光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶的制作方法
【专利摘要】本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
【专利说明】
光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
[0001] 本申请是申请号：201080040683.3(PCT/JP2010/066099)，申请日：2010.09.16,发 明名称："光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射祀"的申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明涉及光信息记录介质用的记录层、光信息记录介质及对该记录层的形成有 用的溅射靶。
【背景技术】
[0003] 光信息记录介质(光盘）以⑶、DVD、BD等光盘为代表，根据记录再生方式，大致分为 再生专用型、追记型及重写型这3种。其中，追记型光盘的记录方式主要分为使记录层发生 相变化的相变化方式、使多个记录层发生反应的层间反应方式、使构成记录层的化合物分 解的方式、在记录层上局部形成孔及坑等记录标记的开孔方式。
[0004] 在所述相变化方式中，作为记录层的材料提出了一种利用了基于记录层的结晶化 的光学特性的变化的材料。例如在专利文献1中，提出了含有Te - 0-M(M是从金属元素、半 金属元素及半导体元素中选出的至少1种元素）的记录层，在专利文献2中提出了含有Sb及 Te的记录层。
[0005] 作为所述层间反应方式的光信息记录介质的记录层，例如在专利文献3中提出了 如下记录层，其中，第一记录层为由含有In - 0-（Ni、Mn、Mo)的合金构成的层，且第二记录 层为由含有Se及/或Te元素、0(氧）、及从Ti、Pd、Zr中选出的一个元素的合金构成的层。另 外，在专利文献4中提出了层叠第一记录层：以In为主成分的金属、以及第二记录层:含有属 于5B族或6B族的至少1种元素的氧化物以外的金属或非金属，通过基于加热的反应或合金 化来进行记录。
[0006] 作为使构成所述记录层的化合物分解的方式的记录层，例如在专利文献5中示出 了以氮化物为主成分的记录层，并研讨了通过加热使该氮化物分解而进行记录的材料及有 机色素材料。
[0007] 作为所述开孔方式的记录层，研讨了由低熔点金属材料构成的记录层。例如在专 利文献6中提出了由在Sn合金中添加了 3B族、4B族、5B族的元素的合金构成的记录层。另外， 在专利文献7中提出了由含有1~50原子％的范围的Ni及/或Co的Sn基合金构成的记录层。 此外，在专利文献8中示出了由含有20~65原子％的(：〇的In合金、以及在此基础上还含有19 原子％以下的从Sn、Bi、Ge、Si中选出的1种以上的元素的In合金构成的记录层。
[0008] 在先技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1:日本国特开2005 -135568号公报 [0011] 专利文献2:日本国特开2003 - 331461号公报 [0012] 专利文献3:日本国特开2003 - 326848号公报 [0013] 专利文献4:日本国专利第3499724号公报
[0014] 专利文献5:国际公开第2003/101750号文件 [0015] 专利文献6:日本国特开2002 - 225433号公报 [0016] 专利文献7:日本国特开2007 -196683号公报 [0017] 专利文献8:日本国专利第4110194号公报
[0018] 作为光信息记录介质所追求的要求特性，主要追求具有足以再生的反射率、能够 以实用性的记录激光功率进行记录(具有高记录灵敏度）、记录信号具有足以再生的信号振 幅(高调制度)及信号强度高(高C/N比）等。
[0019] 但是，作为现有技术而公开的记录材料，难以由记录材料单体满足这些要求特性， 在所述相变化方式中，由于单独记录层的反射率低，所以为了提高光盘状态下的反射率需 要设置反射膜，且为了增加调制度，在记录层上下还需要设置ZnS - Si02等电介质层，从而 构成光盘的层数增多。另外，在所述层间反应方式中也需要设置多个记录层，所以构成光盘 的层数增多。因此存在膜层数增多而使得生产率下降的问题。与此相对，在所述开孔方式 中，记录层自身的反射率高，而且还能够确保大的调制度，所以能够减少构成光盘的层的数 目，但为了达到更高的记录灵敏度还需要进一步的研讨。另外，还要求上述记录层的耐久性 (特别是对高温高湿的耐久性）。
