一种rfid读写电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种RFID读写电路，包括功率放大电路、定向耦合器和天线接口，定向耦合器分别与功率放大电路、天线接口连接；RFID读写电路还包括UHF-RFID读写电路和供电电路，UHF-RFID读写电路分别连接功率放大电路和定向耦合器，供电电路的电源输出端分别连接UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端。所述供电电路包括ADP-124型的电源芯片U1。ADP-124型的电源芯片可提供1.75V至3.3V范围内的31种固定输出电压，可同时满足微型控制器、射频芯片、功率放大电路的电源需求。该RFID读写电路只用一个供电电路就可以给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源。
【专利说明】—种RF ID读写电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及射频识别【技术领域】，尤其涉及一种RFID读写电路。
【背景技术】
[0002]众所周知，传统的超高频RFID读写电路，主要由供电电路、微型控制器、射频芯片和功率放大电路四大部分组成。如图1所示，其是现有技术的超高频RFID读写电路的结构方框图。其中，供电电路至少包括3个供电模块，微型控制器、射频芯片、功率放大电路均需要一个独立的供电模块为其提供电源。如图2所示，其是现有技术的超高频RFID读写电路的供电电路的电路连接图。该供电电路有6路输出，分别为用于给功率放大电路提供电源的900mA输出、用于给微型控制器供电的70mA输出、用于给射频芯片核心电路供电的280mA输出、用于给射频芯片外围电路供电的230mA输出、用于给射频芯片锁相环供电的50mA输出和用于给功率放大电路电压偏置供电的17mA输出。多路电源供电不单使整个超高频RFID读写电路的体积和成本难以减小，而且由于电源的转换效率不佳也导致整个超高频RFID读写电路的功率耗损大。另外传统的超高频RFID读写电路使用独立的微型控制器，该微型控制器和射频芯片分离，这也会使得整个超高频RFID读写电路的体积增大，成本提高。上述两方面的原因使一般的超高频RFID读写电路的表面积不低于50mmX40mm，功耗不小于5W、成本至少为800元，且难以集成应用于小型的手持式移动设备中，无法适应发展日益快速的移动式设备市场。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提出一种RFID读写电路，只用一个供电电路就可以给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源，结构集成度高、体积小且功耗低。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]一种RFID读写电路，包括功率放大电路、定向耦合器和天线接口，所述定向耦合器分别与功率放大电路、天线接口连接；所述RFID读写电路还包括UHF-RFID读写电路和供电电路，所述UHF-RFID读写电路分别连接功率放大电路和定向耦合器，所述供电电路的电源输出端分别连接UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端；
[0006]所述供电电路包括ADP-124型的电源芯片Ul、电阻Rl、电阻R2、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C48、电感L1、电感L2、发光二极管Dl ；
[0007]所述电源芯片Ul的第I管脚分别连接电源芯片Ul的第2管脚、电源芯片Ul的第3管脚、电容C4的一端、电阻R2的一端、电感LI的一端、电感L2的一端,所述电源芯片Ul的第4管脚接地，所述电源芯片Ul的第5管脚连接电阻Rl的一端，所述电源芯片Ul的第7管脚分别连接电源芯片Ul的第8管脚、电容Cl的一端、电容C2的一端、电容C3的一端，电阻Rl的另一端连接EN使能端，电容Cl的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地，电阻R2的另一端连接发光二极管Dl的正极，发光二极管Dl的负极接地，电感LI的另一端分别连接电容C48的一端、供电电路的电源输出端，电容C48的另一端接地，电感L2的另一端连接供电电路的电源输出端。
[0008]其中，所述电阻Rl为2ΚΩ的电阻，电阻R2为2ΚΩ的电阻，电容Cl为1uF的电容，电容C2为10nF的电容，电容C3为10pF的电容，电容C4为1uF的电容，电容C48为1uF的电容，电感LI为MMZ1608B601C型的电感，电感L2为MMZ1608B601C型的电感。
[0009]其中，所述RFID读写电路还包括第一无源滤波器和第二无源滤波器，所述供电电路分别通过第一无源滤波器连接UHF-RFID读写电路、通过第二无源滤波器连接功率放大电路。
[0010]其中，所述UHF-RFID读写电路包括PR9200型的超高频读写芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9、电阻R7、电阻R11、电阻R14、电阻R15、电阻R17、电阻R19、电阻R20、电容C23、电容C27、电容C32、电容C33、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C15、电容C13、电容C14、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、19.2MHz的晶振芯片U3 ；
