磁盘和装备该磁盘的磁盘设备的制作方法

专利名称：磁盘和装备该磁盘的磁盘设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及能获得高密度磁记录的磁盘，和安装该磁盘的磁盘设备，具体说，是涉及能使磁头组以不高于10.0nm的悬浮高度读写的磁盘，和装备该特种磁盘的磁盘设备。
背景技术：
一般说，磁盘设备包括安排在外壳内的磁盘、支承和旋转磁盘的轴电机、和头部悬架组件(本文此后称HSA)，该头部悬架组件包括从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘的磁头。
HSA包括其上形成磁头的滑块、支承滑块的悬架、和支承悬架的臂。HAS可旋转地由滚珠组件支承。通过用音圈电机使HSA旋转，能把磁头移动到磁盘上任选的位置。
当磁盘设备中磁盘不慎与磁盘发生接触时，为了抑制滑块动作的变化，必须使磁盘表面粗糙度增加到某种程度，以便降低滑块对磁盘的粘附力。在常规的磁盘设备中，磁头的悬浮高度不小于10.0nm。因此，即使在盘表面上微凸的高度(即微凸高度)不小于4.0nm的情况中，也能确保磁头悬浮高度余量，即磁头与磁盘间的最小距离，以便能保持磁头悬浮高度的稳定性。
但是，近年来，磁盘记录密度已经增加到70GB/英寸2，所以有必要把磁头的悬浮高度设定为不高于10.0nm。在这种特定情况下，如果磁盘表面的微凸高度不小于4.0nm，则消除了磁头的悬浮高度余量。结果是，产生热凸起，或降低可靠性。附带指出，上面指出的热凸起是指当磁头与微凸碰撞时生热，磁头中的MR(磁阻传感器)输出因受热而变化的现象。
为了改进电磁特征中包含的SN比，近年来尝试对磁盘基底实施纹理处理(texture processing)，以便把磁各向异性赋予磁盘。更准确地说，通过纹理处理，使构成磁记录层的Co合金层的易磁化轴沿圆周方向取向，结果是，沿圆周方向的剩余磁化及矩形比，变得比沿磁盘径向高。因为读出输出的改进基本上正比于剩余磁化，所以可以降低磁性层的厚度、改进磁化过渡宽度、抑制噪声能力、和重写特征。应当指出，经过纹理处理的纹理媒体(各向异性媒体)，在分辨率、半极大全宽度、和SN比方面，有所改进，因而对高记录密度的记录媒体，大为有利。情况既然如此，纹理媒体的使用成为获得高记录密度的一种有效手段。
但是，盘表面的微凸也通过纹理处理消除，结果使磁盘表面粗糙度变得非常低。由此得到的结果是，磁头对磁盘吸附性质的增加。情况既然如此，为了获得高可靠性的纹理媒体，必须严格控制盘表面的粗糙度，以便使表面粗糙度最优化。
一种日本工业标准(JIS B 0601)定义的平均粗糙度Ra，广泛用作表面粗糙度的指标。在上述平均粗糙度Ra中，是对磁盘表面的微凸(asperity)或微凹(valley)距该表面高度中心线的深度或高度，进行积分并求平均。但是，当磁头与磁盘接触时产生的摩擦力，更多涉及与磁盘的微凸耦合的接触面积，而更少涉及微凹。情况既然如此，作为表示与磁头悬浮高度稳定性相关的表面粗糙度指标，该平均粗糙度Ra是远远不够的。
记录表面凸起部分高度中心线与磁盘表面凸起部分最大高度之差的Rp，也是公认的另一个指标。但是，上面指出的差值Rp，不表示微凸的平均高度。由此得到的结果是，即使指标Rp大，对有低平均粗糙度如纹理媒体的表面，也不能在磁头与磁盘表面微凸接触的阶段，减小摩擦力，除非高的微凸包含在记录媒体表面大的面积上。由此得到的结果是，指标Rp与悬浮高度稳定性的相关度是低的。
近年来，例如在日本专利申请No.2001-160214中公开的用作表面粗糙度的指标，该指标采用承载曲线中的接触比是0.01％时的高度BH