【发明内容】
[0020] 本发明是鉴于上述情况而实现的，其目的在于提供在减少光盘层数的同时满足上 述要求特性，从而能够提高光信息记录介质的生产率的光信息记录介质用记录层、具备该 记录层且记录层的耐久性(特别是，对高温高湿的耐久性)优异的光信息记录介质、及对该 记录层的形成有用的溅射靶。
[0021] 本发明包括以下方式。
[0022] (1) -种光信息记录介质用记录层，其通过激光的照射进行记录，其特征在于，
[0023] 是如下的记录层:含有氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的 X金属的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所 含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％，所述记录层的结构为非晶。
[0024] (2)根据上述(1)所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，
[0025] 所述X金属是从由5]1、211、13;[、66、&3、￥、(]11及41构成的群中选择的1种以上。
[0026] (3)根据上述(1)或(2)所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，
[0027] 二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5~70摩尔％。
[0028] (4)根据上述(1)~(3)中任一项所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，
[0029] 膜厚为 5 ~100nm。
[0030] (5)根据上述(1)~(4)中任一项所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于， [0031 ]在照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。
[0032] (6)-种光信息记录介质，其具备通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在 于，
[0033]所述记录层含有氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的X金属 的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X 金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％，所述记录层的结构为非晶。
[0034] (7)根据上述(6)所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0035] 还具备与该记录层邻接而形成的电介质层。
[0036] (8)根据上述(6)或(7)所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0037] 所述记录层中所含的X金属是从由3]1、211、13;[、66、(：0、￥、(：11及41构成的群中选择的1 种以上。
[0038] (9)根据上述(6)~(8)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0039] 二氧化Pd相对于所述记录层中所含的一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5~70 摩尔％。
[0040] (10)根据上述(7)~(9)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0041] 所述电介质层含有氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或它们的混合物。
[0042] 其中，上述（10)的光信息记录介质优选是，所述电介质层由氧化物、氮化物、硫化 物、碳化物或它们的混合物实质性构成的（7)~(9)中任一项所述的光信息记录介质，更优 选是，所述电介质层由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物或它们的混合物构成的（7)~(9)中 任一项所述的光信息记录介质。
