基膜、包括该基膜的层压结构以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种基膜、包括该基膜的层压结构和显示装置，更具体地，涉及显示出 高玻璃化转变温度以具有优异的耐热性和高透光率的透明基膜，以及包括该基膜的层压结 构和显示装置。
[0002] 本申请要求于2013年9月30日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0116653号 韩国专利申请以及于2014年9月26日向韩国知识产权局提交的第10-2014-0129370号韩 国专利申请的权益，上述申请的全部内容在此通过引用并入本申请。
【背景技术】
[0003] -般而言，触摸面板，是安装在显示装置的表面上并将物理接触（如用户的手指、 触摸笔等）转换成输出的电信号的装置，其已经应用到液晶显示器、等离子体显示面板 (PDP)、电致发光（EL)装置等。
[0004] 作为触摸面板，根据操作原理进行分类，商业化的有：利用红外线的光学型；透明 电极型，其利用在聚合物基膜上涂布金属氧化物的透明导电膜的接触；检测电容变化的电 容型；从设置在面板周围的压力传感器的力量分布感测触摸面板的指尖的压力位置的类型 等。
[0005] 在各种类型的触摸面板中，所述透明电极型需要透明的基于金属氧化物的导电 膜。由于氧化铟锡（ITO)膜（其中氧化铟锡（ITO)涂布到聚合物基膜上）的透明度和优异 的导电性，其已经得到了广泛使用。
[0006] 特别是，基于金属氧化物的导电膜可以在聚合物基膜或玻璃板上使用金属氧化物 通过真空沉积法、溅射法等方法制造。因此，所述聚合物基膜应该通过在高温下进行真空沉 积法、溅射法等处理，使得耐热性成为所述基膜的基本特征之一。
[0007] 在一般情况下，耐热性可以由玻璃化转变温度进行评价，并且为了使光学优异和 透明的基于金属氧化物的导电膜具有基膜（导电膜在其上形成），需要在约150°C以上、优 选200°C以上进行溅射处理，使得所述基膜需要具有比所述溅射工艺更高的玻璃化转变温 度和高机械物理性能。
[0008] 此外，为了将所述基膜进行处理以应用于显示装置等，除了上述的高玻璃化转变 温度之外，在可见光区域的透明度也是重要特征，所以需要90%以上的透光率。
[0009] 然而，在现有技术中用作基膜的聚合物膜（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚 萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)等）显示120°C以下的低玻璃化转变温度，以致 可能发生在形成透明的基于金属氧化物的导电膜时聚合物膜改性的问题。此外，由于优异 的耐热性而在近年来大量研宄的聚酰亚胺（PI)膜，具有400°C以上的优异的玻璃化转变温 度，但是这种膜是不透明的，并且具有橙色，不适合用于显示领域中。
[0010] 此外，所述聚合物膜（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)等）由于具有高相位差， 可用作外部基膜；然而，由于其不能用作内部基膜而存在限制。
[0011]因此，需要开发一种具有例如高玻璃化转变温度、耐热性以及低相位差等性能的 透明基膜，包括该基膜的层压结构以及包括该层压结构的显示装置。
【发明内容】
[0012] 【技术问题】
[0013] 本发明致力于提供一种显示出高玻璃化转变温度以具有优异的耐热性和高透光 率的透明基膜。
[0014] 另外，本发明致力于提供一种包括所述基膜的层压结构。
[0015] 另外，本发明致力于提供一种包括所述层压结构的显示装置。
[0016] 【技术方案】
[0017] 本发明的一个示例性实施方式提供一种基膜，其包含具有基于环烯烃的重复单元 的聚合物，其中，所述基于环烯烃的重复单元具有50mol%以上的外型异构体，并且在所述 基膜上形成透明的基于金属氧化物的导电膜。
[0018] 此外，本发明的另一个示例性实施方式提供一种层压结构，其包括所述基膜，以及 在所述基膜上形成的透明的基于金属氧化物的导电膜。
[0019] 此外，本发明的另一个示例性实施方式提供一种显示装置，其包括所述层压结构。
[0020] 下文中，将对根据本发明具体的示例性的实施方式的基膜、包括所述基膜的层压 结构以及显示装置进行更加详细地说明。
[0021] 根据本发明的一个示例性实施方式，提供一种基膜，其包含具有基于环烯烃的重 复单元的聚合物，其中，所述基于环烯烃的重复单元具有50mol %以上的外型异构体，并且 在所述基膜上形成透明的基于金属氧化物的导电膜。
[0022] 在所述基膜中的基于环烯烃的重复单元可以由以下化学式1来表示，并且所述具 有基于环烯烃的重复单元的聚合物可以包含通过由以下化学式2表示的基于降冰片烯的 单体单独加成聚合所制备的均聚物，或者通过由以下化学式2表示的两种以上的单体加成 共聚所制备的共聚物：
【主权项】
