透明导电性薄膜及触摸面板的制作方法

透明导电性薄膜及触摸面板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及透明导电层进行了图案化且能够抑制因图案部和图案开口部的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜，以及使用其的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜(10)在透明基材(1)上依次形成有第1透明电介质层(2)及透明导电层(4)。优选的是，在将对图案部(P)照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*P及b*P、将对图案开口部(O)的正下方照射白色光时的反射光的色相a*值及色相b*值分别设为a*O及b*O时，满足0≤|a*P-a*O|≤4.00的关系，且满足0≤|b*P-b*O|≤5.00的关系，所述图案部与所述图案开口部正下方之间的反射率差的绝对值为0.38％以上且5.38％以下。
【专利说明】透明导电性薄膜及触摸面板
[0001] 本申请是申请日为2010年9月28日、申请号为201080042102.X、发明名称为"透 明导电性薄膜及触摸面板"的申请的分案申请。

【技术领域】
[0002] 本发明涉及透明导电性薄膜及使用其的触摸面板。

【背景技术】
[0003] 在可见光线区域透明且具有导电性的透明导电性部件，除了用于液晶显示器、场 致发光显示器等显示器、触摸面板等的透明电极以外，还用于物品的防静电、电磁波阻断 等。
[0004] 以往，作为透明导电性部件，已知的是在玻璃上形成有氧化铟薄膜的所谓导电性 玻璃，但是导电性玻璃由于基材为玻璃，因此挠性、加工性差，根据用途的不同，有时使用困 难。因此，近年来，从挠性、加工性以及耐冲击性优异、轻量等优点考虑，使用将以聚对苯二 甲酸乙二醇酯为首的各种塑料薄膜作为基材的透明导电性薄膜。
[0005] 作为触摸面板等中用于检测输入位置的透明导电性薄膜，已知有具备具有规定的 图案形状的透明导电层的透明导电性薄膜。但是，将透明导电层图案化时，图案部和图案开 口部（非图案部）的差异明确化，有显示元件的外观变差之虞。
[0006] 为了改善将透明导电层图案化时的外观，例如，在下述专利文献1中提出了在透 明基材和透明导电层之间形成透明电介质层的方案。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1:日本特开2009-76432号公报


【发明内容】

[0010] 发明要解决的问题
[0011] 然而，在以往的透明导电性薄膜中，图案部和图案开口部的正下方之间的反射光 的色相的差异导致图案部和图案开口部的边界明确化，其结果，有显示元件的外观变差之 虞。
[0012] 因此，本发明提供透明导电层进行了图案化的、可以抑制由图案部和图案开口部 的正下方之间的反射光的色相的差异导致的外观恶化的透明导电性薄膜和使用其的触摸 面板。
[0013] 用于解决问题的方案
[0014] 为了达成上述目的，本发明的透明导电性薄膜的特征在于，其为在透明基材上 依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜，上述透明导电层通过图 案化形成有图案部和图案开口部，在将对上述图案部照射白色光时的反射光的色相^值 及色相b#值分别设为aVSbV将对上述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的 色相a#值及色相b#值分别设为aVSb^时，满足O彡Ia#p-a^|彡4.OO的关系，且满足 0彡|b#p-b#QI彡5. 00的关系。需要说明的是，上述"反射光"是指，利用碘钨灯，以10度入 射角从透明导电层侧向图案部或图案开口部正下方照射白色光时的反射光。
[0015] 利用本发明的透明导电性薄膜，由于图案部和图案开口部正下方之间的反射光的 色相的差异得到抑制，因此难以辨别图案部和图案开口部，能够提供外观良好的透明导电 性薄膜。
