专利名称：光学记录介质的预热整体擦除装置、预热整体擦除方法和光学记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于进行光学记录介质的记录薄膜的磁化、初始化或退火的整体擦除装置，其中利用激光照射在径向方向将带有地址信息的多个压花凹坑排分区；另外还涉及光学记录介质的预热整体擦除装置，光学记录介质的预热整体擦除方法和光学记录介质；其中当介质转动时，通过用激光部分地照射记录薄膜，使介质的温度升高。
背景技术：
通常，对于光学记录介质，使用一种称为分区的方法，通过有效地利用记录区域来增加记录容量。这是一种当介质以固定的角速度转动时，通过切换每一个半径的记录/再现用的记录参考频率，在介质的整个表面上获得相同程度的记录密度的方法。
作为一个例子，对于成为ISO标准的光学磁性介质的ISO/IEC14517(130mm4x)，ISO/IEC 15286(130mm8x)，ISO/IEC 15041(90mm5x)等，使用这种方法可以增加介质的记录容量。
具体地说，如图1所示，由于数据记录/再现区域在径向划分为多个区，并且每一个区的记录/再现频率不同，因此在一个环内的扇形区数目是变化的。这样，如图1a所示的地址区域在每一个半径上是部分地排列在径向方向的形状。
另外，在提供给使用者之前，作为磁性光学记录介质的介质要经过加工，使记录薄膜的磁化方向均匀分布。具体地说是，在介质上形成一个比记录薄膜的矫磁力大的静磁磁场，以进行加工，迫使记录薄膜的磁化方向转向擦除方向，即进行所谓的磁化。
一般，当要磁化的记录薄膜的矫磁力较弱，约为0.8×106A/m(A/m为在SI单位制中的磁场强度)时，可以利用一个弱磁场(例如电磁铁)进行磁化。然而，当磁化矫磁力大于1.19×106～1.59×106A/m的记录薄膜时，为了减小矫磁力，记录薄膜的温度要升高；因此要加一个小于0.8×106A/m的弱的静磁磁场来进行磁化。
对于相位改变式的介质，在提供给使用者以前，要对该介质进行加工，使记录薄膜的整个表面结晶。具体地说是，使记录薄膜加热/退火的量比给定的量大，以便在薄膜形成后，从所谓的结晶体/非晶体混合存在的Ad-depo状态初始化至完全结晶的状态。
在这个初始化过程中，将具有几百条轨迹的大区域的记录薄膜加热一段时间，以进行磁化和结晶。这种方法称为整体擦除。整体擦除是这样一种方法它通过在介质的径向方向减小长轴大于10μm的椭圆形光束的1～2W的半导体激光的直径，让它只聚焦在记录薄膜上，以照射转动的介质来加热记录薄膜。
整体擦除的目的不但是使记录层初始化，而且具有事先保留记录灵敏度或再现灵敏度的作用(灵敏度偏移)，该记录灵敏度或再现灵敏度是在介质重复记录时产生，用以控制在使用者的介质工作寿命过程中的灵敏度改变。一般认为，给记录薄膜事先提供热能，可以使非晶体的记录层中的原子松动，从而可使记录薄膜稳定。
整体擦除的参数为介质的转数或线性速度、激光照射点的径向进给间距、激光功率、激光束宽度等。由于这些参数容易控制，使磁化、初始化和灵敏度偏移稳定，因此是一种非常有效的方法。
通过进行磁性光学记录介质的整体擦除试验，以便进行灵敏度偏移和磁化，本发明的发明者发现了下列问题。即如图1所示，在进行了足够的整体擦除，以在光学记录介质上产生预定的灵敏度偏移后，在区域的边界上出现跟踪误差，其中介质在径向被分区，并且每一个区域中的地址是用在径向对准的压花坑形成的。另外，如图3的信号波形图所示，还发现了跟踪误差增大的区域。
图3表示地址信号和离全部整体擦除的介质的边界区域的第十个轨迹位置上的跟踪误差信号之间的关系，其中分别为(a)表示地址信号，(b)表示跟踪误差信号，(c)表示地址信号(a)的F区域的放大，和(d)表示跟踪误差信号(b)的F区域的放大。在该图中，E表示轨迹跳跃信号，G表示F区域中的放大的地址，H表示跟踪误差增大的部分。
图3中的测量条件为线性速度为7.5m/s，CLV，激光功率为1.5mW，盘直径为φ86mm，测量部位半径为R＝40mm，并在Land部分上进行跟踪。
结果发现，跟踪误差增大部分H不是由地址G的影响产生的，而是与以前在10个轨迹的区域中存在的地址具有相同的位置关系。离开该区域的多达10个轨迹的地址则对跟踪误差有一些影响。
在跟踪误差增大部分H中的跟踪误差的增加量达到轨迹跳跃信号E的峰-峰幅值的17％，并且在边界区域以外的几百个轨迹中都有这个现象。结果，驱动器(介质驱动系统)认为，这些跟踪误差增大区域为故障区域，并进行更换处理。因此，介质具有庞大的更换部分。
当不进行整体擦除时，不会产生上述的跟踪误差增大现象。但当不进行整体擦除时，在使用者使用介质的期间记录灵敏度变化，并且不能进行最优的记录/再现，造成误差。
可以设想，利用驱动器等擦除每一个轨迹的记录的方法来使灵敏度偏移，但这需要多次擦除同一个轨迹的记录，占用很多时间，因此是不实际的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以进行磁化或结晶并可通过整体擦除进行预定的灵敏度偏移和减小在边界区域附近的跟踪误差的光学记录介质的预热整体擦除装置、光学记录介质的预热整体擦除方法和光学记录介质。