1. 一种基膜，其包含具有基于环烯烃的重复单元的聚合物， 其中，所述基于环烯烃的重复单元具有50mol %以上的外型异构体，并且 在所述基膜上形成透明的基于金属氧化物的导电膜。
2. 根据权利要求1所述的基膜，其中，所述具有基于环烯烃的重复单元的聚合物为通 过由以下化学式2表示的基于降冰片烯的单体单独加成聚合所制备的均聚物，或者通过由 化学式2表示的两种以上的单体加成共聚所制备的共聚物： 在化学式2中，
q为〇至4的整数； Rl至R4各自独立地为极性官能团或非极性官能团，或者 选自Rl与R2,以及R3与R4的至少一种组合彼此连接以形成Cl至ClO烷叉基，或者 Rl或R2与R3或R4连接以形成C4-C12饱和或不饱和脂族环或C6-C24芳族环。
3. 根据权利要求1所述的基膜，其中，所述基于环烯烃的重复单元具有50至IOOmol % 的外型异构体。
4. 根据权利要求2所述的基膜，其中，所述非极性官能团选自：氢滷素；取代或未取 代的C1-C20直链或支链烷基；取代或未取代的C2-C20直链或支链烯基；取代或未取代的 C2-C20直链或支链炔基；取代或未取代的C3-C12环烷基；C6-C40芳基；以及取代或未取代 的C7-C15芳烷基。
5. 根据权利要求2所述的基膜，其中，所述极性官能团选自：-R50R6、-0R6、-OC(O) OR6、-R5OC (0) OR6、-C (0) OR6、-R5C (0) 0R6、-C (0) R6、-R5C (0) R6、-OC (0) R6、-R5OC (0) R6、- (R5O)P-0R6、- (OR5) P-0R6、-C (0) -O-C (0) R6、-R5C (0) -O-C (0) R6、-SR6、-R5SR6、-SSR 6、-R5SSR6、-S (= 0) R6、-R5S ( = 0) R6、-R5C ( = S) R6-、-R5C ( = S) SR6、-R5S03R6、-S03R 6、-R5N = C = S、-N = C =S、-NC0、-R5-NC0、-CN、-R5CN、-NNC ( = S) R6、-R5NNC ( = S) R6、-N02、-R5N02、
在所述极性官能团中， P各自独立地为1至10的整数， R5选自：取代或未取代的C1-C20直链或支链亚烷基；取代或未取代的C2-C20直链或 支链亚烯基；取代或未取代的C2-C20直链或支链的亚炔基；取代或未取代的C3-C12亚环 烷基；取代或未取代的C6-C40亚芳基；取代或未取代的C7-C15亚芳烷基；取代或未取代的 C1-C20亚烷氧基；和取代或未取代的C1-C20亚羰基氧基，以及 R6、R7和R8各自独立地选自：氢；卤素；取代或未取代的C1-C20直链或支链烷基； C2-C20直链或支链烯基；取代或未取代的C2-C20直链或支链炔基；取代或未取代的 C3-C12环烷基；取代或未取代的C6-C40芳基；取代或未取代的C7-C15芳烷基；取代或未取 代的C1-C20烷氧基；和取代或未取代的C1-C20羰基氧基。
6. 根据权利要求1所述的基膜，其中，所述具有基于环烯烃的重复单元的聚合物具有 约10, 000至1，000, 000的重均分子量。
7. 根据权利要求2所述的基膜，其中，由化学式2表示的基于降冰片烯的单体包括选自 以下单体中的一种单体：包含羧酸烷基酯官能团的单体；包含极性官能团的单体；包含乙 酸酯基的单体；包含烷基的单体；以及包含芳基的单体。
8. 根据权利要求1所述的基膜，其中，玻璃化转变温度为250°C以上。
9. 根据权利要求1所述的基膜，其中，在400至800nm下透光率为90%以上。
10. 根据权利要求1所述的基膜，其中，厚度为20至200 μm。
11. 根据权利要求1所述的基膜，其中，所述透明的基于金属氧化物的导电膜为选自氧 化铟锡（ITO)膜、氧化锑锡（ATO)膜、氧化铟锌（IZO)膜、氧化锡膜、氧化锌膜、氧化钛膜和 氧化锑膜的一种或多种。
12. 根据权利要求1所述的基膜，其中，所述基膜用作用于触摸面板的氧化铟锡（ITO) 膜的基板，或显示装置的基板。
13. -种层压结构，其包括： 根据权利要求1所述的基膜；和 在所述基膜上形成的透明的基于金属氧化物的导电膜。
14. 一种显示装置，其包括权利要求13所述的层压结构。
【专利摘要】本发明涉及一种基膜、包括该基膜的层压结构以及显示装置。更具体地，本发明涉及一种基膜、包括该基膜的层压结构以及显示装置，所述基膜包含具有环烯烃重复单元的聚合物，所述环烯烃重复单元包含不少于特定含量的外型异构体。所述基膜是透明的，由于具有高玻璃化转变温度而具有优异的耐热性，并且具有高透光率。
【IPC分类】G06F3-041
【公开号】CN104854543
【申请号】CN201480003495
【发明人】文程昱, 金正祐, 全成浩, 崔大胜
【申请人】Lg化学株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2014年9月29日
【公告号】EP2899613A1