[0016] 本发明的透明导电性薄膜优选的是，进一步具有配置在上述第1透明电介质层和 上述透明导电层之间的、折射率与上述第1透明电介质层不同的第2透明电介质层。这是 因为，能够降低图案部和图案开口部正下方之间的反射率差，从而可进一步抑制图案部和 图案开口部的差异。
[0017] 本发明的透明导电性薄膜进一步具有上述第2透明电介质层时，优选上述第1透 明电介质层的光学厚度为3?45nm、优选上述第2透明电介质层的光学厚度为3?50nm、优 选上述透明导电层的光学厚度为20?100nm，将上述第2透明电介质层的折射率设为nl、 将上述透明导电层的折射率设为n2时，优选满足nl<n2的关系。这是因为，利用该构成， 可进一步抑制图案部和图案开口部正下方之间的反射光的色相的差异。另外，由于能够进 一步降低图案部和图案开口部正下方之间的反射率差，因此可进一步抑制图案部和图案开 口部的差异。需要说明的是，各层的"光学厚度"是指，各层的物理厚度（利用厚度计等测 定出的厚度）乘以该层的折射率所得的值。另外，本发明中的折射率是对波长589. 3nm的 光的折射率。需要说明的是，本发明中，物理厚度仅称为"厚度"。
[0018] 上述第2透明电介质层优选通过图案化而形成图案部和图案开口部。这是因为， 利用该构成，可进一步抑制图案部和图案开口部正下方之间的反射光的色相的差异。该情 况下，优选上述透明导电层的图案部和上述第2透明电介质层的图案部一致。这是因为，利 用该构成，可进一步抑制图案部和图案开口部正下方之间的反射光的色相的差异，而且可 进一步降低图案部和图案开口部正下方之间的反射率差。
[0019] 本发明的触摸面板为包含上述本发明的透明导电性薄膜的触摸面板。利用本发明 的触摸面板，可得到与上述本发明的透明导电性薄膜的效果同样的效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0020] 图1是表示本发明的透明导电性薄膜的一例的剖面图。
[0021] 图2是表示本发明的透明导电性薄膜的另外的一例的剖面图。
[0022] 图3中A?C是表示本发明的透明导电性薄膜的其他例的剖面图。

【具体实施方式】
[0023] 以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，对于相同的构成要 素附上相同的符号而省略重复的说明。
[0024] 图1是表示本发明的透明导电性薄膜的一例的剖面图。图1所示的透明导电性薄 膜10包括：透明基材1、和在该透明基材1上依次形成的第1透明电介质层2、第2透明电 介质层3及透明导电层4。透明导电层4及第2透明电介质层3进行了图案化，分别形成有 图案部P和图案开口部0。另外，透明导电层4的图案部P和第2透明电介质层3的图案部 P-致。
[0025] 而且，关于透明导电性薄膜10,在将对透明导电层4的图案部P照射白色光时 的反射光的色相a#值及色相b#值分别设为aVSbV将对透明导电层4的图案开口部 〇的正下方照射白色光时的反射光的色相0直及色相b#值分别设为aVSb、时，满足 0彡|a#P-a#Q|彡4. 00的关系，且满足0彡|b#P-b#Q|彡5. 00的关系。由此，图案部P和图案 开口部O的正下方之间的反射光的色相的差异得到抑制，从而难以辨别图案部P和图案开 口部0,能够形成外观良好的透明导电性薄膜10。需要说明的是，所谓"图案开口部O的正 下方"，在图1的情况下，是指面向图案开口部0的第1透明电介质层2的表面。为了进一步 抑制透明导电性薄膜10中上述反射光的色相的差异，优选的是，满足〇< |a#p-a^| <3.00 的关系，且满足0<|1^-1/。|<4.50的关系。从同样的观点考虑，|& <；-&#。|的值更优选为 0?2. 00、进一步优选为0?L00、更进一步优选为0?0· 70。
