一种云计算接口隔离系统的制作方法

文档序号:8886253阅读:339来源:国知局
一种云计算接口隔离系统的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型属于接口技术领域,尤其涉及一种云计算接口隔离系统。
【背景技术】
[0002]随着互联网和IT技术的发展,云计算的应用也在快速发展,其中的云存储以及信息共享交流变得极其方便。在三网融合领域,需要用到接口设备,以实现多媒体数据或其他数据信息在网络中各设备或终端间的转换传输。然而,目前的云计算接口系统,隔离性能差,结构复杂、成本高。

【发明内容】

[0003]本实用新型提供一种云计算接口隔离系统,以解决上述【背景技术】中目前的云计算接口系统,隔离性能差的问题。
[0004]本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本实用新型提供一种云计算接口隔离系统,其特征在于:包括接口单元、接口驱动单元、隔离单元,所述接口单元包括接口 JBl、电阻R2、电容Cl,所述接口驱动单元包括驱动芯片Ul、场效应管Ql、三极管Q3、场效应管Q2,所述隔离单元包括光电耦合器U2、电阻R1、输入端J1,所述输入端Jl的引脚2接光电耦合器U2的引脚1、电阻Rl的一端,其引脚I接光电耦合器U2的引脚2、场效应管Q2的D极,所述光电耦合器U2的引脚3接场效应管Q2的G极,其引脚4接场效应管Ql的G极,所述电阻Rl的另一端接电压+5V,所述场效应管Ql的D极接驱动芯片Ul的引脚
8、接口 JBl的I且都接电压+12V,所述驱动芯片Ul选用型号为RS485的芯片,其引脚2接场效应管Ql的S极,其引脚3接三极管Q3的基极、场效应管Q2的S极,其引脚4接三极管Q3的集电极,其引脚5接地,其引脚6接接口 JBl的引脚8,其引脚7接接口 JBl的引脚2,所述接口 JBl的引脚6接其引脚4、其引脚9,其引脚3接电容Cl的一端,其引脚5接电阻R2的一端,所述三极管Q3的发射极接地,所述电容Cl的另一端接电阻R2的另一端且都接地。
[0005]所述三极管Q3选用NPN型号的三极管。
[0006]所述场效应管Ql选用P道沟型的场效应管。
[0007]所述场效应管Q2选用P道沟型的场效应管。
[0008]本实用新型的有益效果为:
[0009]1、本专利输入端将信号传递给隔离单元,由光电耦合器将输入端与输出端进行隔离,隔离性能好,可以提高安全性和降低输入输出端的电气耦合干扰,提高接口转换传输效率。
[0010]2、本专利采用接口驱动单元对接口接收的信号进行控制,不会使串行通信总线造成破坏,对串行通信网络起到明显的保护作用,提高系统的使用寿命。
[0011]3、本专利线路连接简单,各元器件相对较少,制造成本低,可以大范围推广使用。
[0012]4、本专利采用两个场效应管的设计,利用场效应管的单极性,提高系统的稳定性。
[0013]5、本专利的接口隔离系统,具有结构简单,噪声小、功耗低、易于集成等优点。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本实用新型做进一步描述:
[0016]实施例:
[0017]本实施例包括:接口单元、接口驱动单元、隔离单元,如图1所示。
[0018]接口单元包括接口 JB1、电阻R2、电容Cl,接口驱动单元包括驱动芯片U1、场效应管Ql、三极管Q3、场效应管Q2,隔离单元包括光电耦合器U2、电阻R1、输入端Jl,输入端Jl的引脚2接光电親合器U2的引脚1、电阻Rl的一端,其引脚I接光电親合器U2的引脚2、场效应管Q2的D极,光电耦合器U2的引脚3接场效应管Q2的G极,其引脚4接场效应管Ql的G极,电阻Rl的另一端接电压+5V,场效应管Ql的D极接驱动芯片Ul的引脚8、接口JBl的I且都接电压+12V,驱动芯片Ul选用型号为RS485的芯片,其引脚2接场效应管Ql的S极,其引脚3接三极管Q3的基极、场效应管Q2的S极,其引脚4接三极管Q3的集电极,其引脚5接地,其引脚6接接口 JBl的引脚8,其引脚7接接口 JBl的引脚2,接口 JBl的引脚6接其引脚4、其引脚9,其引脚3接电容Cl的一端,其引脚5接电阻R2的一端,三极管Q3的发射极接地,电容Cl的另一端接电阻R2的另一端且都接地。
[0019]三极管Q3选用NPN型号的三极管。
[0020]场效应管Ql选用P道沟型的场效应管。
[0021]场效应管Q2选用P道沟型的场效应管。
[0022]本专利输入端将信号传递给隔离单元,由光电耦合器将输入端与输出端进行隔离,隔离性能好,可以提高安全性和降低输入输出端的电气耦合干扰,提高接口转换传输效率;采用接口驱动单元对接口接收的信号进行控制,不会使串行通信总线造成破坏,对串行通信网络起到明显的保护作用,提高系统的使用寿命。
[0023]利用本实用新型所述的技术方案,或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种云计算接口隔离系统,其特征在于:包括接口单元、接口驱动单元、隔离单元,所述接口单元包括接口 JBl、电阻R2、电容Cl,所述接口驱动单元包括驱动芯片Ul、场效应管Q1、三极管Q3、场效应管Q2,所述隔离单元包括光电耦合器U2、电阻R1、输入端J1,所述输入端Jl的引脚2接光电親合器U2的引脚1、电阻Rl的一端,其引脚I接光电親合器U2的引脚2、场效应管Q2的D极,所述光电耦合器U2的引脚3接场效应管Q2的G极,其引脚4接场效应管Ql的G极,所述电阻Rl的另一端接电压+5V,所述场效应管Ql的D极接驱动芯片Ul的引脚8、接口 JBl的I且都接电压+12V,所述驱动芯片Ul选用型号为RS485的芯片,其引脚2接场效应管Ql的S极,其引脚3接三极管Q3的基极、场效应管Q2的S极,其引脚4接三极管Q3的集电极,其引脚5接地,其引脚6接接口 JBl的引脚8,其引脚7接接口 JBl的引脚2,所述接口 JBl的引脚6接其引脚4、其引脚9,其引脚3接电容Cl的一端,其引脚5接电阻R2的一端,所述三极管Q3的发射极接地,所述电容Cl的另一端接电阻R2的另一端且都接地。
2.根据权利要求1所述的一种云计算接口隔离系统,其特征在于:所述三极管Q3选用NPN型号的三极管。
3.根据权利要求1所述的一种云计算接口隔离系统,其特征在于:所述场效应管Ql选用P道沟型的场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种云计算接口隔离系统,其特征在于:所述场效应管Q2选用P道沟型的场效应管。
【专利摘要】本实用新型属于接口技术领域,尤其涉及一种云计算接口隔离系统,包括接口单元、接口驱动单元、隔离单元,所述接口单元包括接口JB1、电阻R2、电容C1,所述接口驱动单元包括驱动芯片U1、场效应管Q1、三极管Q3、场效应管Q2,所述隔离单元包括光电耦合器U2、电阻R1、输入端J1,所述输入端J1的引脚2接光电耦合器U2的引脚1、电阻R1的一端,其引脚1接光电耦合器U2的引脚2、场效应管Q2的D极,所述光电耦合器U2的引脚3接场效应管Q2的G极。本专利线路连接简单,各元器件相对较少,制造成本低,可以大范围推广使用。
【IPC分类】G06F13-40, G06F21-85
【公开号】CN204595862
【申请号】CN201520224613
【发明人】信欣
【申请人】天津信升科技有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月15日
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