专利名称：：利用一共享储存单元的写入策略设定装置及其相关方法
技术领域：
：本发明是提供一种应用于光驱以设定写入策略的设定装置及其设定方法，尤指一种写入策略设定装置及相关方法，其是共享相同储存单元以储存对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集与储存由光驱所使用的各写入策略参数设定集所产生的相对应资料型态的误差值集合(例如相位误差值集合或是长度误差值集合)。
背景技术：
：目前在市面上可购买到的光盘种类繁多，对于不同光盘而言，光盘彼此之间光学涂层(coatinglayer)的特性与一致性不尽相同，因此，在记录资料于光盘之前，光驱必须依据一写入策略产生写入脉冲信号以驱动激光二极管来产生激光于光盘表面(也即资料记录层(datarecordinglayer))上烧上凹洞(pit)，接着，光驱读取光盘表面上的凹洞与平面(land)来调整写入策略以确保资料被正确记录。如熟习此项技艺者所知，光驱需要一存储器区块来储存预设的写入策略表(writestrategytable)，以及会测量不同种类的平面-凹洞组合(land-pitset)来产生误差值并储存该误差值至另一存储器区块，因此，在重复测量与计算之后，可以决定一误差统计值并利用该误差统计值来调整储存于存储器区块的写入策略，也即，光驱需要两个存储器区块来分别储存写入策略与误差值。
发明内容因此本发明的目的之一在于提供一种应用于光驱中设定写入策略的装置与方法，其是通过共享储存单元来储存对应于多个资料型态(datasettype)的多个写入策略参数设定集与储存通过该光驱使用一写入策略参数设定集产生一相对应资料型态的误差值集合。依据本发明的目的，其揭露一种应用于一光驱的一写入策略设定装置。该装置包含有一储存单元，用来储存一初始写入策略，而该初始写入策略包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定；一误差计算器，耦接至该储存单元，用来计算通过该光驱使用该初始写入策略中一相对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合，以及储存该计算后误差值集合至该储存单元来重写该写入策略参数设定集；以及一写入策略控制器，耦接至该储存单元，用来通过参考储存于该储存单元的多个误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后写入策略，以及储存该修正后写入策略至该储存单元。依据本发明的目的，其另揭露一种应用于一光驱的写入策略设定方法。该方法包含有储存一初始写入策略，其中该初始写入策略包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集；在该光驱使用该初始写入策略中一相对应写入策略参数设定集时计算每一资料型态的一误差值集合，并储存该计算后的误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集；以及通过参考储存于该储存单元中多个误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后写入策略，并储存该修正后写入策略。本发明的有益效果在于，通过将对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集，以及计算后的误差值集合储存在相同的储存单元，不仅达到节省电路的效益，并能符合高速存取的目的。图1为本发明应用于光驱的写入策略设定装置的较佳实施例的示意图。图2为八至十四位调制波、写入脉冲信号、实际平面-凹洞型样(pattern)与截波后射频信号的波形图。图3A、图3B为本发明一实施例的暂存器地址在读取模式与写入模式下的表格。图4为本发明应用于光驱的写入策略设定方法的较佳实施例的流程图。主要组件符号说明100光驱105写入策略设定装置110读写头115波形均衡器120截波器130相位误差侦测器135分类器140相位误差计算器145电可擦除可编程只读存储器150写入策略控制器155共享暂存器160八至十四位调制器165写入脉冲产生器170激光二极管驱动器175光盘具体实施方式一般来说，因为光驱是依据其使用一对应的写入策略参数设定集所产生的各资料型态的误差值集合来调整该写入策略参数设定集，所以该误差值集合必须代表理想资料型样与实际资料型样之间的差异，其中有两种物理参数可被用来作为一误差值，第一种物理参数是相位误差，而第二种物理参数则是长度误差。