，与承载曲线中的接触比是50％时的高度BH[50％]之间的差ΔBH
，即ΔBH
＝|BH
-BH[50％]|。在该现有技术中建议，磁盘的差值ΔBH
，应落在0.3nm到6.0nm的范围。
在日本专利公开No.2001-143246中建议，信息记录媒体的基底，在以表面粗糙度接触比50％作为标准高度的条件下，当接触比为0.4％时的表面粗糙度的高度，应落在2.0nm到7.0nm的范围。
但是，把这些技术应用到纹理媒体，上述粗糙度指标仍远远不够，难以获得高的记录密度和高的可靠性。
更详细地说，在上面指出的磁盘中，粗糙度用承载曲线50％面积比的高度定义，以此作为标准。但是，该粗糙度的定义，还附带要注意少数接触比在0.01％或0.4％的微凸的高度，特别是要注意高度不小于5.0nm的高的微凸。然而，在纹理媒体中，最大微凸的高度不大于3.0nm。可以合理地认为，当头部滑块与磁盘表面接触时，磁头表面的微凸被推入头部滑块若干纳米。因此，基本上确定滑块与磁盘表面间粘附性质的因素，是在微凸被推入滑块的高度高达约1.0nm时的接触面积。由此得到的结果是，对高度不小于5.0nm高的微凸的争论，是没有意义的，从而，上面指出的粗糙度指标，对纹理媒体，是不充分的。
上面指出的公开在日本专利公开No.2001-160214的磁盘，覆盖微凸的高度为4.0到6.0nm的情形。但是，为了实现磁盘需要的、不大于10.0nm的悬浮高度，和实现需要的、不低于70GB/英寸2的记录密度，对上面指出的微凸高度获得高的记录密度和高的可靠性，是困难的。
上面指出的公开在日本专利公开No.2001-143246的磁盘，在实施以非常低的磁头悬浮高度进行记录中，至关重要的表面粗糙度，实质上没有定义。

发明内容
本发明已经借鉴上述各种情况，所以本发明的目的，是提供一种能获得高记录密度和高可靠性的磁盘，并提供一种装备该磁盘的磁盘设备。
为了达到该目的，按照本发明一个方面的磁盘，包括基底；形成在该基底上的叠层结构；该叠层结构包括底层膜、磁记录膜、保护膜、及润滑膜；和磁盘表面，该磁盘表面经过纹理处理，使磁性取向沿圆周方向，以便把磁各向异性，沿圆周方向赋予磁盘。根据表面粗糙度承载曲线中的接触比是50％的高度，磁盘表面接触比[BH 1.0nm]在高度不小于1.0nm区域内的值，落在7％到15％的范围内。
按照本发明另一个方面的磁盘设备，包括该磁盘；支承并旋转该磁盘的驱动部分；从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘的磁头，该磁头离磁盘的悬浮高度不大于10.0nm；和支承该磁头的头部悬架组件。
按照上述的磁盘和装备该磁盘的本发明的磁盘设备，接触比[BH 1.0nm]被用作指示磁盘表面粗糙度的指标。接触比[BH 1.0nm]表示在高度不小于1.0nm上的接触比的值，以原子力显微镜(AFM)测量的表面粗糙度承载曲线中，接触比为50％的高度作为标准。
在非常低的悬浮高度区，接触比[BH 1.0nm]与悬浮高度的稳定性有高的相关度。通过控制磁盘表面的粗糙度，使接触比[BH 1.0nm]落在7％到15％的范围，即使在磁头悬浮高度不大于10.0nm那样非常低的悬浮高度情形下，也能够保证悬浮高度的稳定性，同时保持磁盘电磁转换特征的良好性。
按照本发明，用新的指标定义磁盘表面的粗糙度，并在新指标的基础上把表面粗糙度最佳化。因此，本发明提供的磁盘，即使在记录密度不低于70GB/英寸2和磁头悬浮高度不大于10.0nm的情形下，仍有高的可靠性，本发明还提供装备该特殊磁盘的磁盘设备。


