专利名称：用于基于参考电平的写入策略优化的设备和方法
技术领域：
本发明涉及包含优化的写入策略控制的光学记录设备，还涉及用于在光学记录过程中优化写入策略的相应方法。本发明特别涉及写入策略的一个或多个参数的优化。
背景技术：
在光学介质(例如CD、DVD和BD)上记录数据希望的最优辐射功率量尤其依赖于所使用的特定介质，依赖于记录速度，甚至可以依赖于数据被记录在介质上的位置。为介质提供正确的辐射功率是非常重要的，因为不正确的辐射功率的设置会导致不正确的光学效应(通常被成为标记)，例如太小或者太大的效应。由于这些光学效应代表记录的数据，不正确的辐射功率设置因而会导致不正确的记录。
在当前一代的DVD驱动和下一代BD驱动中，必须对用于在盘片上记录数据的辐射功率和写入策略进行非常精确的控制。例如，这可以以下的方法实现。在基于抖动测量并作用在盘片内径的初始优化步骤(OPC，最优功率控制)之后，在使用优化步骤中发现的最优设置的同时，对所记录的光学效应的非对称性进行测量。在记录若干条轨道(例如，约100)后，对最后一个轨道进行回读，并测量所记录的光学效应的非对称性。当轨道表现出具有比最优的那个更高的非对称性时，减小写入功率，并且当轨道表现出具有更低的非对称性时，增大写入功率。这种写入功率的半连续适应方法称为随行OPC(walking OPC)，这是因为在必要时仅以特定的时间间隔(或者位置)修正写入功率。
对更大存储容量和更高存取速度日益增大的要求使得在记录过程中使用更精确且反应更迅速的用于控制辐射功率的控制机制成为必要。因此，在本领域中需要改进的光学记录设备和确保最优光学记录的改进方法。
发明内容
本发明寻求提供一种改进的光学记录设备，其具有用于在记录过程中确保优化的记录参数设置的装置。记录参数的组合通常被称为写入策略。
发明人认识到，迄今为止在功率控制机制中仅测量单一的参数，也就是所有有效长度(也称为游程长度)的“平均”非对称性。使用如此有限的信息量导致很难实现例如在高速BD记录中所需要的精确的功率控制的需求。
根据本发明的第一个方面，提供了一种具有优化写入策略控制的光学记录设备，该设备包括 -用于发射辐射光束的辐射源，以便在光学记录载体上记录光学效应并从光学记录载体上读出光学效应，根据包含一个或多个写入参数的写入策略在记录环境中发射该辐射光束。
-用于读出所记录的效应的读出单元，以便提供读出信号，该读出信号包括从记录载体上的第一区反射的具有第一长度的第一部分，和从记录载体上的第二区反射的具有第二长度的第二部分，其中从第一区到第二区的跳变被标记为前沿，从第二区到第一区的跳变被标记为后沿， -位探测器，用于提供与读出信号相对应的调制位， -处理单元，用于将调制位分组为调制位序列，并且用于将读出信号的每个调制位序列和一个参考电平相关联，该参考电平对应于给定的调制位序列的读出信号的平均幅度。
-用于基于参考电平的值确定记录载体上前沿和/或后沿的平均跳变移位的装置，和 -用于基于参考电平的值设置写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个的装置。
读出信号可以是测量的光学信号(或由光学信号导出)，例如从只可写入一次或者可重复写入的CD类盘片、DVD类盘片、BD类盘片等反射的测量的光学信号。读出信号是调制信号，其中调制表示存储在盘片上的二进制数据。典型的存储在盘片上的数据的编码是游程长度编码，其中信息存贮在光学效应的长度中和光学效应之间的间隔的长度中。存储在盘片上的位模式在由空间和光学效应(标记)之间的跳变移位的时序表示的游程长度编码中。
光学效应通过根据写入策略驱动辐射源而提供在光学介质上。通常光学效应是借助具有由多个写入参数为特征的脉冲形状的辐射脉冲来写入的。典型地，写入策略包括多个写入参数，例如打开或关闭辐射功率的命令，将辐射功率设置为特定的水平，对于给定的持续时间维持辐射功率等等。
特定的写入策略可能依赖于希望的光学效应，例如依赖于希望的效应的长度。标准的写入策略可以根据要记录的光学效应的希望长度分类存在，也就是用于写入I2标记的I2策略，用于写入I3-标记的I3策略等等。