作为考核以努力达到上述目的的结果，本发明者发现，使介质温度升高的整体擦除方法是有效的。
整体擦除方法是这样一种方法，其中通过光学零件(例如透镜、棱镜等)将大功率的激光束投射在记录薄膜表面上的长轴为几百微米的椭圆形焦点上，给记录薄膜提供热能，使灵敏度在宽大的区域内偏移。
如图2所示，激光束设计成使激光5的输出光束通过树脂基片7聚焦投射在离开转动介质的阅读表面6的记录薄膜8上。
由于激光主要被记录薄膜8吸收，因此，假定树脂基片7的温度升高是由记录薄膜8的热传导引起的。这样，与记录薄膜8一样，树脂基片7的温度是这样改变的，由于激光光束通过，使该基片7迅速地从普通温度升高至预定的温度，然后迅速冷却。
另一方面，树脂基片具有一个内应力局部较高的地址部分和一个内应力相对较低的数据部分(组部分)。假定当将激光束照射在这个树脂基片上时，在包括地址部分和数据部分的激光束照射点上，温度同时迅速升高和迅速降低，这样，就加大了内应力的不平衡，由此造成边界区域附近的轨迹物理变形，导致跟踪误差增大。因此，如果能防止树脂基片的温度的迅速变化，则可以减少跟踪误差的增加。
因此，通过在比激光照射点宽的区域上预热树脂基片和将激光功率减小一个与树脂基片温度升高相应的量，使记录薄膜保持预定的温度，就可以缓和因整体擦除引起的树脂基片温度的迅速改变。
由于利用预热整体擦除方法制成的介质的特点是介质被磁化，灵敏度有预定的偏移，跟踪误差小，因此可达到本发明的目的。
本发明的光学记录介质的预热整体擦除装置为这样一种装置，该装置通过在磁性-光学记录介质转动时，将激光束照射在记录薄膜上，可以进行记录薄膜的磁化或退火，其特征在于，该装置带有加热装置，用于当所述激光束照射时，加热所述介质。
另外，本发明的光学记录介质的预热整体擦除装置为这样一种装置，该装置通过在相位改变式介质转动时，将激光束照射在记录薄膜上，对记录薄膜进行初始化，其特征在于，该装置带有加热装置，用于在所述激光束照射时，加热所述介质。
另外，其特征在于，所述加热装置将从灯发出的、最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比所述激光束照射点宽的一个区域上。
其特征还在于，所述加热装置将所述介质的温度升高至比基片软化点低的温度。
其特征还在于，所述加热装置将所述介质的表面(in-surface)温度差控制在30℃以内。
其特征还在于，它带有一个装置，可使所述介质持续转动，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
另外，本发明的光学记录介质的预热整体擦除装置的特征在于，它带有反馈装置，用于检测所述介质的温度和将检测的温度反馈给所述加热装置，以保持介质温度恒定。
本发明的光学记录介质的预热整体擦除方法的特征在于，它通过在磁性光学记录介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和进行加热过程以便在所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行磁化或退火。
本发明的光学记录介质的预热整体擦除方法的特征在于，它通过在相位改变式介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和进行加热过程以便在所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行初始化。
其特征还在于，所述加热过程是通过将从灯发出的、最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比激光束的照射点更宽的区域上来进行的。
其特征还在于，所述加热过程包括将所述介质温度升高至比基片软化点低的温度的过程。
其特征还在于，所述加热过程包括将所述介质的表面温度差控制在30℃以内的过程。
其特征还在于，它进行使所述介质持续转动的过程，直至在完成所述激光束的照射和加热后所述介质的温度达到从普通温度至50℃范围内的温度为止。
其特征还在于，所述加热过程包括检测所述介质的温度并将检测的温度反馈至所述加热装置以保持介质温度恒定的过程。
另外，本发明的光学记录介质的特征在于，它是通过在磁性光学记录介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和当所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行磁化或退火而制成的。
另外，本发明的光学记录介质的特征在于，它是通过在相位改变式介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和当所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行初始化而制成的。