[0011]所述超高频读写芯片U2的C5管脚、C4管脚、F5管脚、F6管脚、G6管脚、E2管脚、E3管脚、E4管脚、E5管脚、D2管脚、D3管脚、D4管脚、D5管脚、C2管脚、C3管脚均接地，超高频读写芯片U2的Al管脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地，超高频读写芯片U2的A5管脚连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的A6管脚连接电容C23的一端，超高频读写芯片U2的A8管脚连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的H8管脚分别连接电阻R7的一端、电容C27的一端，电阻R7的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，电容C27的另一端接地，超高频读写芯片U2的El管脚分别连接电阻Rll的一端、电容C32的一端，电阻Rll的另一端连接电容C33的一端，电容C33的另一端和电容C32的另一端均接地，超高频读写芯片U2的G7管脚连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接接收数据PXD端，超高频读写芯片U2的G8管脚连接电阻R15的一端，电阻R15的另一端连接发送数据TXD端，超高频读写芯片U2的B7管脚连接电阻R19的一端，电阻R19的另一端连接103端，超高频读写芯片U2的B8管脚连接电阻R17的一端，电阻R17的另一端连接104端，超高频读写芯片U2的F8管脚连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接BEEPER端，超高频读写芯片U2的Cl管脚、Dl管脚、Hl管脚、H2管脚、H5管脚均连接阻抗控制Impedance Controlled端,超高频读写芯片U2的G5管脚分别连接超高频读写芯片U2的F4管脚、超高频读写芯片U2的Gl管脚、电容C20的一端、电容C21的一端、电容C22的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的B5管脚分别连接电容C13的一端、电容C14的一端、电容C16的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的BI管脚分别连接电容Cll的一端、电容C12的一端、电容C15的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的Fl管脚分别连接电容C8的一端、电容C9的一端、电容ClO的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的G2管脚连接电容C19的一端，超高频读写芯片U2的F3管脚连接电容C18的一端，超高频读写芯片U2的F2管脚连接电容C17的一端，超高频读写芯片U2的B4管脚连接电容C7的一端，超高频读写芯片U2的B3管脚连接电容C6的一端，超高频读写芯片U2的B2管脚连接电容C5的一端，
[0012]电容C20的另一端、电容C21的另一端、电容C22的另一端、电容C13的另一端、电容C14的另一端、电容C15的另一端、电容Cll的另一端、电容C12的另一端、电容C15的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端、电容ClO的另一端、电容C19的另一端、电容C18的另一端、电容C17的另一端、电容C7的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端均接地，
[0013]电容C23的另一端连接晶振芯片U3的第3管脚，晶振芯片U3的第I管脚、第2管脚均接地，晶振芯片U3的第4管脚分别连接电阻R6、电阻R9的一端，电阻R6的另一端接地，电阻R9的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端。
[0014]其中，所述电阻R3为24ΚΩ的电阻，电阻R4为2ΚΩ的电阻，电阻R5为2ΚΩ的电阻，电阻R6为680Ω的电阻，电阻R9为68Ω的电阻，电阻R7为47K Ω的电阻，电阻Rl I为5.1KΩ的电阻，电阻R14为51Ω的电阻，电阻R15为51 Ω的电阻，电阻R17为51 Ω的电阻，电阻R19为51Ω的电阻，电阻R20为51Ω的电阻，电容C23为1nF的电容，电容C27为47nF的电容，电容C32为390pF的电容，电容C33为2.7nF的电容，电容C5为IuF的电容，电容C6为IuF的电容，电容C7为IuF的电容，电容C8为10pF的电容，电容C9为10nF的电容，电容ClO为IuF的电容，电容Cll为10pF的电容，电容C12为10nF的电容，电容C15为IuF的电容，电容C13为10pF的电容，电容C14为10nF的电容，电容C16为IuF的电容，电容C17为IuF的电容，电容C18为IuF的电容，电容C19为IuF的电容，电容C20为10pF的电容，电容C21为10nF的电容，电容C22为IuF的电容。
[0015]其中，所述UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端均为3.3V电压输入端。
[0016]其中，所述功率放大电路包括RFPA0133型的功率放大器。
