专利名称：只读光学信息存储介质的记录方法和再现方法
技术领域：
本发明涉及一种只读光学信息存储介质、 一种信息记录/和再现方法、以 及一种记录/再现设备，更具体地讲，涉及一种具有多个区的光学信息存储介 质以及对该光学信息存储介质记录/和再现信息的方法和设备，在该多个区中 数据根据不同的记录调制方法或者作为不同的凹坑摆动被记录。
背景技术：
光盘通常被用作光学拾取装置的信息存储介质，该光学拾取装置将信息 记录在光盘上和/或从光盘再现信息，而无须接触光盘。光盘根据其信息记录 容量被分为压缩盘(CD)或数字多用途盘(DVD)。 CD和DVD还包括650MB CD隱R、 CD-RW、 4.7GBDVD+RW等。
上述光学信息介质被标准化并且彼此兼容，这使得它们经济并方便使用。 已经进行了对未被标准化的存储介质标准化的尝试。具体地讲，新存储介质 的格式必须被研发，从而新存储介质与现存存储介质兼容或一致。
如图l所示，传统只读光盘包括烧录区(BCA) 10、导入区20、用户数据 区30和导出区40。如传统只读光盘的序列号的信息作为条码被记录在BCA 10中，传统只读盘相关信息被记录在导入区20中。
发明内容
本发明提供一种可保持与其它类型的光学信息存储介质的 一致性并且规 定记录图样或记录调制方法的光学信息存储介质，从而提高与驱动器的兼容 性。
将在接下来的描述中部分阐述本发明另外和/或其它方面和其它优点，还 有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。
根据本发明的一方面，提供一种包括数据在其中以凹坑的形式被记录的 多个区的只读光学信息存储介质。在该多个区中的至少 一个中的凹坑具有与 形成在该多个区中的其它区中的凹坑不同的凹坑图样。
该多个区可包括烧录区、导入区、用户数据区和导出区。
形成在烧录区中的凹坑的图样可与形成在导入区和用户数据区的至少一 个中的凹坑的图样不同。
形成在烧录区中的凹坑的图样可以是第 一直线凹坑行和第 一 凹坑摆动中 的一个，形成在导入区和用户数据区的至少一个中的凹坑的图样是与第一直 线凹坑行不同的第二直线凹坑行和与第 一 凹坑摆动不同的第二凹坑摆动中的 一个。
导入区可包括第一和第二区，凹坑以第三直线凹坑图样和第三凹坑摆动 图样中的一个形成在第 一 区中，凹坑以第四直线凹坑图样和第四凹坑摆动图
样中的一个形成在第二区中。
第三直线凹坑图样和第四直线凹坑图样的每个可以是单一直线凹坑图
样、特定直线凹坑图样或随机直线凹坑图样中的一个。
第三凹坑摆动和第四凹坑摆动的每个可以是单一 凹坑摆动、特定凹坑摆 动和随机凹坑摆动中的一个。用户数据区可包括多个基本记录单元以及分别
位于基本记录单元之前和之后的移入区(run-in)和移出区(run-out)。
根据本发明的另 一方面，提供一种包括数据在其中以凹坑的形式被记录 的多个区的只读光学信息存储介质。该多个区中的至少 一 个中的凹坑通过与 用于形成该多个区的其它区中的凹坑的记录调制方法不同的记录调制方法而 形成。
该多个区可包括烧录区、导入区、用户数据区和导出区。使用在烧录区 中的记录调制方法可与使用在导入区和用户数据区中的至少 一个中的记录调 制方法不同。使用在烧录区、导入区和用户数据区中的记录调制方法可以是 RLL(d, k)调制方法和二相调制方法中的一个。
烧录区、导入区、用户凝:据区和导出区中的至少一个可^^皮分为多个子区， 子区中的凹坑可^f吏用不同的调制方法。
根据本发明的另一方面，提供一种只读光学信息存储介质，其包括多个 记录层，每个记录层具有数据在其中以凹坑的方式被记录的多个区，其中， 该多个区中的至少 一个中的凹坑具有与形成在该多个区的其它区中的凹坑不
同的凹坑图样。