[0026] 从进一步抑制透明导电性薄膜10中图案部P和图案开口部0的正下方之间的反 射光的色相的差异的观点、以及降低图案部P和图案开口部0的正下方之间的反射率差从 而进一步抑制图案部P和图案开口部0的差异的观点考虑，优选透明导电性薄膜10满足以 下的条件。即，优选的是，透明导电性薄膜10中，第1透明电介质层2的光学厚度为3? 45nm、第2透明电介质层3的光学厚度为3?50nm、透明导电层4的光学厚度为20?100nm， 且在将第2透明电介质层3的折射率设为nl、透明导电层4的折射率设为n2时，满足nl <n2的关系。各层的光学厚度的更优选的范围是，第1透明电介质层2为3?22nm、第2 透明电介质层3为3?40nm、透明导电层4为20?75nm〇
[0027] 作为透明基材1，没有特别的限制，可使用具有透明性的各种塑料薄膜。例如，作为 其材料，可列举出聚酯系树脂、醋酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树 月旨、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、（甲基）丙烯酸系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏二氯乙 烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。其中，特 别优选的是聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚烯烃系树脂。
[0028] 另外，也可以使用日本特开2001-343529号公报（W001/37007)中记载的高分子薄 膜。例如，可例示出含有侧链具有取代和/或非取代亚氨基的热塑性树脂、和侧链具有取代 和/或非取代苯基以及腈基的热塑性树脂的树脂组合物。具体而言，还可使用含有由异丁 烯和N-甲基马来酰亚胺形成的交替共聚物、和丙烯腈-苯乙烯共聚物的树脂组合物的高分 子薄膜。
[0029] 透明基材1的厚度优选在2?200μm的范围内、更优选在2?100μm的范围内。 这是因为，厚度在该范围内时，确保了基材的机械强度，且易于透明导电性薄膜10的薄膜 化。
[0030] 也可以对透明基材1的表面预先实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子射 线照射、化学转化、氧化等蚀刻处理、底涂处理，提高设置在其上的第1透明电介质层2对透 明基材1的密合性。另外，在设置第1透明电介质层2之前，可以根据需要，通过溶剂清洗、 超声波清洗等进行除尘、清洁化。
[0031] 第1及第2透明电介质层2、3可由无机物、有机物、或无机物和有机物的混合 物形成。例如，作为无机物，可列举出NaF(l. 3)、Na3AlF6(l. 35)、LiF(l. 36)、MgF2(l. 38)、 CaF2 (I. 4)、BaF2 (I. 3)、SiO2 (I. 46)、LaF3 (I. 55)、CeF3 (I. 63)、Al2O3 (I. 63)等无机物〔上述各 材料的括号内的数值为折射率。〕。另外，除上述以外，也可以使用至少包含氧化铟及氧化铈 的复合氧化物。另外，作为有机物，可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、 醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物及它们的混合物等。
[0032] 其中，第2透明电介质层3优选由无机物形成。这是因为，利用该构成，可防止第2 透明电介质层的光劣化，从而能够提高透明导电性薄膜10的耐久性。该情况下，上述无机 物优选为Si02。Sicy*价且容易获得，而且耐酸性高，因此利用酸蚀刻透明导电层4进行图 案化时，可防止第2透明电介质层3的劣化。
[0033] 第1及第2透明电介质层2、3被设置于透明基材1和透明导电层4之间，不具有作 为导电层的功能。即，第1及第2透明电介质层2、3以透明导电层4的图案部P，P之间能 够绝缘的方式作为电介质层设置。因此，第1及第2透明电介质层2、3的表面电阻为例如 1Χ106Ω/ □以上、优选为1Χ1〇7Ω/ □以上、更优选为1Χ1〇8Ω/ □以上。需要说明的是， 第1及第2透明电介质层2、3的表面电阻的上限没有特别限定。通常，第1及第2透明电 介质层2、3的表面电阻的上限为测定限界即IXIO13Ω/ □左右，也可以超过IX1〇13Ω/ 口。