[0017]本实用新型的有益效果在于:一种RFID读写电路，包括功率放大电路、定向耦合器和天线接口，所述定向耦合器分别与功率放大电路、天线接口连接；所述RFID读写电路还包括UHF-RFID读写电路和供电电路，所述UHF-RFID读写电路分别连接功率放大电路和定向耦合器，所述供电电路的电源输出端分别连接UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端。所述供电电路包括ADP-124型的电源芯片Ul。ADP-124型的电源芯片可提供1.75V至3.3V范围内的31种固定输出电压，可同时满足微型控制器、射频芯片、功率放大电路的电源需求。可见，该RFID读写电路只用一个供电电路就可以给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源，结构集成度高、体积小且功耗低。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是现有技术的超闻频RFID读与电路的结构方框图。
[0020]图2是现有技术的超闻频RFID读与电路的供电电路的电路连接图。
[0021]图3是本实用新型实施例1提供的RFID读写电路的结构方框图。
[0022]图4是本实用新型提供的供电电路的电路连接图。
[0023]图5是本实用新型实施例2提供的RFID读写电路的结构方框图。
[0024]图6是本实用新型提供的UHF-RFID读写电路的左半部分电路连接图。
[0025]图7是本实用新型提供的UHF-RFID读写电路的右半部分电路连接图。
[0026]图8是本实用新型提供的RFID读写电路的PCB结构图。
【具体实施方式】
[0027]为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0028]如图3所示，其是本实用新型实施例1提供的RFID读写电路的结构方框图。
[0029]如图4所示，其是本实用新型提供的供电电路的电路连接图。
[0030]一种RFID读写电路，包括功率放大电路、定向耦合器和天线接口，所述定向耦合器分别与功率放大电路、天线接口连接；所述RFID读写电路还包括UHF-RFID读写电路和供电电路，所述UHF-RFID读写电路分别连接功率放大电路和定向耦合器，所述供电电路的电源输出端分别连接UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端；
[0031 ] 所述供电电路包括ADP-124型的电源芯片Ul、电阻Rl、电阻R2、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C48、电感L1、电感L2、发光二极管Dl ；
[0032]所述电源芯片Ul的第I管脚分别连接电源芯片Ul的第2管脚、电源芯片Ul的第3管脚、电容C4的一端、电阻R2的一端、电感LI的一端、电感L2的一端,所述电源芯片Ul的第4管脚接地，所述电源芯片Ul的第5管脚连接电阻Rl的一端，所述电源芯片Ul的第7管脚分别连接电源芯片Ul的第8管脚、电容Cl的一端、电容C2的一端、电容C3的一端，电阻Rl的另一端连接EN使能端，电容Cl的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地，电阻R2的另一端连接发光二极管Dl的正极，发光二极管Dl的负极接地，电感LI的另一端分别连接电容C48的一端、供电电路的电源输出端，电容C48的另一端接地，电感L2的另一端连接供电电路的电源输出端。
[0033]其中，所述电阻Rl为2ΚΩ的电阻，电阻R2为2ΚΩ的电阻，电容Cl为1uF的电容，电容C2为10nF的电容，电容C3为10pF的电容，电容C4为1uF的电容，电容C48为1uF的电容，电感LI为MMZ1608B601C型的电感，电感L2为MMZ1608B601C型的电感。
[0034]优选的，所述UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端均为3.3V电压输入端。
[0035]优选的，所述功率放大电路包括RFPA0133型的功率放大器。
[0036]传统超高频RFID读写电路的功率放大电路，通常包括SKY65111型或RF5110G型的功率放大器，放大效率一般为40-50%。而本实用新型提供的RFID读写电路，包括RFPA0133型的功率放大器，在输出功率相同的情况下，其放大效率高达60%，这对于对于降低功耗有着重要的意义。
[0037]另外，定向耦合器相对于传统的超高频RFID读写电路常用的环形器而言，体积更小、重量更轻。
[0038]本实用新型提供的RFID读写电路，包括采用ADP-124型的电源芯片Ul的供电电路，ADP-124型的电源芯片可提供1.75V至3.3V范围内的31种固定输出电压，可同时满足微型控制器、射频芯片、功率放大电路的电源需求。可见，该RFID读写电路只用一个供电电路就可以给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源，结构集成度高、体积小且功耗低。
[0039]上述供电电路，本领域技术人员还可以根据公知常识，在本技术方案的技术背景下，选用不同的电路连接方式和不同参数的元器件以实现同时给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源的功能，此处不再举例赘述。
[0040]如图5所示，其是本实用新型实施例2提供的RFID读写电路的结构方框图。
