专利名称：具可挠性的存储器模块的制作方法
技术领域：
本实用新型为一种具可挠性的存储器模块，尤指于基板一侧延设有具可挠性软板的存储器模块，以增加其所设置的存储器芯片的数量，且不需增加存储器模块的安装空间。
背景技术：
随着电子工业的进步及电子科技应用的快速发展，愈来愈多的电子产品被频繁的应用于日常生活中，以提升作业的方便性与生活品质，在许多不同的电子产品应用之中，皆须使用到许多不同种类的存储器元件，以提供各项操作所需的信息，且可作为资料与信息交换、暂存等空间之用，特别是计算机、通讯以及消费性电子产品等皆有日益频繁的应用。
而目前常见的存储器模块包括有SIMM(Single In-Line Memory Module)、DIMM(DualIn-Line Memory Module)、RIMM(Direct Rambus Memory Module)等，但无论是SIMM、DIMM或是RIMM，其多为单面8颗存储器芯片、单面4颗存储器芯片或双面16颗存储器芯片，故若要增加存储器模块的记忆容量，均必须先提升单颗存储器芯片的容量，才能增加存储器模块的记忆容量，再者，由于科技的发展与制造技术的进步，造成计算机愈加普及且其元件愈形缩小，也因此轻、薄、短、小的电子产品日渐的被开发，而轻、薄、短、小的电子产品由于具有处理大量数字化信息的强大功能以及方便携带的外观尺寸与重量，因而受到社会大众的喜爱与广泛应用，但因其空间有限，无法提供如现有技术电子产品一般的空间，故发展出一种小型双面存储器模块(Small Outline DIMM，SO DIMM)，以作为笔记型计算机等可携式电子产品的存储器，此一小型双面存储器模块(SODIMM)为单面设置4颗存储器芯片，故若要增加其记忆容量，仍必须先提升单颗存储器芯片才能达成，也因此也造成提升单个小型双面存储器模块(SO DIMM)记忆容量的困难性。
由此，如何改善存储器模块的结构，以增加其所设置的存储器芯片的数量，让存储器模块能在存储器芯片的容量不变下，能大幅提升其记忆容量，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种具可挠性的存储器模块，该存储器模块基板的一侧延伸设有具可挠性的软板，且软板上亦设置有复数个存储器芯片，当基板插入存储器模块插槽时，基板的复数个接点与存储器模块插槽的脚位呈电性连接，而使用者可对软板进行弯折，使基板与软板呈层叠状，藉此在存储器芯片的容量不变下，透过存储器芯片数量的增加提升存储器模块的记忆容量，且不需额外增加存储器模块安装的空间，以让电子产品更符合轻、薄、短、小的趋势。
为达成上述目的及功效，本实用新型所采用的技术特征如下一种具可挠性的存储器模块，设置有基板与复数个存储器芯片，而复数个存储器芯片设置于基板上，且基板上设有相关控制电路的布线，并于基板一侧设置有复数个接点与预设的存储器模块插槽的脚位呈电性连接，其特征在于该基板于远离复数个接点的一侧延设有具可挠性的软板，而软板具有相关控制电路的布线，并于软板上设置有复数个存储器芯片，且软板为可弯折并与基板呈层叠状。
为达成上述目的，本实用新型采用的另一技术特征如下
一种具可挠性的存储器模块，设置有第一基板与复数个存储器芯片，而复数个存储器芯片设置于第一基板上，且第一基板上设有相关控制电路的布线，并于第一基板一侧设置有复数个接点与预设的存储器模块插槽的脚位呈电性连接，其特征在于该第一基板于远离复数个接点的一侧延设有具可挠性的软板，而软板具有相关控制电路的布线，并于软板远离第一基板的一侧设有第二基板，且第二基板设有相关控制电路的布线与复数个存储器芯片，而软板可进行弯折以让第一基板与第二基板呈层叠状。
以下将结合附图与本实用新型的较佳实施例详加说明其特征与功能，以便于完全了解。
图1为本实用新型较佳实施例的立体示意图。
图2为本实用新型较佳实施例于使用时的示意图(一)。
图3为本实用新型较佳实施例于使用时的示意图(二)。
