专利名称：以氧化钛为主要成分的薄膜和以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有高折射率且具有低消光系数的以氧化钛为主要成分的薄膜，以及适于制造该薄膜的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶。
背景技术：
近年来，开发出作为可在不需要磁头的情况下进行擦写的高密度光信息记录介质的高密度记录光盘技术，并迅速商品化。特别是1977年⑶-RW作为可擦写的⑶出现，现在已成为最普及的相变光盘。该⑶-RW的擦写次数约为1000次。另外，开发了 DVD用的DVD-RW并已经商品化，但是该磁盘的层结构基本上与⑶-RW 相同或类似。其擦写次数为1000次 10000次左右。这些记录光盘通过照射光束使记录材料的透射率、反射率等产生光学变化从而进行信息的记录、再生、补写，是迅速普及的电子部件。一般而言，⑶-RW或DVD-RW等所使用的相变光盘具有以SiS-SW2等高熔点电介质的保护层夹着Ag^n-Sb-Te系或Ge-Sb-Te系等的记录薄膜层的两侧，再设置银或银合金或者铝合金反射膜而得到的四层结构。另外，为了提高重复次数，根据需要进行在存储层与保护层之间增加界面层等设置。对于反射层和保护层，除了要求具有增大记录层的非晶部与晶体部的反射率之差的光学功能以外，还要求具有记录薄膜的耐湿性和防止由热引起变形的功能、以及控制记录时的热条件的功能(参考非专利文献1)。近来，为了使大容量、高密度的记录成为可能，提出了一种单面双层光记录介质 (参考专利文献1)。该专利文献1中记载到，从激光的入射方向起，具有形成于基板1上的第一信息层和形成于基板2上的第二信息层，它们隔着中间层以信息膜相向的方式贴合。此时，第一信息层由记录层和第1金属反射层构成，第二信息层由第1保护层、第 2保护层、记录层、第2金属反射层构成。此外，可以任选形成用于保护信息层使其免受划痕、污损等的硬质涂层、热扩散层等层。另外，对这些保护层、记录层、反射层等提出了各种材料。由高熔点电介质构成的保护层，需要对升温和冷却引起的反复的热应力具有耐性，并且不使这些热影响波及到反射膜或其它部位，且需要其自身薄，具有低反射率且具有不变质的强韧度。从上述意义而言，电介质保护层具有重要的作用。另外，记录层、反射层、 干涉膜层等在上述的CD、DVD等电子部件中当然也发挥各自的功能，从该意义上而言这些层也当然同样重要。这些具有多层结构的各薄膜通常通过溅射法形成。该溅射法的原理为使包含正电极和负电极的基板与靶相对，在惰性气体气氛下在这些基板和靶之间施加高电压从而产生电场，此时，电离的电子与惰性气体撞击而形成等离子体，该等离子体中的阳离子撞击到靶(负电极)表面上击出靶构成原子，该飞出的原子附着到相向的基板表面从而形成膜。
在该过程中，提出了将使用氧化钛(TiOx)的靶作为用于形成热射线反射膜、防反射膜的溅射靶(参考专利文献幻。此时，为了稳定溅射时的放电，将电阻率值设定为 0. 35 Ω cm以下，从而能够进行DC溅射，可以得到高折射率的膜。但是，由于膜的透射率下降，因此采用了使氧含量为35重量％以上而进一步引入氧的对策。另外，由于氧的引入造成成膜速度下降，因此通过添加金属氧化物来实现成膜速度的提高，但是在作为要求折射率更高且吸收更少的膜的精密光学构件或电子部件的应用时存在问题。特别是，在400nm附近的短波长侧存在问题。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2006-79710号公报专利文献2 日本专利第3836163号公报非专利文献非专利文献1 技术杂志《光学》第沈卷第1期、第9 15页
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于得到具有高折射率且具有低消光系数的以氧化钛为主要成分的薄膜，以及适于制造该薄膜的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，同时，其课题还在于得到透射率优良、反射率的下降少、作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜有用的薄膜。另外，该薄膜也可以应用于玻璃基板，即可以作为热射线反射膜、 防反射膜、干涉滤光片使用。为了解决上述的课题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，在氧化钛中添加铜、钼等金属是极其有效的，并且能够得到不损害作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜的特性、能够保持透射率、防止反射率下降的材料。基于该发现，提供以下的发明。1) 一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和铜，11为四.0原子％以上、34. 0原子％以下，Cu为0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)为0. 96以上。2) 一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和钼，Ti为29. 0原子％以上、34. 0原子％以下，Pt为0. 003原子％以上、5. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0A2Ti+Pt)为0.95以上。3) 一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M，Ti为29. 0原子％以上、34. 0原子％以下，M为0. 