防范腐蚀处理转移利用的rfid芯片的制作方法

文档序号:10594659阅读:548来源:国知局
防范腐蚀处理转移利用的rfid芯片的制作方法
【专利摘要】防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,涉及RFID技术。本发明包括内部电路和钝化层,其特征在于,在内部电路的至少一个性能点处,钝化层设置有开窗,所述性能点是指若被腐蚀则影响芯片正常工作的区块。本发明的有益效果是,简单易行,成本低廉。不需要RFID标签特殊工艺或特殊结构与之配合,适应面广。按此方法实现的RFID芯片只能一次性使用,难以被用腐蚀处理转移后重复利用。
【专利说明】
防范腐蚀处理转移利用的RF ID芯片
技术领域
[0001 ]本发明涉及RFID技术。
【背景技术】
[0002]RFID技术即无线射频识别技术,是一种非接触的自动识别技术,其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性,实现对被识别物体的自动识别。目前RFID已经开始用于物品的防伪,例如高档白酒的防伪。在RFID防伪领域,一个主要课题就是如何防转移,也就是防止真标签被从真品上剥离后贴在伪品上。常见的方法是利用RFID标签天线的毁坏实现防转移,也就是利用防揭、易碎等技术使RFID标签天线在脱离附着物时被破坏,从而使标签不能工作。但上述方法中,RFID芯片仍完好无损,有可能被用化学腐蚀的方法取下后重新封装利用,这样防转移并不彻底。

【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题是,提供一种能够有效防止转移利用的RFID芯片。
[0004]本发明解决所述技术问题采用的技术方案是,防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,包括内部电路、钝化层和作为芯片与外部电路连接端的金球,在内部电路的性能点处,钝化层设置有开窗,所述性能点是指若被腐蚀则影响芯片正常工作的区块。
[0005]所述性能点通常为金球与芯片内部电路之间的导线上的任一段,也可以是内部关键电路的一段导线。所述开窗的宽度大于或等于导线的宽度。所述性能点在钝化层所在平面的投影完全容纳于开窗中。所述开窗保持裸露状态或填充有易腐蚀绝缘物质。
[0006]本发明的有益效果是,简单易行,成本低廉。不需要RFID标签特殊工艺或特殊结构与之配合,适应面广。按此方法实现的RFID芯片只能一次性使用,难以被用腐蚀处理转移后重复利用。
【附图说明】
[0007]图1是现有技术的金球与压焊点的位置关系示意图。
[0008]图2是实施例1的金球与压焊点的位置关系示意图。
[0009]图3实施例2的开窗和芯片内部导线的位置关系不意图。
[0010]图4是实施例2的剖视示意图。
【具体实施方式】
[0011]防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,包括内部电路、钝化层和作为芯片与外部电路连接端的金球,在内部电路的性能点处,钝化层设置有开窗,所述性能点是指若被腐蚀则影响芯片正常工作的区块,特别是腐蚀造成电路出现断路形成异常,所述异常是包括了电路完全失效的情形。在区块面积比较小的时候,可称为“点位”。通常在平面图上是一个具有一定面积的区域/区块,在电路图上只是一个点或者线。
[0012]所述性能点为金球与芯片内部电路之间的导线上的任一段,也可以是内部关键电路的一段导线。所述开窗的宽度大于或等于导线的宽度。所述性能点在钝化层所在平面的投影完全容纳于开窗中。所述开窗保持裸露状态或填充有易腐蚀绝缘物质。
[0013]现有技术如图1,内部导线材质通常为铝,金球2是芯片的外部电路连接端,内部导线的压焊点I大小和金球2大小基本一致。金球2覆盖了压焊点的开窗,也就是说芯片没有了裸露的铝层。为了转移利用芯片,比较常见的腐蚀性处理方式是放入加热的浓硝酸中浸泡,由于硝酸和芯片表面的钝化层及金都不反应,但硝酸与标签的封装材料反应,因此可以完好无损的取下芯片。这就是RFID芯片传统设计和加工方法在防转移方面的问题所在。图示的压焊点与金球均为常见的八角形,这里只是示例,实际中还可能是正方形或其他形状。
[0014]实施例1
[0015]如图2,本发明的压焊点I尺寸略大于金球2的尺寸(例如每边稍长10微米)。当在芯片植金球以后,铝材料的压焊点有部分暴露出来,没有受到钝化层保护,此状况亦属于本发明所述“开窗”的一种方式。图中仅表示暴露关系,不关注尺寸比例。当此芯片遇到加热的浓硝酸或者常温的稀硝酸,铝材料将被迅速溶解,进而导致金球脱落。失去压焊点金属及金球的芯片将难于重新封装。
[0016]实施例2
[0017]见图3、4。本实施例在芯片内部导线的位置开设开窗3,将导线4的一部分裸露出来。本实施例开窗的位置并不设置金球,而是一直保持裸露状态,或者填充易被酸或碱腐蚀的绝缘材料,例如树脂、塑料等。当此芯片遇到加热的浓硝酸或者常温的稀硝酸,易腐蚀的绝缘材料及下面的导线4的铝材料将被迅速溶解,造成芯片永久性失效。
【主权项】
1.防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,包括内部电路和钝化层,其特征在于,在内部电路的至少一个性能点处,钝化层设置有开窗,所述性能点是指若被腐蚀则影响芯片正常工作的区块。2.如权利要求1所述的防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,其特征在于,还包括作为芯片与外部电路连接端的金球,所述性能点为金球与芯片内部电路之间的导线上的任一段,或是内部关键电路的一段导线。3.如权利要求2所述的防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,其特征在于,所述开窗的宽度大于或等于导线的宽度。4.如权利要求1所述的防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,其特征在于,所述性能点在钝化层所在平面的投影完全容纳于开窗中。5.如权利要求1所述的防范腐蚀处理转移利用的RFID芯片,其特征在于,所述开窗内填充有易腐蚀物质。
【文档编号】G06K19/077GK105956651SQ201610270443
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】邸鹏, 沈德林, 彭泽忠, 雷鸣
【申请人】江苏凯路威电子科技有限公司
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