专利名称：用于柔性磁存储介质的读/写头的制作方法
技术领域：
本发明涉及柔性磁存储介质头，并且尤其涉及用于柔性磁存储介 质头的原地射频屏蔽。
背景技术：
商业、科学和娱乐应用依赖于计算系统来处理和记录数据。在这 些应用中，大量数据常常被存储在或传递给非易失性存储介质例如磁 盘、盒式磁带、光盘盒、软盘或可光读软盘。通常，磁带通常是最经 济、方便和安全的存储或存档数据的装置。数据存储技术被连续改进以增加数据存储容量和存储可靠性。磁 存储介质内的数据存储密度的提高例如是由改进的介质材料、改进的 纠错技术和减小的面比特大小导致的。半英寸磁带的数据存储容量例 如目前按数百千兆字节计量。在线性记录介质例如磁带中，数据被存储在磁带的长度上相互平 行的线性数据轨道内。磁带在供带盘和巻带盘之间被来回传递以便使 用 一个或多个读/写头从磁带中读取数据或者将数据写入磁带。图1示出根据现有技术的传统的双向、双模块的磁带头100。如 图所示，头包括一对基部102,该基部是通常细长的"U形梁"。该基 部粘结耦合在一起，并且在基部之间形成通道104。每个基部配备有模块106。每个模块包括衬底106A，读/写元件 108嵌入该衬底。该模块足够长以至于当头在数据轨道之间跳进时能 够支承磁带110。可添加封闭物106B以便减少衬底的磨损。当被提 供时，封闭物106B使用已知方法粘附在衬底上。模块横跨头沿磁带行进方向D对齐，以便当数据被写入磁带108 时读取该数据。在使用时，磁带108沿磁带支承面112在模块上来回移动以便读磁带的数据并且将数据写在磁带上。读/写元件根据磁带的行进方向交替起作用，从而在磁带行进方 向上读元件在写元件的下游。这使得被写在磁带上的数据可马上被读 回并且检查错误。在数据被写在磁带上时读数据的过程在本领域内被 Z/^知为写时读或读改写。数据电缆114接合在每个模块上以便在头和控制器(未示出)之 间传递数据。数据电缆通常接合在器件元件焊盘116上以在读/写元件 和控制器之间提供数据通路，该焊盘经由衬底内的器件元件引线118 耦合到读/写元件。为了将电缆接合在数据电缆引线118上，数据电缆 的引线首先与位于衬底上的器件元件焊盘对齐。引线然后被超声波焊 接或者针脚式接合在焊盘上，以便将电缆接合到模块上。电缆然后需 要通过一些形式的应变消除被连接在模块上，例如将电缆粘结接合在 模块上。但是，超声波焊接或针脚式接合内固有地存在一些缺陷。超声波 焊接的已知缺陷是电缆内的引线没有被电缆基底支承并且延伸超出 基底。暴露的引线易受机械损伤，这增加了成本并且降低了头的可靠 性。超声波焊接和针脚式接合的共有缺陷是需要一些形式的应力消 除，例如将电缆粘结接合在模块上。应力消除需要另外的头制造步骤。 超声波焊接和针脚式接合的另 一个缺陷是如果外部金属RF屏蔽连接 在电缆上并且放置在引线上方，则引线可能会短路。另一个将电缆引线接合在导电焊盘上的方法是异方性导电膜 (ACF)接合。ACF接合使用其中具有导电球的粘合剂。电缆引线和 衬底上的导电焊盘首先与被夹在它们之间的ACF膜对齐。烊盘和引 线然后在高温下被压在一起。此压力导致导电球被压缩以在合适的引 线和衬底焊盘之间形成电接合。导电球足够浓密以在电引线和衬底焊 盘之间提供电接触，同时足够分散以避免在相邻的引线和焊盘之间形 成电桥。高温导致粘合剂凝固以在电缆和衬底之间形成牢固和永久的 粘结接合。ACF接合优于其他提到的接合方法。因为ACF膜内的粘合剂起到应力消除的作用，所以ACF接合不需要另外的应力消除。此外， 电缆内的引线被电缆基底支承以便更加可靠并且防止电缆受到机械 损伤。在ACF接合之后，引线不会暴露，从而电缆接地平面可在引 线上方延伸。ACF接合的可能的缺陷是使用具有低玻璃转变温度(Tg)的粘 合剂接合封闭物。