[0043] (11)根据上述(10)所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0044] 构成所述电介质层的所述氧化物是从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、 Zr、Cr、Bi及Mg构成的群中选择的1种以上元素的氧化物，所述氮化物是从由Si、Ge及Ti构成 的群中选择的1种以上元素的氮化物，所述硫化物是Zn硫化物，所述碳化物是从由Si、Ti及W 构成的群中选择的1种以上元素的碳化物。
[0045] (12)根据上述(7)~（11)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0046]所述电介质层的膜厚为2~40nm〇
[0047] (13)根据上述(6)~（12)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0048] 所述记录层的膜厚为5~100nm。
[0049] (14)根据上述(6)~（13)中任一项所述的光信息记录介质，其特征在于，
[0050] 在所述记录层中照射激光的部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。
[0051] (15)-种溅射靶，其是上述（1)~（14)中任一项所述的记录层形成用的溅射靶，其 特征在于，
[0052] 含有X金属的氧化物和Pd，且Pd原子相对于溅射靶中所含的X金属原子和Pd原子的 合计的比率为4~85原子％。
[0053] (16)-种溅射靶，其是上述（1)~（14)中任一项所述的记录层形成用的溅射靶，其 特征在于，
[0054]由含有Pd原子相对于X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％的？(1的合 金构成。
[0055] (17)根据上述(15)或（16)所述的溅射靶，其特征在于，
[0056] 所述X金属是从由5]1、211、13;[、66、&3、￥、(]11及41构成的群中选择的1种以上。
[0057]发明效果
[0058]根据本发明，能够提供实用性的记录激光功率下的记录灵敏度优异的光信息记录 介质用记录层(特别是，追记型光信息记录介质用记录层）、及具备该记录层且记录层的耐 久性优异的光信息记录介质(特别是，追记型光信息记录介质）。另外，根据本发明，能够提 供对上述记录层的形成有用的溅射靶。
[0059] 需要说明的是，在本说明书中，"记录灵敏度优异"是指，如后述的实施例一栏所详 细叙述，能够在比较低的记录激光功率下实现高调制度。
【附图说明】
[0060] 图1是实施例1中的Pd的状态分析结果(Pd 3d5/2光电子能谱）。
【具体实施方式】
[0061] 本
【发明人】为了实现与现有的记录层相比实用性的记录激光功率下的记录灵敏度 优异，且记录层的耐久性优异的光信息记录介质用记录层而进行了锐意研究。其结果发现， 若不同于现有的记录层，形成含有氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大 的金属（以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，且该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd的记录 层，则在向该记录层照射激光时，所述氧化Pd因照射激光而被加热，发生分解而释放氧，能 够在照射激光的部分生成气泡而进行不可逆的记录，并且，该记录方式是相比以往能够显 著提高记录灵敏度的方式，另外，若使电介质层与上述记录层邻接而形成，则能够显著提高 该记录层的耐久性。
[0062] 在上述记录层的记录方式中，在激光照射前的记录层的结构为非晶，激光照射后 也为非晶这一点上，与利用了非晶因激光照射而变化为晶体这一特性的相变化方式不同。
[0063] 作为本发明的记录层的记录灵敏度优异的理由，可以认为是因为在因激光照射而 产生气泡的部分，与没有产生气泡的部分相比，透过率增加（即，反射率下降），从而能够加 大调制度。
[0064]另外，通过如上所述含有氧化Pd，与不含氧化Pd的情况相比，能够加大折射率，从 而能够获得高反射率。进而，由于能够增大膜的光吸收率，所以能够将用于信号记录的激光 的能量有效地转变为热，结果能够以实用性的记录激光功率促进上述氧化Pd的分解，充分 提高记录灵敏度。