与本说明书结合并构成其一部分的附图，目前说明的本发明实施例，连同前面给出的说明和下面给出的更详细说明一起，用于解释本发明的原理。
图1是平面视图，按照本发明的一个实施例，示意画出HDD的结构；图2是侧视图，画出图1所示HDD中包含的磁盘部分的放大图；图3是截面图，按照本发明的一个实施例，示意画出磁盘的结构；图4是用于解释表示磁盘表面粗糙度的指标的图；
图5是截面图，示意画出磁盘使用的TD-TO测试设备的结构；图6是曲线，表明TD-TO测试中压力与AE输出之间的关系；图7是曲线，表明磁盘表面粗糙度与压力，即TD压力和TO压力之间的关系；图8是曲线，表明磁盘表面粗糙度与Δ压力之间的关系；图9是表，表明与磁盘表面粗糙度有关的润滑剂屑粘着现象的有或无；图10是曲线，表明磁盘表面的微凸高度与接触面积比之间的关系；和图11是表，表明TD压力、TO压力、Δ压力、和与磁盘内部圆周部分、中间圆周部分、及外部圆周部分表面粗糙度有关的旋转速度下降的有或无。
具体实施例方式
现在将参照附图，说明按照本发明一个实施例的磁盘和装备该磁盘的硬盘驱动器(HDD)。
如图1所示，HDD包括上部已经打开的矩形盒状外壳12，和用多个螺钉拧紧在外壳12上的顶盖(未画出)，以便封闭外壳12敞开的上部。
安放在外壳12内的有，例如两个各用作记录媒体的磁盘16(图1只画出单个磁盘16)；起驱动部分作用的轴电机18，用于支承并驱动磁盘；多个磁头，用于从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘；支承磁头的托架组件22，以便能使磁头相对于磁盘16移动；用于旋转并使托架组件22精确定位的音圈电机(VCM)；坡道停泊机构(ramp road mechanism)25，当磁头移至磁盘最外侧的圆周时，用于在离开磁盘的后退位置中夹持磁头；和基底单元21，它例如包括为记录、写入信号的读写放大器提供处理电路。
用于控制轴电机18、VCM24、和磁头操作的印刷电路板(未画出)，拧紧在外壳12底板的外侧表面，其间放置基底单元21。
磁记录层形成在每一磁盘16的上表面和下表面。两个磁盘16与轴电机18的轴(未画出)外侧周边啮合，并用夹紧弹簧17固定在轴上。于是，两个磁盘16之间以预定间隙一个叠在另一个之上。这两个磁盘16沿箭头B所指方向，在轴电机18的驱动下，按预定旋转速度，如4200rpm整体地旋转。
托架组件22包括，固定在外壳12底板的滚珠单元26，和从滚珠单元26伸延的多个臂32。这些臂32按预定距离彼此隔开并平行于磁盘16表面，沿相同方向从滚珠单元26伸延。托架组件22包括延长的平板形悬架38，它能作弹性形变。悬架38由片簧形成。每一悬架38的基部，借助点焊或粘结，固定在相应臂32的末端，并且从臂32向外伸延。顺便指出，每一悬架38可以与相应的臂32整体地形成。臂32和悬架38共同形成头部悬架，这样形成的头部悬架与磁头共同形成头部悬架组件。
如图2所示，每一磁头40包括基本上是矩形的滑块42和形成在滑块42边缘表面的读写头部分44。特殊结构的磁头40，固定在平衡簧41上，该平衡簧41安装在悬架38末端部分。指向磁盘16表面的头部负荷L，通过悬架38的弹性，加在每一磁头40上。在HDD工作时，磁头40相对于磁盘16的悬浮高度设定为10.0nm或更小。
如图1所示，托架组件22包括支承架45，从滚珠单元26沿臂32伸延方向的相反方向伸延。构成VCM24一部分的音圈47，由支承架45支承。支承架45用合成树脂整体地形成在音圈47外侧圆周表面。音圈47放在一对固定于外壳12的磁轭49之间，并与这两个磁轭49及固定在该两个磁轭49之一的磁铁(未画出)一起，构成VCM24。当电流被送进音圈47时，托架组件22绕滚珠单元26旋转，结果是磁头40被移至并精确定位在磁盘16需要的磁道上。