不仅在光学可记录介质上记录数据之前，而且在记录数据过程中校准(也就是重新优化)写入策略可能是重要的，有时甚至是必需的。这是因为盘片并不是完全均匀的，系统正在预热等等。
在仅测量所有光学效应的平均非对称性的现有技术的系统中，信息量是有限的，导致难以满足精确功率控制的要求。通过基于参考电平的值来确定读出信号中的前沿和/或后沿的平均跳变移位，在根据本发明的设备中执行更详细且更完整的优化。在本发明的实施例中，平均跳变移位是基于这些参考电平相互之间的相对值。
本发明使得在具有数据容量高于30GB，例如在30-37G的范围内的存储介质上优化记录过程成为可能，因为可以为这样的数据密度提供参考电平。这是具有优势的，因为当前不存在用于在如此高容量的介质上优化记录过程的替换方法。
在从属权利要求2中限定了根据本发明的设备的实施例。该实施例具有的优点在于从作为光学效应的长度的函数的参考电平中确定光学效应的非对称性，这使得从参考电平中提取依赖于游程长度的非对称信息成为可能，由此能够实现对写入策略进行依赖于游程长度的优化。
波形的非对称性是对标记相对于间隔有多长的直接度量，通过基于非对称性优化写入策略，保证了正确尺寸的光学效应。
在从属权利要求3到5中限定了根据本发明的设备的另外有利的实施例。在这些实施例中，参考电平的位置，及由此产生的相对于给定跳变的跳变移位的值直接地和功率电平、电平持续时间、或者写入脉冲的定时相关。可选地，这些相关性通过可以由处理装置使用的规则来定义以便优化写入参数。
在从属权利6中限定了根据本发明的设备的实施例。该实施例具有的优点在于在记录过程的第一部分期间读取光学效应序列的第一部分，在优化过程中优化写入策略，随后在记录过程的第二部分中使用优化的写入策略，从而为整个记录过程确保了最佳的写入质量。
根据本发明的第二方面，提供了优化包含一个或多个写入参数的写入策略的相应方法，该方法包括下列步骤 -提供所测量的读出信号，该读出信号包括从记录载体上的第一区反射的具有第一长度的第一部分，和从记录载体上的第二区反射的具有第二长度的第二部分，其中从第一区到第二区的跳变被标记为前沿，从第二区到第一区的跳变被标记为后沿， -提供对应于该读出信号的调制位，该调制位被提供作为调制位序列， -将每个调制位序列和参考电平相关联，该参考电平反映了对于给定的调制位序列的读出信号的工作平均幅度， -基于参考电平的值确定读出信号中前沿和/或后沿的平均跳变移位，并且 -基于该平均跳变移位来设置写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个。
根据本发明的第三方面，提供了用于控制按照根据本发明的光学记录设备的集成电路(IC)。该IC可以结合到根据本发明的第一方面的设备中，或者可以作为标准IC(或芯片组)结合到任意光学记录设备中以便包含本发明的优化过程。
根据本发明的第四方面，提供了用于根据本发明的第二方面的方法控制光学记录设备的计算机可读代码。该计算机可读代码可控制IC，例如，根据本发明第三方面的IC，以便能够控制记录设备从而包含本发明的优化过程的功能。大体上，本发明的各个方面可以在本发明范围内以任何可能的方式合并和联合。本发明的这些和其他的方面、特征和/或有利之处将参考下文中描述的实施例而显而易见。
参考附图，将仅通过示例的方式来描述本发明的实施方式，其中 图1示意性地示出了光学记录设备的元件， 图2示意性地示出了一系列来自于光学信号的通道位， 图3示意性地示出了参考电平提取模块的实施例， 图4A和4B示出了光学信号和参考电平之间的关系，以及 图5显示了3T写入策略的示意图。