根据本发明的一方面，提供一种将信息记录到具有多个区的只读光学信 息存储介质的方法，包括将数据以第一凹坑图样以凹坑的形式记录在该多
个区中的至少一个中；和将数据以与第一凹坑图样不同的第二凹坑图样以凹
坑的形式记录在该多个区中的其它区中。
根据本发明另 一方面，提供一种将信息记录到包括多个区的只读光学信
息存储介质的方法，包括根据第一调制方法将数据以凹坑的形式记录在该 多个区中的至少 一 个中；和^^艮据与第 一调制方法不同的第二调制方法将数据 以凹坑的形式记录在该多个区的其它区中。
根据本发明的另 一方面，提供一种将数据记录在只读光学信息存储介质 上的方法，包括使用第一凹坑图样和第一记录调制方法中的一个将数据记 录在该多个区中的一个中，该第一凹坑图样和第一记录调制方法由介质规定； 和使用第二凹坑图样和第二记录调制方法中的一个将数据记录在该多个区的 其它区中的至少 一个中。当第 一凹坑图样被用于将数据记录在该多个区中的 一个中时，仅第二凹坑图样被用于将数据记录在该多个区的其它区的至少一 个中。当第一调制方法被用于将数据记录在该多个区中的一个中时，仅第二 调制方法被用于将数据记录在该多个区的其它区的至少一个中。
根据本发明的一方面，提供一种用于具有多个区的只读光学信息存储介 质的记录设备，包括记录单元，用于将数据记录在该多个区中；和控制器， 控制记录单元以将数据以第一凹坑图样以凹坑形式记录在该多个区中的至少 一个中，并控制记录单元以将数据以与第一凹坑图样不同的第二凹坑图样以 凹坑形式记录在该多个区的其它区中。
根据本发明的另 一方面，提供一种用于具有多个区的只读光学信息存储 介质的记录设备，包括记录单元，用于将数据记录在该多个区中；和控制 器，控制记录单元以使用第 一 凹坑图样和第 一记录调制方法中的 一个将数据 记录在该多个区中的一个中，该第 一凹坑图样和第 一记录调制方法由介质规 定，并且该控制器控制记录和/或读单元以使用第二凹坑图样和第二记录调制 方法中的一个将凝:据记录在该多个区的其它区的至少一个中。当第一凹坑图 样被用于将数据记录在该多个区中的一个中时，仅第二凹坑图样被用于将数 据记录在该多个区的其它区的至少一个中。当第一调制方法被用于将数据记 录在该多个区中的一个中时，仅第二调制方法被用于将数据记录在该多个区的其它区的至少一个中。
根据本发明的另 一方面，提供一种用于在多个层上具有多个区的只读光
学信息存储介质的记录设备，包括记录单元，用于将数据记录在多个区上； 和控制器，控制记录单元以以第一凹坑图样以凹坑形式将数据记录在该多个 区中的至少一个中，和控制记录单元以以与第一凹坑图样不同的第二凹坑图 样以凹坑形式将数据记录在该多个区的其它区中。
根据本发明另一方面，提供一种用于具有多个区的只读光学信息存储介 质的记录和再现设备，包括记录和读单元，用于将数据记录在该多个区中 和从该多个区读取数据；和控制器，控制记录和读单元以根据第一调制方法 将数据以凹坑的形式记录在该多个区的至少一个中，控制记录和读单元以根 据与第一调制方法不同的第二调制方法将数据以凹坑的形式记录在该多个区 的其它区中，和控制记录和读单元以再现第一调制的至少一个的数据。
图1示出传统只读光学信息存储介质的整个结构；
图2A示出具有单一直线图样的凹坑行；
图2B示出具有单一图样的凹坑摆动；
图2C示出具有特定直线图样的凹坑行；
图2D示出具有特定图样的凹坑摆动；
图2E示出具有随机直线的凹坑行；
图2F示出具有随^L图样的凹坑摆动；
图3A至3D、 4A和4B示出根据本发明 一区中形成的凹坑的图样；
图5A和5B是用于解释二相调制方法的示图6示出根据本发明另一实施例的光学信息存储介质的整个结构；
图7A、 7B、 8A和8B示出在图6中显示的光学信息存储介质的每一区 中形成的图样凹坑；