[0034] 透明导电层4的构成材料没有特别限定，例如可以使用选自由铟、锡、锌、镓、锑、 钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯及钨组成的组中的至少1种金属（或半金属）的氧化物。该 氧化物中，可以根据需要进一步添加上述组中所示的金属元素、其氧化物。优选使用例如含 有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡等。
[0035]第1透明电介质层2的折射率（η0)优选为1. 3?2. 5、更优选为1. 4?2. 3。第2 透明电介质层3的折射率（nl)优选为1. 3?2. 0、更优选为1. 3?1. 6。透明导电层4的 折射率（n2)优选为1.9?2. 1。只要各层的折射率在上述范围内，则可确保透明性，且可有 效抑制图案部P和图案开口部〇的正下方之间的反射光的色相的差异。
[0036]需要说明的是，从厚度的均匀性、防止龟裂的发生及提高透明性的观点考虑，第1 透明电介质层2的厚度优选为2?30nm、更优选为2?12nm。从同样的观点考虑，第2透明 电介质层3的厚度优选为2?30nm。从同样的观点考虑，透明导电层4的厚度优选为10? 50nm、更优选为10?40nm、进一步优选为10?30nm。
[0037] 作为透明导电性薄膜10的制造方法，例如，可例示出具有以下工序的方法：在透 明基材1的单面，从透明基材1侧开始依次形成第1透明电介质层2、第2透明电介质层3 及透明导电层4的工序；和利用蚀刻液蚀刻透明导电层4而进行图案化的工序；和利用蚀 刻液蚀刻第2透明电介质层3而进行图案化的工序。
[0038] 作为第1透明电介质层2、第2透明电介质层3及透明导电层4的形成方法，例如， 可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、涂覆法等，可以根据材料的种类及所需的厚度采 用适宜的方法。
[0039] 蚀刻透明导电层4时，利用用于形成图案的掩模覆盖透明导电层4,并利用酸等蚀 刻液蚀刻透明导电层4即可。作为上述酸，可列举出：氯化氢、溴化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无 机酸，醋酸等有机酸，及这些酸的混合物以及这些酸的水溶液。
[0040] 蚀刻第2透明电介质层3时，利用用于形成与蚀刻透明导电层4时同样的图案的 掩模覆盖透明导电层4,并利用蚀刻液蚀刻第2透明电介质层3即可。如上所述，第2透明 电介质层3适宜使用510 2等无机物，因此，作为蚀刻液，适宜使用碱。作为碱，例如可以举 出：氢氧化钠、氢氧化钾、氨、四甲基氢氧化按等的水溶液、及这些碱的混合物。
[0041] 需要说明的是，将透明导电层4图案化后，还可以根据需要，对图案化了的透明导 电层4进行热处理。这是因为，通过热处理，透明导电层4的构成成分结晶化，能够提高透 明性及导电性。此时的加热温度例如在100?150°C的范围内，加热时间例如在15?180 分钟的范围内。
[0042] 对于透明导电层4及第2透明电介质层3的图案的形态，没有特别的限定，可以根 据透明导电性薄膜10所适用的用途，形成条纹（Stripe)状等各种图案。
[0043] 接着，参照图2对本发明的另外的一例的透明导电性薄膜进行说明。如图2所示， 透明导电性薄膜20在上述透明导电性薄膜10的透明基材1的图中的下表面（S卩，透明基 材1的与第1透明电介质层2处于相反侧的面），介由透明粘合剂层5设置透明基体6。 [0044] 作为透明粘合剂层5的构成材料，只要是具有透明性的材料就可以没有特别限定 地使用。例如，可以适当选择以丙烯酸系聚合物、有机硅系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚 乙烯醚、醋酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃、环氧系、氟系、天然橡胶、合成橡胶等橡 胶系等聚合物为基体聚合物的材料。特别是从光学透明性优异；表现出适当的润湿性、聚集 性及粘接性等粘合特性；耐候性、耐热性等也优异的方面考虑，优选使用丙烯酸系粘合剂。