具体实施例方式 图1示意性地示出了根据本发明的能够从光学记录载体8读取信息和/或向光学记录载体8写入信息的光学记录设备1的元件。注意到，光学记录设备包含大量具有各种功能的元件，在此仅描述其中最相关的部分。控制装置CTRL 2指的是用于控制光学记录设备的任意类型的控制装置。该控制装置CTRL 2可包含诸如机械控制元件、电子控制元件和微处理器装置的控制元件。机械控制元件包含用于旋转盘片形光学记录载体8和用于移动光学拾取单元5的马达装置。电子控制元件包含用于控制光学拾取单元5的运动的控制元件。微处理器装置(如集成电路(IC)装置)可包括允许对设备的运转进行高级控制的硬连线处理装置和/或软件处理装置。高级控制的示例包括在记录模式期间对发射的激光功率的脉冲形状的设置(也就是写入策略)进行控制。
光学记录设备包括光学拾取单元5(也称为OPU)。光学拾取单元5包括用于发射激光束的激光器6，所述激光束借助多个光学元件聚焦3在盘片上。在记录模式中，聚焦的激光束可以具有足够大的强度，以便为光盘提供物理变化，即在盘片上提供光学效应(标记)。可替换地，在读取模式中，激光束的功率不足以诱发所述物理变化，并且通过用于读取盘片上的光学效应(标记)的光电检测器7来检测从盘片上反射的激光。
正如通过光电检测器7所观察到的，所测量的来自光学记录载体的光学信号被称为高频信号，或简称为HF信号。通过光电检测器7测量的信号通过专用单元(未示出)或通过控制装置CTRL 2中包含的处理装置被转换为适合于进一步处理的形式。
图2示出了描绘来自读取信号40的一系列通道位20。该系列通道位包括对应于从记录载体8上的第一区域反射的激光、具有第一长度211、表示间隔或高反射率区域的第一部分21，以及对应于从记录载体8上的第二区域反射的激光、具有第二长度221、表示标记或低反射率区域的第二部分22。从第一到第二区域的跳变被标记为前沿23，从第二区域到第一区域的跳变被标记为后沿24。
盘片型记录载体8上的光学效应通常沿着从中心向外盘旋的轨道对齐。这些光学效应(由第二部分22表示)通常被称为标记，而这些标记之间的区域(由第一部分21表示)通常被称为间隔。在相变型光盘(通常用作可重写光盘)中，这些标记是具有低反射率的非结晶区域，而间隔是具有高反射率的结晶区域。
在光学记录中，将数据以不同游程长度，即不同长度的间隔和标记的模式进行存储。对于给定盘片的最优性能来说，重要的是所有标记和间隔的长度正好是标准通道位长度的倍数。例如，在蓝光光盘(BD)中，最短的效应是标准通道位长度(作为长度的单位)的两倍，也称为I2。最长的效应是通道位长度(作为长度的单位)的9倍，也称为I9。当标记和间隔的长度不正好是通道位长度的倍数时，这将会被视为是相对于最优情况的偏离，并将导致变差的位检测性能。
在真正的盘片上，高反射率区域(间隔)和低反射率区域(标记)之间的跳变并非总是处于正确的位置中。某些可能过于往左(即，时间上过早；根据定义为负)，某些可能过于往右(即，时间上过晚；根据定义为正)。这通过指示出所测量的跳变位置的点划线27、271、272来表示。在图2中，水平轴28代表时间轴。该时间轴具有所谓的1T分辨率(即，时间轴上的一个单位对应于一个通道位的持续时间)。对于理想的信号，跳变23、24应当与时间轴上1T单位精确对准。
在下文中，通过示例的方式描述了本发明的实施例。在这些实施例中，对所测量的参考电平值进行处理，以便提取关于标记和间隔的位置以及关于标记和间隔之间的跳变位置的定时信息。
图3示出了参考电平提取模块30的实施例，这可以是控制装置CTRL 2的一部分。参考电平可以被看作是对于给定调制位序列的HF信号的平均值(表示平均激光强度)。参考电平的数量取决于在这种调制位的序列(ak-4...ak)中在计算中同时截取的位的数量。因此，可以使用比本实施例中所示的参考电平更多或更少的参考电平，而不偏离本发明。调制位ak是例如借助阈值检测器或维特比(Viterbi)位检测器来从数字化的HF信号dk中提取的。维特比检测器通常用于现代光盘系统中。当使用了这种维特比位检测器时，在调制位序列中同时截取的位的数量与在维特比位检测器中使用的抽头(tap)数直接相关。在所示的实施例中，描述了5抽头参考电平提取模块30，其中17PP调制代码具有16个不同的参考电平(17PP是(1，7)RLL极性保持最小跳变游程长度重复阻止的缩写)。然而，应当理解的是可以替换地处理其他抽头数(即，调制位的数量)，以及由此产生的更多或更少的参考电平。因此，在本发明的范围内也要考虑这样的实施例，即其中测量了比本实施例中所示的16个参考电平更多或更少的参考电平的实施例。该参考电平可以任选地具有维特比参考电平的形式。参考电平可以取决于所使用的维特比检测器的类型。当使用了维特比位检测器时，有利的是由于这些参考电平可以作为维特比位检测引擎的一部分内置于硬件中，因此可以从维特比参考电平中提取依赖于游程长度的非对称信息。