图9示出图6中显示的光学信息存储介质中的记录单元、移入区和移出 区的记录图样;
图10是根据本发明实施例的记录/再现设备的示意图；和
图11是根据本发明实施例的记录/再现系统的方框图。
具体实施例方式
现在，详细描述本发明的实施例，其示例在附图中表示，其中，相同的 标号始终表示相同的部件。以下通过参考附图描述实施例以解释本发明。
才艮据本发明实施例的光学信息存储介质是只读光学信息存储介质。该光 学信息存储介质根据功能或使用目的被分为多个区。使用在该多个区的一部 分中的记录调制方法或记录图样与使用在该多个区的剩余部分中的记录调制 方法或记录图4f不同。
如上所述，光学信息存储介质根据功能或用途被分为多个区。例如，如
图l所示，光学信息存储介质包括BCAIO、导入区20、用户数据区30和导 出区40。另外，数据作为凹坑被记录在光学信息存储介质的每处。换句话说， 数据作为凹坑被记录在BCAIO、导入区20、用户数据区30和导出区40中。 因此，只读光学信息存储介质与可记录光学信息存储介质一致，因为数据作 为凹槽摆动被记录在可记录光学信息存储介质上的每处。
关于光学信息存储介质的序列号的信息或指示BCA 10的信息作为凹坑 被记录在BCA10中。盘相关(或光学信息存储介质相关)信息、复制保护信息 等被记录在导入区20中。例如，盘相关信息包括关于如可记录盘、 一次写入 盘或只读盘的存储介质的类型的信息、关于记录层的数量的信息、关于记录 速度的信息和关于盘的大小的信息。
在根据本发明实施例的光学信息存储介质上，在BCA 10、导入区20、 用户数据区30和导出区40中形成的凹坑的图样或使用在它们中的记录调制 方法不同。
将描述在BCA 10、导入区20、用户数据区30和导出区40中形成的凹 坑的不同图样。例如，在BCA 10中形成的凹坑的图样可与在导入区20、用 户数据区30和导出区40中形成的凹坑的图样不同。这里，在BCA 10中形 成的凹坑的图样可为直线凹坑行或凹坑摆动。直线凹坑行具有以直线行排列 的凹坑，凹坑摆动具有以波形排列的凹坑。
直线凹坑行和凹坑摆动的图样可为单一图样、特定图样或随机图样。单 一图样指的是在其中长度nT的凹坑以规则间隔排列的图样。这里，n表示自 然数，T表示最小凹坑长度。例如，如图2A所示，直线凹坑行的单一图样指 的是以直线行排列的相同长度的凹坑。如图2B所示，凹坑摆动的单一图样指的是以波形排列的相同长度的凹坑。
特定图样表示不同长度的凹坑的序列被重复。例如，长度3T和6T的凹 坑的序列可被重复。这里，同步图样可具有长度9T的凹坑。如图2C所示， 直线凹坑行的特定图样指的是以直线行排列的特定凹坑。如图2D所示，凹 坑摆动的特定图样指的是4妄波形排列的特定凹坑。
随机图样指的是以不规则间隔排列的不同长度的凹坑。例如，如图2E 所示，直线凹坑行的随机图样指的是以直线行随机排列的不同长度的凹坑。 如图2F所示，凹坑摆动的随机图样指的是按波形随机排列的不同长度的凹 坑。
凹坑以直线凹坑行的单一、特定和随机图样以及凹坑摆动的单一、特定 和随机图样中的一个被形成在BCA 10中。凹坑以与使用在BCA 10中的图样 不同的图样形成在导入区20和用户数据区30中。
详细地讲，如图3A所示，凹坑可以以直线凹坑行的单一图样被形成在 BCA10中，并以直线凹坑行的随机图样-故形成在导入区20和用户数据区30 中。如图3B所示，凹坑可以以直线凹坑行的特定图样-故形成在BCA 10中， 并以直线凹坑行的随机图样形成在导入区20和用户数据区30中。作为另一 例子，如图3C所示，凹坑可以以直线凹坑行的信号图样形成在BCAIO中， 并以凹坑摆动的随3几图样形成在导入区20和用户彰:据区30中。特别地，在 凹坑摆动的随机图样的情况下，如图3D所示，凹坑摆动的幅度可逐渐减小 或增力口。