003原子％以上、 7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0Λ2 +Μ)为 0. 95以上。4)如上述1) 3)中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在 400 410nm的波长区域内的折射率为2. 60以上。5)如上述1) 4)中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在 400 410nm的波长区域内的消光系数为0. 1以下。6)如上述5)所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在400 410nm的波长区域内的消光系数为0. 05以下。7)如上述1) 6)中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，为用于光干涉膜或保护膜的薄膜。8)如上述1) 6)中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，为作为光记录介质使用的薄膜。另外，本申请提供以下的发明。9) 一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有铜且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(Ti02_m) ^nCun (其中，0 ^m^ 0.5,0. 0001 ^ η ^ 0. 2) 的组成比，电阻率为IOOQcm以下。10) 一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有钼且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(TiCVJhPtJ其中，0彡m彡0.5、0. 0001彡η彡0. 15) 的组成比，电阻率为IOOQcm以下。11) 一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(Ti02_m) i_nMn(其中， 0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的组成比，电阻率为100 Ω cm以下。发明效果如以上所述，本发明为具有高折射率且具有低消光系数的以氧化钛为主要成分的薄膜，以及适于制造该薄膜的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，根据本发明得到的薄膜作为光信息记录介质的膜/层具有显著的效果。另外，同时，本发明的薄膜透射率优良、 反射率的下降少，作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜特别有用。高熔点电介质保护层需要对升温和冷却引起的反复的热应力具有耐性，并且不使这些热影响波及到反射膜或其它部位，且需要其自身薄，具有低反射率且具有不变质的强韧度，本申请发明的以氧化钛为主要成分的薄膜具备可适用于这样的材料的特性。另外，由于可以在含量少的范围内调节溅射中的氧量，因此还具有能够抑制成膜速度下降的效果。
具体实施例方式本发明的以氧化钛为主要成分的薄膜，如上所述，除钛和0成分以外，还含有铜或钼或者选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M。含有铜时，为11为四.0原子％以上、34.0原子％以下，Cu为0.003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且具有氧成分与金属成分之比0/ (2Τ +0. 5Cu)为0. 96以上的组成比的以氧化钛为主要成分的薄膜。另外，含有钼时，为Ti为四.0原子％以上、34.0原子％以下，Pt为0.003原子％ 以上、5. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且具有氧成分与金属成分之比0/ (2Ti+Pt)为0.95以上的组成比的以氧化钛为主要成分的薄膜。另外，含有选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M时，为Ti为四.0原子％以上、 34. 0原子％以下，M为0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质， 并且具有氧成分与金属成分之比0Λ2 +Μ)为0.95以上的组成比的以氧化钛为主要成分
的薄膜。
铜或钼或者选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M的存在，具有提高薄膜的折射率的效果。含量低于0.003原子％时，它们的添加效果小，另外，超过7.7原子％ (添加铜或选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M时)或5.7原子％ (添加钼时)时，薄膜的消光系数有增大的倾向，因此，可以说，薄膜中的铜或钼或者金属M的存在量优选设定为0. 003原子％以上、7.7原子％以下(添加钼时5. 7原子％ )。折射率提高的理由并不明确，但认为这是因为，铜或钼或者选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M以微小粒子(纳米粒子等)的形式分散到氧化钛的非晶膜中。根据情况，这些添加金属的一部分也有时以金属氧化物的形式存在，象这样一部分以氧化物的形式存在时，也没有特别的问题，同样观察到折射率提高。这样得到的高折射率材料提高了多层光学膜的设计自由度，是更合适的材料。