专利名称：倾斜检测装置,光盘装置和倾斜控制方法
本申请系申请号为CN99801607.1，申请日为1999.7.13，申请人为松下电器产业株式会社，并且题为《倾斜检测装置，光盘装置和倾斜控制方法》的分案申请。上述在先申请要求如下优先权①在先申请日为1998.9.14，在先申请号为JP 259904/1998，以及②在先申请日为1998.12.22，在先申请号为JP 364549/1998，所述优先权的在先申请国均为日本。上述在先申请为PCT申请，其国际申请号为PCT/JP99/03761，国际申请日为1999.7.13，并于2000.3.23以国际公布号WO00/16321由国际局公开。该PCT申请进入中国国家阶段的日期为2000.5.16。
本发明涉及一种把激光照射在光盘媒体上而存储信息的光盘，及其光盘装置。
近年来，光盘装置作为存储和复制大量信息的装置已有很大的发展，实现高密度存储的设备也得到采用。这些方法中之一是利用双向晶体的相位变化型—非晶态变化的光盘装置。
在相位变化型光盘装置中，通过利用两个能量装置将半导体激光照射在光盘媒体上，使标记(非晶质部分)和这些标记之间的间隙(结晶部分)都形成于一个光盘媒体上，所述两个能量装置一个是峰值功率装置，用于提供结晶区的非晶质，另一个是偏置功率装置，用于结晶非晶质区。
脊/槽录音技术即为将这些标记和间隔以轨迹形式记录在唱盘上导槽的脊区和槽区。
为了提高光盘的准确性，必须在光盘上存储和重放高质量的信号。如果光盘的记录表面相对光束的光轴存在倾斜(倾角)，则光斑发生偏差，变得难于在光盘上记录和重放高质量的信号。因此，为了把信号记录到光盘上和从其上重放信号，必须精确地检测上述倾角，并修正这种倾角。
现有的修正倾斜的方法是利用图2所示的倾斜装置。
图2中的标号201为光盘；标号202是光头，它将光束聚焦在所述光盘上；标号203是倾斜平台；标号204是信号计算电路；标号205表示聚焦控制机构，用以控制光盘表面上光斑的聚焦位置；标号206表示跟踪控制机构，用以控制光斑关于磁迹的位置；标号207是对照射光的倾斜传感器，用以检测光盘信号关于上述光束的光轴在光盘上的偏差，接收光盘的反射光并检测光盘记录表面关于所述光束光轴的倾斜；标号208表示倾斜控制机构，用于通过根据所述倾斜传感器测得的值倾斜上述倾斜平台，以控制上述光盘的记录表面关于所述光束光轴的倾斜。
图3表示在普通光盘装置中在光盘的内部周圆和外部周圆处修正倾斜位置情况的曲线。
但在现有的制品中，由于如图2所示的倾斜传感器和倾斜控制机构被用于检测光盘的倾斜位置，为了修正光盘记录表面关于光束光轴的倾斜，就必须设置用于检测倾角的倾斜传感器207，它与光头202是分开的。光头和倾斜传感器这两个光学系统的结合造成光学装置较为复杂，增大了装置所占的空间，并导致成本提高。此外，必须调节光头和倾斜传感器这两个光学系统的光轴，因而使调节工作变得较为复杂，在倾斜传感器与光盘记录表面关于所述光束光轴的倾斜(倾角)之间容易发生误差，致使难于精确地检测这种倾角。
本发明克服了上述所有的问题，其目的在于，通过按由倾斜检测机构测得的值为一适当值的方式修正光盘在其内部周圆、中部周圆及外部周圆径向位置处关于光束光轴的倾斜，提高光斑的质量，改善记录与重放的特性。为了解决上述问题，本发明包括以下几方面本发明的第一方面对应于方法(1)的实施例。
第一方面涉及一种倾斜检测装置，用以检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和所形成的第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得该第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙(two-split)光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行的方向分开的第一光探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过差值信号输出检测光盘记录表面关于所述光束光轴的倾斜，所述差值信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述连续磁迹的反射光情况下，来自所述第一和第二光探测元件的信号间的差。
因而，通过由预先记录在光盘上的凹坑检测倾角，它能提高记录和重放的过程中的信号质量，而无需与记录和重放信号的光学系统分开设置检测倾角的光学系统。因此，这具有减小装置整体尺寸及降低成本的效果。
本发明的第二方面对应于方法(4)的实施例。
第二方面涉及一种倾斜检测装置，用于检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得该第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行的方向分开的第一光探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过比较第一求和信号与第二求和信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第二求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和。
本发明的第三方面对应于方法(4)的实施例，特别对应于图21A，21B和21C表示的低值信号。
第三方面涉及根据本发明第二方面的倾斜检测装置，其中所述倾斜检测机构比较第一求和信号的包络信号的低值绝对值与第二求和信号的包络信号的低值绝对值。
本发明的第四方面对应于方法(4)的实施例，特别对应于图21A，21B和21C表示的高值信号。
第四方面涉及根据本发明第二方面的倾斜检测装置，其中所述倾斜检测机构比较第一求和信号的包络信号的高值绝对值与第二求和信号的包络信号的高值绝对值。
本发明的第五方面对应于方法(4)的实施例，特别对应于图21A，21B和21C表示的幅值信号。
第五方面涉及根据本发明第二方面的倾斜检测装置，其中所述倾斜检测机构比较第一求和信号的幅值与第二求和信号的幅值。
本发明的第六方面对应于方法(5)的实施例。
第六方面涉及一种倾斜检测装置，用于检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得该第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行的方向分开的第一光探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过比较第一差值信号与第二差值信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一差值信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号间的差，所述第二差值信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的差。
本发明的第七方面对应于方法(5)的实施例，特别对应于图22A，22B和22C表示的低值信号。
第七方面涉及根据本发明第六方面的倾斜检测装置，其中所述倾斜检测机构比较第一差值信号包络的高值绝对值与第二差值信号包络的高值绝对值。
本发明的第八方面对应于方法(5)的实施例，特别对应于图22A，22B和22C表示的幅值信号。
第八方面涉及根据本发明第六方面的倾斜检测装置，其中所述倾斜检测机构比较第一差值信号的幅值与第二差值信号的幅值。
本发明的第九方面对应于偏离磁迹检测的实施例。
第九方面是本发明的倾斜检测装置，还包括偏离磁迹检测机构，用于通过比较第三求和信号与第四求和信号，输出一个偏移量，表示磁迹中心与光斑中心间偏移的量，所述第三求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第四求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述偏移量被加给所述跟踪控制机构。
本发明的第十方面对应于所述偏移凹坑间的间隔的实施例。
第十方面是本发明的倾斜检测装置，其中按重复的连续方式提供第一种偏移凹坑，并与第一种偏移凹坑接续地按重复的连续方式提供第二种偏移凹坑。
本发明的第十一方面对应于偏移凹坑间的间隔较小(图8)情况的实施例。
第十一方面是本发明第十方面的倾斜检测装置，其中间隔Ls表示第一种偏移凹坑按该间隔被重复，使得Lp＜Ls＜2Lp，这里的Lp是凹坑长度。
本发明的第十二方面对应于偏移凹坑间的间隔较大(图9)情况的实施例。
第十二方面是本发明第十方面的倾斜检测装置，其中间隔Ls表示第一种偏移凹坑按该间隔被重复，使得20Lp＜Ls，这里的Lp是凹坑长度。