例如，ACF接合内使用的一种粘合剂是3M公司销 售的3MTM Scoth-WeldTM Epoxy Adhesive 2290 Amber,其Tg为大约 90。C。 ACF接合利用较高的温度，因此可在高于其Tg的温度下加热 封闭物的粘合剂。这可导致封闭物相对于衬底移动，并且与衬底和磁 带支承面(TBS)的平面未对齐。如果封闭物TBS高于衬底TBS，则 衬底内嵌入的阅读器测量的磁场密度强度对于被写在磁带上的高密 度磁性转变将减小，已知为Wallace间隙损耗。由于Wallace间隙损 耗，信号与阅读器和磁带表面之间的间隙成指数地减小。写场强类似 于由于Wallace间隙损耗而随多巨离减小。上述的双向写/读磁带头的模块彼此相邻。当向磁带写数据时， 一个或多个写元件生成磁场以将数据写在磁带上。此磁场的射频(RF) 辐射可被下游模块的读元件接收到。读元件接收到的RF辐射是干扰 从磁带上读取正确数据的读元件的噪声源。现有的将读元件与写元件发出的射频辐射屏蔽开的方法是在两 个模块之间添加RF屏蔽120。在当前的计算机存储磁带设备，例如 国际商业机器公司(IBM) ， Armonk， New York制造的线性磁带开 放协议(LTO)磁带驱动器中，射频(RF)屏蔽120被安置在模块之 间，以减小当写数据时读元件接收到的噪声量。通常，RF屏蔽包含金属箔或薄板，并且固定在耦合到头的一个 模块的数据电缆上。在数据电缆的引线接合到衬底上的器件元件焊盘 之后，RF屏蔽被固定在数据电缆上。RF屏蔽被安置在电缆上以便其 延伸到两个才莫块之间的通道内，但是没有在TBS的平面之上。因此， 金属箔RF屏蔽必须在电缆上被精确地对齐，从而其接近TBS而不会 突出到TBS的平面上方。 一旦金属箔在电缆上并从而在模块上对齐，则RF屏蔽被固定在电缆上。可理解，此过程劳动密集从而成本高。 周期性地，RF屏蔽未对齐，并且高成本的模块必须被废弃或者RF 屏蔽被重新对齐。RF屏蔽重新对齐包括从电缆上剥落粘结接合的RF 屏蔽，这常常会由于破坏电缆引线或者对读器件造成静电荷损坏 (ESD)而损坏模块。因此，很清楚，本领域内需要一种可提供足够的RF信号阻隔并 且制造简单且成本合算的磁带头用的射频屏蔽。发明内容本发明的一个实施例包括用于柔性磁存储介质例如磁带的配备 有原地射频屏蔽的读/写头。当头的写元件写数据时，本发明的原地射 频(RF)屏蔽禁止头的读元件接收到RF辐射。读元件接收到的RF 辐射是噪声源，该噪声源干扰读元件读取介质上存储的正确数据，并 且可能会随着时间的过去损坏读元件。在一个示例性实施例中，本发明的读/写头包括彼此相邻地安置的一对模块。每个模块包括具有读和写元件的衬底。读和写元件可与 最接近另一个模块的衬底的侧边相邻地嵌入该衬底。RF屏蔽可安置 在嵌入每个模块的读和写元件之间。在优选实施例中，RF屏蔽可安 放在与另一个模块相邻的一个模块的衬底的侧面上。任选地，封闭物可接合在模块上以便减少衬底的磨损。如果提供 封闭物，则RF屏蔽可在原地被安置在封闭物和嵌入模块的衬底的读/ 写元件之间。封闭物可接合在衬底上以在封闭物和衬底之间生成牢固 接合。此接合应该足够牢固以防止在制造过程期间例如当数据电缆接 合在模块上时，或者在正常操作期间封闭物相对于衬底移动。另外， 必要时，封闭物和衬底之间的接合应使封闭物与衬底保持相同的电 势。这可通过蚀刻通过衬底的层并且形成导电柱以将封闭物接合在衬 底上实现。在本发明的一个实施例中，构成读/写头的两个模块中的被选择 的一个模块包括该原地RF屏蔽。在可选择实施例中，构成该读/写头的每个模块配置有RF屏蔽。每个模块具有RF屏蔽还使得来自头的 写元件的RF辐射和被头的读元件接收到的RF辐射最小。RF屏蔽的尺寸和材料可基于头的操作频率和被选择为构成RF 屏蔽的材料的趋肤深度选择。优选地，在头的操作频率下，构成RF 屏蔽的材料的趋肤深度小于该材料的厚度。数据电缆接合到构成该头的两个模块上以在该头和控制器之间 提供数据通路。数据电缆可使用已知方法例如超声波焊接接合在模块 上。在优选实施例中，数据电缆使用异方性导电膜(ACF)接合被接 合在头的每个模块的器件元件焊盘上。与现有技术内发现的电缆引线 的很大一部分被暴露相反，使用ACF接合将电缆接合到模块上使得 仅需要暴露电缆引线的接合面。结果，在电缆的背面上的金属接地平 面可被延伸以覆盖引线。延伸金属接地平面可为头的器件元件焊盘和 读/写元件提供另外的RF屏蔽。