这些薄膜为非晶膜，且可以得到在400 410nm的波长区域内的折射率为2. 60以上的膜。另外，可以得到在400 410nm的波长区域内的消光系数为0. 1以下、进而消光系数为0. 05以下的薄膜。上述400 410nm的波长区域为蓝色激光的波长区域，在该波长区域中，如上所述，折射率为2. 60以上，且该折射率越高越好。另外，消光系数可以达到0. 1以下，进一步可以达到0. 05以下，该消光系数越低则越适于多层化。该以氧化钛为主要成分的薄膜作为干涉膜或保护膜有用，特别是作为光记录介质有用。在使用含有铜或选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M且余量包含钛、氧和不可避免的杂质的以氧化钛为主要成分的靶时，上述薄膜可以通过使用各成分具有 (TiO2J !_nMn(其中，0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的组成比、电阻率为100 Ω cm以下的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶来制造；或者，在使用含有钼且余量包含钛、 氧和不可避免的杂质的以氧化钛为主要成分的靶时，上述薄膜可以通过使用各成分具有 (TiO2J ^nPtn (其中，0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 15)的组成比、电阻率为100 Ω cm以下的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶来制造。此时的溅射，特别是添加的金属量多时，通过以向溅射气体中引入氧的方式进行调节，可以得到消光系数低的以氧化钛为主要成分的薄膜。本发明的烧结体靶与薄膜的成分组成近似，但是并不相同。即，靶的基本成分包含 Ti、添加金属(01、？丨、0)、附、？(^11)、0这些成分，各成分具有上述的组成比。并且，该靶具有IOOQcm以下的电阻率。上述中，m超过0.5时，氧缺位变得过大，消光系数有增大的倾向，因此，可以说，m 优选为0.5以下。另外，η小于0.0001时，Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au的添加效果小，并且，超过 0. 2 (其中，Pt的情况下为0. 15)时，所述成膜时的消光系数有增大的倾向，因此，可以说，η 优选为0.0001以上、0.2(其中，Pt的情况下为0.15)以下。为了提高溅射效率，靶需要具有导电性，本申请发明的靶具备该条件，可以进行DC溅射。烧结体溅射靶中存在的Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au相以微小粒子的形式均勻地分散时， 可以发挥防止异常放电的效果，因此，可以说，平均粒径优选为20μπι以下。使用该烧结体溅射靶，在含有0. 1 16%的氧的氩气气氛中进行溅射，由此可以在基板上形成含有Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au和/或它们的金属氧化物的氧化钛薄膜。制造薄膜时，可以通过使用具有上述的组成比、电阻率为IOOQcm以下的烧结体溅射靶，在含有0. 1 16%的氧的氩气气氛中进行溅射来制造。S卩，由此，可以在基板上形成含有钛、氧和铜，Ti为四.0原子％以上、34.0原子％ 以下，Cu为0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)为0. 96以上的以氧化钛为主要成分的薄膜；或者，可以在基板上形成含有钛、氧和钼，Ti为四.0原子％以上、34.0原子％以下，Pt为0.003原子％以上、5.7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0/ (2Ti+Pt)为0.95以上的以氧化钛为主要成分的薄膜；或者，可以在基板上形成含有钛、氧和选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M，Ti为四.0原子％以上、34.0原子％以下，M为 0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0Λ2 +Μ)为0.95以上的以氧化钛为主要成分的薄膜。此时，可以通过直流溅射进行成膜。制造靶时，作为原料，优选使用高纯度(通常4N以上)且平均粒径10 μ m以下的氧化钛(TiO2)和高纯度(通常3N以上)且平均粒径20 μ m以下的铜或钼或者选自钴、镍、 钯、金的一种以上的金属M的粉末。将上述原料进行调合以得到本申请发明的组成比。然后，使用湿式球磨机或干式混合机进行混合，使这些选择的添加金属均勻地分散在氧化钛粉末中。混合后，填充到碳制的模具中，然后进行热压。热压的条件可以根据组成成分进行改变，通常在800 1100°C的范围内，在面压力100 500kgf/cm2的范围内进行。但是该条件表示代表性条件，其选择是任意的，没有特别限制。烧结后，对烧结体进行机械加工从而精加工为靶形状。由此，可以得到靶的基本成分包含钛、铜或钼或者选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M以及氧这些成分，各成分具有上述的组成比，铜或钼或者选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M和/或它们的氧化物以微小粒子的形式分散在氧化钛基质中的靶。实施例以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例只不过表示合适的例子，本申请发明并不受到这些例子的限制。