本发明的第十三方面对应于方法(3)的实施例。
第十三方面涉及一种倾斜检测装置，用以检测具有按包含周期性摆动方式形成之磁迹的光盘的记录表面的倾斜，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；光探测器，用于接收从所述光盘反射的光；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于根据在由所述光探测器接收上述摆动的磁迹反射的光的情况下输出的摆动信号检测光盘记录表面的倾斜。
本发明的第十四方面对应于方法(2)的实施例。
第十四方面涉及一种倾斜检测装置，用以检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；光探测器，用于接收从所述光盘反射的光；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于根据在由所述光探测器接收从磁迹反射的光的情况下的跟踪误差信号输出的幅值检测光盘记录表面的倾斜，关断所设置的跟踪控制机构，使光斑越过各磁迹。
本发明的第十五方面对应于
图10的实施例。
第十五方面是关于本发明的倾斜检测装置，在光盘的内部周圆区、中部周圆区和外部周圆区进行倾斜检测和倾斜值的取样。从而能够精确地检测倾角，而与光盘上的径向位置无关，因此可使记录和重放过程中的信号质量得到提高。
本发明的第十六方面对应于图10的实施例。
如果所述倾斜检测机构的输出为规定的值或大于该值，实行倾斜值的修正。
本发明的第十七方面对应于方法(1)的实施例。
第十七方面涉及一种光盘装置，用于检测和修正光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过差值信号输出检测光盘记录表面关于所述光束光轴的倾斜，所述差值信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述连续磁迹的反射光情况下，来自第一和第二光探测元件信号间的差；倾角修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
本发明的第十八方面对应于方法(4)的实施例。
第十八方面涉及一种光盘装置，用于检测和修正光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过比较第一求和信号与第二求和信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第二求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和；倾角修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
本发明的第十九方面对应于方法(5)的实施例。
第十九方面涉及一种光盘装置，用于检测和修正光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于通过比较第一差值信号与第二差值信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一差值信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下，从第一和第二光探测元件输出信号间的差，所述第二求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号间的差；
倾角修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
本发明的第二十方面对应于方法(3)的实施例。
第二十方面涉及一种光盘装置，用以检测和修正具有按包含周期性摆动方式形成之磁迹的光盘的记录表面的倾斜，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；光探测器，用于接收从所述光盘反射的光；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于根据在由所述光探测器接收上述摆动的磁迹反射的光的情况下输出的摆动信号幅值检测光盘记录表面的倾斜。
倾角修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
本发明的第二十一方面对应于方法(2)的实施例。
第二十一方面涉及一种光盘装置，用于检测和修正光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；光探测器，用于接收从所述光盘反射的光；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；倾斜检测机构，用于根据在由所述光探测器接收从一条磁迹反射的光的情况下输出的跟踪误差信号的幅值检测光盘记录表面的倾斜，关断所设置的跟踪控制机构，使光斑越过各磁迹；倾角修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
本发明的第二十二方面对应于方法(1)的实施例。
第二十二方面涉及一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤
将光斑聚焦在所述光盘上；由光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；由差值信号检测光盘记录表面关于所述光束光轴的倾斜，所述差值信号表示在接收所述连续磁迹反射的光的情况下来自所述第一和第二光探测元件的信号间的差。
本发明的第二十三方面对应于方法(4)的实施例。
第二十三方面涉及一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；由光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；通过比较第一求和信号与第二求和信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一求和信号表示在接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第二求和信号表示在接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和。
本发明的第二十四方面对应于方法(5)的实施例。
第二十四方面涉及一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；由光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；
通过比较第一差值信号与第二差值信号检测光盘记录表面的倾斜，所述第一差值信号表示在接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下，从第一和第二光探测元件输出信号间的差，所述第二差值信号表示在接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下，从第一和第二光探测元件输出信号间的差。
本发明的第二十五方面对应于方法(3)的实施例。
第二十五方面涉及一种用于检测具有按包含周期性摆动方式形成之磁迹的光盘的记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；接收从所述光盘反射的光；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；根据在由所述光探测器接收从上述摆动磁迹反射的光的情况下输出的摆动信号的幅值检测光盘记录表面的倾斜。
本发明的第二十六方面对应于方法(2)的实施例。
第二十六方面涉及一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；接收从所述光盘反射的光；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；根据在由接收从磁迹反射的光的情况下输出的跟踪误差信号的幅值检测光盘记录表面的倾斜，关断所设置的跟踪控制机构，使光斑越过各磁迹。
本发明的第二十七方面对应于图26和图27A，27B，27C和27D的实施例。
第二十七方面涉及本发明的一种倾斜检测装置，它还包括偏离磁迹检测机构，在由一个四隙光探测器接收自第一和第二种偏移凹坑反射的光的情况下，此检测机构通过从该四隙光探测器输出之对角线求和信号比较与第一和第二种偏移凹坑对应的各输出值的位相表示跟踪控制的偏移量，所述偏移量被加给所述跟踪控制机构。