如上所述，参考图3描述了利用了5个调制位(ak-4...ak)的序列的实施例。因此，每个参考电平是5个调制位的平均值，并且因此实时位流在时间上发生延迟，这是由于至少5个调制位需要被预先读取。另外，所检测的调制位ak延迟了4个延迟单位Z-1。数字化的HF信号dk延迟了2个延迟单位Z-1，由此将调制位与HF信号进行同步。在每个时钟周期期间，通过地址编码器31将5个调制位(ak-4...ak)转变为4位地址33。该4位地址指向存储在游程平均单元32中的16个参考电平(R1.....R16)其中之一。在该游程平均单元32中用通过延迟dk所获得的时间同步HF信号dk-2来更新所选择的参考电平的游程平均值。于是在游程平均单元32中16个最新的参考电平R1至R16是可用的，并且可以被输出用于设置写入策略参数。通过示例，表1示出了当遵循对于位流的17PP码时所允许的5位的调制位序列(ak-4...ak)以及相应的参考电平RL 表1 前10个参考电平10(R1至R10)每个对应于具有单次跳变的调制位序列(即在0序列和1序列之间仅有一次跳变)。这些参考电平主要和从一个长效应到另一个的跳变有关。参考电平R11和R13感测出如何对I2标记(具有低反射率，因此两个连续的0)进行定位/确定大小，而参考电平R12和R14包含了关于I2间隔(具有高反射率，因此两个连续的1)的信息。最后，参考电平R15与I3标记(三个连续的0)有关，参考电平R16与I3间隔(三个连续的1)有关。
图4示出了光学信号和参考电平之间的关系。图4a示出从25GB的BD光盘中读取的光学信号40。还示出了从光学信号中提取的位，并用点41和42表示。附图标记41指的是高反射率区域，即间隔，附图标记42指的是低反射率区域，即标记。连续的点的数量指的是所提取的游程长度，例如，示出了由附图标记43表示的I2间隔游程长度(2个连续的点)和由附图标记44表示的I3间隔游程长度(3个连续的点)。此外，重叠光学信号40是由圆圈45所示的5抽头参考电平，其中每个圆圈对应于读取信号的平均幅度，由此对应于给定位序列的平均激光强度。
图4B示出了参考电平45在时间t上的游程平均值。在这个图中，通过在每个时钟周期之后(因此是在每次新的测量之后)更新图来描述参考电平的游程平均值。注意到图4A事实上是图4B的部分49的高倍放大图。还示出了从光学信号中提取的位41、42，然而由于更新的缘故它们变为单一的实线。类似地，光学信号40变为或多或少完全被覆盖的区域。在图4B中，16个参考电平45中仅有10个是可见的。这是因为在给定的设置中几乎不存在通道失真，这导致了若干个参考电平彼此重叠。然而这些重叠的参考电平可以被分隔开，这是由于每个电平是通过相应的调制位序列来标记的。
根据本发明，从参考电平的值以及从这些值之间的关系中提取出关于标记和间隔的位置的信息，更具体地，是关于标记和间隔之间的跳变位置的信息。
从物理上讲，调制位和参考电平之间的链接对应于在记录载体上聚焦的光斑与在记录载体上的标记和间隔的卷积。从数学上讲，调制位与参考电平之间的链接可以由下列矩阵方程来表示 其中Rx表示参考电平x。该16×5的矩阵表示了调制位模式(ak-4...ak)，并且h向量描述了光学通道冲击响应，其中h0指中心强度，h±1和h±2分别指加减1个、2个时钟单元处的强度。
当测量参考电平时，可以大体上找到光学通道冲击响应向量h。上述矩阵方程包括仅具有5个未知变量(h-2、h-1、h0、h+1和h+2)的16个方程。例如使用最小方差法可以解这种问题。
