较器的正极电源输入端、所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的发射极连接，所述第二 P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极同时与所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的基极、所述第二 N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的基极连接，所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的集电极与所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的集电极连接并作为所述解调电路的信号输出端。
【文档编号】G06K19/077GK203520443SQ201320706115
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】唐海龙 申请人:成都爪媒科技有限公司