这里，只读数据的跟踪伺服通常根据微分相位检测(DPD)方法被执行。 由于DPD方法已知，因此省略对其的详细描述。如果只读数据以单一图样被 记录，则DPD信号不净皮;险测。因此，在这种情况下，DPD方法不能被使用。 然而，在本实施例中，记录在BCA中的信息仅使用聚焦伺服被读取。因此， DPD方法不影响BCAIO。换句话说，如图3A、 3C和3D所示，尽管凹坑以 单一图样被形成在BCA10中，但是不必使用跟踪伺服。其结果是，使用DPD 方法，可从导入区20、用户数据区30和导出区40，而不从BCA 10中读取 数据。
作为另一例子，凹坑可以以直线凹坑行的随机图样形成在BCA 10中， 并以直线凹坑行的随机图样或凹坑摆动的随机图样形成在导入区20和用户 数据区30中。或者，凹坑可以以直线凹坑行的随机图样形成在BCAIO中，
并以凹坑摆动的随机图样形成在导入区20和用户数据区30中。这里，如果 凹坑以随机图样形成在BCAIO中，则凹坑的图样可为"00h"图样或包含用 于表示BCA 10的信息的图样。
另外，凹坑可以以不同的凹坑图样形成在BCA 10、导入区20和用户数 据区30中。例如，如图4A所示，凹坑可以以直线凹坑行的单一图样形成在 BCA10中，以直线凹坑行的随机图样形成在导入区20中，并以凹坑摆动的 随机图样形成在用户数据区30中。或者，如图4B所示，凹坑可以以直线凹 坑行的特定图样形成在BCA 10中，以凹坑摆动的随机图样形成在导入区20 中，以直线凹坑行的随机图样形成在用户数据区30中。
现在将解释^f吏用在BCA10、导入区20和用户^t据区30中的不同记录调 制方法。
使用在BCA 10中的记录调制方法是RLL(d, k)调制方法或二相调制方 法，不同记录调制方法被使用在导入区20、用户数据区30和导入区40中。
二相调制是指根据信号在预定周期P内是否改变来显示数据的方法。例 如，如图5A所示，当凹槽摆动的相位在预定周期P内不改变时，位值"0" 被读取。当凹槽摆动的相位在预定周期P内改变时，位值"1"被读取。换句 话说，二相调制方法是根据在给定周期内信号是否改变，例如根据在给定周 期内信号的相位是否改变来记录数据的方法。这里，已经描述了凹槽摆动的 相位的调制，但是不同图样可被调制。
如图5B所示，如果在给定周期P内凹坑不改变，则位值"0"被读取， 如果在给定周期P内凹坑改变，则位值"1"(或"0")被读取。换句话说，
如果凹坑形成在给定周期p内的每处，则位值"o"(或"r )被读取，如果 凹坑和间隔形成在给定周期p内，则位值"r (或"o")被读取。
RLL调制方法指示多少个位值"0"存在于两个位值"r之间。这里， RLL(d, k)指示两个位值'T'之间的位值"0"的最小数量和最大数量分别是 d和k。例如，在RLL(1,7)调制方法中，两个位值"1"之间的位值"0"的最 小数量和最大数量分别是1和7。根据RLL(l, 7)调制方法，当d=l时，数据 "1010101"被记录，因此长度2T的标记形成在两个位值'T，之间。另夕卜， 当d=7,数据"10000000100000001"被记录，因此长度8T的标记形成在两 个位值"1"之间。这里，T表示最小标记长度，即最小凹坑长度。因此，在 RLL(1,7)调制方法中，数据作为长度2T到8T的标记和间隔被记录。如以上例子所述，使用在BCAIO中的记录调制方法与使用在导入区20、 用户数据区30和导出区40中的记录调制方法不同。或者，使用在导入区20 中的记录调制方法可与使用在BCAIO、用户数据区30和导出区40中的记录 调制方法不同。例如，使用在导入区20中的记录调制方法可为RLL(d， k)调 制方法或二相方法，使用在BCAIO、用户数据区30和导出区40中的记录调 制方法可与使用在导入区20中的记录调制方法不同。