现有技术的图1是根据现有技术的传统平面重叠磁带头的侧视图；图2是示出本发明的读/写头的实施例的模块的剖面侧视图； 图3是示出本发明的读/写头的可选择实施例的剖面侧视图； 图4是示出耦合到本发明的读/写头的数据电缆的局部端视图；并且图5是示出耦合到本发明的读/写头的数据电缆的可选择实施例 的局部端视图。
具体实施方式
参照附图的图2，示出本发明的读/写头10的示例性实施例。本 发明的读/写头10配置有原地射频(RF)屏蔽12，当数据被头10的 其它器件元件写入时，该屏蔽禁止读取数据的头10的器件元件接收 到射频(RF)辐射。在示例性实施例中，本发明的头10包括总体上用14示出的一对 模块。但是，在可选择实施例中，头IO可包括或多或少的模块14。 模块14足够长，以至于当头IO在磁带16的数据轨道(未示出)之 间跳进时能够支承磁带16。基部18粘附在每个模块14上以便支承该 模块14。基部18使用已知的方法例如胶粘粘结耦合在一起。每个模块14可包括晶片衬底20，该衬底20具有粘附在基部18 上的底面22和构成磁带支承面24的顶面。晶片衬底20优选地使用 已知的方法例如薄膜制造技术构建。使用这种技术，构成衬底20的 部件通常被分层构建。可使用所述技术在头10的每个晶片衬底20内形成多个器件元件 26，并且每个衬底20具有相同数量的元件26。器件元件26被提供用 于从磁带16读数据(阅读器)和向磁带16写数据(写入器)。器件 元件26包括一些已知的用于在柔性磁存储介质上读和写数据的器件 元件配置中的任何一个。读/写头共用的器件元件配置包括并排和驮栽 (Piggy-back)配置。在任何一种配置中，第一衬底20可配置有读元 件l、写元件2、读元件3、写元件4，...，第二衬底可配置有写元件 1、读元件2、写元件3、读元件4，...，从而读元件n与写元件n对 齐。对于"向前运动"，写元件2n+l (磁带16的单数数据轨道)将写 数据，并且读元件2n+l将读取被该写元件2n+l写的数据。对于"倒 退运动"，写元件2n(磁带16的偶数数据轨道)将写数据，并且读元 件2n将读取被该写元件2n写的数据。在并排配置中，写元件和读元 件沿模块的长度间隔开。在驮载配置中，该2n+l读元件和2n写元件 沿相同轨道方向对齐，写元件2n+l和读元件2n也是如此。器件元件引线28耦合到每个器件元件26，以便向和从头10传 输数据。每个器件元件引线28包含导电材料，并且使用已知方法例 如通过沉积电镀在模块14内形成。每个引线28的第一端部30耦合 到器件元件26，并且引线28的第二端部32耦合到器件焊盘34。每 个器件元件26需要至少两个器件元件引线。参照图2到图5，多个器件元件焊盘34被提供用于将数据电缆 36耦合到头10以便在头10和控制器(未示出)之间传输数据。多个 器件元件焊盘34可在晶片衬底20的端部38上形成。器件元件焊盘 34可包含导电材料例如铜，并且使用已知方法在制造过程期间在衬底 20的端部38上形成。器件元件焊盘34的铜可被涂覆镍层(未示出) 以用作抵抗湿气分散的屏障。如果被提供，则镍层可然后被涂覆金层 以便减小氧化或腐蚀抑制。器件元件焊盘34可通过布置或者电镀构 成焊盘34的导电材料，然后蚀刻端部34以形成焊盘34形成。