[0045]另外，透明粘合剂层5通常由使基体聚合物或其组合物溶解或分散在溶剂中而得 到的粘合剂溶液（固体成分浓度为10?50重量％左右）形成。作为上述溶剂，可以适当 选择甲苯、醋酸乙酯等有机溶剂、水等对应粘合剂的种类的溶剂使用。
[0046] 透明基体6的厚度优选为10?300μm、更优选为20?250μm。另外，由多个基 体薄膜形成透明基体6时，各基体薄膜的厚度优选为10?200μm、更优选为20?150μm。 作为透明基体6、上述基体薄膜，可使用与上述透明基材1同样的材料。
[0047] 对于透明基材1和透明基体6的贴合，可以预先在透明基体6侧设置透明粘合剂 层5,然后将其与透明基材1贴合，相反，也可以预先在透明基材1侧设置透明粘合剂层5， 然后将其与透明基体6贴合。利用后一种方法，可以对辊状的透明基材1连续地形成透明 粘合剂层5,因此，在生产率方面是更有利的。另外，也可以对透明基材1利用透明粘合剂层 (未图示）依次贴合多个基体薄膜从而形成透明基体6。需要说明的是，基体薄膜的层叠中 使用的透明粘合剂层可以使用与上述透明粘合剂层5同样的层。
[0048] 透明粘合剂层5例如在粘接透明基体6后，因其缓冲效果，具有提尚设置在透明基 材1的一个面上的透明导电层4的耐擦伤性、作为触摸面板用的打点特性（所谓笔触输入 耐久性、面压耐久性）的功能。从更有效地发挥该功能的观点考虑，优选将透明粘合剂层5 的弹性模量设定在1?lOON/cm2的范围、将厚度设定在Iym以上（更优选为5?100ym) 的范围。在该范围内时，可以充分发挥上述效果，并且透明基体6和透明基材1的密合力也 充分。
[0049] 经由这样的透明粘合剂层5贴合的透明基体6可以赋予透明基材1以良好的机械 强度，能够提高笔触输入耐久性、面压耐久性。
[0050] 另外，可以根据需要在透明基体6的外表面设置用于保护外表面的硬涂层（未图 示）。作为该硬涂层，例如，优选使用由三聚氰胺系树脂、氨基甲酸酯系树脂、醇酸系树脂、丙 烯酸系树脂、有机硅系树脂等固化型树脂形成的固化覆膜。作为上述硬涂层的厚度，从硬度 的观点及防止龟裂、卷曲发生的观点考虑，优选为〇. 1?30μm。
[0051] 以上对本发明的一例的透明导电性薄膜进行了说明，但本发明不受上述实施方式 的限定。例如，在上述实施方式中，例示了第2透明电介质层进行了图案化的情况，但第2 透明电介质层也可以不进行图案化。
[0052] 另外，在本发明中，也可以不设置第2透明电介质层。在这种情况下，优选以将第 1透明电介质层的折射率设为n0、将透明导电层的折射率设为n2时，满足n0 <n2的关系 的方式选择构成材料。
[0053] 另外，在本发明中，如图3的A?C所示，第2透明电介质层3和透明导电层4之 间也可以形成第3透明电介质层7。该情况下，可以像图3的A的透明导电性薄膜30那样 各透明电介质层不进行图案化，也可以像图3的B、C那样一部分的透明电介质层进行图案 化。即，可以像图3的B的透明导电性薄膜40那样第3透明电介质层7进行图案化，也可 以像图3的C的透明导电性薄膜50那样第2及3透明电介质层3、7进行图案化。另外，虽 然没有图示，但也可以设置4层以上的透明电介质层。
[0054] 另外，本发明的透明导电性薄膜中，也可以设置用于提高可视性的防眩处理层、防 反射层。特别是用于电阻膜方式的触摸面板时，可以与上述硬涂层同样地在透明基体的外 表面（与透明粘合剂层处于相反侧的面）设置防眩处理层、防反射层。另外，也可以在硬涂 层上设置防眩处理层、防反射层。另一方面，用于静电容量方式的触摸面板时，防眩处理层、 防反射层有时也会设置在透明导电层上。
[0055] 上述防眩处理层的构成材料没有特别限定，例如可以使用电离辐射固化型树脂、 热固化型树脂、热塑性树脂等。防眩处理层的厚度优选为〇. 1?30μm。
