一种触摸屏及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种触摸屏及其制备方法。
【背景技术】
[0002]平板显示技术在近十年有了飞速的发展，从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。进过不断的努力，LCD各方面的性能已经达到乃至超越了传统CRT。随着平板显示产品生产的不断扩大，各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂商在不断提高产品性能的同时，也在不断努力降低产品的生产成本，从而提高市场的竞争力。
[0003]随着市场的发展，对LCD基板厚度(超薄)的要求越来越高，加之客户对新产品新技术理念重视度的提高，新型超薄LCD产品在市场中往往能占得先机。随着LCD行业竞争的不断增大，如何大规模高质量低成本生产超薄新型感应式触摸屏产品变得日趋重要。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供各膜层稳定、质量高的一种触摸屏。
[0005]为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:一种触摸屏，它从下至上依次包括基板、第一硅膜层、ITO膜层和第二硅膜层。
[0006]所述硅膜层即为S12膜层。
[0007]本发明一种触摸屏的优点在于:第一硅膜层和ITO膜层形成触摸所需导电功能，能够满足显示制造业的需求，第二硅膜层作为保护膜层，能够保护ITO膜层，避免触摸时产生磨损，同时隔离漏电势，提高产品适用范围，解决了传统电容屏在环境温度、湿度及环境电场发生改变时，引起的电容屏的漂移，造成不准确的问题，而且外层坚硬膜层耐磨损、寿命长。综上，本发明一种触摸屏的各膜层稳定、产品质量高。
[0008]进一步的，所述基板为玻璃基板，厚度为0.4mm — 1.8mm。采用这样的技术方案，能够满足对触摸屏超薄化的需求。
[0009]本发明还提供上述一种触摸屏的制备方法，包括以下步骤:
[0010](I)提供基板，对基板进行镀膜前处理；
[0011 ] (2)在基板表面镀第一硅膜层；
[0012](3)在第一硅膜层表面镀ITO膜层，镀ITO膜层采用真空阴极磁控溅射法，并且靶材的铟锡比例为93:7 ；
[0013](4)在ITO膜层表面镀第二硅膜层。
[0014]本发明提供的一种触摸屏的制备方法优点在于:本发明采用真空阴极磁控溅射法镀ITO膜层，并确定靶材的铟锡比例为93:7，在此比例下，ITO膜层的粗糙度得到有效改善，其凸起的部分不会刺穿覆盖在其表面的第二硅膜层，进而解决了漏电阻的问题。另外本发明提供的一种触摸屏的制备方法工艺简单、成本低，适用于大规模工业化生产。
【附图说明】
[0015]图1是本发明一种触摸屏的结构示意图。
[0016]图2是现有触摸屏制备方法的ITO膜层效果图。
[0017]图3是本发明一种触摸屏的制备方法的ITO膜层效果图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本发明作进一步描述:
[0019]参见图1。
[0020]本发明一种触摸屏，它从下至上依次包括基板1、第一硅膜层2、IT0膜层3和第二硅膜层4，基板I为玻璃基板，厚度为0.4mm— 1.8_。
[0021]上述一种触摸屏的制备方法，包括以下步骤:
[0022](I)提供基板1，对基板I进行镀膜前处理；
[0023]镀膜前处理一般为清洁处理，清洁处理过程采用清洗剂浸泡、纯净水与后用超声波进行清洗的方式；
[0024](2)在基板I表面镀第一硅膜层2 ；
[0025](3)在第一硅膜层2表面镀ITO膜层3，镀ITO膜层3采用真空阴极磁控溅射法，并且靶材的铟锡比例为93:7;
[0026](4)在ITO膜层3表面镀第二硅膜层4。
[0027]图2为现有触摸屏制备方法的ITO膜层效果图，图3为本发明一种触摸屏的制备方法的ITO膜层效果图。从图2和图3的对比可以明显看出，本发明的ITO膜层更加均匀，粗糙度得到有效改善，基本没有刺穿第二硅膜层4的凸起，从而能有效解决漏电阻的问题。
[0028]应当理解本文所述的例子和实施方式仅为了说明，本领域技术人员可根据它做出各种修改或变化，在不脱离本发明的精神实质的情况下，都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种触摸屏，它从下至上依次包括基板、第一硅膜层、ITO膜层和第二硅膜层。2.如权利要求1所述的一种触摸屏，其特征在于:所述基板为玻璃基板，厚度为0.4mm— 1.8mm03.如权利要求1或2所述的一种触摸屏的制备方法，包括以下步骤: (1)提供基板，对基板进行镀膜前处理； (2)在基板表面镀第一硅膜层； (3)在第一硅膜层表面镀ITO膜层，镀ITO膜层采用真空阴极磁控溅射法，并且靶材的铟锡比例为93:7 ； (4)在ITO膜层表面镀第二硅膜层。
【专利摘要】一种触摸屏，它从下至上依次包括基板、第一硅膜层、ITO膜层和第二硅膜层。本发明还提供所述一种触摸屏的制备方法，包括以下步骤：(1)提供基板，对基板进行镀膜前处理；(2)在基板表面镀第一硅膜层；(3)在第一硅膜层表面镀ITO膜层，镀ITO膜层采用真空阴极磁控溅射法，并且靶材的铟锡比例为93:7；(4)在ITO膜层表面镀第二硅膜层。本发明采用真空阴极磁控溅射法镀ITO膜层，并确定靶材的铟锡比例为93:7，在此比例下，ITO膜层的粗糙度得到有效改善，其凸起的部分不会刺穿覆盖在其表面的第二硅膜层，进而解决了漏电阻的问题。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN104978075
【申请号】CN201510472234
【发明人】李结松, 张少波, 陈诚, 钟汝梅
【申请人】安徽省蚌埠华益导电膜玻璃有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年8月1日