以相位误差的例子而言，请参照图1与图2，图1是本发明应用于光驱100的写入策略设定装置105的较佳实施例的示意图，而图2是八至十四位调制波E、写入脉冲信号W、实际平面-凹洞(land-pit)型样P与截波后射频信号S的波形图。光驱100包含有一读写头110、一波形均衡器115、一截波器120、一相位误差侦测器130、一分类器135、一相位误差计算器140、一电可擦除可编程只读存储器(electricallyerasedprogrammablereadonlymemory，EEPROM)145、一写入策略控制器150、一共享暂存器155、一八至十四位调制器(eight-to-fourteenmodulator，EFM)160、一写入脉冲产生器165与一激光二极管驱动器170，其中相位误差计算器140、共享暂存器155与写入策略控制器150结合形成一写入策略设定装置105，另外，写入策略参数设定集用来决定一资料型态的上升边缘(risingedge)TR与下降边缘(fallingedge)TF的位置，而写入策略则包含所有可能资料型态的写入策略参数设定集。请参照图2，以不同的资料型态(例如3T、5T、4T)为例子来说，凹洞5T位于平面3T、4T之间，在此需要设定两种写入策略参数，也即上升边缘TR与下降边缘TF，其中上升边缘TR表示写入脉冲信号W在平面-凹洞型样(3T，5T)时需要触发的时间点，而下降边缘TF则表示写入脉冲信号W在凹洞-平面型样(5T，4T)时需要触发的时间点，此外，上述用来决定写入脉冲信号W的上升边缘TR与下降边缘TF的两个写入策略参数分别储存于共享暂存器155中。请再参照图1，写入策略控制器150在系统开机时会加载储存于电可擦除可编程只读存储器145中的初始写入策略并将该初始写入策略写入至共享暂存器155，接着，写入脉冲产生器165将依据资料型态(例如图2所示的资料型态(3T，5T))来产生对应于八至十四位调制器160所产生的八至十四位调制波E的写入脉冲信号W，其中写入脉冲信号W的上升边缘TR的位置是由对应于初始写入策略中资料型态(3T，5T)的写入策略参数设定集来决定；另外，激光二极管驱动器170将依据写入脉冲信号W来驱动读写头110于光盘175的表面轨道上烧录实际平面-凹洞型样P来记录资料，而后，光驱100操作于读取模式且读写头110读取光盘175表面上所烧录的实际平面-凹洞型样P来产生资料信号，此外，在经由波形均衡器115与截波器120的处理之后，该资料信号将被转换成图2所示的截波后射频信号S，而在理想的情形下，截波后射频信号S的波形应相同于八至十四位调制波E的波形，然而，在不同的光盘中，截波后射频信号S与八至十四位调制波E间却存在不同的相位误差，因此，相位误差侦测器130是用来侦测每一资料型态的相位误差以产生一相位误差值集合，其中相位误差值集合包含有一上升边缘误差值与一下降边缘误差值。分类器135将会依据资料型态来分类相位误差值集合并将该相位误差值集合传送至相位误差计算器140，接着，相位误差计算器140会储存该相位误差值集合至共享暂存器155中对应的地址，同样地，资料型态(5T，4T)的下降边缘TF的位置也将由上述的相同程序来处理。请参照图3A、图3B，其是本发明一实施例的暂存器地址在读取模式与写入模式下的表格。如上所述，初始写入策略在系统开机时将被加载至共享暂存器155，每一写入策略参数设定集都对应于特定的资料型态并被储存于对应于该特定资料型态的地址，以图3A、图3B的例子来说，地址0对应于资料型态0，而对应于资料型态0的写入策略参数设定集储存于地址0，同样地，对应于资料型态1的写入策略参数设定集储存于地址1，其余以此规则类推。当光驱读取到测试实际平面-凹洞型样P时，相位误差计算器140储存对应于所有资料型态的相位误差值集合至共享暂存器155中的对应的地址以取代(或者重写)写入策略参数设定集，请参照图3B，储存于地址0的写入策略参数设定集被对应于资料型态0的相位误差值集合所取代，也即，写入策略参数设定集与相位误差值集合是共享相同的储存单元来储存数据，举例来说，储存单元可以是图1所示的共享暂存器155；另外，当每次相位误差计算器140接收对应于特定资料型态的相位误差值时，相位误差计算器140将会通过特定资料型态的地址所储存的原相位误差值来计算新接收的相位误差值，并将计算结果重写至原先相位误差值。在一连串的计算之后，共享暂存器155储存相位误差值集合的最终结果，接着，写入策略控制器150同时参考最终相位误差值集合与初始写入策略参数设定集合来决定修正后的写入策略，最后，写入策略控制器150在特定地址储存对应于所有资料型态的修正后的写入策略以重写储存于共享暂存器155中的相位误差值集合，因此，当光驱100操作于写入模式时，共享暂存器155会储存该写入策略参数设定集，而写入脉冲产生器165便可以依据修正后的写入策略来产生正确的写入脉冲信号W。