然而，如果试图在一组通过真实实验测量的参考电平基础上解上述矩阵方程，则使用这种简单的模型几乎不可能拟合所有的参考电平。这主要是因为没有考虑标记和间隔的非对称性这一事实。根据本发明，将非对称性对参考电平的影响结合到模型中。参考电平R1到R10(表1)全部与单一的跳变模式相关联(即，在每个相应的调制位序列中在0系列和1系列之间仅有单一的跳变)。从1(高值信号)到0(低值信号)的跳变表示了标记的前沿，通过将最接近于该跳变的1替换为L表示的变量来将(可能的)非对称引入到模型中。小于1的L值模仿了启动过早的标记效应(诸如图2中的跳变27)。类似地，对所有从0到1的跳变(表示标记的后沿)，将1用T表示的变量来代替，其模仿了标记后沿上的沿移位272。
参考电平R11到R16(表1)中的所有沿移位对于某些游程长度是特定的。为了对这些跳变将非对称性结合到模型中，对每个这种特定跳变引入了特定的变量。这些特定的变量被编码为X(X)YZ，其中X(X)是一个或两个字母代码，其中L表示前沿，T表示后沿，Y是表示效应长度的数值(例如，X3Z与I3效应有关)，Z是字母代码，其中M表示标记效应，S表示间隔。现在可以将把所有调制位模式(ak-4....ak)与参考电平Rx联系起来的矩阵方程写为 该矩阵方程例如可以通过下面的两步法求解，其中 -在第一步中，基于参考电平R1至R10来求解光学通道冲击响应向量h和游程长度L和T，并且其中 -在第二步中，基于剩下的参考电平来求解特定的变量。
步骤1基于参考电平R1至R10来求解h和游程长度L和T 第一步可以例如通过应用周知的最小方差法来求解，或者可以通过基于计算机的数值法(例如使用周知的软件程序Maple或Mathematica)来求解。当使用最小方差法来求解矩阵方程的前十个方程时，可以通过计算所测量的参考电平和建模的参考电平之间的误差来找到h值，并且将该误差与位模式做卷积以便更新h。可以通过向相应的L(参考电平R7至R10)和T(参考电平R2至R5)加入DC误差分量来找到L和T变量。在多次迭代之后，得到最佳拟合解。为了提高收敛度，可以强制该解具有对称的h向量，以便具有更少的变量且更好地定义该解。在估算了光学通道冲击响应向量h和变量L和T之后，现在可以在第二步中确定对于每个特定跳变的特定变量。
步骤2基于参考电平R11至R16求解对于I2和I3游程长度的特定变量 步骤2a；基于已知h向量并基于R11和R13求解L2M和T2M(具有两个未知数的2个方程) 步骤2b；基于已知h向量并基于R12和R14求解L2S和T2S(具有两个未知数的2个方程) 步骤2c；基于已知h向量并基于R15求解LT3M(仅具有1个未知数的1个方程) 步骤2d；基于已知h向量并基于R16求解LT3S(仅具有1个未知数的1个方程) 在上述示例中，确定了包含从一个长效应到另一个的跳变的游程长度的非对称性(参考电平R1至R10)，确定了I2游程长度的非对称性(参考电平R11至R14)，以及确定了I3游程长度的非对称性(参考电平R15至R16)。应当注意的是，通过使用更多的参考电平，同上述示例中仅示出的I2和I3效应相比，可以确定对于各种游程长度的更具体的非对称性，和/或可以确定更多的游程长度的非对称性。
通过方便对不同游程长度的非对称性确定，有助于实现写入策略的更精确控制。这特别适合于高级随行OPC方法。在这种随行最优功率校准方法中，通常在实际记录数据之前在盘片的保留区域中优化写入策略。接着，系统开始记录数据。在记录了预定数量的轨道之后，系统跳回一个轨道并且分析最后所写入的轨道的质量。由于盘片并非完全均匀的，系统在预热等等情况，可能会需要略微调整写入策略以便提高写入性能。以预定的时间间隔重复这一过程，并且以这种方式可以可靠地写入整个盘片。通常仅可以调整写入功率，因为当读取最后写入的轨道时仅测量一个参数。然而，通过提供依赖于游程长度的非对称性，可以在写入策略中调整一个以上的参数。或者，可以在给定的写入策略中调整特定的参数。