本发明的第二十八方面对应于图26和图27A，27B，27C和27D的实施例。
第二十八方面涉及一种光盘装置，它包括光头，用于通过将光斑聚焦在具有磁迹的光盘上记录和重放信号；聚焦控制机构，用于控制所述光斑在光盘表面上的焦点位置；跟踪控制机构，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；四隙光探测器，用于接收自所述光盘反射的光，所述光探测器具有四个以垂直分线分开的光接收表面；计算电路，用于产生由所述四隙光探测器的输出生成的聚焦误差信号；由所述四隙光探测器的输出生成的跟踪误差信号；由所述四隙光探测器的输出生成的总和信号；由两个对角线求和信号生成的偏离磁迹检测信号，所述每个对角求和线信号表示在所述四隙光探测器中两个按对角线对置的光探测元件的总和输出；偏离磁迹检测机构，用于由所述计算电路生成的偏离磁迹检测信号检测磁迹偏离的量；偏离磁迹控制机构，用于从所述偏离磁迹检测机构测得的检测值修正所述光斑的偏离磁迹的位置。
本发明的第二十九方面对应于图26和图27A，27B，27C和27D的实施例。
第二十九方面涉及关于本发明第二十八方面的一种光盘装置，其中在通过第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑时，从所述光头重放的重放信号检测由偏离磁迹检测机构测得的检测值，所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧。
本发明的第三十方面对应于图26和图27A，27B，27C和27D的实施例。
第三十方面涉及一种有关光盘的偏离磁迹检测方法，它包括以下步骤通过将光斑聚焦在具有磁迹的光盘上记录和重放信号；
控制所述光斑在光盘表面上的焦点位置，以控制聚焦；实行跟踪控制，以控制所述光斑关于磁迹的位置；由四隙光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器具有四个以垂直分线分开的光接收表面；实行计算，为了生成由所述四隙光探测器的输出生成的聚焦误差信号；由所述四隙光探测器的输出生成的跟踪误差信号；由所述四隙光探测器的输出生成的总和信号；由两个对角线求和信号生成的偏离磁迹检测信号，所述每个对角求和线信号表示在所述四隙光探测器中两个按对角线对置的光探测元件的求和输出；从所述计算步骤生成的偏离磁迹检测信号检测磁迹偏离的量；控制偏离磁迹，用以从所述偏离磁迹检测步骤测得的检测值修正所述光斑的磁迹偏离位置。
本发明的第三十一方面对应于图26和图27A，27B，27C和27D的实施例。
第三十一方面涉及有关本发明第三十方面的一种光盘装置，其中在通过第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑时，从所述光头重放的重放信号检测由所述偏离磁迹检测步骤测得的检测值，所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑分别从一条磁迹的中心被偏移到该磁迹的第一侧和第二侧。
图1是本发明第一实施例光盘装置的结构示意图；图2是现有技术光盘装置的结构示意图；图3是表示现有技术关于光盘的倾斜修正方法的示意图；图4是描述本发明第一实施例光盘装置中记录和重放的示意图；图5是本发明第一实施例光盘装置的结构示意图；图6是描述本发明第一实施例光盘装置中R倾斜的示意图；图7是描述本发明第一实施例光盘装置中T倾斜的示意图；图8是本发明第一实施例光盘的结构示意图；图9是本发明第一实施例光盘的结构示意图；图10是表示本发明第一实施例中径向位置与R倾斜之间关系的曲线；
图11是描述本发明第一实施例中R倾斜与推挽TE信号之间关系的曲线；图12是描述本发明第一实施例中R倾斜与推挽TE信号的幅值之间关系的曲线；图13是描述本发明第一实施例中R倾斜与摆动信号的幅值之间关系的曲线；图14是描述本发明第一实施例中R倾斜与所形成的重复凹坑序列的各求和信号的低值信号差之间关系的曲线；图15是描述本发明第一实施例中R倾斜与差值信号幅值跟重复的重复凹坑序列的的差之间关系的曲线；图16是描述本发明第一实施例中在存在磁迹偏离情况下R倾斜与差值信号幅值跟重复的重复凹坑序列的的差之间关系的曲线；图17是描述本发明第一实施例中R倾斜与求和信号跟孤立的凹坑的低值信号差之间关系的曲线；图18A，18B和18C是描述本发明第一实施例中R倾斜与推挽TE信号之间关系的示意图；图19A，19B和19C是描述本发明第一实施例中R倾斜与推挽TE信号幅值之间关系的示意图；图20A，20B和20C是描述本发明第一实施例中R倾斜与摆动信号幅值之间关系的示意图；图21A，21B和21C是描述本发明第一实施例中R倾斜与重复的重复凹坑序列的求和信号输出之间关系的示意图；图22A，22B和22C是描述本发明第一实施例中R倾斜与重复的重复凹坑序列的差值信号输出之间关系的示意图；图23是描述本发明第一实施例中差值信号的示意图；图24是本发明第一实施例光盘的结构示意图；图25A，25B和25C是描述本发明第一实施例中偏离磁迹与重复的重复凹坑序列的求和信号输出之间关系的示意图；图26是描述本发明第一实施例的偏离磁迹检测方法的示意图；图27A，27B，27C和27D是描述本发明第一实施例位相差信号的示意图；图28A，28B和28C是描述本发明第一实施例的偏离磁迹检测方法的示意图；图29是表示本发明第一实施例中关于R倾斜的磁迹偏离误差的模拟结果的示意图。
以下参照附图描述本发明的第一实施例。图1是按照本实施例一种光盘装置的结构图。
图1中的参考标号101为一光盘；标号102是将光束聚焦在光盘上的光头；标号100是四隙光探测器；标号103是倾斜平台；标号104是信号计算电路；标号105表示聚焦控制机构，用于控制光盘表面上光斑的焦点位置；标号106表示跟踪控制机构，用于控制光斑关于磁迹的位置；标号107是照射光的倾斜传感器，用以检测光盘上的光盘信号关于上述所接收的光盘反射光的光束光轴的倾斜，并且检测光盘记录表面关于上述光束光轴的倾斜；标号108表示倾斜控制机构，用以通过按照上述倾斜传感器检测到的值倾斜上述倾斜平台，控制上述光盘的记录表面关于上述光束光轴的倾斜；标号110是偏离磁迹检测部分，而标号111是偏离磁迹控制部分。如果认为四隙光探测器中的a和d是一个整体单元，类似地认为b和c也是一个整体单元，则可将该光探测器看成是一个被分成与磁迹方向平行的两部分的二隙光探测器。
接下去描述记录和重放工作过程。
由光头102引向光盘101的光斑被聚焦控制部分105聚焦在光盘101上，并由跟踪控制部分106使光斑追踪至在所需的光盘101的径向位置处所需的跟踪位置。通过重现光盘上的成波浪形的凹坑读取光盘上存储的数据，或者在相位变化型光盘的情况下，利用按前述方式聚焦和追踪的光斑读取具有不同反射率的较密和较亮的标记。
以下参照图4描述记录操作。
在相位变化型光盘中，通过在两种功率下将半导体激光照射在光盘媒体上，使标记(非晶质部分)404和位于这些变化之间的间隙(结晶部分)405被形成在一个光盘上，所述两种功率一为峰值功率401，用于提供结晶区的非晶质，另一为偏置功率402，用于结晶非晶质区。
在重放过程中，由于所述标记和间隙的反射不同，因此通过利用比上述峰值功率401低的重放功率403或利用偏置功率402读取这些不同的反射，来读出所存储的信号。
以下参照图5描述倾斜。
如图5所示，连接光盘501中心和来自光头502被聚焦在光盘501上的光斑的直线被称为径向(R向)504，而把在光盘501平面内垂直于上述径向504的方向称为切向(T向)505。垂直于光盘501平面的方向被称为Z轴方向506。
当以方向区分时，倾斜包括沿与磁迹正交方向的径向倾斜和沿与磁迹平行方向的切向倾斜。
下面参照图6描述径向倾斜(R倾斜)。
图6中的标号601是光盘，标号602是光头，而标号603是倾斜平台。径向倾斜(R倾斜)包括光盘的R倾斜604，这是由于光盘的翘曲或者由光盘的旋转造成的表面不对称产生的，还有基于光盘601记录表面关于光束光轴倾斜的驱动R倾斜，所述记录表面的倾斜是由光头的不正确安装或倾斜平台的倾斜所造成的。特别将光盘的R倾斜和驱动R倾斜统称为R倾斜，而不再区分。
以下参照图7描述切向倾斜(T倾斜)。
图7中的标号701是光盘，标号702是光头，而标号703是倾斜平台。切向倾斜(T倾斜)包括光盘的T倾斜704，这是由于光盘转动时的摆动、光盘表面精度误差等引起的，还有基于光盘701记录表面关于光束光轴倾斜的驱动T倾斜705，所述记录表面的倾斜是由光头的不正确安装或倾斜平台的倾斜所造成的。特别将光盘的T倾斜和驱动T倾斜统称为T倾斜，而不再区分。
接下去描述一种检测R倾斜的方法。图1中的倾斜检测部分107测得的信号如下(1)一种方法是沿着磁迹情况，换句话说即光束沿磁迹运行的情况下，由二隙光探测器检测差值信号(推挽TE)的电压，该二隙光探测器接收由光盘上预先形成的导槽衍射的光。