图1为在本发明中使用的光学记录介质的平面图；图2为表示进行整体擦除的装置结构的说明图；图3为表示地址信号和在距离全部整体擦除的介质的边界区域第十条轨迹上的跟踪误差信号之间的关系的信号波形图；图4为表示在本发明中所用的、使用多层记录薄膜的光学记录介质的截面结构的说明图；图5为表示本发明的预热整体擦除装置的一个实施例的总体结构图；图6为表示本发明所用的各种基片样件的特性的表；图7为表示每一种光学记录介质的再现信号跳动值和记录功率之间关系的特性图；图8为表示每一个光学介质的跟踪误差增大量和离开其边界区域的轨迹数目之间的关系的特性图；图9为表示在本发明中所用的、使用单层记录薄膜的光学记录介质的截面结构的说明图；图10为表示本发明所用的各种基片样件的特性的表；图11为表示在本发明中所用的、使用相位改变的记录薄膜的光学记录介质的截面结构的说明图；图12为表示在本发明所用的各种基片样件的特性的表；图13为在本发明中使用的卡片式光学记录介质的平面图。
具体实施例方式
现参照附图来说明本发明的实施例。
(实施例1)首先说明使用一种磁性光学记录/再现的多层记录薄膜的实施例。图4表示所使用的介质的截面。如图4所示，在具有图1所示的地址布局的树脂基片10a-1上，利用溅射方法一个在另一个上面地层叠而形成保护层10b-1；磁性光学记录层10c-1-1，10c-1-2，10c-1-3；保护层10d-1；和反射层10e-1。
首先，事先对溅射每一层用的腔充分地抽真空，直至真空度低于10-5Pa为止。然后，在1×10-3Pa～6×10-3Pa的气氛下，利用2～3kw的电能形成每一个薄膜。
在氩和氮的气氛中，对硅靶进行电抗性溅射，形成80nm厚的氮化硅薄膜作为保护层10b-1。
在氩的气氛中，对GdFeCoSi靶进行直流溅射，形成膜厚为40nm的薄膜作为磁性光学记录层10c-1-1。事先调整靶的成分和薄膜形成条件，使过渡金属丰富的薄膜的居里(Curie)温度为350℃或更高，室温下的饱和磁化强度为10emu/cc。
在氩的气氛中，对GdFeCoSi靶进行直流溅射，形成膜厚为40nm的薄膜作为磁性光学记录层10c-1-2。事先调整靶的成分和薄膜形成的条件，使富含稀土金属的薄膜的居里温度为200℃或更高，室温下的饱和磁化强度为150emu/cc。
在氩的气氛中，对TbFeCo靶进行直流溅射，形成膜厚为50nm的薄膜作为磁性光学记录层10c-1-3。事先调整靶的成分和形成薄膜的条件，使过渡金属丰富的薄膜的居里温度为300℃或更高，室温下的矫磁力为20KOe或更大，室温下的饱和磁化强度为50emu/cc。
在氩和氮的气氛中，对硅靶进行电抗性溅射，形成膜厚为20nm的氮化硅薄膜作为保护层10d-1。
在氩的气氛中，对Al靶进行直流溅射，形成膜厚为10nm的薄膜作为反射薄膜10e-1。
图5表示对图4所示结构的光学介质在加热时进行整体擦除的装置的一个例子。如图5所示，传统的整体擦除装置包括一个用于转动介质10的电机11，一个将激光聚焦在介质10的薄膜表面上的作动器12，和一个在介质10的半径方向移动作动器12的滑块13。
根据本发明，还另外加入了下列零件来构成预热式整体擦除装置。具体地说，在介质10以预定的角度接受激光照射的同一侧，放置一个反光镜14。从强大的可见光灯15发出的光通过透镜16变成平行光投射至反光镜14上，从而将反光镜14反射出来的光投射至介质10上比激光束的照射点更宽的一个区域上。
标记17为靠近介质10的一个非接触式温度传感器，用于测量被灯照射加热的基片的温度。
标记18为控制装置，用于根据电机11的转动状态和基片温度的信息控制强大的可见光灯15的开/关和光的强度，并控制电机11。
作为加热介质的方法，可以采用升高介质周围温度，用红外线加热器等进行红外加热的方法，而不是如在本实施例中使用可见光灯的方法。
强大的可见光灯15将具有最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的灯发出的光，发射至比激光束的照射点宽的一个区域上。这时，控制装置18根据由非接触式温度传感器17检测的基片温度信息控制强大的可见光灯15发出的光的强度，从而将介质10的温度升高至比基片软化点低的温度。
这时，介质10的温度为满足充分减小在边界区域附近的跟踪误差增大的条件的温度；最好在80℃或更高些至软化点或更低些的范围内，以便进行加热，如图3所示那样。
如果介质10的表面温度差大，则介质会翘曲。这样，在30℃内进行控制，例如，表面温度差在不产生由于翘曲的发生而影响聚焦偏差或不可能聚焦的范围内。
在完成激光束照射和用强大的可见光灯15加热之后，介质10马上处在高温状态并软化。如果立即停止介质10的转动，则介质可能变形或从夹紧部分中跳出。
考虑到这点，根据本发明，控制装置18控制电机11持续转动介质10，直至在完成激光束的照射和加热后，介质的温度到达普通温度至50℃的范围内时为止。