此外，若是截波后射频信号S的上升边缘的位置晚于八至十四位调制波E的上升边缘的位置(如图2所示)，则写入策略控制器150会提前写入脉冲信号W的上升边缘的位置；相反地，若截波后射频信号S的上升边缘的位置早于八至十四位调制波E的上升边缘的位置，则写入策略控制器150会延迟写入脉冲信号W的上升边缘的位置，另外，调整写入脉冲信号W的下降边缘的操作类似于上述调整上升边缘的操作，为了简化说明，在此不另赘述。请注意到，上述所说的误差值集合并不限于相位误差值集合，在其它实施例中，也有可能侦测八至十四位调制波E的理想长度与截波后射频信号S的实际长度之间的长度误差，且对于不同的资料型态，八至十四位调制波E的理想长度也会不同，所以在侦测长度误差的情形下必须依据不同的资料型态来决定分类的情形，因此，若截波后射频信号S的实际长度短于八至十四位调制波E的理想长度，则写入策略控制器150会调整写入策略参数设定集来确保增加写入脉冲信号W的长度；相反地，若截波后射频信号S的实际长度长于八至十四位调制波E的理想长度，则写入策略控制器150会调整写入策略参数设定来确保缩短写入脉冲信号W的长度。在此请再度注意到，电可擦除可编程只读存储器145是用来储存一初始写入策略表，而电可擦除可编程只读存储器145也可以被其它的非挥发性存储器(nonvolatilememory)(例如闪存)取代，另外，共享暂存器155并不限于使用暂存器集合(registerset)，也可以使用一个可储存大量资料并可快速存取的高速存储单元，此外，共享暂存器155也可以被一静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，SRAM)所取代，上述变化均属本发明的范畴。请参照图4，图4是本发明应用于光驱的写入策略设定方法的较佳实施例的流程图。详细的步骤说明如下所述步骤410开始；步骤420加载包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集的一初始写入策略并储存该初始写入策略至一储存单元；步骤430依据一写入策略参数设定集产生一写入脉冲信号以驱动一读写头于一光盘上烧录资料；步骤440从该光盘读取对应于该写入脉冲信号的资料信号；步骤450侦测该资料信号与一八至十四位调制波之间的误差值集合；步骤460分类每一误差值集合至一特定资料型态；步骤470储存这些误差值集合以重写该储存单元内初始写入策略并持续更新这些误差值集合一段时间；步骤480通过参考这些误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后的写入策略；步骤490储存修正后的写入策略至该储存单元来重写这些误差值集合；以及步骤495结束。本发明通过将对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集，以及计算后的误差值集合储存在相同的储存单元，不仅达到节省电路的效益，并能符合高速存取的目的。以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。权利要求1.一种应用于一光驱的写入策略设定装置，其特征在于包含有一储存单元，用于初始时储存一初始写入策略，其中该初始写入策略包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集；一误差计算器，耦接至该储存单元，用于计算通过该光驱使用该初始写入策略中一对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合，并且储存该计算后的误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集；以及一写入策略控制器，耦接至该储存单元，用于通过参考储存于该储存单元中的多个误差值集合与该初始写入策略以决定一修正后写入策略，并且储存该修正后写入策略至该储存单元。2.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述光驱是参考该初始写入策略中该写入策略参数设定集以产生用于测试该相对应资料型态的一写入脉冲信号，并读取对应于该写入脉冲信号的一资料信号，以及该误差计算器参考该资料信号与该写入脉冲信号之间的相位误差来决定该误差值集合。3.如权利要求2所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述资料信号是一截波后射频信号。4.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述误差值集合包含一八至十四位调制波的一理想长度与该光驱所产生的一截波后射频信号的一实际长度之间的一长度误差。