(2)一种方法是跟踪偏离情况，换句话说即光束沿与磁迹垂直的方向运行的情况下，由二隙光探测器检测差值信号(推挽TE)的幅值，该二隙光探测器接收由光盘上预先形成的导槽衍射的光。
(3)一种方法是沿着磁迹情况下，由光盘上预先形成的导槽检测“摆动”信号的幅值，这些预先形成的导槽使光盘包含周期性的偏离(“摆动”)。
(4)一种方法是沿着磁迹情况下，在重放光盘上预先形成的连续的锯齿形凹坑的情况下，在作为二隙光探测器输出的重放信号的前半部分和后半部分比较所述幅值或低值信号(下包络)或高值信号(上包络)。
(5)一种方法是沿着磁迹情况下，在重放光盘上预先形成的连续的锯齿形凹坑的情况下，在作为二隙光探测器的差值信号输出的重放信号的前半部分和后半部分比较所述幅值或高值信号(上包络)。
(6)一种方法是沿着磁迹情况下，在重放光盘上预先形成的孤立的锯齿形凹坑的情况下，在作为二隙光探测器的求和信号输出的重放信号的前半部分和后半部分比较所述幅值或低值信号(下包络)。
在上述(1)，(3)，(4)，(5)和(6)的方法中，在跟踪情况下实现控制。即使发生R倾斜和T倾斜，也能利用偏离磁迹检测部分110和偏离磁迹控制部分111将光斑定位在磁迹的中心。因此，按照方法(1)，(3)，(4)，(5)，(6)，首先能够利用偏离磁迹检测部分110和偏离磁迹控制部分111将光斑定位在磁迹的中心。在这种情况下，由平行于磁迹方向的直线将光斑沿其中心(圆形区域的中心)分成两部分，并测试每个被分开的区域中的光量。如果两个被分开区域中的光量相等，则无倾斜，反之，若这些光量间存在差别，则存在倾斜。
在以下关于方法(1)，(3)，(4)，(5)，(6)的描述中，要说明是如何利用偏离磁迹检测部分110和偏离磁迹象差控制部分111使光斑被定位在磁迹中心的。以下参照图24到图29详细描述偏离磁迹检测部分110和偏离磁迹控制部分111。
首先，给出用于检测二隙光探测器的差值信号(推挽TE)方法(1)的描述，所述二隙光探测器接收受到光盘上以下形成之导槽衍射的光斑的光。
图18A，18B和18C分别表示光盘上导槽的截面图和与之相关的重放信号的波形。标号1801是槽的磁迹，标号1802是脊的磁迹。
图18A-18C的示例表示一种实现沿着磁迹控制并实现偏离磁迹控制的情况。换句话说，是一种以光斑沿磁迹中心运行的方式控制光斑的情况。图18A-18C中的波形图表示在信号重放过程中来自二隙光探测器的差值信号输出(推挽TE信号)。按照这种重放信号波形，当R倾角为0°时(图18B)，推挽TE信号充当一参考电平1803。如果发生+0.4°的R倾斜(图18C)，则由于该R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，所述推挽TE信号发生位相偏移，并且推挽TE信号的重放信号离开R倾角为0°的参考电平为+G的偏置。如果发生-0.4°的R倾斜(图18A)，则由于该R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，所述推挽TE信号发生位相偏移，并且推挽TE信号的重放信号离开R倾角为0°的参考电平为-G的偏置。当R倾角为+0.4°和当R倾角为-0.4°时，所述推挽TE信号离开参考电平的偏置G不同。倾斜检测部分将此偏置G的值保存为该倾斜检测部分的检测值。
倾斜控制部分取此倾斜检测值作为倾角，并修正这个倾角。
图11表示在发生R倾斜情况下R倾斜的量与倾斜检测部分测得的检测值G之间关系的模拟结果。模拟所用的光学条件是波长＝650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0.25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。在图11中，如果不发生R倾斜，则推挽TE信号的偏置G是0。如果发生R倾斜，则光斑有象差，自导槽衍射的光将不会形成真正的圆形。如果R倾角是沿+方向的(见图6)，则对圆形的右侧产生一个+1的光斑(见图18C)，而如果R倾角是沿-方向的，则对圆形的左侧产生一个-1的光斑(见图18A)。如果R倾角是+0.4°或-0.4°，则当所述二隙光探测器接收自导槽衍射的光时所产生的差值信号的输出(推挽TE信号)中发生差异。图11的曲线标绘出所述推挽信号中的偏置G的值。
倾斜检测部分通过取上述推挽TE信号的偏置G作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的推挽TE信号的偏置G是-0.08，则由图11可见，R倾角为+0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
接下去的描述给出方法(2)，用以检测来自二隙光探测器接收的光的差值信号(推挽TE)的幅值，所述接收的光来自受到光盘上预先形成的导槽衍射的光斑。
这里，由于本这种处于脱离跟踪状态，所以光斑的运行是使它沿横向与磁迹相交。图19A，19B和19C各自表示光盘上导槽的截面视图和与之相关的重放信号波形。标号1901为光斑。标号1902是磁迹中心，也即导槽的中心，而标号1903是光盘上预先形成的导槽。
在这个例子中，当产生脱离跟踪时，由二隙光探测器得到一个差值信号输出(在这种情况下即推挽TE信号)。
在重放信号波形中，当R倾角为0°时，推挽TE信号的幅值K较大。如果发生0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由于光衍射的影响，使推挽TE信号的幅值K减小。如果发生-0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，也是由于光衍射的影响，使推挽TE信号的幅值K减小。当R倾角是+0.4°或R倾角是-0.4°时，推挽TE信号的幅值K与在R倾角为0°时作为峰值的幅值K不同。倾斜检测部分把这种推挽TE信号的幅值K保存为倾斜检测部分的检测值。
倾斜控制部分取此倾斜检测值作为倾角，并修正此倾角。
图12表示发生R倾斜情况下的R倾斜量与倾斜检测部分所测得的检测值K之间关系的模拟结果。该模拟中所用的光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0，25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。在图12中，如果不发生R倾斜，则推挽TE信号的幅值是1.0。如果发生R倾斜，则光斑产生象差，而且如果自导槽衍射的光包含+0.4°的R倾角或-0.4°的R倾角，则当所述二隙光探测器接收自导槽衍射的光时所得到的差值信号的输出(推挽TE信号)中发生差异。
图12的曲线标绘出所述推挽TE信号的幅值K。
倾斜检测部分通过取上述推挽TE信号的幅值K作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的推挽TE信号的幅值K是0.8，则由图12可见，R倾角为+0.4°或-0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
接下去的描述给出方法(3)，用以检测来自二隙光探测器接收的光的差值信号(摆动信号)的幅值，所述接收的光来自受到光盘上预先形成的导槽衍射的光斑，使得它包含周期性的波动(“摆动”)。
图20A，20B和20C各自表示光盘上导槽的结构视图和与之相关的重放信号波形。标号2001为光斑。标号2002是磁迹中心，也即导槽的中心，而标号2003是预先形成的导槽，使其包含“波动”。
这里，由于本装置处于沿着磁迹状态，所以光斑沿磁迹的中心运行。图20A-20C表示重放期间二隙光探测器的差值信号输出(在这种情况下是摆动信号)。
在重放信号波形中，当R倾角为0°时，摆动信号的幅值H取最大值。如果发生0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由于光衍射的影响，使摆动信号的幅值H减小。如果发生-0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，也是由于光衍射的影响，使摆动信号的幅值H减小。当R倾角是+0.4°或R倾角是-0.4°时，摆动信号的幅值H与在R倾角为0°时的幅值H不同。倾斜检测部分把这种摆动信号的幅值H保存为倾斜检测部分的检测值。
倾斜控制部分取此倾斜检测值作为倾角，并修正此倾角。