参照图2，本发明的头10的射频(RF)屏蔽12安置在嵌入每个 模块14的器件元件26之间。当其它器件元件26向磁带16写数据时， RF屏蔽12禁止读数据的器件元件26接收到RF辐射。读数据的器件 元件26接收到的RF辐射是噪声源，该噪声源会禁止读数据的器件元 件26读取磁带16上存储的正确数据，并且可能会随着时间的过去损 坏元件26。在示例性实施例中，RF屏蔽12被在相邻模块14之间在原地安 置在晶片衬底20的端部38上。构成头10的两个模块14中的每一个 具有RF屏蔽12。在如图3所示的可选择实施例200中，选择的一个 模块14具有RF屏蔽12。为每个模块14配置RF屏蔽12基本上可使 写数据的器件元件26发出的RF辐射和读数据的器件元件26接收到 的RF辐射最小。RF屏蔽12根据头10的操作频率和被选择构成RF屏蔽12的材 料的趋肤深度形成尺寸。优选地，在头10的操作频率下，被选择构 成RF屏蔽12的材料的趋肤深度小于该材料的厚度。例如，被选择构成RF屏蔽12的材料及其厚度被选择为使得趋 肤深度U)为<formula>formula see original document page 12</formula>其中co是头10的操作频率o是构成RF屏蔽12的材料的导电率 Hf是构成RF屏蔽12的材料的相对磁导率可用于构建RF屏蔽12的材料的一些示例包括镍、铁、镍-铁80/20 合金、镍-铁的44/55合金、铝硅铁粉、79/16/5 NiFeMo合金、金、铜 和铝。例如，镍的ct为1.3xl07mho/m，并且Hr为100。在lMHz下， 镍的趋肤深度(8 )为14jim。在优选实施例中，RF屏蔽12使用包括 80/20镍-铁的合金或铝硅铁粉制造。上述金属和合金是用于制造磁带 头的公知材料，因此可容易地得到。RF屏蔽12可使用本领域内已知的方法构建，并且可由构成RF 屏蔽12的材料确定。例如，RF屏蔽12可使用本领域内已知的方法 被镀在衬底20的端部38上，或者被沉积和蚀刻。RF屏蔽12可被蚀 刻成，使得其上边缘13与模块14的磁带支承面24对齐，并且RF屏 蔽的下边缘15接近器件元件焊盘34。如果使用封闭物40,则封闭物40耦合到模块14，并且RF屏蔽 12安置在封闭物40和模块14的器件元件26之间。封闭物40可使用 已知的在封闭物40和衬底20之间产生牢固接合的方法接合在衬底20 上。此接合应足够牢固，以防止在制造过程期间例如当数据电缆34 接合在模块14上时，或者在正常操作期间，封闭物相对于衬底20移 动。参照图2到图5，数据电缆36耦合到元件焊盘34上，以在头10 和控制器之间提供数据通路。数据电缆36可使用导电粘合剂使用确 定的方法例如超声波焊接或胶粘耦合到器件元件焊盘34上，在优选实施例中，使用异方性导电膜(ACF)接合将电缆36接 合到器件元件焊盘34上。与其他已知的接合方法相比，使用ACF接 合将电缆36接合到器件元件焊盘34上提供了 一种成本高效的将电缆 36接合到头IO上的过程，并且提供可靠的接合。由于用于将电缆36 接合到器件元件焊盘34上的ACF粘合剂还用于将电缆36接合到模 块14上，所以省去了对另外的应变消除的需要。电缆36可包括任何合适的已知数据电缆。通常，数据电缆36 包括具有内部导电层44和外部导电层46的柔性衬底层42，该衬底层 包含导电接地平面。电缆衬底层42包含聚合材料例如聚酰亚胺。内部导电层44由多 个导电引线48构成以便耦合到多个器件元件焊盘34,为每个焊盘34 提供一个引线48。内部导电层44可以是本领域内已知的任何合适的 材料，例如铜。通过首先使每个引线48的接合表面与器件焊盘34对齐，将电缆 36接合在器件元件焊盘34上。包含导电颗粒例如小金属球54和粘合 剂56的异方性导电膜(ACF)52被应用在将被接合的至少一个表面、 例如引线48的接合面50或器件焊盘34上。