闪存芯片操作时间的测量方法
【专利摘要】本发明提出了一种闪存芯片操作时间的测量方法，利用了同一测试单元内每颗被测试闪存芯片可以单独分配ECR地址区域的特点，将ECR作为每个待测试闪存芯片的计数器，从而能够精确、同时的测量多颗闪存芯片操作时间，提高测量的效率。
【专利说明】闪存芯片操作时间的测量方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存芯片操作时间的测量方法。
【背景技术】
[0002] 擦除及编程时间为Flash(闪存芯片）产品的两个重要参数。在产品可靠性测试 等场合，需要大量收集闪存芯片擦除及编程时间（以下简称操作时间），以评估闪存芯片器 件衰退等问题。通常情况下，闪存芯片的操作时间量测的流程如下：向闪存芯片发送擦除 或编程操作开始命令，闪存芯片开始操作，同时闪存芯片自动判断操作是否完成，如果未完 成，闪存芯片通过输出引脚向外输出高电平"1" ；如果操作完成，闪存芯片通过输出引脚向 外输出"〇"，输出"1"的持续时间就是闪存芯片的操作时间。
[0003] 现有操作时间测量方法通常为：测试机中每一个测试单元（site)只有一个计数 器，在测试过程中，对闪存芯片的输出引脚进行周期性采样，每隔一个采样间隔时间便会进 行采样，每采样到一个"1"，计数器就加1，在操作完成后，就可以通过计数器的数值计算出 操作时间。闪存芯片的操作时间=计数器数值*采样间隔时间。
[0004] 然而，测试机中每一个测试单元只有一个计数器（Counter)，如果一个测试单元同 时测试多颗闪存芯片，则计数器只能得出操作时间最长的那颗闪存芯片的操作时间，而不 能够得出不同闪存芯片的操作时间。如果想精确得到每颗闪存芯片的操作时间，则每个测 试单元只能测试一颗闪存芯片，大大降低了测试效率。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种闪存芯片操作时间的测量方法，能够同时精确测量出 多颗闪存芯片的操作时间。
[0006] 为了实现上述目的，本发明提出了一种闪存芯片操作时间的测量方法，包括步 骤：
[0007] 将每颗待测闪存芯片均划分出一块ECR地址区域；
[0008] 设置所述闪存芯片的输出引脚期望值；
[0009] 发送操作开始指令，对每颗闪存芯片进行周期性采样，由每个ECR记录分别每颗 闪存芯片的采样信号的个数，直至所述ECR采样到所述闪存芯片的输出引脚的期望值后停 止采样；
[0010] 分别每个ECR记录的个数及采样周期得出每颗闪存芯片的操作时间。
[0011] 可选的，将所述闪存芯片的输出引脚期望值设置为低电平"〇"。
[0012] 可选的，所述ECR采样到高电平" 1"时，所述ECR的错误数量加1，当所述ECR采样 到低电平"0"时，停止采样。
[0013] 可选的，每颗闪存芯片的操作时间为相应的ECR中错误数量乘以采样周期。
[0014] 可选的，所述ECR地址区域的个数范围是1?256。
[0015] 与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：利用了同一测试单元内每颗被 测试闪存芯片可以单独分配ECR地址区域的特点，将ECR作为每个待测试闪存芯片的计数 器，从而能够精确、同时的测量多颗闪存芯片操作时间，提高测量的效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 图1为本发明一实施例中闪存芯片操作时间的测量方法的流程图。
【具体实施方式】
[0017] 下面将结合示意图对本发明的闪存芯片操作时间的测量方法进行更详细的描述， 其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明， 而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛 知道，而并不作为对本发明的限制。
[0018] 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能 和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的 限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费 时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0019] 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要 求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0020] 请参考图1，在本实施例中，提出了一种闪存芯片操作时间的测量方法，包括步 骤：
[0021] S100 :将每颗待测闪存芯片均划分出一块ECR地址区域；
[0022] 在步骤S100中，测试机的同一测试单元内每颗被测试闪存芯片均可以单独分配 出ECR(Error Catch RAM，错误捕获随机存储器）地址区域，其中可以分配出1?256个 ECR，在本实施例中，例如分配出了 16个ECR地址区域。每一个ECR地址区域可以获取错误 信号，并记录错误信号的个数。
[0023] S200 :设置所述闪存芯片的输出引脚期望值；
[0024] 在步骤S200中，将所述闪存芯片的输出引脚期望值设置为低电平"0"，由于闪存 芯片在进行操作的过程中，其输出引脚为高电平"1"，那么相对于期望值低电平"〇"，闪存 芯片在操作过程中的输出引脚即为错误信号，ECR便能够捕获该错误信号的个数。
[0025] S300 :发送操作开始指令，对每颗闪存芯片进行周期性采样，由每个ECR记录分别 每颗闪存芯片的采样信号的个数，直至所述ECR采样到所述闪存芯片的输出引脚的期望值 后停止采样；
[0026] 在步骤S300中，所述ECR采样到高电平"1"时，所述ECR的错误数量加1，当所述 ECR采样到低电平"0"时，停止采样。当ECR采样到所有的待测闪存芯片为低电平"0"时， 则说明已经测量完所有的待测闪存芯片。对闪存芯片进行周期性采样时的采样周期可以根 据测试机的精度来确定，通常采样周期的长短可以由μ s至ms不等，具体的可以根据实际 需要来进行选择，在此不作赘述。
[0027] S400 :分别每个ECR记录的个数及采样周期得出每颗闪存芯片的操作时间。
[0028] 在步骤S400中，每颗闪存芯片的操作时间为相应的ECR中错误数量乘以采样周 期。由于不同闪存芯片均由相应的ECR进行计数采样的个数，因此，测试机可以同时而且精 确的对多颗闪存芯片的操作时间进行测量。
[0029] 综上，在本发明实施例提供的闪存芯片操作时间的测量方法中，利用了同一测试 单元内每颗被测试闪存芯片可以单独分配ECR地址区域的特点，将ECR作为每个待测试闪 存芯片的计数器，从而能够精确、同时的测量多颗闪存芯片操作时间，提高测量的效率。
[0030] 上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属 【技术领域】的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和 技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍 属于本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种闪存芯片操作时间的测量方法，其特征在于，包括步骤： 将每颗待测闪存芯片均划分出一块ECR地址区域； 设置所述闪存芯片的输出引脚期望值； 发送操作开始指令，对每颗闪存芯片进行周期性采样，由每个ECR记录分别每颗闪存 芯片的采样信号的个数，直至所述ECR采样到所述闪存芯片的输出引脚的期望值后停止采 样； 分别每个ECR记录的个数及采样周期得出每颗闪存芯片的操作时间。
2. 如权利要求1所述的闪存芯片操作时间的测量方法，其特征在于，将所述闪存芯片 的输出引脚期望值设置为低电平"〇"。
3. 如权利要求2所述的闪存芯片操作时间的测量方法，其特征在于，所述ECR采样到高 电平" 1"时，所述ECR的错误数量加1，当所述ECR采样到低电平" 0 "时，停止采样。
4. 如权利要求3所述的闪存芯片操作时间的测量方法，其特征在于，每颗闪存芯片的 操作时间为相应的ECR中错误数量乘以采样周期。
5. 如权利要求1所述的闪存芯片操作时间的测量方法，其特征在于，所述ECR地址区域 的个数范围是1?256。
【文档编号】G11C29/12GK104217765SQ201410455143
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年9月9日 优先权日:2014年9月9日
【发明者】罗旭, 张宇飞, 李康, 龚斌, 李德勇 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司