[0056] 作为上述防反射层，可使用氧化钛、氧化锆、氧化硅、氟化镁等。为了进一步发挥防 反射功能，优选使用氧化钛层和氧化硅层的层叠体。上述层叠体优选在透明基体、硬涂层上 形成折射率高的氧化钛层（折射率：约2. 35)，然后在该氧化钛层上形成折射率低的氧化硅 层（折射率：约1. 46)的2层层叠体。进而，更优选在该2层层叠体上依次形成氧化钛层及 氧化硅层的4层层叠体。通过设置这样的2层层叠体或4层层叠体的防反射层，能够均匀 降低可见光线的波长范围（380?780nm)的反射。
[0057] 本发明的透明导电性薄膜可以适宜用于例如静电容量方式、电阻膜方式等的触摸 面板中。
[0058] 实施例
[0059] 以下，结合比较例对本发明的实施例进行说明，但是本发明不被下述的实施例限 定性地解释。需要说明的是，实施例及比较例中的评价利用下述所示的方法进行。
[0060] <各层的折射率>
[0061] 对于各层的折射率，使用Atagocorporation制造的阿贝折射率计，在25. 0°C的 条件下，使测定光（波长：589. 3nm)入射到各测定面，利用该折射计所示的规定的测定方法 进行测定。
[0062] <各层的厚度>
[0063] 透明基材的厚度使用MitutoyoCorporation制造的Microgage式厚度计进行测 定。对其他的层的厚度，利用日立制作所制造的透射型电子显微镜H-7650观察截面来测 定。
[0064] <可见光透射率>
[0065] 使用岛津制作所制造的分光分析装置UV-240,测定波长550nm处的可见光的透射 率。
[0066] <反射率差>
[0067] 使用日立制作所制造的分光光度计U4100的积分球测定模式，以10度入射角测 定反射光谱，算出在波长450?650nm的区域处的图案部和图案开口部正下方的平均反射 率。然后，由它们的平均反射率的值算出图案部和图案开口部正下方之间的反射率差的绝 对值。需要说明的是，上述测定在如下状态下进行，即，在透明导电性薄膜（样品）的背面 侧（透明基材侧），使用黑色喷雾器形成遮光层，几乎没有来自样品背面的反射、来自背面 侧的光的入射的状态。
[0068] 〈色相的差异〉
[0069] 从透明导电层侧以10度入射角向图案部或图案开口部正下方照射白色光，使用 日立制作所制造的分光光度计U4100,测定此时的波长380?780nm的反射光的色相'值 及l/值。利用以下的式子，由得到的测定值算出Ab'反射色彩的计算采用JISZ 8720中规定的标准的光D65,在2度视野的条件下进行。需要说明的是，在以下的式子中， aVSb#P分别是指对图案部照射白色光时的反射光的色相a#值及色相b#值，a^及b^分别 是指对图案开口部正下方照射白色光时的反射光的色相a#值及色相b#值。
[0070] Aa*= |a*p-a*〇
[0071] Ab*= |b*p-b*〇
[0072] <外观评价>
[0073] 在太阳光下，将样品放置在黑色的板上使透明导电层侧朝上，以下述基准，通过目 视进行外观的评价。
[0074] A:图案部和图案开口部的辨别困难。
[0075] B:能够稍微辨别图案部和图案开口部。
[0076] C:能够清晰辨别图案部和图案开口部。
[0077] 〈实施例1 >
[0078] (第1透明电介质层的形成）
[0079] 在厚度125μπι的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜（以下称为PET薄膜）形成的透明 基材（折射率nf= 1. 66)的一面涂覆三聚氰胺树脂：醇酸树脂：有机硅烷缩合物（重量比 为2:2 :1)的热固化型树脂组合物，使其固化，形成第1透明电介质层（折射率n0 = 1.54、 厚度：4nm)。
[0080] (第2透明电介质层的形成）
[0081] 接着，在第1透明电介质层上，利用电子束加热法以IX10_2?3XKT2Pa的真空度 真空蒸镀SiO2 (折射率nl= 1. 46)，形成厚度为20nm的第2透明电介质层。
[0082] (透明导电层的形成）
[0083] 接着，在第2透明电介质层上，在氩气98%和氧气2%的混合气体（0.4Pa)的气氛 中，使用氧化铟97重量％、氧化锡3重量％的烧结体材料，利用反应性溅射法形成作为透明 导电层的厚度22nm的ITO层（折射率n2 = 2. 00) 〇
[0084] (IT0层的通过蚀刻进行的图案化）