对引线48的接合面50 和器件元件焊盘34进行热压缩——热和压力的组合，以将引线48接 合到焊盘34上。在接合期间，球54被压缩以将引线48电耦合到焊 盘34上。该球具有足够低的密度，以至于它们不会在器件元件焊盘 34的相邻引线48之间形成水平导电桥。如图6所示，在可选择实施例中，接地平面46配置成在电缆引 线48和器件元件焊盘34上方延伸。与现有技术中发现的暴露引线48 的很大一部分相反，并且如图4所示，使用ACF接合来将电缆36接 合到器件元件34上时仅需暴露电缆引线48的接合面50。因此，在本 发明中，接地平面46可配置成在电缆引线48和器件元件焊盘34上 方延伸。接地平面46在引线48和焊盘34上方延伸可为头IO的器件 元件焊盘34和器件元件26提供另外的RF屏蔽。当接地平面46配置成在引线48上方延伸时，引线48与器件元 件焊盘34很难以对齐。在此实施例中，可在接地平面46内形成一个 或多个窗口 58。在优选实施例中，在接地平面46内形成两个窗口 58。 接地平面46内的窗口 58使得引线48和器件元件焊盘34能够视觉对 齐。 一旦对齐，引线48可如文中所述地接合到焊盘34上。任选地，接地平面46可在电缆引线48和器件元件焊盘34上方 延伸，并且耦合到RF屏蔽12。接地平面46在引线48和焊盘34上 方延伸可将接地平面46耦合到RF屏蔽12，可为头10的器件元件焊 盘34和器件元件26提供另外的RF屏蔽。在此实施例中，接地平面 46优选地使用上文所述的ACF接合接合到RF屏蔽12上。将接地平面46接合到RF屏蔽上为头10的器件元件焊盘34和器件元件26提 供了另外的RF屏蔽。本领域技术人员应理解，可构造出刚刚说明的优选实施例的多种 修改和变型而不会背离本发明的范围和精神。因此，应理解，在所附 权利要求的范围内，可与本文中具体说明不同地实现本发明。
权利要求
1.一种用于柔性磁存储介质的读/写头，该头包括至少一个模块，该模块包括晶片衬底；在该衬底内形成的至少一个器件元件；以及在所述至少一个模块之一上形成并且介于所述至少一个模块中的被选择的一个模块的器件元件和所述至少一个模块中的另一个模块的器件元件之间的射频屏蔽，该射频屏蔽减少由读数据的器件元件接收到的、由写数据的器件元件发出的辐射的幅值。
2. 根据权利要求1的读/写头，其中所迷射频屏蔽根据所述头的
3. 根据权利要求2的读/写头，其中在所述头的操作频率下，构 成所述射频屏蔽的材料的趋肤深度小于该材料的厚度。
4. 根据权利要求2的读/写头，其中构成所述射频屏蔽的材料包 括电磁和导电材料中的所选的一个。
5. 根据权利要求1的读/写头，其中所述头包含多于两个的模块。
6. —种用于柔性磁存储介质的读/写头，该头包括 耦合到基部上的至少一个模块，每个模块包括形成有磁带支承面的晶片衬底，在从柔性磁存储介质读数 据或者向该介质写数据时该介质沿该磁带支承面被传递；在该衬底内形成并且被安置在该磁带支承面的平面内的至 少一个器件元件，该至少一个器件元件适于根据该介质在沿磁带 支承面被传递时的行进方向从该介质中读数据或者向该介质写 数据；和耦合到该至少一个器件元件的至少一个器件元件焊盘； 耦合到该衬底并且介于所述至少一个模块中的被选择的一个模 块的所述至少一个器件元件和所述至少一个模块中的另一个模块的所述至少一个器件元件之间的射频屏蔽，该射频屏蔽禁止读数据的所 述至少一个器件元件接收到向介质写数据的所述至少一个器件元件发出的辐射；以及耦合到至少一对器件元件焊盘的数据电缆，该数据电缆在其背面 上具有接地平面，该接地平面配置成在该至少一个器件元件焊盘上方 延伸。
7. 根据权利要求6的读/写头，其中所述射频屏蔽根据所述头的
8. 根据权利要求7的读/写头，其中在所述头的操作频率下，构 成所述射频屏蔽的材料的厚度大于该材料的趋肤深度。