[0041]其中，所述RFID读写电路还包括第一无源滤波器和第二无源滤波器，所述供电电路分别通过第一无源滤波器连接UHF-RFID读写电路、通过第二无源滤波器连接功率放大电路。
[0042]无源滤波器，又称LC滤波器，是利用电感、电容和电阻的组合设计构成的滤波电路，可滤除某一次或多次谐波。无源滤波器设计为某频率下极低阻抗，对相应频率谐波电流进行分流，其行为模式为提供被动式谐波电流旁路通道。最普通的无源滤波器结构是将电感与电容串联，可对主要次谐波，如3次、5次、7次构成低阻抗旁路。单调谐滤波器、双调谐滤波器、高通滤波器都属于无源滤波器。无源滤波器可对供电电路中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除，得到一个特定频率的电源信号，或消除一个特定频率后的电源信号。
[0043]如图6和图7所示，其分别是本实用新型提供的UHF-RFID读写电路的左半部分电路连接图和右半部分电路连接图。
[0044]其中，所述UHF-RFID读写电路包括PR9200型的超高频读写芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9、电阻R7、电阻R11、电阻R14、电阻R15、电阻R17、电阻R19、电阻R20、电容C23、电容C27、电容C32、电容C33、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C15、电容C13、电容C14、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、19.2MHz的晶振芯片U3 ；
[0045]所述超高频读写芯片U2的C5管脚、C4管脚、F5管脚、F6管脚、G6管脚、E2管脚、E3管脚、E4管脚、E5管脚、D2管脚、D3管脚、D4管脚、D5管脚、C2管脚、C3管脚均接地，超高频读写芯片U2的Al管脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地，超高频读写芯片U2的A5管脚连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的A6管脚连接电容C23的一端，超高频读写芯片U2的A8管脚连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的H8管脚分别连接电阻R7的一端、电容C27的一端，电阻R7的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，电容C27的另一端接地，超高频读写芯片U2的El管脚分别连接电阻Rll的一端、电容C32的一端，电阻Rll的另一端连接电容C33的一端，电容C33的另一端和电容C32的另一端均接地，超高频读写芯片U2的G7管脚连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接接收数据PXD端，超高频读写芯片U2的G8管脚连接电阻R15的一端，电阻R15的另一端连接发送数据TXD端，超高频读写芯片U2的B7管脚连接电阻R19的一端，电阻R19的另一端连接103端，超高频读写芯片U2的B8管脚连接电阻R17的一端，电阻R17的另一端连接104端，超高频读写芯片U2的F8管脚连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接BEEPER端，超高频读写芯片U2的Cl管脚、Dl管脚、Hl管脚、H2管脚、H5管脚均连接阻抗控制Impedance Controlled端,超高频读写芯片U2的G5管脚分别连接超高频读写芯片U2的F4管脚、超高频读写芯片U2的Gl管脚、电容C20的一端、电容C21的一端、电容C22的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的B5管脚分别连接电容C13的一端、电容C14的一端、电容C16的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的BI管脚分别连接电容Cll的一端、电容C12的一端、电容C15的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的Fl管脚分别连接电容C8的一端、电容C9的一端、电容ClO的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的G2管脚连接电容C19的一端，超高频读写芯片U2的F3管脚连接电容C18的一端，超高频读写芯片U2的F2管脚连接电容C17的一端，超高频读写芯片U2的B4管脚连接电容C7的一端，超高频读写芯片U2的B3管脚连接电容C6的一端，超高频读写芯片U2的B2管脚连接电容C5的一端，
[0046]电容C20的另一端、电容C21的另一端、电容C22的另一端、电容C13的另一端、电容C14的另一端、电容C15的另一端、电容Cll的另一端、电容C12的另一端、电容C15的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端、电容ClO的另一端、电容C19的另一端、电容C18的另一端、电容C17的另一端、电容C7的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端均接地，
[0047]电容C23的另一端连接晶振芯片U3的第3管脚，晶振芯片U3的第I管脚、第2管脚均接地，晶振芯片U3的第4管脚分别连接电阻R6、电阻R9的一端，电阻R6的另一端接地，电阻R9的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端。