[0065]为了充分发现这些效果，需要使记录层中所含的Pd原子与氧化物相对于lmol氧的 标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属原子和Pd原子的合计的比率（以下有时称为"Pd 量"）为4原子％以上。若Pd量小于4原子％，则激光照射时分解的氧化Pd少，所以释放出的氧 量不充分，生成的气泡少，结果信号强度小。另外，由于记录层的光吸收率也变小，所以记录 所需的激光功率变大，故不优选。所述Pd量优选8原子％以上，更优选10原子％以上。另一方 面，若所述Pd量超过85原子％，则调制度变小，所以本发明中将Pd量的上限设为85原子％。 所述Pd量的上限优选50原子％，更优选45原子％。
[0066]此外，在记录层存在2层以上的多层光盘中，除了距激光入射面最远的记录层以外 都要求透过率，但该透过率可通过减少Pd量来提高。因而，需要一定程度的透过率的记录层 优选将Pd量设在4~30原子％的范围内。另一方面，一层盘或多层盘的最下层(距激光入射 面最远的记录层)需要一定程度的反射率，所以Pd量优选为30~85原子％。
[0067]若上述氧化Pd是特别含有一氧化Pd和二氧化Pd，则能够更加充分提高记录灵敏 度。作为其理由可以认为如下两点：相比一氧化Pd不稳定的二氧化Pd因激光照射而容易分 解释放出氧；以及，通过使相比二氧化Pd稳定的一氧化Pd中存在二氧化Pd而抑制该二氧化 Pd的自然分解，能够得到稳定的记录层。
[0068] 为了提高上述二氧化Pd的分解所产生的释放氧量而得到记录所带来的足够的反 射率变化，另外提高记录灵敏度，优选二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计的 比率为5摩尔％以上。另一方面，若二氧化Pd相对于一氧化Pd过多，则二氧化Pd可能无法稳 定地存在，记录层的制作困难，所以优选二氧化Pd相对于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计 的比率为70摩尔％以下。更优选60摩尔％以下。
[0069] 本发明的记录层，与上述氧化Pd-起，还含有氧化物相对于lmol氧的标准生成自 由能的绝对值比Pd大的金属(X金属）的氧化物。如此，通过使比氧化Pd稳定的金属氧化物与 氧化Pd-起共存，能够使该氧化Pd分解时的氧释放所带来的形态变化明了且变大，从而能 够得到记录所带来的足够的反射率变化，另外还能够提高记录灵敏度。
[0070] 作为所述氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属（X金 属），可举出Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu、Al(室温下的氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能， Pd 约为一 150kJ/mol，与此相对，511、211、81、66、(：〇、1、〇1^1分别为一520、一640、一330、一 420、一420、一500、一270、一 1050kJ/mol)。在此，氧化物相对于lmol氧的标准生成自由能是 指，
[0071] 例如对于A1来说是
[0072] 4/3Al+02 = 2/3A1203 的反应中的值，
[0073] 对于Zn来说是由2Zn+02 = 2Zn0表示的反应中的值。
[0074]本发明的记录层如上所述含有X金属的氧化物，优选含有50摩尔％以上的X金属的 氧化物。此外，在本发明的记录层中，除了含有所述X金属的氧化物和所述氧化Pd之外，还可 以含有制作时不可避免地混入的不可避免的杂质。进而，还可以以吸收率的提高和折射率 的控制为目的，以氧化物或金属的状态含有合计约30原子％以下的范围内的Sn、Al、Bi、Cu、 Nb、Ti、Si、Ta〇
[0075]记录层的膜厚还取决于在记录层上下插入金属化合物层及金属层等其它层等的 光信息记录介质的结构，但例如优选记录层的膜厚为5~100nm。这是因为，若记录层的膜厚 比5nm小，则可能难以获得记录所带来的足够的反射率变化。更优选1 Onm以上，进一步优选 20nm以上，特别优选25nm以上。另一方面，若记录层的膜厚比100nm大，则膜的形成耗费时 间，生产率下降，并且记录所需的激光功率可能会变大。更优选70nm以下，进一步优选60nm 以下。
[0076] 本发明的记录层如上所述含有氧化Pd(例如，Pd0、Pd02、Pd0x等），但为了获得这种 形态的记录层，优选通过溅射法形成记录层。采用溅射法的话还能够确保盘面内的膜厚分 布均匀性，故优选。