坡道停泊机构25包括形成在外壳12底板上并安排在磁盘16外侧的坡道51、和从每一悬架38末端伸出的槽池(tub)53。当托架组件22旋转至磁盘16外侧的后退位置时，每一槽池(tub)53与形成在坡道51上的坡道表面啮合，然后被坡道表面的斜面向上拉，以便执行磁头的卸荷操作。
现在详细说明包括在HDD中的磁盘16。
如图3所示，磁盘16包括厚度为0.5mm、直径为1.8英寸的结晶玻璃基底，作为基底50。基底50表面用含氧化铈的磨料稀浆进行抛光处理。纹理处理用美国EDC生产的“1800CP”作为处理设备，对基底50表面用钻石稀浆沿圆周方向实施处理。结果得到成为所谓“纹理媒体”的磁盘16。
用溅射处理方法，在每一基底50表面形成多层膜。具体说，由CrTi制成的第一层底膜52和由Cr系合金制成的第二层底膜，厚度共10.0nm，相继地形成在每一基底50表面。叠层结构包括厚2nm的CoCrPtB合金制成的稳定膜56，厚1nm的Ru制成的中间膜58，厚5.0nm的CoCrPtB合金制成的磁记录膜60，和厚3.0nm的碳制成的保护膜62形成在第二层底膜54上。以例如含全氟聚醚为主要成分的润滑剂涂敷保护膜62，以便在保护膜62上形成厚1.7nm的润滑膜64。
确定有上述结构的磁盘16的表面粗糙度，落在新指标定义的预定范围之内。更准确地说，每一磁盘16表面粗糙度的确定，是通过原子力显微镜(AFM)，测量表面粗糙度承载曲线(bearing curve)，根据接触比是50％的高度，在高度不小于1.0nm的区域中接触比[BH 1.0nm]的值落在7％到15％的范围内。如图4所示，形成的每一磁盘16表面有如下性质在平行磁盘16表面的截面中，盘表面的微凸和微凹的截面面积，占磁盘整个截面50％的截面的高度位置，被用作中心线，并且，位于离中心线的高度不小于1.0nm的截面面积，落在测量范围(10μm×10μm)面积的7％到15％的范围内。
磁盘表面上的微凸高度是低的，即约3.0nm，且当磁盘与磁头接触时，微凸被推入磁盘若干纳米。情况既然如此，那么上述指标建立的基础是，当微凸被推入磁盘1.0nm时，磁头滑块与磁盘间的粘附性质，主要由滑块与磁盘表面的接触面积确定。
磁盘16表面的形状，除了例如机械处理或化学表面处理外，还通过对基底50表面施行纹理处理获得(沿圆周方向形成槽)，以便把磁性各向异性赋予磁盘16。基底50可以用，例如硅酸铝、非晶玻璃如碱石灰、结晶玻璃如硅酸锂、或铝合金制成，虽然基底50的材料，不受特殊限制，只要能形成上面指出的特定形状。但是，应当指出，因为结晶玻璃在微凸的末端有较大曲率半径，所以微凸在纹理处理后，有保持不不变的趋势，因此粗糙度易于控制。情况既然如此，基底50最好由结晶玻璃形成。在使用结晶玻璃的情形中，基底表面的粗糙度随结晶温度，抛光条件，和纹理条件变化，抛光条件如使用的稀浆类型、抛光布类型、处理压力、和处理时间，纹理条件如使用的稀浆类型、使用的处理布带类型、处理的负荷、和处理时间。在基底50表面上形成膜后，磁盘的表面粗糙度随材料及底层厚度、和布带擦饰条件(tape varnish condition)变化。
本发明已经制造了各种彼此不同的磁盘样本，进行了表面粗糙度([BH 1.0nm]约4％到20％)比较测试。通过改变结晶基底的抛光条件和纹理处理条件，如使用的稀浆类型，处理时的负荷和处理时间，使这些样本的表面粗糙度各不相同。在进行比较测试时，用原子力显微镜测量磁盘表面的形状，测量范围设定在10μm×10μm，扫描线数设定为256。在对承载曲线进行算术计算前，测量数据经过滤波器处理简单拟合(filterprocessing plain fit)(阶＝1，X、Y方向)和平坦化(阶＝0)。