[0048]其中，所述电阻R3为24K Ω的电阻，电阻R4为2K Ω的电阻，电阻R5为2K Ω的电阻，电阻R6为680Ω的电阻，电阻R9为68Ω的电阻，电阻R7为47K Ω的电阻，电阻Rl I为5.1K Ω的电阻，电阻R14为51Ω的电阻，电阻R15为51 Ω的电阻，电阻R17为51 Ω的电阻，电阻R19为51Ω的电阻，电阻R20为51Ω的电阻，电容C23为1nF的电容，电容C27为47nF的电容，电容C32为390pF的电容，电容C33为2.7nF的电容，电容C5为IuF的电容，电容C6为IuF的电容，电容C7为IuF的电容，电容C8为10pF的电容，电容C9为10nF的电容，电容ClO为IuF的电容，电容Cll为10pF的电容，电容C12为10nF的电容，电容C15为IuF的电容，电容C13为10pF的电容，电容C14为10nF的电容，电容C16为IuF的电容，电容C17为IuF的电容，电容C18为IuF的电容，电容C19为IuF的电容，电容C20为10pF的电容，电容C21为10nF的电容，电容C22为IuF的电容。
[0049]PR9200型的超高频读写芯片集成了 900MHz射频、基带处理器、工业标准的嵌入式Cortex-MOMCU、存储(64K Flash&16K SRAM)、内部功放等。集成了 PR9200型的超高频读写芯片的RFID读写电路具有功率输出稳定、功耗低、单天线接口、接口方便丰富，应用方便，支持协议IS018000-6C/EPC C1G2等特征。
[0050]上述各种电路，本领域技术人员还可以根据公知常识，在本技术方案的技术背景下，选用不同的电路连接方式和不同参数的元器件以实现各电路对应的功能，此处不再举例赘述。
[0051]如图8所示，其是本实用新型提供的RFID读写电路的PCB结构图。
[0052]本实用新型提供的RFID读写电路是一款微型超高频RFID集成电路，该集成电路集成了微型控制器及射频芯片，同时通过简化供电电路，使其达到体积小、功耗低，成本低的目的。该RFID读写电路的表面积为28mmX 25mm，功耗小于2W，成本低于500元，且易于集成应用于各种小型移动式工业设备中，以适应发展日益快速的移动式设备市场。
[0053]本实用新型提供的RFID读写电路，只用一个供电电路就可以给微型控制器、射频芯片、功率放大电路提供电源，结构集成度高、体积小且功耗低。
[0054]以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实用新型的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
【权利要求】
1.一种RFID读写电路，包括功率放大电路、定向耦合器和天线接口，所述定向耦合器分别与功率放大电路、天线接口连接；其特征在于:所述RFID读写电路还包括UHF-RFID读写电路和供电电路，所述UHF-RFID读写电路分别连接功率放大电路和定向耦合器，所述供电电路的电源输出端分别连接UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端; 所述供电电路包括ADP-124型的电源芯片Ul、电阻Rl、电阻R2、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C48、电感L1、电感L2、发光二极管Dl ； 所述电源芯片Ul的第I管脚分别连接电源芯片Ul的第2管脚、电源芯片Ul的第3管脚、电容C4的一端、电阻R2的一端、电感LI的一端、电感L2的一端,所述电源芯片Ul的第4管脚接地，所述电源芯片Ul的第5管脚连接电阻Rl的一端，所述电源芯片Ul的第7管脚分别连接电源芯片Ul的第8管脚、电容Cl的一端、电容C2的一端、电容C3的一端，电阻Rl的另一端连接EN使能端，电容Cl的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地，电阻R2的另一端连接发光二极管Dl的正极，发光二极管Dl的负极接地，电感LI的另一端分别连接电容C48的一端、供电电路的电源输出端，电容C48的另一端接地，电感L2的另一端连接供电电路的电源输出端。
2.根据权利要求1所述的RFID读写电路，其特征在于，所述电阻Rl为2ΚΩ的电阻，电阻R2为2K Ω的电阻，电容Cl为1uF的电容，电容C2为10nF的电容，电容C3为10pF的电容，电容C4为1uF的电容，电容C48为1uF的电容，电感LI为MMZ1608B601C型的电感，电感L2为MMZ1608B601C型的电感。
3.根据权利要求1所述的RFID读写电路，其特征在于，所述RFID读写电路还包括第一无源滤波器和第二无源滤波器，所述供电电路分别通过第一无源滤波器连接UHF-RFID读写电路、通过第二无源滤波器连接功率放大电路。