[0077] 在通过溅射法形成上述含有氧化Pd的记录层时，作为溅射条件，特别优选氧流量 相对于Ar(氩)流量之比为0.5~10.0。溅射法中的其它条件没有特殊限定，可以采用通用的 方法，只要将气压控制在例如〇 . 1~1. 〇Pa的范围、将溅射电力控制在例如0.5~20W/cm2的 范围即可。
[0078] 作为所述溅射法中使用的溅射靶(以下，有时简称为"革n可举出使用如下靶：
[0079] (A)特征在于含有X金属(优选从由311、211、81、66、(：〇、1、(：11及41构成的群中选择的1 种以上）的氧化物(具体说例如含有50摩尔％以上的X金属的氧化物)和Pd(例如氧化PcLS/ 或金属Pd)，且Pd原子相对于溅射靶中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原 子％的溅射靶，或者，
[0080] (B)特征在于由含有Pd原子相对于X金属(优选从由311、211、81、66、(：〇、1、(：11及六1构 成的群中选择的1种以上)原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子(例如金属Pd)且 以X金属为基体的合金构成的溅射靶。另外还可以举出：
[0081 ] (C)使用X金属靶(纯X金属靶)和金属Pd靶(纯Pd金属靶），并使这些靶同时放电而 进行多元溅射的情况。
[0082]此外，作为上述(A)的溅射靶，在生产率、形成的薄膜的组成的面内均匀性及厚度 控制的方面，特别是优选采用将X金属的氧化物和金属Pd的粉末混合并烧结而成的靶。在制 造上述溅射靶时，有时微量的杂质混入溅射靶中。但是，本发明的溅射靶的成分组成还不至 于对这些不可避免地混入的微量成分也进行限定，只要不损害本发明的上述特性，则允许 这些不可避免的杂质的微量混入。
[0083]本发明的光信息记录介质的特征在于具备上述记录层，上述记录层以外的构成不 特别限定，可以采用光信息记录介质的领域中公知的构成。
[0084] 另外，作为本发明的光信息记录介质的其它方式，其特征在于，具备上述记录层的 同时还具备与该记录层邻接而形成的下述电介质层。
[0085] 作为本发明的光信息记录介质的其它方式，虽然具有体现出上述优异的特性的记 录层，但还需要在高温高湿环境下也维持上述优异的特性，即确保优异的耐久性。为此，在 本发明中，与记录层邻接而形成电介质层。作为耐久性下降的原因可以认为，在上述环境 下，没有照射激光（即，没有进行记录)部分的氧化Pd逐渐还原而释放氧，其结果，光学特性 发生变化，导致反射率下降。但是，通过使电介质层与记录层邻接而形成，能够抑制记录层 中的氧化Pd(特别是二氧化Pd)的不需要的分解，而稳定地保持。
[0086] 作为上述"与记录层邻接而形成电介质层"的方式，例如可以举出在基板和记录层 之间与记录层邻接而形成的情况及/或在记录层和后述的光透过层之间与记录层邻接而形 成的情况。
[0087] 上述电介质层还可以通过作为氧壁皇层发挥作用而提高耐久性。通过防止记录层 中的氧的逃散，能够防止反射率的变化(特别是反射率的下降），从而能够确保作为记录层 所需要的反射率。
[0088] 还可以通过进一步形成电介质层来提高记录特性。可以认为这是因为，通过电介 质层将入射的激光的热扩散控制成最优，防止记录部分中的泡过于变大、或氧化Pd的分解 过度而使泡破灭，能够使泡的形状最佳化。
[0089]作为所述电介质层的原材料，可以举出氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或 它们的混合物，作为所述氧化物，可以举出从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、 Cr、Bi及Mg构成的群中选择的1种以上元素的氧化物。作为所述氮化物，可以举出从由In、 311、66、0、31^1、他1〇、11、1、1 &及211构成的群中选择的1种以上元素的氮化物(优选从由 Si、Ge及T构成的群中选出的1种以上元素的氮化物），作为所述硫化物，可以举出Zn硫化物。 作为所述碳化物，可以举出从由111、311、66、0、3;[、41、1';[、21'、13及1构成的群中选择的1种以 上元素的碳化物(优选从由Si、T i及W构成的群中选择的1种以上元素的碳化物），作为所述 氟化物，可以举出从由Si、A1、Mg、Ca及La构成的群中选择的1种以上元素的氟化物。作为它 们的混合物，可以举出ZnS -Si02等。其中，更优选的是含有111、211、31^1、31、11、1%中的1种 以上的上述化合物(氧化物等)或它们的混合物，更优选的是含有I n、Zn、Sn、A1中的1种以上 的上述化合物或它们的混合物。