为了评价磁盘的粘附性质，对每一样本进行TD-TO测试。如图5所示，用于TD-TO测试的设备包括室70。抽气泵72与室70相连，以便把室70内气压降低到约0.3大气压。室70内放有台74，轴电机75和支柱76放在台74上。用作样本的磁盘80，由轴电机75支承，以便按例如4200rpm的转速旋转。臂77和悬架78安装在支柱76上，待测试的磁头82支承在悬架78的末端。用于检测磁头82与磁盘80接触度的声发射(AE)传感器84，安装在臂77上，该AE传感器84与示波器85连接。
在进行TD-TO测试中，磁盘80安装在轴电机75上，以便以4200rpm旋转。在该状态下，室70内的压力逐渐下降，以降低磁头82相对于磁盘80表面的悬浮高度。在磁头82悬浮高度降低的同时，用示波器85监测AE传感器84的输出。如图6所示，当室70内压力降低至某一水平时，AE传感器84的输出迅速增加。这一现象表明，磁头已经与磁盘表面接触。在该阶段的压力构成着陆(TD)压力A。
与此相反，如果室70内压力在第二阶段增加，AE输出保持大的值，直至压力增加到某一水平，AE输出突然下降至噪声水平。这表明已经使磁头再次离开磁盘表面悬浮。该阶段的压力构成脱离(TO)压力B。还有，TO压力B与TD压力A之差，即B-A，构成Δ压力C。测量TD压力A、TO压力B、和Δ压力C称为TD-TO测试。
在多个样本上进行了TD-TO测试。已经明确，Δ压力C指出磁盘粘附性质，并且，磁盘中的TO压力超过0.7大气压，吸附问题倾向于在0.7大气压时产生，该0.7大气压是在实际磁盘设备中指定的。
在上述情况下，为了使磁盘表面粗糙度优化，已经用以上所述各种样本盘和悬浮高度不大于10.0nm的磁头，进行了类似于如上所述的TD-TO测试。图7曲线表明，压力，即TD压力和TO压力与[BH 1.0nm]之间的关系。此外，图8曲线表明[BH 1.0nm]与Δ压力C之间的关系。
从图7易见，为了使TO压力不高于包括非一致性数据的0.7大气压，[BH 1.0nm]必须不小于7％。如果[BH 1.0nm]小于7％，那么即使降低磁盘表面粗糙度，TD压力也不降低。从图8易见，Δ压力C迅速增加。换句话说，粘附性质增加。结果是，产生即使压力在0.7大气压上磁头也不从磁盘表面悬浮的现象。按此方式，如果[BH 1.0nm]小于7％，即为了增加粘附性质而使磁盘表面过度平坦，则导致当磁头与磁盘接触时产生的摩擦力迅速增加。结果，磁头发生振动，使读写不稳定。另外，在某些情况下，磁头与磁盘会破裂。
如上所述，即使在非常小的悬浮高度下，即10.0nm的磁头悬浮高度下，通过把作为磁盘表面粗糙度的[BH 1.0nm]，设定在不小于7％的值上，则能够在0.7大气压的降低压力下，保证磁头悬浮高度的稳定性。
下面，为了观察磁头的润滑剂屑粘着现象(pick-up phenomenon oflubricant)，这是在磁盘表面粗糙度大的情形中，令人担心的问题，为此进行如下的加载和卸载测试。在上述的TD-TO测试中，制备多个磁盘样本，大小都是2.5英寸，并各有不同的[BH 1.0nm]值。每一磁盘放进以10,000rpm的转速旋转的磁盘设备中，并重复地把磁头加载在磁盘表面和从磁盘表面卸载。测试是在温度70℃和相对湿度80％下进行的，加载和卸载周期进行500,000次。然后，拆下磁盘设备，观察磁头的润滑剂附着物。