4.根据权利要求1所述的RFID读写电路，其特征在于，所述UHF-RFID读写电路包括PR9200型的超高频读写芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9、电阻R7、电阻R11、电阻R14、电阻R15、电阻R17、电阻R19、电阻R20、电容C23、电容C27、电容C32、电容C33、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C15、电容C13、电容C14、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、19.2MHz的晶振芯片U3 ； 所述超高频读写芯片U2的C5管脚、C4管脚、F5管脚、F6管脚、G6管脚、E2管脚、E3管脚、E4管脚、E5管脚、D2管脚、D3管脚、D4管脚、D5管脚、C2管脚、C3管脚均接地，超高频读写芯片U2的Al管脚连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地，超高频读写芯片U2的A5管脚连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的A6管脚连接电容C23的一端，超高频读写芯片U2的A8管脚连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的H8管脚分别连接电阻R7的一端、电容C27的一端，电阻R7的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端，电容C27的另一端接地，超高频读写芯片U2的El管脚分别连接电阻Rll的一端、电容C32的一端，电阻Rll的另一端连接电容C33的一端，电容C33的另一端和电容C32的另一端均接地，超高频读写芯片U2的G7管脚连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端连接接收数据PXD端，超高频读写芯片U2的G8管脚连接电阻R15的一端，电阻R15的另一端连接发送数据TXD端，超高频读写芯片U2的B7管脚连接电阻R19的一端，电阻R19的另一端连接103端，超高频读写芯片U2的B8管脚连接电阻R17的一端，电阻R17的另一端连接104端，超高频读写芯片U2的F8管脚连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接BEEPER端，超高频读写芯片U2的Cl管脚、Dl管脚、Hl管脚、H2管脚、H5管脚均连接阻抗控制Impedance Controlled端,超高频读写芯片U2的G5管脚分别连接超高频读写芯片U2的F4管脚、超高频读写芯片U2的Gl管脚、电容C20的一端、电容C21的一端、电容C22的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的B5管脚分别连接电容C13的一端、电容C14的一端、电容C16的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的BI管脚分别连接电容Cll的一端、电容C12的一端、电容C15的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的Fl管脚分别连接电容C8的一端、电容C9的一端、电容ClO的一端、UHF-RFID读写电路的电压输入端，超高频读写芯片U2的G2管脚连接电容C19的一端，超高频读写芯片U2的F3管脚连接电容C18的一端，超高频读写芯片U2的F2管脚连接电容C17的一端，超高频读写芯片U2的B4管脚连接电容C7的一端，超高频读写芯片U2的B3管脚连接电容C6的一端，超高频读写芯片U2的B2管脚连接电容C5的一端， 电容C20的另一端、电容C21的另一端、电容C22的另一端、电容Cl3的另一端、电容C14的另一端、电容C15的另一端、电容Cll的另一端、电容C12的另一端、电容C15的另一端、电容C8的另一端、电容C9的另一端、电容ClO的另一端、电容C19的另一端、电容C18的另一端、电容C17的另一端、电容C7的另一端、电容C6的另一端、电容C5的另一端均接地， 电容C23的另一端连接晶振芯片U3的第3管脚，晶振芯片U3的第I管脚、第2管脚均接地，晶振芯片U3的第4管脚分别连接电阻R6、电阻R9的一端，电阻R6的另一端接地，电阻R9的另一端连接UHF-RFID读写电路的电压输入端。
5.根据权利要求4所述的RFID读写电路，其特征在于，所述电阻R3为24ΚΩ的电阻，电阻R4为2K Ω的电阻，电阻R5为2K Ω的电阻，电阻R6为680 Ω的电阻，电阻R9为68 Ω的电阻，电阻R7为47ΚΩ的电阻，电阻RlI为5.1K Ω的电阻，电阻R14为51 Ω的电阻，电阻R15为51Ω的电阻，电阻R17为51Ω的电阻，电阻R19为51 Ω的电阻，电阻R20为51 Ω的电阻，电容C23为1nF的电容，电容C27为47nF的电容，电容C32为390pF的电容，电容C33为2.7nF的电容，电容C5为IuF的电容，电容C6为IuF的电容，电容C7为IuF的电容，电容C8为10pF的电容，电容C9为10nF的电容，电容ClO为IuF的电容，电容Cll为10pF的电容，电容C12为10nF的电容，电容C15为IuF的电容，电容C13为10pF的电容，电容C14为10nF的电容，电容C16为IuF的电容，电容C17为IuF的电容，电容C18为IuF的电容，电容C19为IuF的电容，电容C20为10pF的电容，电容C21为10nF的电容，电容C22为IuF的电容。
6.根据权利要求1所述的RFID读写电路，其特征在于，所述UHF-RFID读写电路的电压输入端和功率放大电路的电压输入端均为3.3V电压输入端。
7.根据权利要求1所述的RFID读写电路，其特征在于，所述功率放大电路包括RFPAO133型的功率放大器。
【文档编号】G06K17/00GK204143468SQ201420393469
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2014年7月16日
【发明者】肖震 申请人:东莞市艾特姆射频科技有限公司