图5示出了3T标记写入策略50的示意图。示出了作为时间t的函数的激光功率PL。写入策略定义了用于在记录载体上形成各种光学效应(标记)的激光脉冲。所示出的写入策略包括多个写入参数，即四个功率电平(E、W、B、C)和这些功率电平中每个功率电平的持续时间。激光开始于擦除功率电平(E)，接着是具有写入功率电平(W)的写入脉冲。在写入脉冲之后将功率减小到偏置功率电平(B)以便使相变材料淬火。最后，使用具有功率电平C的擦除脉冲来使非晶标记的一部分重结晶，以便使后沿处于正确的位置中。可以根据盘片类型通过规定子脉冲的数量和每个子脉冲的持续时间来调节写入脉冲的脉冲形状。在图5的示例中，通过示例的方式示出了包含其间具有功率电平W和偏置功率电平B的两个子脉冲的写入脉冲。应当指出的是，本发明不限于图5所示类型的写入策略，该图仅提供作为写入策略的示例。
基于本发明，可以在优化过程中基于参考电平的值来优化写入策略中的一个或多个写入参数。在本发明的实施例中，该优化过程是基于彼此相对的参考电平的值。一个或多个写入参数可以包括功率电平、功率电平持续时间、脉冲或子脉冲的定时等等。
在上述实施例中，可以提取长游程长度的光学效应的非对称性，以及游程长度特定的L2M/T2M和L2S/T2S跳变(对于I2效应)和LT3M和LT3S跳变(对于I3效应)。基于这些非对称性，可以调节用于记录I2和I3效应的写入策略中特定的参数设置，这些效应对于获得可靠的数据记录来说是最关键的。
通常可以根据一些预定规则，例如基于所确定的非对称性来估算平均跳变移位，并优化写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个。这种规则包括依赖于游程长度的非对称性和写入策略中各种参数的设置之间的关系。或者，这种规则包括如何确定将要优化哪个写入策略(或哪些写入策略)的方案，和/或如何确定写入策略中哪些参数需要被调整的方案，以及调整的范围。
尽管已经根据优选实施例描述了本发明的各种方面，但这并不意味着将本发明限制为这里提出的特定形式。相反，本发明的范围由附属的权利要求所限定。在上文中，为了解释而非限制的目的提出了所披露的实施例的某些具体细节，以便提供对本发明清楚彻底的理解。然而，本领域技术人员应当理解，本发明可以以其他并不完全符合这里所描述的细节的实施方式进行实施，而不显著背离本发明所公开内容的精神和范围。此外，在上下文中，为了简明清楚的目的，省略了对周知的装置、电路和方法的详细描述以避免不必要的细节和可能产生的混淆。根据本发明的装置的元件可以通过若干个分立的硬件部件来实现，或者可以将若干个元件组合为一个相同的硬件部件。此外，一些元件可以通过适当编程的处理器来实现。
在权利要求中包含附图标记。然而，包含这些附图标记仅仅为了清楚起见，并不应当被解释为限制权利要求的范围。
权利要求
1、具有优化的写入策略控制的光学记录设备(1)，该设备包括
-用于发射辐射光束的辐射源(6)，以便在光学记录载体(8)上记录光学效应并从光学记录载体上读出光学效应，在根据包含一个或多个写入参数(E、W、B、C)的写入策略(50)的记录环境中发射该辐射光束；
-用于读出所记录的效应的读出单元(7)，以便提供读出信号(40)，该读出信号包括从记录载体上的第一区反射的具有第一长度(211)的第一部分(21)，和从记录载体上的第二区反射的具有第二长度(221)的第二部分(22)，其中从第一区到第二区的跳变被标记为前沿(23)，从第二区到第一区的跳变被标记为后沿(24)，
-位探测器，用于提供与读出信号(40)相对应的调制位，
-处理单元，用于将调制位分组为调制位序列(ak-4...ak)，并且用于将读出信号的每个调制位序列和参考电平(Rx，45)相关联，该参考电平对应于给定的调制位序列的读出信号(40)的平均幅度，
其中该设备还包括
-用于基于参考电平的值确定记录载体上前沿(27，271)和/或后沿(272)的平均跳变移位的装置，和
-用于基于参考电平的值设置写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个的装置。
