一种ddr快速测量方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及计算机存储技术领域，具体涉及一种DDR快速测量方法。
【背景技术】
[0002]—般服务器电路板都会使用大量的内存，然后对于内存的测试现阶段都局限在直接上电测试，但是不排除个别的板卡由于机构、电源设计、空间等等的原因，造成不必要的损伤，没有一个针对内存DDR4上电源对地情况、电源与电源之间的阻抗情况的排查设备，增大了系统由于异常内存造成的风险。
[0003]从事服务器的设计时，我们会发现内存需要使用的电源很多，不论是前期的设计和后期的保护，通常我们在设计的过程中都会加相应的供电电路，是内存能在多路电源的情况下都能正常工作，但内存上一路电源对地阻抗发生变化会产生，在不知情的条件下会对板卡造成损坏。一旦我们的服务器主板发生上电异常，不论是由于设计上的失误、人为操作、或者其他的意外情况都有可能对电路板造成很大的伤害。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是:为了解决上述问题，提供一种DDR快速测量方法。
[0005]本发明所采用的技术方案为:
一种DDR快速测量方法，DDR内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，通过测试工具检查内存单体的好坏，根据测试工具测试的结果，将好的内存上板测试，减少主板因为内存异常造成的烧毁现象，而这对服务器而言是致命的，如果使用测试设备对内存部件进行初步的检测判断好坏的设备，降低由于内存异常造成的主板损伤，进而减少对板卡造成烧坏的可能状况，在内存使用前用该测试设备检测内存单体各电源及地之间的阻抗情况，当阻抗超过规定的目标值认为存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理，这样就可以减少内存异常对主板的损伤，实现保护的措施。
[0006]所述方法涉及的测试工具，其结构包括PCB电路板，DDR插座，所述电路板上设置有内存测试点位，其中包括:电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位；通过万用表测试相应的点位，就可以判断内存的电源点及对地阻抗情况。如果当电源板由于不确定因素出现有短路的地方，可以通过仪器具体的测试出来，使异常单体内存可以前期排查出来。
[0007]所述测试工具PCB布线的铜箔的通流量符合电流大小的要求，使用的内存接触DI丽符合行业内规范，使测量出来的数值接近内存本体数值。
[0008]所述测试工具上的测试点位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。
[0009]所述DDR内存包括DDR3内存和DDR4内存。
[0010]本发明的有益效果为:
本发明利用测试工具的功能在测试前期快速的排查内存是否好坏，内存上系统前可以仪器排查，避免造成主板的损伤；保护主板因为异常内存造成的损伤；增加外部测试点位测试，减少直接在内存测试的风险。
【附图说明】
[0011]图1为本发明测试工具结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面根据说明书附图，结合【具体实施方式】对本发明进一步说明:
实施例1:
一种DDR快速测量方法，DDR内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，通过测试工具检查内存单体的好坏，根据测试工具测试的结果，将好的内存上板测试，减少主板因为内存异常造成的烧毁现象，而这对服务器而言是致命的，如果使用测试设备对内存部件进行初步的检测判断好坏的设备，降低由于内存异常造成的主板损伤，进而减少对板卡造成烧坏的可能状况，在内存使用前用该测试设备检测内存单体各电源及地之间的阻抗情况，当阻抗超过规定的目标值认为存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理，这样就可以减少内存异常对主板的损伤，实现保护的措施。
[0013]实施例2:
如图1所示，在实施例1的基础上，本实施例所述方法涉及的测试工具，其结构包括PCB电路板1，DDR插座2，所述电路板上设置有内存测试点位，其中包括:电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位；通过万用表测试相应的点位，就可以判断内存的电源点及对地阻抗情况。如果当电源板由于不确定因素出现有短路的地方，可以通过仪器具体的测试出来，使异常单体内存可以前期排查出来。
[0014]实施例3:
在实施例2的基础上，本实施例所述测试工具PCB布线的铜箔的通流量符合电流大小的要求，使用的内存接触DIMM符合行业内规范，使测量出来的数值接近内存本体数值。
[0015]实施例4:
在实施例2或3的基础上，本实施例所述测试工具上的测试点位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPDo
[0016]实施例5:
在实施例4的基础上，本实施例所述DDR内存包括DDR3内存和DDR4内存。
[0017]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种DDR快速测量方法，其特征在于:DDR内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，通过测试工具检查内存单体的好坏，根据测试工具测试的结果，将好的内存上板测试。2.根据权利要求1所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于:所述方法涉及的测试工具，其结构包括PCB电路板，DDR插座，所述电路板上设置有内存测试点位，其中包括:电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位；通过测试相应的点位，判断内存的电源点及对地阻抗情况。3.根据权利要求2所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于:所述测试工具PCB布线的铜箔的通流量符合电流大小的要求，使用的内存接触DIMM符合行业内规范。4.根据权利要求2或3所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于:所述测试工具上的测试点位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。5.根据权利要求4所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于:所述DDR内存包括DDR3内存和DDR4内存。
【专利摘要】本发明公开了一种DDR快速测量方法，DDR内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，通过测试工具检查内存单体的好坏，根据测试工具测试的结果，将好的内存上板测试。本发明利用测试工具的功能在测试前期快速的排查内存是否好坏，内存上系统前可以仪器排查，避免造成主板的损伤；保护主板因为异常内存造成的损伤；增加外部测试点位测试，减少直接在内存测试的风险。
【IPC分类】G11C29/56
【公开号】CN105427894
【申请号】CN201510756168
【发明人】张晓 , 付猛猛
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月9日