专利名称：顶部开窗式防伪印章识别输入装置的制作方法
技术领域：
本实用新型输入装置是防伪印章识别仪的一部分，采用电子技术，应用于防伪技术领域。
目前的防伪印章识别仪，通常是把预留在微机图象数据库中的印章调出，与输入的待测印章图象进行对比，可采用各种算法及识别方式，给出判别结果。这种防伪印章识别仪，除了对整个印章识别外，还要对印章中的极细防伪条纹进行识别，所以现有的作为输入采集印章图象设备的输入平台既要采集整个印章图象，又要采集印章中的防伪图象，需要二次采集，采集时间相对较长。并且，现有的输入装置是将测量印章窗口放在工作台底部，在同一水平高度上间隔一定距离平行放置二台摄像机，使用时首先把印章放在第一摄像机下方的平台上，摄取印章像，然后把印章在滑轨上推到另一摄像机下方摄取防伪条纹像。被测印章放在平台上易受环境光的影响，此外，平台面积较小，碰到在较大纸上的印章，操作不方便。本实用新型克服了以上缺点，提出了一种顶部开窗一次采集式防伪印章识别输入装置。
本实用新型的技术解决方案是摄象机A8、B12垂直交叉放置，工作面15设在顶部，其上有载物镜片2作为输入窗，在载物镜片2与摄象机A8的轴线上，放置半透半反镜6，其镜面与摄象机A8、摄象机B12及暗箱5内壁均成45°角，摄像系统、半反半透镜均安装在暗箱5中，载物镜片2是暗箱5的上端面，与半透半反镜面垂直的二个暗箱壁上开有透光窗3。
本实用新型的优点是将载物镜片放在顶部，将二台摄象机A、B由原来的平行放置变为垂直交叉放置，并在光路中放置一半透半反镜片，可分两条路同时采集印章象的全部和局部，并将采集图象的光路置于暗箱中，不受外界环境的影响。一个印章同时分两条光路采集，同时完成。在光路中放置一通过半透半反镜片的透射光路采集整个印章象，通过其反射光路采集极细防伪条纹象，一次采集同时完成，减少采集时间，提高检测速度。此外，由于把测量印章窗口放在工作台的顶部，不受印纸张大小的影响，使操作更为方便。
以下结合附图给出实用新型的实施例
图1是本实用新型的整体结构图，其中1、4-照明灯，2-载物镜片，3-透光窗，5-暗箱，6-半透半反镜，7-镜头A，8-摄象机A，9-底座，10-支撑片，11-横隔板，12-摄象机B，13-镜头B，14-调整架，15-工作面。
实施例如图1所示，被测印章放在载物镜片2上，印章像被照明灯1、4照明，7、8组成摄像系统A，12、13组成摄像系统B，摄像系统A、B轴线成90°，并且二轴线与半透半反镜面均成45°，摄像系统A经过镜片6的透射把印章全像摄入，摄像系统B经过镜片6的反射作用把印章中的极细防伪条纹像摄入。摄像系统A，摄像系统B，半透半反光学镜片均放置在暗箱5中，暗箱顶面为载物镜片2(输入窗)，在暗箱上部两侧开有矩形孔，由照明灯通过矩形孔对输入窗照明。半透半反镜片可与暗箱壁夹角在30°-60°之间，通过调整两个摄象系统的轴线方向，仍能完成图象采集工作。半透半反镜片为镀反射膜的光学玻璃，在图象及颜色上无明显畸变。摄象机为靶面1/3英寸CCD摄象机，410TV线，0.05lex照度。
摄象机A，B为1/3英寸靶面CCD摄象机，410TV线，0.05lex。
镜头A，焦距8MM，1/3英寸，可变光圈。
镜头B，焦距25MM，1/3英寸，可变光圈。
半透半反镜片，3MM厚光学玻璃，透射、反射光量比可在40-60。
载物镜片，5MM厚光学玻璃。
图2是本实用新型的光路图。
权利要求1.一种顶部开窗式防伪印章识别输入装置，由摄象系统、工作面照明灯、载物镜片底座组成，其特征是摄象机A(8)、摄象机B(12)垂直交叉放置，工作面(15)设在顶部，其上有载物镜片(2)作为输入窗，在载物镜片(2)与摄象机A的轴线上，放置半透半反镜(6)，其镜面与摄象机A、摄象机B及暗箱(5)内壁均成45°角，摄像系统、半反半透镜均安装在暗箱(5)中，载物镜片(2)是暗箱(5)的上端面，与半透半反镜面垂直的二个暗箱壁上开有透光窗(3)。
2.如权利要求1所述的顶部开窗式防伪印章识别输入装置，其特征是摄象机A、摄象机B为1/3英寸靶面、CCD摄象机，其轴线成90°。
3.如权利要求1或2所述的顶部开窗式防伪印章识别输入装置，其特征是半透半反镜(6)采用透射反射光量比为40-60％的光学玻璃，其镜面与暗箱壁夹角随摄象机A、B的轴线方向改变设在30-60°之间。
专利摘要本实用新型属于电子防伪印章识别技术领域,采用一种全新的输入装置,将印章窗口放在工作台顶部,两台摄像机垂直交叉放置,在工作台与摄像A的轴线间,安放半透半反镜片,使一个印章像分为两条光路,同时采集完成,减少采集时间,提高检测速度。
文档编号G06K9/00GK2289268SQ9624459
公开日1998年8月26日 申请日期1996年12月10日 优先权日1996年12月10日
发明者王树元, 彭伟, 王道宪, 彭卫中, 邓峰 申请人:珠海金联安警用技术研究发展中心