另外，控制装置18根据从非接触式温度传感器17检测到的温度信息，对强大的可见光灯15进行反馈控制，以保持介质10的温度恒定。
利用图5所示的装置考察整体擦除介质的特性。整体擦除是在激光照射部分的线性速度为7.5m/s的条件下进行的。首先，准备四个如图6的表中所示的样件，以考察记录灵敏度的变化。在图6的表中，样件1为不进行整体擦除的样件，样件2为进行正常的整体擦除的样件，样件3为进行正常的整体擦除和加热的样件，样件4为用激光功率从800mW降低至600mW的样件2所用的激光进行整体擦除和用灯加热的样件。
图7表示样件的最优记录功率值的测量结果。在图7中，水平轴表示记录功率，垂直轴表示再现信号的跳动值，该图表示，当最小跳动值时的记录功率较小时，灵敏度最好。
在图7中，菱形标记表示图6中的样件1的数据，方形标记表示图6中的样件2的数据，三角形标记表示图6中的样件3的数据，圆形标记表示图6中的样件4的数据。
从图7中可看出，不进行整体擦除的样件1的最优记录功率为9.2mW，而进行整体擦除的样件的灵敏度较高。具体地说，样件3的最优记录功率为8.9mW，而样件2和样件4的最优记录功率均为9.0mW。
这表明，样件2和4的灵敏度偏移量是相同的。即这表示根据本发明，利用灯照射，可将达到相同的灵敏度偏移量的整体擦除用的激光功率从800mW减小至600mW。
图8表示在各个样件中，样件2，3，4的跟踪误差增大量。在图8中，垂直轴表示跟踪误差增大量，水平轴表示从边界区域计数的轨迹数目，而TESNOISE为从跟踪误差信号的地址产生的噪声。
从图8可看出，跟踪误差按照样件3(三角形标记)→样件2(方形标记)→样件4(圆形标记)的顺序减小。样件2(方形标记)和样件4(圆形标记)的灵敏度偏移量相同。这样，可以采用任何一个整体擦除条件来达到所期望的灵敏度偏移。特别是，使用综合利用灯照射进行介质预热和用低功率的激光照射进行整体擦除(如样件4那样(圆形标记))的装置可以制造跟踪误差增大量小的介质。
本发明的加热装置不是仅限于图5所示的强大的可见光灯15，可以利用空调器提高周围温度，或例如利用红外线加热器进行红外线加热。
当采用这种加热装置时，可用上述同样的方法，将介质温度升高至比基片软化点低的温度，将介质的表面温度差控制在30℃以内，持续转动介质直至在完成激光束照射和加热后，介质温度达到普通温度至50℃的范围内的一个温度为止，并通过反馈保持介质温度恒定。
本发明的预热整体擦除方法包括在介质转动时，将激光束照射在记录薄膜上，进行记录薄膜的磁化或退火；并使用例如图5所示的预热整体擦除装置，在激光束照射下进行加热介质的加热过程。
在这种情况下，加热过程包括使介质温度升高低于基片软化点，控制介质的表面温度差在30℃以内，和通过反馈保持介质温度恒定。另外，它还包括持续转动介质，直至在完成加热过程后介质温度达到从普通温度至50℃范围内的一个温度为止。
(实施例2)下面，将说明利用磁性光学记录/再现的单层记录薄膜的实施例。图9表示所用介质的截面，例如，在具有图1所示的地址布局的树脂基片10a-2上，利用溅射方法一个在另一个上面地层叠形成保护层10b-2、磁性光学记录层10c-2、保护层10d-2和反射层10e-2。
首先，事先对溅射每一个层用的腔充分地抽真空，直到真空度达到低于10-5Pa为止。
在氩和氮的气氛中，对硅靶进行电抗性溅射，形成膜厚为100nm的氮化硅薄膜作为保护层10b-2。
在氩的气氛中，对TbFeCo靶进行直流溅射，形成膜厚为50nm的薄膜作为磁性光学记录层10c-2。事先调整靶的成分和薄膜形成的条件，使富含过渡金属的薄膜的居里温度为300℃，室温下的矫磁力为20KOe或更大，室温下的饱和磁化强度为50emu/cc。
在氩和氮的气氛中，对硅靶进行电抗性溅射，形成30nm厚的氮化硅薄膜作为保护层10d-2。
在氩的气氛中，对Al靶进行直流溅射，形成50nm厚的薄膜作为反射薄膜10e-2。
利用图5所示的装置进行整体擦除，来考察利用上述薄膜结构制造的样件的特性。整体擦除是在激光照射部分的线性速度为7.5m/s下的条件下进行的。首先，制造如图10的表中所示的四个样件，用与实施例1相同的方法考察记录灵敏度的变化。
从图10的表所示的结果中可看出，在激光照射和/或灯加热的情况下，与样件2-1比较，样件2-2，2-3，2-4的灵敏度提高。另外，可以看出，样件2-2，2-4具有相同的最优的灵敏度。即是说，激光照射和灯加热给样件2-2，2-4的记录薄膜提供相同的能量。
然后，在地址一侧的轨迹上，考察样件的跟踪误差增大量。图10中的表所示的跟踪误差比表示在离地址第一百条轨迹上的跟踪误差与轨迹跳跃幅值的比值。这表明，样件2-4的跟踪误差最小。
(实施例3)下面将说明利用相位改变式的记录薄膜的实施例。图11表示所用介质的截面。在具有图1所示的地址布局的树脂基片10a-3上，利用溅射方法一个在另一个上面地层叠形成保护层10b-3，相位改变式记录层10c-3，保护层10d-3，和反射层10e-3。
首先，事先对溅射每一个层用的腔充分地抽真空，使其真空度低于10-5Pa。