图13表示发生R倾斜情况下的R倾斜量与倾斜检测部分所测得的检测值H之间关系的模拟结果。该模拟中所用的光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0，25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。如果图12中不发生R倾斜，则摆动信号的幅值H是0.09。如果发生R倾斜，则光斑产生象差，而且如果自导槽衍射的光包含+0.4°的R倾角或-0.4°的R倾角，则当所述二隙光探测器接收自导槽衍射的光时所得到的差值信号的输出(摆动信号)中发生差异。图13的曲线标绘出摆动信号的幅值H。
倾斜检测部分通过取所述摆动信号的幅值H作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的摆动信号的幅值H是0.083，则由图13可见，R倾角为+0.4°或-0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
接下去的描述给出方法(4)，当重放光盘上预先形成的连续锯齿形凹坑时，通过比较作为二隙光探测器的求和信号输出的重放信号的前半部分和后半部分中的低值信号检测倾角。
图8表示光盘上凹坑的布置。标号801是为了记录数据而被形成螺旋形的导槽的槽磁迹，而标号802是处于各槽磁迹之间的脊磁迹。标号803是前半部分重复凹坑序列，该序列被形成从槽磁迹的中心被偏移至外侧和内侧。标号804是后半部分重复凹坑序列，它接续于上述前半部分重复凹坑序列，关于磁迹中心按对称位置的方式，从槽磁迹中心移至上述前半部分重复凹坑序列。凹坑形成重复图样的形式，其中沿径向方向的被移动光点序列的坑-坑间隔是1.19μm，凹坑宽度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑长度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑间隔是1.12μm，各凹坑按从磁迹中心到凹坑中心0.3μm的距离移至内侧或外侧。形成这一间隔(这些偏移凹坑按此间隔重复)的间隙Ls满足关系Lp＜Ls＜2Lp，其中Lp是凹坑长度。
图21A，21B和21C每一个表示一个实例，其中得到由二隙光探测器求和信号输出。这里，由于本装置处于沿着磁迹状态，所以光斑沿磁迹的中心运行。
在重放信号波形中，在R倾角为0°的情况下(图21B)，在前半部分的重复凹坑被重放时和在后半部分的重复凹坑被重放时，受凹坑序列调制的输出求和信号的低值Ab和Bb之间分别存在Ab＝Bb的关系。如果发生0.4°的R倾斜(图21A)，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由前半部分重复凹坑序列重放的求和信号输出的低值Ab不同于由后半部分重复凹坑序列重放的求和信号的低值Bb。倾斜检测部分保存所述前半部分和后半部分的求和信号输出的低值信号Ab-Bb作为该倾斜检测部分的检测值。
如果发生-0.4°的R倾斜(图21C)，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由前半部分重复凹坑序列重放的求和信号输出的低值A不同于由后半部分重复凹坑序列重放的求和信号的低值B。倾斜检测部分保存所述前半部分和后半部分的求和信号输出的低值信号A-B作为该倾斜检测部分的检测值。
由一采样保持电路将所述前半部分和后半部分求和信号输出的幅值保存为DC电压值，取前半部分求和信号输出的保存值Ab与后半部分求和信号输出的保存值Bb之间的差值信号Ab-Bb为倾斜检测值，同时倾斜控制部分取此倾斜检测值为倾角，并相应地修正此倾角。
图14表示发生R倾斜情况下的R倾斜量与由倾斜检测部分测得的检测值Ab-Bb之间关系的模拟结果。
该模拟中所用光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0,25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。如果不发生R倾斜(图21B)，则所述求和信号输出的各低值信号之间的差值信号Ab-Bb是0。如果发生R倾斜(图21A或21C)，则光斑产生象差，而且，由前半部分的重复凹坑衍射的光量与后半部分的重复凹坑衍射的光量之间发生差异。图14的曲线标绘出前半部分时求和信号输出的低值Ab与后半部分时求和信号输出的低值Bb之间的差值信号Ab-Bb。
倾斜检测部分通过取所述低值信号差Ab-Bb作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的所述求和信号的低值信号差Ab-Bb是-0.06，则由图14可见，R倾角为+0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
这里所给定的描述中，把所述重复凹坑序列前半部分和后半部分的求和信号输出的各低值信号之间的差取为倾斜控制部分的检测值，但也可用所述重复凹坑序列求和信号输出中的高值信号差At-Bt作为所述倾斜检测值来代替求和信号输出中的低值信号差Ab-Bb。
这里所给定的描述中，把所述重复凹坑序列前半部分和后半部分的求和信号输出的各低值信号之间的差取为倾斜控制部分的检测值，但也可用所述重复凹坑序列求和信号输出中的信号幅值差C-D作为所述倾斜检测值来代替求和信号输出中的低值信号差Ab-Bb。
正如下面参照图26和27A，27B，27C及27D所描述的那样，也可将前半部分重复凹坑序列的求和信号与后半部分重复凹坑序列的求和信号之间的差用于磁迹偏离的检测。正如前面所揭示者，由于求和信号符合正弦曲线，所以可按三种方法之一推得各求和信号的值(i)寻找高值信号；(ii)寻找低值信号；(iii)寻找正弦曲线的幅值。如果在采样方法(4)检测曲线时采样途径(i)(ii)(iii)中之一，则将其它剩余的途径用于偏离磁迹的检测。于是，就能避免曲线检测所用信号与偏离磁迹检测所用信号之间的完全重合。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
接下去的描述给出方法(5)，当重放光盘上预先形成的连续锯齿形凹坑时，通过比较作为二隙光探测器的差值信号的重放信号输出的前半部分和后半部分中的幅值检测倾角。
图23表示光盘上凹坑的布置。标号2301是为了记录数据而被形成螺旋形的导槽的槽磁迹，而标号2302是处于各槽磁迹之间的脊磁迹。标号2303是通过从槽磁迹的中心偏移至外侧或内侧所形成的前半部分重复凹坑序列，而标号2304是后半部分重复凹坑序列，它接续于上述前半部分重复凹坑序列，通过关于磁迹中心按对称位置的方式，从槽磁迹中心偏移至上述前半部分重复凹坑序列。凹坑形成重复图样的形式，其中沿径向方向移动光点序列的坑-坑间隔是1.19μm，凹坑宽度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑长度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑间隔是1.12μm，各凹坑按从磁迹中心到凹坑中心0.3μm的距离移至内侧或外侧。
这里，描述沿着磁迹时的二隙光探测器的差值信号输出。由于所述装置处于沿着磁迹状态，所以光斑沿磁迹中心运行。
图23中的N1是一个二隙光探测器，N2是又一个探测器。当重放按偏移磁迹中心的方式所构成的重复凹坑时，该二探测器之一深受各凹坑衍射的光调制，而另一探测器并不太受起因于所述凹坑的光的衍射的影响，光的强度表现出很小的变化。所述差值信号输出是N1和N2的差值输出N1-N2，并被称为N-。
图22A，22B和22C表示一个重放二隙光探测器的差值信号输出的实例。
在重放信号波形中，当R倾角为0°时，在前半部分重复凹坑被重放和后半部分重复凹坑被重放情况下，由凹坑序列调制的信号的I和J之间存在I＝J的关系。如果发生0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由前半部分重复凹坑序列重放的差值信号输出的幅值I不同于后半部分重复凹坑序列重放的差值信号输出的幅值J。倾斜检测部分把所述前半部分与后半部分的差值信号输出的幅值差I-J保存为该倾斜检测部分的检测值。
发生-0.4°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。
在这种情况下，由前半部分重复凹坑序列重放的差值信号输出的幅值I不同于后半部分重复凹坑序列重放的差值信号输出的幅值J。倾斜检测部分把所述前半部分与后半部分的差值信号输出的幅值差I-J保存为该倾斜检测部分的检测值。
由一采样保持电路将所述前半部分和后半部分求和信号输出的幅值保存为DC电压值，取前半部分求和信号输出的保存值I与后半部分求和信号输出的保存值J之间的差值信号I-J为倾斜检测值，同时倾斜控制部分取此倾斜检测值为倾角，并相应地修正此倾角。