即，本发明仅受专利权利要求书限制，并包含本发明所含的实施例以外的各种变形。(实施例1 8)作为原料，使用平均粒径3 μ m、纯度4N(99. 99% )的氧化钛(TiO2)和平均粒径 15口111、纯度3则99.9(%)的铜粉。将其进行调合、混合以得到表1所示的靶组成。使用湿式球磨机将该混合粉末Ikg进行混合，使铜均勻地分散在氧化钛粉末中。 然后，将蒸发水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并进行热压。热压的条件设定为970°C、面压 200kgf/cm2。对得到的烧结体进行机械加工，得到Φ 152mm、5mmt的靶。结果，得到密度97%以上、电阻率如表1所示为0.01 10 Ω cm的靶。溅射中无异常放电。该结果如表1所示。靶组成电阻率溅射成β速度(A/秒/kWi0|1(原子％10(原子％)0/(2Ti+0.5C >折射率消光系数实施例1 02 Ou = 90 10原子％0.8 Q cmAi^4 8020.7323.564.50.982.650.02实施例27102:0(1 = 05:5原子％3QcmAr-Z 602132.81.765.5OS92,640.01实施例3Τ 02:0υ = 99:1 %7QcmAr-2%020933. 0.466.51.002.620.007实施例4·Τ 02 Cu = 99 1 原了％7QomArIJ33.40.460.20J82.660.03实施例5Ti02 Cu = 99.9 0.1 原子％IOQomArt.e33.30.0466.661.002.620.006实施例6Ti01.5:Cu = 99 ■[原子％OOtQcmAr-iOW20.433.90.465.70.97Ζβ10.06实施例7Ti02:Cu = 80:20JS %0^13 Ω cmAr-tOKG2OJ30.57J6t.90J62,680.Q1实施例8Ti01.5 Cu = 99.99 O.Ot原子％IOQcmArt.e33.30,00366.6971.0023D.005 比较例1Γι02 = 100 MOOQcmAr-2$02OJ33.2066.81.012.590.0Θ4比较例2"002:011 = 99:5原子％3QcmArI_833.5T.864.70.952.70_2比较例3"Π02 Cu = 70 30原子％0.0005 Q cmAr-t 02OJ2912.358.70.922.610.2比较例4Tf02 Cu = 99.995 0.005原子％20 Q cmArU33.30,00266.638t.002.590.005比较例5TKM.5:Gu = 99: 1 原0.01 QcmAr1339,50.460.T0.762.55Q,5
膜组成
表
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^S M^ 6/19 χ500 IOOOw的条件下实施DC溅射。结果，可以没有问题地实施DC溅射，且可以确认该靶具有导电性。在玻璃基板上形成了 Iym的溅射膜。成膜速度、使用EPMA (在Cu浓度低的区域使用SIMQ分析得到的膜的组成分别表示在表1中。0为配平表示。如该表1所示，0/ ^Ti+0.5Cu)为0.96 1.00。对该溅射膜的折射率和消光系数进行测定。折射率和消光系数使用405nm的光波长，通过椭圆偏振计进行测定。这些结果同样表示在表1中。以上的结果是折射率升高为2. 6 2. 68，并且消光系数下降为0. 005 0. 08。 均可以形成合适的光记录介质的干涉膜或保护膜。(比较例1 5)作为原料，使用平均粒径3 μ m、纯度4N(99. 99% )的氧化钛(TiO2)和平均粒径 15口111、纯度3则99.9(%)的铜粉末。将其进行调合、混合以得到表1所示的靶组成。另外， 比较例1为未添加铜粉的情况。使用湿式球磨机将该混合粉末Ikg进行混合，使铜均勻地分散在氧化钛粉末中。 然后，将蒸发水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并进行热压。热压的条件设定为970°C、面压 200kgf/cm2。对得到的烧结体进行机械加工，得到Φ 152mm、5mmt的靶。结果，密度为95 98%。 如表1所示，靶的电阻率> 100 Qcm 0. 0005 Ω Cm。然后，使用这样制造的溅射靶，在玻璃基板上形成溅射膜。溅射条件如表1所示， 在Ar气或Ar气-O2 O 10% )气、气压0. 5Pa、气体流量50sccm、溅射功率:500 IOOOw 的条件下实施DC溅射。在玻璃基板上形成了 1 μ m的溅射膜。成膜速度、使用EPMA(Cu浓度低的区域使用 SIMS)分析得到的膜的组成分别表示在表1中。如该表1所示，0/(2Ti+0. 5Cu)为0. 76 1. 00。对该溅射膜的折射率和消光系数进行测定。折射率和消光系数使用405nm的光波长， 通过椭圆偏振计进行测定。这些结果同样表示在表1中。以上的结果是比较例1为未添加Cu的氧化钛靶。虽然消光系数下降为0. 004， 但是折射率减小为2. 59。结果，不适合作为光记录介质的干涉膜或保护膜。就比较例2而言，氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)为0. 95，不满足本申请发明的条件。此时，虽然折射率升高为2. 7，但是相反地，消光系数增大为0.2。结果，不适合作为光记录介质的干涉膜或保护膜。就比较例3而言，Cu量过多，氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)为0. 92，不满足本申请发明的条件。此时，虽然折射率升高为2. 61，但是相反地，消光系数增大为0. 2。 结果，不适合作为光记录介质的干涉膜或保护膜。就比较例4而言，Cu量少，为0.002原子％，不满足本申请发明的条件。此时，虽然消光系数减小为0. 005，但是相反地，折射率降低为2. 59。结果，不适合作为光记录介质的干涉膜或保护膜。就比较例5而言，氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)小，为0. 76，不满足本申请发明的条件。此时，折射率低至2. 55，消光系数也增大为0.5。结果，不适合作为光记录介质的干涉膜或保护膜。(实施例9 15)