形成在BCA10中的凹坑的轨道间距可等于或不同于形成在导入区20和 /或用户数据区30中的凹坑的轨道间距。
根据本发明另 一实施例的光学信息存储介质根据功能或用途被分为多个 区。使用在该多个区中的 一部分中的凹坑图样或记录调制方法与使用在该多 个区的剩余部分中的凹坑图样或记录调制方法不同。
例如，导入区20可被分为多个子区。换句话说，如图6所示，当导入区 20被分为第一区20a和第二区20b时，凹坑可以以不同的凹坑图样或根据不 同的调制方法在第一区20a和第二区20b中形成。凹坑以直线凹坑行的单一、 特定或随机图样或凹坑摆动的单一、特定或随机图样形成在第一区20a中。 凹坑以与第一区20a中的图样不同的图样形成在第二区20b中。
例如，如图7A所示，凹坑可以以直线凹坑行的随机图样形成在第一区 20a中，以凹坑摆动的随机图样形成在第二区20b中。或者，如图7B所示， 凹坑可以以直线凹坑行的特定图样形成在第一区20a中，以直线凹坑行的随 机图样形成在第二区20b中。
另夕卜，使用在第 一 区20a或第二区20b中的凹坑图样可与使用在BCA 10 和用户数据区30中的凹坑图样不同。例如，如图8A所示，凹坑以直线凹坑 行的单一图样形成在BCAIO中，以直线凹坑行的特定图样形成在第一区20a 中，并以直线凹坑行的随机图样形成在第二区20b以及用户数据区30中。如 图8B所示，凹坑可以以直线凹坑行的单一图样形成在BCAIO中，以直线凹 坑行的随^^图样形成在第一区20a中，以直线凹坑行的特定图样形成在第二 区20b中，并以凹坑摆动的随机图样形成在用户数据区30中。
作为另一例子，用户凝:据区30可^皮分为两个或多个子区。凹坑可以以不 同的凹坑图样形成在子区中，或者使用在子区中的凹坑图样可与使用在BCA 10或导入区20中的凹坑图样不同。另外，不同的记录调制方法可被使用在 子区中，或者使用在子区中的记录调制方法可与使用在BCA 10或导入区20中的记录调制方法不同。
同时，当数据被记录在用户数据区30(如图6所示)时，如图9所示，数 据被记录在基本记录单元33的每个中。移入区31和移出区35位于基本记录 单元33之前和之后。这里，基本记录单元33可为物理簇、扇区、ECC块、 帧等。移入区31和移出区35用于在基本记录单元33中准确地记录和/或再 现数据。换句话说，如果数据被记录在移入区31或移出区35稍微错误的位 置，则移入区31和移出区35纠正该错误，从而数据被有效地记录和/或再现。
凹坑可以以与使用在用户数据区30中的凹坑图样相同的凹坑图样形成 在移入区31和移出区35中。例如，当凹坑以直线凹坑行的随机图样或凹坑 摆动的随机图样形成在用户数据区30中时，凹坑还以直线凹坑行的随机图样 或凹坑摆动的随机图样形成在移入区31和移出区35中。作为随机图样的例 子，"00h，，可被记录。如图9所示，凹坑可在移入区31、基本记录单元33 和移出区35中记录为"00h"。
同时，凹坑可以以与用户数据区30不同的凹坑图样形成在移入区31和 移出区35中。
可使用与光学存储介质的剩余区不同的记录调制方法将数据记录在光学 信息存储介质的多个区中的至少 一 个的 一部分中。
例如，数据可根据RLL(d,k)调制方法被记录在第一区20a中，并根据二 相调制方法被记录在第二区20b中。或者，数据可根据二相调制方法被记录 在第一区20a中并根据RLL(d, k)调制方法被记录在第二区20b、 BCA 10和用 户数据区30中。相反，数据可根据RLL(d, k)调制方法被记录在第一区20a 中，并根据二相调制方法^皮记录在第二区20b、 BCA 10和用户数据区30中。