图15表示发生R倾斜情况下的R倾斜量与由倾斜检测部分测得的检测值I-J之间关系的模拟结果。该模拟中所用光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0,25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。在图15中，如果不发生R倾斜，则差值信号输出的幅值之间的差I-J是0。如果发生R倾斜，则光斑有象差，而且，由前半部分重复凹坑衍射的光量与后半部分重复凹坑衍射的光量之间发生差异。图15的曲线标绘出前半部分时差值信号输出的幅值I与后半部分时差值信号输出的幅值J之间的幅值差I-J。
倾斜检测部分通过取所述差值信号输出之间的幅值差I-J作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的所述差值信号输出之间的幅值差I-J是-0.09，则由图15可见，R倾角为+0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
图16表示在光斑位于偏离磁迹中心+0.02μm情况下，R倾角的度数与倾斜检测部分测得的检测值I-J之间关系的模拟结果。该模拟中所用光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0,25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心运行的情况。在图16中，如果不发生R倾斜，则差值信号输出的幅值之间的差I-J是0。如果发生R倾斜，则光斑有象差，而且，由前半部分重复凹坑衍射的光量与后半部分重复凹坑衍射的光量之间发生差异。图16的曲线标绘出前半部分中差值信号输出的幅值I与后半部分中差值信号输出的幅值J之间的幅值差I-J。图16中的曲线实际上与图15中的曲线一样。这表明对倾角的检测结果与光斑处于磁迹中心的情况(图15)及光斑偏离磁迹中心+0.02μm情况(图16)相同。
倾斜检测部分通过取所述差值信号输出之间的幅值差I-J作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的所述差值信号输出的幅值差I-J是-0.09，则由图16可见，R倾角为+0.4°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
在这种情况下，即使光处于偏离磁迹中心的磁迹，也能够精确地检测R倾斜。
这里所给定的描述中，把所述前半部分和后半部分重复凹坑序列的差值信号输出的幅值之间的差取为倾斜控制部分的检测值，但也可用所述重复凹坑序列差值信号输出中的高值信号差It-Jt作为所述倾斜检测值来代替求和信号输出中的幅值差I-J。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
接下去的描述给出方法(6)，当重放光盘上预先形成的连续锯齿形凹坑时，通过比较作为二隙光探测器的求和信号的重放信号输出的前半部分和后半部分中的低值信号检测倾角。
图9表示包含孤立的凹坑的光盘上凹坑的结构和与之相关的重放信号波形图。标号901是为了记录数据而被形成螺旋形的导槽的槽磁迹，而标号902是处于各槽磁迹之间的脊磁迹。标号903表示通过从槽磁迹的中心偏移至外侧或内侧所形成的前半部分孤立凹坑，而标号2304表示后半部分孤立凹坑，它接续于上述前半部分孤立凹坑，通过关于磁迹中心按对称位置的方式，从槽磁迹中心偏移至上述前半部分孤立凹坑。这些凹坑形成沿径向方向移动光点的坑-坑间隔是1.19μm，沿磁迹方向的坑-坑间隔至少是10μm，凹坑宽度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑长度是0.462μm，而且，各凹坑按从磁迹中心到凹坑中心0.3μm的距离移至内侧或外侧。这里形成这一间隔(这些偏移凹坑按此间隔重复)的间隙Ls满足关系20Lp＜Ls，其中Lp是凹坑长度。
重放信号的波形是从二隙光探测器输出的重放信号的实例。这里，由于所述装置处于沿着磁迹状态，所以光斑沿磁迹中心运行。
在重放信号波形中，当R倾角为0°时，在前半部分孤立凹坑被重放和后半部分孤立凹坑被重放情况下，由各凹坑调制的求和信号输出的低值E和F之间存在E＝F的关系。如果发生+0.6°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由前半部分孤立凹坑重放的求和信号输出的低值E不同于后半部分孤立凹坑重放的求和信号输出的低值F。倾斜检测部分把所述前半部分与后半部分的求和信号输出的低值信号差E-F保存为该倾斜检测部分的检测值。
如果发生-0.6°的R倾斜，则由于这一R倾斜而使光斑产生象差。在这种情况下，由前半部分孤立凹坑重放的求和信号输出的低值E不同于后半部分孤立凹坑重放的求和信号输出的低值F。倾斜检测部分把所述前半部分与后半部分的求和信号输出的低值信号差E-F保存为该倾斜检测部分的检测值。
由一采样保持电路将所述前半部分和后半部分求和信号输出的幅值保存为DC电压值，将前半部分求和信号输出的保存值E与后半部分求和信号输出的保存值F之间的差值信号E-F取为倾斜检测值，同时倾斜控制部分取此倾斜检测值为倾角，并相应地修正此倾角。
图17表示发生R倾斜情况下的R倾斜量与倾斜检测部分测得的检测值E-F之间关系的模拟结果。该模拟中所用光学条件是波长650nm，NA＝0.6，径向RIM强度＝0,25，切向RIM强度＝0.83。此外，这些结果属于光斑沿磁迹中心移动的情况。在图17中，如果不发生R倾斜，则求和信号输出的低值信号之间的差E-F是0。如果发生R倾斜，则光斑有象差，而且，由前半部分孤立凹坑衍射的光量与后半部分孤立凹坑衍射的光量之间发生差异。图17的曲线标绘出前半部分中的求和信号输出的低幅E与后半部分中的求和信号输出的低值F之间的差E-F。
倾斜检测部分通过取所述求和信号输出的低值信号差E-F作为倾角检测值检测所述倾角。
例如，如果作为倾斜检测部分107测得的检测值的所述求和信号输出的低值信号差E-F是+0.06，则由图17可见，R倾角为+0.6°，因此，倾斜修正部分108对倾斜控制部分109发送与该检测值对应的倾斜修正值，并由倾斜控制部分109驱动倾斜平台103修正该R倾角。
这种R倾斜检测方法的应用并不限于本模拟中所用的光学条件。
当100％的光被二隙光探测器中的反射镜反射回来时，倾斜检测值具有标准值1。
按照这种方法，由倾斜检测部分测得的检测值被倾斜控制部分用以计算倾角，然后倾斜控制部分使倾斜平台相应地移动，从而消除R倾斜，提高记录和重放信号的质量。
为了用上述方法(1)至(6)中所需要的一种检测R倾斜，光斑沿预先由导槽形成的磁迹中心扫描。光盘的磁迹中心与光斑之间的偏差被称为磁迹偏离。如果这种磁迹偏离是0，换句话说，如果在光斑沿光盘上预先形成的导槽中心被扫描的情况下用上述方法(1)至(6)中的一种检测R倾斜，则可以更精确地检测R倾斜。
以下描述修正磁迹偏离的方法。
以偏移的方式，用来自光盘上预先形成的重复凹坑序列、由光斑重放的信号的求和信号输出控制磁迹偏离。
图24示出光盘上凹坑的布置。标号2401是为了记录数据而被形成螺旋形的导槽的槽磁迹，而标号2402是处于各槽磁迹之间的脊磁迹。标号2403是前半部分重复凹坑序列，该序列被形成从槽磁迹的中心被偏移至外侧和内侧，而标号2404是后半部分重复凹坑序列，它接续于上述前半部分重复凹坑序列，关于磁迹中心按对称位置的方式，从槽磁迹中心移至上述前半部分重复凹坑序列。凹坑形成重复图样的形式，其中沿径向方向的被移动光点序列的坑-坑间隔是1.19μm，凹坑宽度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑长度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑间隔是1.12μm，各凹坑按从磁迹中心到凹坑中心0.3μm的距离移至内侧或外侧。
图25A，25B和25C每一个表示一个实例，其中得到由二隙光探测器求和信号输出。
在重放信号波形中，在磁迹偏离为0的情况下，在前半部分的重复凹坑被重放时和在后半部分的重复凹坑被重放时，受凹坑序列调制的信号的幅值L和M之间分别存在L＝M的关系。如果发生0.02μm的磁迹偏离，则由于这一磁迹偏离，将使两个二隙光探测器间的光量不同。在这种情况下，由前半部分重复凹坑序列重放的求和信号输出的幅值L不同于由后半部分重复凹坑序列重放的求和信号的幅值M。由一采样保持电路将前半部分和后半部分求和信号输出的幅值保存为DC值，前半部分求和信号输出的保存值L与后半部分求和信号输出的保存值M之间的差L-M被取为磁迹偏离的检测值，并将此检测值取为偏离磁迹的位置，同时相应地修正此偏离磁迹的位置。在这种情况下，可以修正偏离磁迹的位置，而与倾斜无关。
接下去描述在光盘上不同径向位置处由倾斜检测部分测得的检测值修正R倾斜的方法。
由光盘的变形引起R倾斜，因此，有如图10中的曲线1001所示，R倾斜的值从光盘的内侧到外侧变化。