9. 根据权利要求7的读/写头，其中构成所述射频屏蔽的材料包 括透磁铁磁材料。
10. 根据权利要求9的读/写头，其中构成所述射频屏蔽的所述透 磁铁磁材料选自镍-铁合金、铝硅铁粉、铜合金、金合金和银合金。
11. 根据权利要求8的读/写头，其中构成所述射频屏蔽的材料包 含选自铜、金、铝和银的导电材料。
12. 根据权利要求8的读/写头，其中所述射频屏蔽包含透磁铁磁 材料和导电材料中的选择的一个的叠层结构。
13. 根据权利要求6的读/写头，其中所述射频屏蔽具有与所述磁 带支承面的平面相邻的上边缘。
14. 根据权利要求6的读/写头，其中所述数据电缆的引线接合在 至少一对所述器件元件焊盘上，从而数据电缆引线接合在每个器件元 件焊盘上，数据电缆的引线使用导电粘合剂接合在器件元件焊盘上。
15. 根据权利要求14的读/写头，其中所述数据电缆上的接地平 面在所述至少一个器件焊盘和数据电缆引线上方延伸，以便禁止该数 据电缆引线和器件元件焊盘接收到向所述介质写数据的所述至少一 个器件元件生成的噪声。
16. 根据权利要求7的读/写头，其中所述数据电缆上的接地平面 接合在所述射频屏蔽上，以便进一步禁止读数据的所述至少一个器件元件接收到向所述介质写数据的所述至少一个器件元件生成的噪声。
17. —种用于磁存储介质的读/写头，该头包括 耦合在一起的一对基部； 耦合在每个基部上的模块，每个模块包括 形成有磁带支承面的晶片衬底；在该衬底内形成并且被安置在该磁带支承面的平面内的多 个器件元件，所述器件元件适于根据磁存储介质的行进方向从该 介质中读数据或者向该介质写数据；在该衬底内形成的多个器件元件引线，每个器件元件引线 耦合到器件元件以提供导电信号通路；在该衬底上与所述器件元件相邻地形成的射频屏蔽，该射 频屏蔽禁止从介质读数据的一个或多个器件元件接收到向介质 写数据的一个或多个器件元件发出的辐射；耦合到该衬底的封闭物，该封闭物具有与该磁带支承面的 平面对齐的顶面；和在该衬底上形成的并且耦合到所述器件元件引线的多个器 件元件焊盘；以及接合到所述多个器件元件焊盘的数据电缆，该数据电缆包括用于 耦合到所述多个器件元件焊盘中的每一个的多个引线，该数据电缆配 置成在其背面上具有接地平面，该接地平面在所述多个器件焊盘上方 延伸以便禁止该数据电缆引线和器件元件焊盘接收到向该介质写数 据的器件元件生成的噪声。
18. 根据权利要求17的读/写头，其中所述射频屏蔽根据所述头
19. 根据权利要求18的读/写头，其中在所述头的操作频率下， 构成所述射频屏蔽的材料的厚度大于该材料的趋肤深度。
20. 根据权利要求19的读/写头，其中构成所述射频屏蔽的材料 包括选自镍-铁合金、铝硅铁粉、铜合金、金合金和银合金的透磁铁磁 材料。
21. 根据权利要求17的读/写头，其中所述射频屏蔽具有与所述 磁带支承面的平面平齐的上边缘。
22. 根据权利要求17的读/写头，其中所述数据电缆的引线使用 异方性导电膜接合被接合在所述多个器件元件焊盘上。
全文摘要
本发明提供了一种配置有原地射频(RF)屏蔽的磁带用读/写头。本发明的RF屏蔽禁止读数据的器件元件读取写数据的其它器件元件发出的RF辐射。RF屏蔽可安放在一个模块的器件元件和第二模块的器件元件之间。RF屏蔽的尺寸和材料可根据头的操作频率以及构成该RF屏蔽的材料的趋肤深度选择。数据电缆可使用ACF接合被接合在模块的器件元件焊盘上。将电缆ACF接合在模块上使得该电缆上的金属接地平面将被延伸以提供另外的RF屏蔽。
文档编号G11B5/127GK101226747SQ200810002958
公开日2008年7月23日 申请日期2008年1月11日 优先权日2007年1月15日
发明者安德鲁·C.·丁, 艾可·E·伊本, 路易斯·H.·帕拉西斯 申请人:国际商业机器公司