图4为本实用新型较佳实施例于使用时的示意图(三)。
图5为本实用新型另一较佳实施例的立体示意图(一)。
图6为本实用新型再一较佳实施例的立体示意图(二)。
图7为本实用新型再一较佳实施例的立体示意图。
图中符号说明1、存储器模块11、基板111、接点12、软板121、卡扣部13、存储器芯片2、存储器模块插槽21、凸块
3、存储器模块31、第一基板311、接点32、软板33、第二基板34、存储器芯片具体实施方式
请参阅图1所示，为本实用新型较佳实施例的立体示意图，由图中所示可清楚看出，本实用新型的具可挠性的存储器模块1包括有基板11、具可挠性的软板12以及复数个存储器芯片13所组成，其中该基板11设置有相关控制电路的布线与复数个接点111，该基板11可为印刷电路板。
该软板12设置于基板11远离复数个接点111的一侧，且软板12设置有相关控制电路的布线。
该复数个存储器芯片13设置于基板11与软板12上，且存储器芯片13可为DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片。
请同时参阅图2、3、4所示，为本实用新型较佳实施例于使用时的示意图(一)、示意图(二)以及示意图(三)，由图中所示可清楚看出，当本实用新型的具可挠性的存储器模块1于使用时，为先将基板11插入存储器模块插槽2内，使基板11的复数个接点111与存储器模块插槽2的脚位呈电性连接，此时使用者即可将软板12向存储器模块插槽2的方向弯折(如图3箭头所示)，以使软板12呈弯曲状，并让基板11与软板12呈层叠状(如图4所示)，藉由基板11与软板12的延伸结构，可大幅增加存储器模块1所设置的存储器芯片13，使记忆容量呈倍数成长，再者，软板12可进行弯折并与基板11呈层叠状，即不需要额外增加存储器模块1安装所需的空间，以让电子产品能符合轻、薄、短、小的趋势。
请参阅图5、图6所示，为本实用新型另一较佳实施例的立体示意图(一)与立体示意图(二)，由图中所示可清楚看出，该存储器模块1的软板12设有卡扣部121，且存储器模块插槽2为设置有凸块21，当基板11插入存储器模块插槽2时，使用者即可将软板12向存储器模块插槽2的方向弯折，使软板12呈弯曲状并让基板11与软板12呈层叠状，且将软板12的卡扣部121扣合于存储器模块插槽2的凸块21，使软板12于弯折后可呈一定位。
上述说明中软板12的卡扣部121，可于软板12于弯折后扣合于存储器模块插槽2的凸块21，为仅用以让软板12于弯折后可呈一定位，亦可利用固定元件将软板12锁固呈一定位，非因此即局限本实用新型的专利范围，如利用其它修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
请参阅图7所示，为本实用新型再一较佳实施例的立体示意图，由图中所示可清楚看出，本实用新型的具可挠性的存储器模块3设置有第一基板31，且第一基板31上设有相关控制电路的布线，并于第一基板31一侧设置有复数个接点311，而远离复数个接点311的一侧则依序设有软板32与第二基板33，且软板32与第二基33板亦设有有相关控制电路的布线，而第一基板31与第二基板33分别设置有复数个存储器芯片34，藉由第一基板31与第二基板33的延伸结构，可大幅增加存储器模块3所设置的存储器芯片34，使记忆容量呈倍数成长，而其于使用时为可将软板32进行弯折，以使第一基板31与第二基板33呈层叠状，而不需要额外增加存储器模块3安装所需的空间，以让电子产品能符合轻、薄、短、小的趋势。
上述再一较佳实施例所述及的软板32可进行弯折，并使第一基板31与第二基板33呈层叠状，并可透过定位手段使软板12于弯折后可呈一定位，然而，如于存储器模块插槽2设置夹持部夹持第二基板33，然而，此部份因非本实用新型的重点所在，所以在本说明书中仅以简单叙述，以供了解。