5.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述光驱是参考该初始写入策略中该多个写入策略参数设定集来产生用于测试该多个资料型态的一写入脉冲信号，并读取对应于该写入脉冲信号的一资料信号，以及该写入策略设定装置进一步包含一误差侦测器，用来侦测该资料信号以决定多个误差值；以及一分类器，耦接至该误差侦测器与该误差计算器，用来将每一误差值分类至一特定资料型态；其中该误差计算器依据从该分类器输出的分类后误差值来决定该多个误差值集合。6.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，进一步包含一非挥发性存储器来储存该初始写入策略，以及该写入策略控制器将该初始写入策略从该非挥发性存储器加载并将其写入至该储存单元。7.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，当该光驱操作于一读取模式时，该误差计算器使用该计算后的误差值集合来重写该写入策略参数；以及当该光驱操作于一写入模式时，该写入策略控制器储存该修正后写入策略。8.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述储存单元是一暂存器集合。9.如权利要求1所述的写入策略设定装置，其特征在于，所述储存单元是一静态随机存取存储器。10.一种应用于一光驱的写入策略设定方法，其特征在于包含有储存包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集的一初始写入策略；计算由该光驱使用该初始写入策略中一相对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合，以及储存该计算后误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集；以及通过参考储存于该储存单元中多个误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后写入策略，并储存该修正后写入策略。11.如权利要求10所述的写入策略设定方法，其特征在于进一步包含参考该初始写入策略中该写入策略参数设定集以产生用于测试该相对应资料型态的一写入脉冲信号；读取对应于该写入脉冲信号的一资料信号；以及参考该资料信号与该写入脉冲信号之间的相位误差以决定该误差值集合。12.如权利要求11所述的写入策略设定方法，其特征在于，所述资料信号是一截波后射频信号。13.如权利要求10所述的写入策略设定方法，其特征在于，所述误差值集合包含一八至十四位调制波的一理想长度与该光驱所产生的一截波后射频信号的一实际长度之间的一长度误差。14.如权利要求10所述的写入策略设定方法，其特征在于，所述光驱参考该初始写入策略中该多个写入策略参数设定来产生用于测试该多个资料型态的一写入脉冲信号，并读取对应于该写入脉冲信号的一资料信号，且该写入策略设定方法进一步包含侦测该资料信号以决定多个误差值；以及分类每一误差值至一特定资料型态；其中计算该多个误差值集合的步骤是按照分类后的该多个误差值。15.如权利要求10所述的写入策略设定方法，其特征在于，其是在该光驱操作于一读取模式时执行通过该计算后误差值集合来重写该写入策略参数设定的步骤；以及在该光驱操作于一写入模式时，执行储存该修正后写入策略的步骤。全文摘要本发明提供一种利用一共享储存单元的写入策略设定装置及其相关方法，应用于一光驱，该写入策略设定装置包含有储存单元、误差计算器与写入策略控制器。该储存单元储存包含对应多个资料型态的多个写入策略参数设定集的一初始写入策略；该误差计算器计算通过该光驱使用该初始写入策略中一相对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合，并储存该计算后误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集；该写入策略控制器通过参考储存于该储存单元中多个误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后写入策略，并储存该修正后写入策略至该储存单元。通过本发明，不仅达到节省电路的效益，并能符合高速存取的目的。文档编号G11B20/00GK1925020SQ20061012181公开日2007年3月7日申请日期2006年8月24日优先权日2005年8月31日发明者刘元卿申请人:联发科技股份有限公司