图9是表，表明加载和卸载测试的结果。从图9易见，润滑剂屑粘着现象可从[BH 1.0nm]大于15％的情形中观察到。可以合理地认为，随着磁头与磁盘接触频率的增加，势必产生润滑剂屑粘着现象。润滑剂屑粘着现象的产生，还表明静电击穿势必导致容易产生热凸起和磁头击穿。如果[BH 1.0nm]值大于15％，使磁盘表明粗糙，随之而来的结果，是难以缩减磁头与磁盘之间的间隔。由此产生的结果是，难以达到超过70GB/英寸2的高的记录密度，且不能保证磁盘和磁头设备的可靠性。
在此情况下，控制磁盘表面粗糙度，使[BH 1.0nm]值落在7％到15％的范围，如图10所示，甚至在磁头悬浮高度不大于10.0nm的非常低的悬浮高度的情形，也能够保证不低于70GB/英寸2的高的记录密度，和磁头悬浮高度的稳定性，同时保持磁盘良好电磁转换特征。
盘表面微凸高度的中心线与微凸最大高度之间的差值Rp，是对[BH1.0nm]值落在7％到15％范围内的磁盘测量的，该微凸最大高度就是能够从表示磁盘表面粗糙度的曲线获得的微凸最大高度。发现差值Rp落在2.0nm到3.9nm的范围内。磁盘的粘附性质与Rp值的相关度是低的。因此，与磁盘表面粗糙度的下限无关。但是，为了保证磁盘的可靠性，对磁盘表面粗糙度的上限，Rp值最好不大于4.0nm。如果Rp值大于4.0nm，磁盘间隔被增大，诸如热凸起和润滑剂屑粘着现象势必容易产生。
假定磁盘的数据记录区沿半径方向分为三部分，以便形成内部圆周部分、中间圆周部分、和外部圆周部分。中间圆周部分半径在2.5英寸盘中约22mm，在1.8英寸盘中约16mm。内部圆周区半径在2.5英寸盘中约15mm或更小，在1.8英寸盘中约11mm或更小。外部圆周区半径在2.5英寸盘中是29mm或更大，在1.8英寸盘中是21mm或更大。当磁盘有较高粘附性质，使中间圆周部分盘表面的[BH 1.0nm]值不大于10％时，在内部圆周部分和外部圆周部分盘表面的[BH 1.0nm]值，最好等于或大于中间圆周部分的值。
在磁盘的内部圆周部分，受夹紧簧的影响，磁盘趋于形变，于是增加磁头与磁盘间的接触频率，从而对吸附的测量更为困难。因为粘附性质高，所以产生大的摩擦力，在有大转矩的磁盘外部圆周部分产生旋转速度下降的现象。如果磁盘转速下降，磁头的悬浮高度也下降，于是进一步削弱悬浮高度的稳定性。
前面所述TD-TO测试，是在制备的多个表面形状各不相同的1.8英寸磁盘上进行的。具体说，制备的磁盘的[BH 1.0nm]值，在盘表面不大于10.0％。一种包括内部圆周部分和外部圆周部分表面粗糙度彼此不同的磁盘，而另一种包括内部圆周部分和外部圆周部分表面粗糙度基本上相同的磁盘。图11是实验数据表。
在表上，按照本发明一个实施例的磁盘中，即使在例如磁盘产生形变的影响下，TD压力增加，但内部圆周部分的表面粗糙废相对大于中间圆周部分，在内部圆周部分和外部圆周部分每一部分中的TO压力，基本上保持与中间圆周部分相等。但是，在表上，在对比例子1的磁盘中，内部圆周部分的表面粗糙度相对地小，施予内部圆周部分的TO压力高于中间圆周部分的TO压力。结果是，磁头悬浮稳定性中的余量降低了。
如果像对比例子2的磁盘那样，磁盘外部圆周部分表面粗糙度较小，磁盘的旋转速度降低，以便迅速增加TO压力。在[BH 1.0nm]值不小于7％的磁盘中，旋转速度没有降低。但是，从对比例子1易见，磁盘外部圆周部分的TO压力高于中间圆周部分和磁盘内部圆周部分。情况既然如此，磁盘外部圆周部分的表面粗糙度，以大为好。