在氩的气氛中，对ZnS-SiO2靶进行溅射，形成膜厚为130nm的ZnS-SiO2薄膜作为保护层10b-3。
在氩的气氛中，对GeSbTe靶进行直流溅射，形成膜厚为15nm的薄膜作为相位改变式记录层10c-3。事先调整靶的成分和薄膜形成条件，使结晶温度为500℃，熔化点为700℃。
在氩的气氛中，对ZnS-SiO2靶进行溅射，形成膜厚为20nm的ZnS-SiO2薄膜作为保护层10d-3。
在氩的气氛中，对Al靶进行直流溅射，形成膜厚为150nm的薄膜作为反射薄膜10e-3。
利用图5所示的装置进行整体擦除，考察利用上述薄膜结构制造的样件特性。整体擦除是在激光照射部分的线性速度为4m/s的条件下进行的。首先，制造图12的表所示的四个样件，用与实施例1相同的方法考察记录灵敏度的改变。
从图12的表所示的结果可看出，在激光照射和/或灯加热下，与样件3-1比较，样件3-2，3-3，3-4的灵敏度提高。另外，还看出，样件3-2，3-4具有相同的最优灵敏度。即激光照射和灯加热给样件3-2，3-4的记录薄膜提供相同的能量。
然后，考察在地址一侧的轨迹上的样件的跟踪误差增大量。图12的表中表示了作为离开地址第一百个轨迹的跟踪误差与轨迹跳跃幅值的比值的跟踪误差比。这表明，样件3-4的跟踪误差最小。
如上所述，利用对本发明的光学记录介质进行预热整体擦除的装置，可以对光学记录介质进行磁化、退火和初始化，同时抑制边界区域上的跟踪误差增加。这可以高速地对介质的整个表面进行磁化、退火和初始化，结果可缩短过程时间和制造更换部分较少的高质量的介质。
根据权利要求5～8，使介质温度在80℃或更高一点至软化点温度或更低一点的范围内，可大大减小在边界区域附近的跟踪误差的增大。
根据权利要求9～12，将介质的表面温度差控制在30℃以内，可以防止介质产生翘曲，从而避免焦点偏移或不可能聚焦。
根据权利要求13～16，介质可以持续转动，直至在完成激光束照射和加热后，介质温度达到普通温度至50℃的范围内的温度为止；从而可防止在完成整体擦除后，介质变形或从夹紧部分中跳出。
根据权利要求17～20，介质温度保持恒定，使该装置的可靠性提高。
根据本发明的光学记录介质的预热整体擦除方法，可以用一种简单的方法进行光学记录介质的磁化、退火和初始化；并且可抑制边界区域上的跟踪误差增大。这样，可以高速地对介质的整个表面进行磁化、退火和初始化，结果可以缩短过程时间，制造更换部分较少的高质量的介质。
根据权利要求25～28，使介质温度在80℃或更高一点至基片软化温度或更低一点的范围内，可以大大减小在边界区域附近的跟踪误差的增大。
根据权利要求29～32，将介质表面的温度差控制在30℃以内，可以防止介质产生翘曲，从而避免焦点偏移或不可能聚焦。
根据权利要求33～36，介质可以持续转动，直至在完成激光束照射和加热后，介质温度达到普通温度至50℃的范围内的温度为止；从而可防止在完成整体擦除后，介质变形或从夹紧部分中跳出。
根据权利要求37～40，介质温度保持恒定，使该装置的可靠性提高。
利用本发明的权利要求41和42所述的光学记录介质，进行整体擦除可以抑制由于使用造成的记录灵敏度的改变，并不会使边界区域附近的跟踪误差增大，从而可使介质的性能和质量明显提高。
工业适用性本发明可以用于外形为非圆形的光学记录介质。
如图13所示，本发明还可用于卡片式光学记录介质中。该介质包括在邮政卡尺寸或商业卡尺寸大小的卡主体20中的一个数据记录/再现区域20a。
权利要求
1.一种光学记录介质的预热整体擦除装置，该装置通过在磁性光学记录介质转动时将激光束照射在记录薄膜上，可以进行记录薄膜的磁化或退火，其特征在于，该装置带有加热装置，用于当所述激光束照射时加热所述介质。
2.一种光学记录介质的预热整体擦除装置，该装置通过在相位改变式介质转动时将激光束照射在记录薄膜上，对记录薄膜进行初始化，其特征在于，该装置带有加热装置，用于在所述激光束照射时加热所述介质。
3.如权利要求1所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将从灯发出的、最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比所述激光束照射点宽的一个区域上。
4.如权利要求2所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将从灯发出的、最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比所述激光束照射点宽的一个区域上。
5.如权利要求1所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的温度升高至比基片软化点低的温度。
6.如权利要求2所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的温度升高至比基片软化点低的温度。