参照图10,显示向如作为非限制例子的CD或DVD的光学存储介质记 录和从该光学存储介质读取的记录/读单元100的示意图。
记录/读单元包括100包括光源IOI,用于将信息记录在光学存储介质 300上和从光学存储介质300再现信息。记录/读单元100还包括分束器102, 安装在从光源101发射随后从分束器102向光学存储介质300反射的光束的 路径上；和物镜104，聚焦从分束器102反射的光束。
记录/读单元10还包括光电二极管105，用于从自光学存储介质反射的 光束检测记录的信息和误差。
参照图11，显示了根据本发明实施例的记录/再现系统的方框图。该设备
包括记录/读单元10和控制器20。记录/读单元10将数据写入作为信息存储 介质的一次写入记录介质30和/或从该一次写入记录介质30再现数据。
产业上的可利用性
本发明可被应用到具有两个或多个记录层的光学信息存储介质以及具有 单一记录层的光学信息存储介质中。换句话说，本发明可被应用到多层光学 信息存储介质的每一记录层中。
如上所述，通过规定使用在BCA而不是数据区中的凹坑图样或记录调制 方法，根据所述实施例的光学信息存储介质、记录/再现方法和记录/再现设备 确保与驱动器的兼容性。其结果是，数据再现效率可一皮提高，光学信息存储 介质可被方便地使用。另外，光学信息存储介质可保持与可记录光学信息存 储介质的格式的一致性。
尽管已经显示和描述了本发明的一些实施例，但本发明不限于上述实施 例。相反，本领域的技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求及其等同 物限定其范围的本发明的原理和精神的情况下可对这些实施例进行改变。
权利要求
1、一种将信息记录在具有烧录区、导入区和用户数据区的只读光学信息存储介质上的方法，包括将数据以凹坑的形式记录在烧录区、导入区和用户数据区之一中；和将包括凹坑的序列的图样记录在烧录区的区域中，其中，所述图样在烧录区的区域中重复。
2、 一种再现包括烧录区、导入区和数据区的只读光学信息存储介质上的 信息的方法，所述烧录区包括按照条形码的形式记录的第一信息、所述数据 区包括按照凹坑记录的第二信息，所述方法包括再现所述烧录区中按照条形码的形式记录的第一信息；和再现数据区中按照凹坑记录的第二信息，其中，包括凹坑的序列的图样被重复记录在烧录区的区域中。
3、 如权利要求1或2所述的方法，其中，包括凹坑的序列的图样是"00h" 图样。
4、 如权利要求1或2所述的方法，其中，在烧录区的区域中的凹坑的序 列中使用的第 一调制方法与在数据区中的凹坑中使用的第二调制方法不同。
5、 如权利要求1或2所述的方法，其中，在烧录区中使用的记录调制方 法与在导入区和用户数据区中的至少一个中使用的记录调制方法不同。
6、 如权利要求5所述的方法，其中，在烧录区、导入区和用户数据区中 使用的记录调制方法是RLL(d, k)调制方法和二相调制方法之一。
7、 如权利要求1或2所述的方法，其中，烧录区、导入区、用户数据区 和导出区中的至少一个被分为多个子区，所述子区中的凹坑使用不同的调制 方法;故形成。
8、 如权利要求7所述的方法，其中，导入区包括第一子区和第二子区， 第一子区使用RLL(d，k)调制方法和二相调制方法中的一个，第二子区使用与 第一子区不同的记录调制方法。
全文摘要
一种包括数据在其中以凹坑的形式被记录的多个区的只读光学信息存储介质，其中，该多个区中的至少一个中的凹坑具有与形成在该多个区的其它区中的凹坑不同的凹坑图样。
文档编号G11B7/007GK101197146SQ200710165029
公开日2008年6月11日 申请日期2004年2月3日 优先权日2003年2月3日
发明者李坰根 申请人:三星电子株式会社