[0085] 在上述ITO层上，形成图案化为条纹状的光致抗蚀剂膜后，将其在25°C、5重量％ 的盐酸（氯化氢水溶液）中浸渍1分钟，进行ITO层的蚀刻。所得的ITO层的图案宽为5mm、 图案间距（pitch)为lmm〇
[0086] (第2透明电介质层的通过蚀刻进行的图案化）
[0087]在上述ITO层的整个图案部上形成光致抗蚀剂膜后，将其在50°C、2重量％的氢氧 化钠水溶液中浸渍1分钟，进行ITO层的图案开口部正下方的第2透明电介质层的蚀刻。所 得的第2透明电介质层的图案宽为5mm、图案间距为Imm0
[0088] <实施例2?6 >
[0089] 实施例1中，除了将第1透明电介质层及第2透明电介质层的厚度调整为表1所 示的数值以外，进行与实施例1同样的操作得到透明导电性薄膜。
[0090] <实施例7 >
[0091] 实施例1中，除了用下述所示的方法形成第1透明电介质层，和将透明导电层（ΙΤ0 层）的厚度设为40nm以外，进行与实施例1同样的操作得到透明导电性薄膜。
[0092] (实施例7的第1透明电介质层的形成方法）
[0093] 在厚度125ym的由PET薄膜形成的透明基材（折射率nf= 1. 66)的一面，在氩 气50%和氧气50%的混合气体（0. 5Pa)的气氛下，使用钛靶，利用反应性溅射法，形成由氧 化钛形成的第1透明电介质层（折射率n0 = 2. 35、厚度：8nm)。
[0094] <比较例1?4 >
[0095] 实施例1中，除了将第1透明电介质层及第2透明电介质层的厚度调整为表1所 示的数值以外，进行与实施例1同样的操作得到透明导电性薄膜。
[0096] <比较例5 >
[0097] 实施例7中，除了将透明导电层（IT0层）的厚度设为55nm以外，进行与实施例7 同样的操作得到透明导电性薄膜。
[0098] <比较例6 >
[0099] 实施例1中，除了将第1透明电介质层的厚度设为35nm，和不设置第2透明电介质 层以外，进行与实施例1同样的操作得到透明导电性薄膜。
[0100] 对上述实施例及比较例的透明导电性薄膜（样品）进行上述评价。结果示于表1。
[0101] 表 1
[0102]

【权利要求】
1. 一种透明导电性薄膜，其特征在于， 其为在透明基材上依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜， 所述透明导电层通过图案化形成有图案部和图案开口部， 在将对所述图案部照射白色光时的反射光的色相a#值及色相b #值分别设为a VS b V 将对所述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的色相a#值及色相b #值分别设为a、 及b*。时，满足0彡| a *P_a*。|彡4. 00的关系，且满足0彡| b*P_b*。I彡5. 00的关系， 所述图案部与所述图案开口部正下方之间的反射率差的绝对值为0.38%以上且 5. 38%以下。
2. 根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，进一步具有配置在所述第1透明电介 质层和所述透明导电层之间的、折射率与所述第1透明电介质层不同的第2透明电介质层。
3. 根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中， 所述第1透明电介质层的光学厚度为3?45nm， 所述第2透明电介质层的光学厚度为3?50nm， 所述透明导电层的光学厚度为20?100nm， 在将所述第2透明电介质层的折射率设为nl、将所述透明导电层的折射率设为n2时， 满足nl < n2的关系。
4. 一种触摸面板，其包含权利要求1?3中的任一项所述的透明导电性薄膜。
【文档编号】G06F3/045GK104484081SQ201410594671
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2010年9月28日 优先权日:2009年9月30日
【发明者】中岛一裕, 菅原英男, 梨木智刚 申请人:日东电工株式会社