如上所述，通过使磁盘内部圆周部分表面粗糙度大于，或至少等于磁盘中间圆周部分，或者，通过使磁盘外部圆周部分表面粗糙度大于，或至少等于磁盘中间圆周部分，能够在整个磁盘区域上，保证磁头满意的悬浮高度的稳定性。
把上述结构的磁盘装入图1所示的磁盘设备中，以便在0.7大气压的降低压力的环境下，对整个磁盘区域进行随机寻道测试。测量的是磁盘设备在24小时后性能的改变(即在整个磁盘区上读/写需要的时间)。磁头40的悬浮高度不大于10.0nm。结果是，没有发现性能变劣，所以能够获得不低于70GB/英寸2的高记录密度和高可靠性的磁盘设备。
本发明不受上述实施例的限制。可以在实际使本发明起作用的本发明的技术范围内，修改本发明的结构因素。同样，通过适当组合公开在上述实施例中的多个结构因素，可以获得各种发明。例如，可以在上述公开的实施例的整个结构中，删除某些结构。此外，可以适当组合本发明不同实施例中包含的结构因素。
例如，在本发明的磁盘中，底膜、中间膜、润滑膜、等等的材料、厚度、等等，不受上述给出的那些实施例的限制。能够按需要，在本发明中适当选择上面指出的材料等等。还有，按照上述本发明的实施例，在磁盘设备中使用两个磁盘。但是，可以按需要，适当增加或减少用于磁盘设备的磁盘数。
权利要求
1.一种磁盘，其特征在于包括基底；形成在该基底上的叠层结构，该叠层结构包括底层膜、磁记录膜、保护膜、以及润滑膜；和磁盘表面，该磁盘表面经过纹理处理使磁性取向沿圆周方向，以便把磁各向异性沿圆周方向赋予磁盘；根据表面粗糙度承载曲线中的接触比是50％的高度，磁盘表面接触比[BH 1.0nm]在高度不小于1.0nm区域内的值落在7％到15％的范围内。
2.按照权利要求1的磁盘，其特征在于，磁盘表面最大微凸高度是4.0nm或更小，这是从表面粗糙度曲线获得的。
3.按照权利要求1或2的磁盘，其特征在于，在盘表面内部圆周部分接触比[BH 1.0nm]的值不小于盘表面中间圆周部分接触比[BH 1.0nm]的值。
4.按照权利要求1或2的磁盘，其特征在于，在盘表面外部圆周部分接触比[BH 1.0nm]的值不小于盘表面中间圆周部分接触比[BH 1.0nm]的值。
5.一种磁盘设备，其特征在于包括按照权利要求1或2的磁盘；支承并旋转该磁盘的驱动部分；从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘的磁头，该磁头离磁盘的悬浮高度不大于10.0nm；和支承该磁头的头部悬架组件。
6.一种磁盘设备，其特征在于包括按照权利要求3的磁盘；支承并旋转该磁盘的驱动部分；从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘的磁头，该磁头离磁盘的悬浮高度不大于10.0nm；和支承该磁头的头部悬架组件。
7.一种磁盘设备，其特征在于包括按照权利要求4的磁盘；支承并旋转该磁盘的驱动部分；从磁盘中读出信息和把信息写入磁盘的磁头，该磁头离磁盘的悬浮高度不大于10.0nm；和支承该磁头的头部悬架组件。
全文摘要
使磁性取向沿圆周方向的纹理处理，应用到基底(50)上，以便把磁性各向异性，沿圆周方向赋予磁盘。底层膜、磁记录膜(60)、保护膜(62)、和润滑膜(64)，一层一层地层叠在基底表面。根据表面粗糙度承载曲线中的接触比是50％的高度，磁盘表面接触比[BH 1.0nm]在高度不小于1.0nm区域内的值，落在7％到15％的范围内。
文档编号G11B5/00GK1591576SQ20041005797
公开日2005年3月9日 申请日期2004年8月27日 优先权日2003年8月29日
发明者园田幸司, 加藤顺也, 福岛正人, 松村有希久 申请人:株式会社东芝, 昭和电工株式会社