2、根据权利要求1的设备，包括用于从作为光学效应(211、221)的长度的函数的参考电平(Rx，45)中确定光学效应的非对称性的装置，以及用于基于所述所确定的非对称性设置至少一个写入策略(50)参数的装置。
3、根据权利要求1的设备，其中一个或多个写入参数包括功率电平(E、W、B、C)和/或功率电平持续时间。
4、根据权利要求1的设备，其中一个或多个写入参数包括辐射光束中写入脉冲的定时，该定时是与参考时钟相关联所获得的。
5、根据权利要求1的设备，包括用于估算前沿和/或后沿的平均跳变移位的装置，以及用于根据预定的规则优化写入策略(50)中一个或多个写入参数(E、W、B、C)中的至少一个的装置。
6、根据权利要求1的设备，包括可操作地用于在可记录介质上记录一系列光学效应的控制装置，并且其中读出单元可操作地用于在记录过程的第一部分期间读取所述序列的第一部分，并且用于从所述序列的第一部分中获得读出信号，
该写入策略中一个或多个写入参数中的至少一个根据从所述序列的第一部分中获得的读出信号进行设置，
该控制装置进一步可操作地用于在记录过程的第二部分中记录一系列光学效应，同时使用写入策略中的该组参数。
7、用于光学记录设备中的集成电路(IC)，该IC适用于根据所测量的读出信号(40)的前沿(23)和/或后沿(24)的平均跳变移位来设置写入策略(50)中的一个或多个写入参数(E、W、B、C)，该平均跳变移位是基于参考电平(Rx，45)的值来确定的，该参考电平反映了对于给定的调制位序列(ak-4...ak)的读出信号(40)的幅度。
8、用于控制光学记录设备的计算机可读代码，控制该设备以根据所测量的读出信号(40)的前沿(23)和/或后沿(24)的平均跳变移位来优化写入策略(50)中的一个或多个写入参数(E、W、B、C)，该平均跳变移位是基于参考电平(Rx，45)的值来确定的，该参考电平反映了对于给定的调制位序列(ak-4...ak)的读出信号的幅度。
9、用于优化包括一个或多个写入参数(E、W、B、C)的写入策略(50)的方法，该方法包括下列步骤
-提供读出信号(40)，该读出信号包括从记录载体上的第一区反射的具有第一长度(211)的第一部分(21)，和从记录载体上的第二区反射的具有第二长度(221)的第二部分(22)，其中从第一区到第二区的跳变被标记为前沿(23)，从第二区到第一区的跳变被标记为后沿(24)，
-提供对应于该读出信号的调制位，该调制位被提供作为调制位序列(ak-4...ak)，
-将每个调制位序列和参考电平(Rx，45)相关联，该参考电平反映了对于给定的调制位序列(ak-4...ak)的读出信号(40)的工作平均幅度，
其中基于参考电平的值确定读出信号中前沿(27，271)和/或后沿(272)的平均跳变移位，并且其中基于该平均跳变移位来设置写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个。
全文摘要
本发明涉及包括用于在记录过程中优化写入策略的装置的光学记录设备。该设备包括用于根据写入策略发射辐射光束的辐射源，提供读出信号的读出单元，用于提供与读出信号相对应的调制位的位探测器，处理单元，用于将调制位分组为调制位序列并且用于将读出信号的每个调制位序列和一个参考电平相关联，该参考电平对应于给定的调制位序列的读出信号的平均幅度。基于参考电平的位置确定前沿和/或后沿的平均跳变移位，并且基于参考电平的相对值在优化过程中优化写入策略中的一个或多个写入参数中的至少一个。可选地，可以从参考电平中确定光学效应的非对称性，以便基于非对称性优化写入策略。
文档编号G11B7/125GK101297361SQ200680039219
公开日2008年10月29日 申请日期2006年10月12日 优先权日2005年10月21日
发明者R·弗卢特斯 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司