7.如权利要求3所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的温度升高至比基片软化点低的温度。
8.如权利要求4所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的温度升高至比基片软化点低的温度。
9.如权利要求1所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的表面温度差控制在30℃以内。
10.如权利要求2所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的表面温度差控制在30℃以内。
11.如权利要求3所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的表面温度差控制在30℃以内。
12.如权利要求4所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热装置将所述介质的表面温度差控制在30℃以内。
13.如权利要求1所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有一个装置，用于使所述介质持续转动，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
14.如权利要求2所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有一个装置，用于使所述介质持续转动，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
15.如权利要求3所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有一个装置，用于使所述介质持续转动，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
16.如权利要求4所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有一个装置，用于使所述介质持续转动，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
17.如权利要求1所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有反馈装置，用于检测所述介质的温度和将检测到的温度反馈给所述加热装置，以保持介质温度恒定。
18.如权利要求2所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有反馈装置，用于检测所述介质的温度和将检测到的温度反馈给所述加热装置，以保持介质温度恒定。
19.如权利要求3所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有反馈装置，用于检测所述介质的温度和将检测到的温度反馈给所述加热装置，以保持介质温度恒定。
20.如权利要求4所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它带有反馈装置，用于检测所述介质的温度和将检测到的温度反馈给所述加热装置，以保持介质温度恒定。
21.一种光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它通过在磁性光学记录介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和进行加热过程以便在所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行磁化或退火。
22.一种光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它通过在相位改变式介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和进行加热过程以便在所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行初始化。
23.如权利要求21所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程是通过将从灯发出的、最大光发射波长在紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比所述激光束的照射点更宽的区域上来进行的。
24.如权利要求22所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程是通过将从灯发出的、最大光发射波长的紫外线波长和远红外线波长之间的光投射至比所述激光束的照射点更宽的区域上来进行的。