图10中的标号1001是倾斜曲线，用以表示一种方式，其中光盘记录表面关于光束光轴的倾斜随光盘上的径向位置变化，标号1002是关于倾斜曲线1001的内侧在所需径向位置处倾斜(或倾角)的量，标号1003是在倾斜曲线1001的中间部分的所需径向位置处倾斜(或倾角)的量，而标号1004是关于倾斜曲线1001的外侧在所需径向位置处倾斜(或倾角)的量。
接下去描述来自倾斜检测部分测得的检测值的倾斜量。标号1005是在光盘内侧的所需径向位置处的来自上述倾斜检测部分测得的检测值的倾斜量，标号1006是在光盘外侧的所需径向位置处的来自上述倾斜检测部分测得的检测值的倾斜量。
标号1007是在光盘中间部分的所需径向位置处的来自上述倾斜检测部分测得的检测值的倾斜量，而标号1008是内插曲线，用直线将源于中部周圆的倾斜量1007与源于所示内侧的倾斜量1005及源于所示外部周圆的倾斜量1006联系在一起。
当光盘倾斜时，在光盘的内侧与外侧的倾斜量不同。在本发明的光盘装置中，有如图10所示，为了检测倾斜量随径向位置的不同，至少在三个位置，也即在光盘的内部周圆、外部周圆和中部周圆处检测倾斜量。在检测倾角的内部径向位置与中部径向位置之间的所需径向位置处的倾斜量来源于曲线1008的值，曲线1008连接源于所述内部周圆检测值的倾斜量1005和源于所述中部周圆检测值的倾斜量1007。在检测倾角的外部径向位置与中部径向位置之间所需径向位置处的倾斜量来源于曲线1008的值，曲线1008连接源于所述外部周圆检测值的倾斜量1006和源于所述中部周圆检测值的倾斜量1007。
在这种情况下，可以精确地修正源于光盘中部周圆所需位置处的倾斜量1007和光盘中部周圆处的实际倾斜量1003，因此，与现有技术的方法相比，能够更为可靠和更为精确地修正光盘上任何径向位置处的倾斜位置，其中倾斜量在光盘内部周圆和外部周圆之间变化，在将信号记录在光盘上和从光盘上重放信号过程中，可以明显地改善信号的质量。
以下描述倾斜修正部分108的工作情况。图10中在中部周圆的径向位置处的倾角(R倾斜)为0°。另外，在内部周圆处的相对倾角是0°。由于光盘的卷曲效果，光盘的外部周圆处的倾角大于内部周圆处的倾角。这种卷曲在光盘之间是变化的，倾角关于径向位置的量的特性对于每个盘是不相同的。
当光斑会聚在光盘表面上的径向位置朝光盘外侧移动时，检测部分在光盘的中部周圆和外部周圆测得倾角，如果内插曲线1008上的倾角不同于阈值(如0.4°)或者大于内部周圆处的倾角，则倾斜修正部分指示倾斜平台103按如下方式移动——使得在倾角已达到上述阈值的径向位置处的倾角变为0°。
于是，通过移动倾斜平台，能够减小由于从光盘的内侧到外侧发生的畸变所造成的倾角，从而使得能够改善对光盘记录或重放过程中的信号质量。
以下详细描述检测及控制磁迹偏离的操作。
图26示出计算电路104的工作过程，所述计算电路通过接收四隙探测器100的四个光探测元件的输出a，b，c，d而起作用。这个计算电路104产生TE信号(a+d)-(b+c)，FE信号(a+c)-(b+d)，RF信号(a+b+c+d)，偏离磁迹检测信号(OF信号)对角线求和信号(a+c)对角线求和信号(b+d)将TE信号传送给跟踪控制部分106，用于控制光斑关于光盘的磁迹的跟踪位置。将FE信号传送给聚焦控制部分105，用于控制光斑关于光盘的磁迹的聚焦位置。RF信号是通过读取光盘上记录的所得到的重放信号，并提供数据处理。将RF信号传送给偏离磁迹检测部分110，用于检测偏离磁迹的位置。将偏离磁迹检测信号(OF信号)传送给偏离磁迹检测部分110，用于检测偏离磁迹的位置。
接下去描述在偏离磁迹检测部分110由偏离磁迹检测信号检测偏离磁迹的位置的过程。
通过提取两个偏离磁迹检测信号的位相差检测偏离磁迹的位置。
下面参照图27A，27B，27C和27D描述这种位相差信号的细节。
当光斑2701位于磁迹中心时，探测器处衍射光的强度将被表示如图27B中所示，并因此对角线差值信号(a+c)-(b+d)将为0。即使光斑和沿箭号方向发生的凹坑序列随光盘转动，这个值也总保持为0，但如果光斑从磁迹偏移，如图27A或图27C所示，则当光斑随着光盘转动而沿箭号方向移动时，对角线差值信号二者将都表现出一个正弦波输出，而且由于这些输出值关于RF信号(a+b+c+d)具有+90°或-90°的位相关系，于是，通过检测对角线差值信号与RF信号之间的位相差，能够检测光斑从各凹坑的中心偏离磁迹多远。
前半部分重复凹坑序列的求和信号与后半部分重复凹坑序列的求和信号间的差也可被用于偏离磁迹的检测。类似于有关图21A，图21B和图21C的描述，由于对角线求和信号符合正弦曲线，可将各对角线求和信号的值汇入三种方法之一(i)找出高值信号；(ii)找出低值信号；(iii)找出正弦曲线的幅值。
图27D是表示对角线差值信号的位相差与磁迹偏离程度位之间关系的波形图。该图中的(Bsig)是光斑通过凹坑中心时的输出点，而(Asig)和(Csig)分别是光斑通过凹坑的左手侧或右手侧时的输出点。用此位相差可以检测偏离磁迹离凹坑中心的位置。
如图28A所示，光盘中预先记录的刻痕预凹坑2805包括各凹坑的前半部分预凹坑序列2803，所述各凹坑依次位于由Wa(＝Tp/4)所示的沿越过磁迹方向离导槽的槽磁迹中心的位置；还包括各凹坑的后半部分预凹坑序列2804，所述各凹坑依次类似地位于与前半部分预凹坑序列的槽磁迹中心相对的侧面。这里，前半部分预凹坑的位移宽度Wa等于后半部分预凹坑的位移宽度Wb。位于(Wa＝Wb)的凹坑是单一频率的凹坑依序序列。
图28B是源于中心在一凹坑上的对角线差值信号的位相差信号曲线。当光斑通过前半部分预凹坑序列的槽磁迹中心时，所述位相差信号输出为Pa，而当光斑通过后半部分预凹坑序列的槽磁迹中心时，所述位相差信号输出为Pb。图28C示出在保存所述前半部分预凹坑序列位相差信号和后半部分预凹坑序列位相差信号并且由偏离磁迹检测部分计算所述前半部分预凹坑序列输出及后半部分预凹坑序列输出的和时所得的结果。如果光斑通过磁迹的中心，则此位相差信号将是0。
从以下述条件为基础的计算机模拟得到这里描述的结果。所述各凹坑形成重复偏移的凹坑序列，其中激光波长(λ)＝650nm；物镜的NA＝0.6；切向RIM强度＝0.83；径向PIM强度＝0.25，光盘磁迹间距＝1.19μm，凹坑深度＝λ/6，凹坑宽度＝0.36μm，凹坑沿直线方向重复的周期＝1.12μm，凹坑长度＝0.46μm。
图29示出发生R倾斜时所得的特性。
图29表示在按(a)，(b)，(c)顺序加给-0.6°，±0.0°和+0.6°的R倾斜的情况下，由前半部分偏移凹坑和后半部分偏移凹坑的位相差信号计算的偏离磁迹检测信号。水平轴表示关于磁迹中心磁迹偏离的量。纵轴表示偏离磁迹检测信号。当偏离磁迹检测信号是0时，光斑位于磁迹中心。当不存在R倾斜时，如曲线(b)，从曲线可以看到，得到与磁迹偏离量对应的偏离磁迹检测信号。另外，当磁迹偏离的位置为0时，偏离磁迹检测信号也变为0。
例如，当存在R倾斜时，在存在有曲线(a)所示的-0.6°倾角的情况下，从曲线可以看到，得到与磁迹偏离量对应的偏离磁迹检测信号。另外，当磁迹偏离的位置为0时，偏离磁迹检测信号也变为0。
类似地这也应用于曲线(c)。
按照这种方式，在偏移的结构中通过重放位相差信号和连续的预凹坑，能够精确地检测磁迹偏离的量，而不受R倾斜量的影响，而且，如果把这个系统用于图1所述实施例的偏离磁迹检测部分中，就能得到很好的倾斜检测和倾斜控制结果。
于是使跟踪精度得以提高，消除各种影响，从而在记录过程中消除相邻磁迹的影响，还可改善相邻磁迹上记录的信号质量。
按照本发明的光盘这种和光盘倾斜的控制方法，通过保存独立地或者保存联合地检测跟踪信号和倾角，能够提高记录和重放过程中的信号质量，而无需设置与记录和重放光学系统分开的检测倾角的光学系统，利用预先记录在光盘上的槽磁迹、脊磁迹和按以下方式形成的重放凹坑序列，所述方式使其中心朝向离开槽磁迹中心的外侧或内侧偏移，并且，利用倾斜修正部分和倾斜控制部分修正倾角。依次，无需设置分立的倾斜探测器，从而能够使这种的尺寸减小以及能够限制成本。
另外，还能如图10所示倾斜检测方法那样，通过从光盘的内部周圆、中部周圆和外部周圆处的三个以上检测值获得在光盘上任何径向位置处的倾斜量，明显地提高记录和重放特性，而不会降低记录和重放过程中的信号质量。
权利要求