作为原料，使用平均粒径3 μ m、纯度4N(99. 99% )的氧化钛(TiO2)和平均粒径 25口111、纯度3则99.9(%)的钯(Pd)粉末。将其进行调合、混合以得到表2所示的靶组成。使用湿式球磨机将该混合粉末Ikg进行混合，使Pd均勻地分散在氧化钛粉末中。 然后，将蒸发水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并进行热压。热压的条件设定为970°C、面压 200kgf/cm2。对得到的烧结体进行机械加工，得到Φ 152mm、5mmt的靶。结果，得到密度95%以上、电阻率如表2所示为0. 01 30 Ω cm的靶。
权利要求
1.一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和铜，Ti为四.0原子％以上、34. 0原子％以下，Cu为0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0Λ2 +0. 5Cu)为0. 96以上。
2.一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和钼，Ti为四.0原子％以上、34. 0原子％以下，Pt为0. 003原子％以上、5. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0A2Ti+Pt)为0.95以上。
3.一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M，Ti为四.0原子％以上、34.0原子％以下，M为0. 003原子％以上、7. 7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比0/ (2Τ +Μ)为0. 95 以上。
4.如权利要求1 3中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在 400 410nm的波长区域内的折射率为2. 60以上。
5.如权利要求1 4中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在 400 410nm的波长区域内的消光系数为0. 1以下。
6.如权利要求5所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，在400 410nm的波长区域内的消光系数为0. 05以下。
7.如权利要求1 6中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，为用于光干涉膜或保护膜的薄膜。
8.如权利要求1 6中任一项所述的以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，为作为光记录介质使用的薄膜。
9.一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有铜且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(TiO2J ^nCun (其中，0.5、0. 0001 SnS 0.2)的组成比，电阻率为IOOQcm以下。
10.一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有钼且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(TiO2-J Jtn(其中，0彡m彡0. 5,0. 0001 ^ η ^ 0. 15)的组成比，电阻率为100 Ω cm以下。
11.一种以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶，含有选自钴、镍、钯、金的一种以上的金属M且余量包含钛、氧和不可避免的杂质，其特征在于，各成分具有(Ti02_m) i_nMn(其中， 0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的组成比，电阻率为100 Ω cm以下。
全文摘要
一种以氧化钛为主要成分的薄膜，其特征在于，含有钛、氧和铜，Ti为29.0原子％以上、34.0原子％以下，Cu为0.003原子％以上、7.7原子％以下，余量包含氧和不可避免的杂质，并且氧成分与金属成分之比O/(2Ti+0.5Cu)为0.96以上。本发明的课题在于，得到具有高折射率且具有低消光系数的以氧化钛为主要成分的薄膜、适于制造该薄膜的以氧化钛为主要成分的烧结体溅射靶；得到透射率优良、反射率的下降少、作为光信息记录介质的干涉膜或保护膜有用的薄膜；以及得到可以应用于玻璃基板，即可以作为热射线反射膜、防反射膜、干涉滤光片使用的薄膜。
文档编号G11B7/254GK102325920SQ20108000686
公开日2012年1月18日 申请日期2010年1月29日 优先权日2009年2月5日
发明者矢作政隆, 高见英生 申请人:吉坤日矿日石金属株式会社