上述再一较佳实施例所述及的第二基板33可进一步设置卡扣部，且存储器模块插槽设置有凸块，以让软板32弯折并使第一基板31与第二基板33呈层叠状时，让第二基板可利用卡扣部扣合于扣合于存储器模块插槽的凸块，让软板32于弯折后让第二基板33呈一定位，亦可利用固定元件将第二基板33锁固呈一定位，非因此即局限本实用新型的专利范围，如利用其它修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
上述说明的存储器芯片13、34可为DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片，以上说明存储器芯片13、34的较佳实施形态以及等效结构变化而已，非因此即局限本实用新型的专利范围，如利用其它修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
而本实用新型的保护重点为针对于基板于一侧延设有软板，藉由软板可挠的特性让存储器模块进行弯折，以使存储器模块拥有更大的面积设置存储器芯片，进而增加存储器模块的记忆容量，凡运用本实用新型所采用的原理及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
本实用新型的具可挠性的存储器模块于实际使用时为可将可挠性基板进行弯折，以让可挠性基板呈一弯曲状，以让存储器模块与存储器模块呈层叠状，藉此，可让电子产品将节省存储器模块安装所需的空间，进一步让电子产品更加符合轻、薄、短、小的趋势。
综上所述，本实用新型上述的具可挠性的存储器模块于使用时，确实能达到其功效及目的，故本实用新型诚为一实用性优异的设计，符合专利的申请要件，依法提出申请。
权利要求1.一种具可挠性的存储器模块，设置有基板与复数个存储器芯片，而复数个存储器芯片设置于基板上，且基板上设有相关控制电路的布线，并于基板一侧设置有复数个接点与预设的存储器模块插槽的脚位呈电性连接，其特征是，该基板于远离复数个接点的一侧延设有具可挠性的软板，而软板具有相关控制电路的布线，并于软板上设置有复数个存储器芯片，且软板为可弯折并与基板呈层叠状。
2.一种具可挠性的存储器模块，设置有第一基板与复数个存储器芯片，而复数个存储器芯片设置于第一基板上，且第一基板上设有相关控制电路的布线，并于第一基板一侧设置有复数个接点与预设的存储器模块插槽的脚位呈电性连接，其特征是，该第一基板于远离复数个接点的一侧延设有具可挠性的软板，而软板具有相关控制电路的布线，并于软板远离第一基板的一侧设有第二基板，该第二基板设有相关控制电路的布线与复数个存储器芯片，而软板为可进行弯折以让第一基板与第二基板呈层叠状。
3.如权利要求1或2所述的具可挠性的存储器模块，其中该存储器芯片选自于DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片。
4.如权利要求1所述的具可挠性的存储器模块，其特征是，该软板设有可扣合于存储器模块插槽的凸块的卡扣部。
5.如权利要求2所述的具可挠性的存储器模块，其特征是，该第二基板设有可扣合于存储器模块插槽的凸块的卡扣部。
专利摘要本实用新型为一种具可挠性的存储器模块，包括基板、复数个存储器芯片以及具可挠性的软板构成，该基板上设置有复数个存储器芯片与其相关控制电路的布线，并于基板的一侧设置有复数个接点，且基板远离复数个接点的一侧延设有软板，而软板上亦设置有复数个存储器芯片与其相关控制电路的布线；使用时，先将基板插入存储器模块插槽内，使基板的复数个接点与存储器模块插槽的脚位呈电性连接，且使用者可对软板进行弯折，以让基板与软板呈层叠状，藉此透过存储器芯片数量的增加可以提升其记忆容量，且不需额外增加存储器模块安装的空间。
文档编号G11C5/06GK2881885SQ20062000242
公开日2007年3月21日 申请日期2006年1月16日 优先权日2006年1月16日
发明者连世雄 申请人:宏连国际科技股份有限公司