1.一种倾斜检测装置，用以检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有连续的磁迹和所形成的第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得该第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑以正交方式分别从一条磁迹的中心线相对于该磁迹的第一侧和第二侧偏移，所述连续磁迹沿着所述中心线位于第二种与第一种偏移凹坑之间，所述倾斜检测装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上切实地记录和重放信号；二隙光探测器，用于切实地接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向定向的第一和第二光探测元件，使所述二隙光探测器分开；跟踪控制机构，用以控制所述光斑在所述连续磁迹上的位置；偏离磁迹检测机构，用于根据由所述二隙光探测器从相对于所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑沿着磁迹移动的所述光头得到的重放信号检测光斑的磁迹偏离量；倾斜检测机构，在通过控制所述跟踪控制机构和偏离磁迹检测机构而使光斑实际上位于连续磁迹中心的同时，在由所述二隙光探测器接收从所述连续磁迹反射的光的情况下，通过比较从所述第一和第二光探测元件输出的信号，检测光盘记录表面关于光束的光轴的倾斜，以得到表示所述记录表面倾斜的推挽信号。
2.按照权利要求1所述的倾斜检测装置，其中，所述偏离磁迹检测机构通过比较第一求和信号与第二求和信号将一个磁迹偏移量切实地输出给所述跟踪控制机构，该偏移量表示所述磁迹中心与光斑中心间偏移的量；所述第一求和信号表示在由所述二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第二求和信号表示在由二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和。
3.按照权利要求1所述的倾斜检测装置，其中，按重复的连续方式提供第一种偏移凹坑，并与第一种偏移凹坑接续地按重复的连续方式提供第二种偏移凹坑。
4.按照权利要求3所述的倾斜检测装置，其中，间隔Ls表示所述第一种偏移凹坑按该间隔被重复，使得Lp＜Ls＜2Lp，这里的Lp是凹坑长度。
5.按照权利要求3所述的倾斜检测装置，其中，间隔Ls表示所述第一种偏移凹坑按该间隔被重复，使得20Lp＜Ls，这里的Lp是凹坑长度。
6.一种光盘记录和重放装置，用于检测和修正光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有连续的磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑以正交方式分别从一条磁迹的中心线相对于该磁迹的第一侧和第二侧偏移，所述连续磁迹位于第二种与第一种偏移凹坑之间，所述光盘记录和重放装置包括光头，用以通过将光斑聚焦在所述光盘上切实地记录和重放信号；二隙光探测器，用于切实地接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向定向的第一和第二光探测元件，使所述二隙光探测器分开；跟踪控制机构，用以控制所述光斑在所述连续磁迹上的位置；偏离磁迹检测机构，用于根据由所述二隙光探测器从相对于所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑沿着磁迹移动的所述光头得到的重放信号检测光斑的磁迹偏离量；倾斜检测机构，在通过控制所述跟踪控制机构和偏离磁迹检测机构而使光斑实际上位于连续磁迹中心的同时，在由所述二隙光探测器接收从所述连续磁迹反射的光的情况下，通过比较从所述第一和第二光探测元件输出的信号，检测光盘记录表面关于光束的光轴的倾斜，以得到表示所述记录表面倾斜的推挽信号；以及倾斜修正机构，用于根据所述倾斜检测机构测得的倾角值控制光盘的角度。
7.一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有连续的磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑以正交方式分别从一条磁迹的中心线相对于该磁迹的第一侧和第二侧偏移，所述连续的磁迹位于第二种与第一种偏移凹坑之间，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；由光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向定向的第一探测元件和第二光探测元件，使所述光探测器分开；实行跟踪控制，用以控制所述光斑在所述连续磁迹上的位置；根据由所述光探测器从相对于所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑沿着磁迹移动的所述光头得到的重放信号检测光斑磁迹偏离量；在通过控制所述跟踪控制和检测磁迹偏离量而使光斑实际上位于磁迹中心的同时，在接收从所述连续磁迹反射的光的情况下，通过比较从所述第一和第二光探测元件输出的信号，检测光盘记录表面关于光束的光轴的倾斜，以得到表示所述记录表面倾斜的推挽信号。
8.一种倾斜检测装置，用以检测光盘记录表面的倾斜，所述光盘具有连续磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得该第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑以正交方式分别从一条磁迹的中心线相对于该磁迹的第一侧和第二侧偏移，所述连续磁迹位于所述第二种和第一种偏移凹坑之间，所述倾斜检测装置包括光头，用于通过将光斑聚焦在所述光盘上记录和重放信号；二隙光探测器，用于接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行的方向分开的第一光探测元件和第二光探测元件；跟踪控制机构，用以根据从所述二隙光探测器得到的信号控制所述光斑在所述连续磁迹上的位置；倾斜检测机构，用于检测光盘记录表面的倾斜；其特征在于，所述倾斜检测装置包括偏离磁迹检测机构，用于根据从相对于所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑沿磁迹移动的所述光头得到的重放信号检测光斑的磁迹偏离量；并且在通过控制所述跟踪控制机构和磁迹偏离检测机构而使光斑实际上位于磁迹中心的同时光斑实际上位于连续磁迹中心时，所述倾斜检测机构检测光盘记录表面的倾斜；在由所述二隙光探测器接收从所述连续磁迹反射的光的情况下，所述倾斜检测机构比较来自第一和第二光探测元件的信号，以得到表示所述记录表面倾斜的推挽信号。
9.按照权利要求8所述的倾斜检测装置，其中，所述偏离磁迹检测机构通过比较第三求和信号与第四求和信号输出一个偏移设定量，该偏移设定量表示所述磁迹中心与光斑中心间偏移的量；所述第三求和信号表示在由二隙光探测器接收来自所述第一种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和，所述第四求和信号表示在由二隙光探测器接收来自所述第二种偏移凹坑的反射光情况下从第一和第二光探测元件输出信号的和；将所述偏移设定量加给所述跟踪控制机构。
10.一种光盘记录和重放装置，它包括权利要求8所述的倾斜检测装置，用以检测和修正光盘记录表面的倾斜。
11.一种光盘记录和重放装置，它包括权利要求9所述的倾斜检测装置，用以检测和修正光盘记录表面的倾斜。
12.一种用于检测光盘记录表面倾斜的倾斜检测方法，所述光盘具有连续的磁迹和第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一种偏移凹坑及第二种偏移凹坑以正交方式分别从一条磁迹的中心线相对于该磁迹的第一侧和第二侧偏移；所述连续磁迹位于所述第二和第一种偏移凹坑之间，所述方法包括以下步骤将光斑聚焦在所述光盘上；由光探测器接收从所述光盘反射的光，所述光探测器包括沿与磁迹平行方向分开的第一探测元件和第二光探测元件；实行跟踪控制，用以控制所述光斑关于磁迹的位置；检测光盘记录表面的倾斜；根据从相对于所述第一种偏移凹坑和第二种偏移凹坑沿磁迹移动的所述光头得到的重放信号检测光斑的磁迹偏离量；其中，所述检测光盘记录表面倾斜的步骤包含在通过控制所述磁迹偏离量和跟踪控制而使光斑实际上位于连续磁迹中心的同时，由推挽信号输出(TE)进行关于光束光轴的检测，所述推挽信号表示在接收来自所述连续磁迹之反射光的情况下来自所述第一和第二光探测元件的信号之间的差。
全文摘要
一种倾斜检测装置检测光盘表面关于光束光轴的倾斜(倾角)。该装置具有光头，用于将光束照射在光盘上；光探测器，用于接收光盘反射的光；以及倾斜检测器，用于利用光探测器的信号输出检测光盘记录表面关于光束光轴的倾斜。
文档编号G11B7/013GK1598939SQ20041007680
公开日2005年3月23日 申请日期1999年7月13日 优先权日1998年9月14日
发明者中村敦史, 东海林卫, 石田隆 申请人:松下电器产业株式会社