25.如权利要求21所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质温度升高至比基片软化点低的温度的过程。
26.如权利要求22所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质温度升高至比基片软化点低的温度的过程。
27.如权利要求23所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质温度升高至比基片软化点低的温度的过程。
28.如权利要求24所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质温度升高至比基片软化点低的温度的过程。
29.如权利要求21所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质的表面温度差控制在30℃以内的过程。
30.如权利要求22所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质的表面温度差控制在30℃以内的过程。
31.如权利要求23所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质的表面温度差控制在30℃以内的过程。
32.如权利要求24所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括将所述介质的表面温度差控制在30℃以内的过程。
33.如权利要求21所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它进行使所述介质持续转动的过程，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
34.如权利要求22所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它进行使所述介质持续转动的过程，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
35.如权利要求23所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它进行使所述介质持续转动的过程，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
36.如权利要求24所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，它进行使所述介质持续转动的过程，直至在所述激光束完成照射和加热后所述介质的温度达到在普通温度至50℃范围内的温度为止。
37.如权利要求21所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括检测所述介质的温度并将检测到的温度反馈至所述加热装置以保持介质温度恒定的过程。
38.如权利要求22所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括检测所述介质的温度并将检测到的温度反馈至所述加热装置以保持介质温度恒定的过程。
39.如权利要求23所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括检测所述介质的温度并将检测到的温度反馈至所述加热装置以保持介质温度恒定的过程。
40.如权利要求24所述的光学记录介质的预热整体擦除装置，其特征在于，所述加热过程包括检测所述介质的温度并将检测到的温度反馈至所述加热装置以保持介质温度恒定的过程。
41.一种光学记录介质，其特征在于，它是通过在磁性光学记录介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和当所述激光束照射时加热所述介质，来对记录薄膜进行磁化或退火而制成的。
42.一种光学记录介质，其特征在于，它是通过在相位改变式介质转动时将激光束照射在记录薄膜上和当所述激光束照射时加热所述介质，对记录薄膜进行初始化而制成的。
全文摘要
当通过由电机(11)使光学记录介质(10)转动时将激光束照射在记录薄膜上而对记录薄膜进行磁化、退火和初始化时，来自强大的可见射线灯(15)的光通过透镜(16)投射至反光镜(14)上成为平行光；由该反光镜(14)反射的光照射在介质(10)上的比激光束的照射点大的区域上，以加热该区域。控制装置(18)基于由非接触式温度感应器(17)检测到的基片温度信息来控制强大的可见射线灯(15)的光强，使得介质(10)的温度升高至不低于例如80℃，但是低于基片软化点。
文档编号G11B7/26GK1465056SQ02802256
公开日2003年12月31日 申请日期2002年7月15日 优先权日2001年7月23日
发明者中山比吕史, 竹内厚, 根本淳一, 三浦博行 申请人:索尼公司