[0090]电介质层的膜厚优选2~40nm。这是因为，若小于2nm，则难以充分发挥上述电介质 层的效果(特别是，作为氧壁皇的效果）。更优选3nm以上。另一方面，若电介质层的膜厚过 厚，则难以产生激光照射所带来的记录层的变化(气泡的生成），可能会导致记录特性的下 降，故不优选。因而，电介质层的膜厚优选40nm以下，更优选35nm以下。
[0091] 本发明还不至于对所述电介质层的形成方法都进行限定，但优选与所述记录层同 样通过溅射法来形成。
[0092] 在通过溅射法形成所述电介质层时，作为溅射条件，在将Ar流量设在例如10~ lOOsccm的范围并如下所述使用金属靶的情况下，可以举出使氧化物层形成时的氧流量为 例如5~60sccm的范围，使氮化物层形成时的氮流量为例如5~80sccm的范围的情况。另外， 还可以举出使气压为例如0.1~l.OPa的范围，使溅射电力为例如0.5~50W/cm 2的范围的情 况。
[0093] 作为所述电介质层的形成中使用的溅射靶，除了由上述化合物(氧化物、氮化物、 硫化物、碳化物、氟化物)构成的靶之外，还可以使用含有该化合物中的氧、氮、硫、碳、氟以 外的构成元素的金属靶（由纯金属或合金构成的靶）。
[0094] 本发明的光信息记录介质，上述记录层及电介质层以外的构成不特别限定，可以 采用光信息记录介质的领域中公知的构成。
[0095] 作为光信息记录介质(光盘），其结构可以举出在刻有激光的导向用的槽的基板上 层叠记录层或电介质层，再在其上层叠光透过层而成的结构。
[0096] 例如，作为所述基板的原材料，可以举出聚碳酸酯树脂、聚降冰片烯系树脂、环状 烯烃系共聚物、非晶质聚烯烃等。另外，作为所述光透过层，可以使用聚碳酸酯或紫外线硬 化树脂。作为光透过层的材质，优选相对于进行记录再生的激光具有高透过率，且光吸收率 小的材质。所述基板的厚度可举出例如〇. 5~1.2mm。另外，所述光透过层的厚度可举出例如 0.1~1.2mm〇
[0097] 本发明的记录层是体现出高反射率，且记录层单独体现出优异的记录特性的层， 但也可以根据需要为了提高记录层的耐久性，在记录层的上方及/或下方设置氧化物层、硫 化物层、金属层等。通过层叠这些层，能够抑制记录层的经时劣化所造成的氧化或分解。另 外，也可以为了进一步提高作为光盘的反射率，而在基板和记录层之间设置光学调整层。作 为所述光学调整层的原材料，可例示48^11、(：11、41、附、0、1';[等或它们的合金等。
[0098] 此外，上述情况示出了记录层及光透过层分别各形成1层的1层光盘，但不限定于 此，也可以是记录层及光透过层层叠多层的2层以上的光盘。
[0099] 在所述2层以上的光盘的情况下，也可以在由记录层和根据需要层叠的光学调整 层或电介质层构成的记录层群与其它记录层群之间具有例如由紫外线硬化树脂或聚碳酸 酯等的透明树脂等构成的透明中间层。
[0100] 本发明的特征在于，采用了前述的记录层这一点、或采用前述的记录层的同时与 该记录层邻接而形成电介质层这一点，对记录层及电介质层以外的基板或光透过层、进而 光学调整层或电介质层、透明中间层等的形成方法没有特别限定，只要按照通常进行的方 法形成来制造光信息记录介质即可。
[0101]作为光信息记录介质，可举出CD、DVD、或BD，作为具体例可举出能够将例如波长约 380nm~450nm、优选约405nm的蓝色激光照射到记录层上，进行数据的记录及再生的BD-R〇 [0102]实施例
[0103] 以下，列举实施例对本发明更具体地进行说明，但下述实施例并不限制本发明，还 可以在不脱离前、后述的宗旨的范围内适当追加变更来实施，这些也都包含在本发明的技 术范围内。
[0104] (实施例1)
[0105] (1)光盘的制作
[01 06]作为盘基板，使用聚碳酸酯基板(厚度：1. 1mm，直径：120mm，磁道间距:0.32wii，槽 深度:25nm)，在该基板上，通过DC磁控派射法，形成有X金属的氧化物和氧化Pd(-氧化Pd和 二氧化Pd分别占一氧化Pd及二氧化Pd的合计的各摩尔比如表1所示）的含有量各不相同的 记录层。记录层的膜厚为40nm。关于派射，进行了纯X金属（SrKZrKBiUIrKGeXcKWXu)^^ 1^ Pd金属靶的多个靶的同时放电下的多元溅射。用于形成上述记录层的溅射条件为Ar流量： lOsccm或15sccm且氧流量：15sccm或24sccm。另外，设为气压:0? 3~0.6Pa、DC派射功率：100 ~200W、基板温度:室温。
[0107] 成膜的记录层的成分组成(Pd量)通过ICP发光分析法、荧光X射线分析法、或X射线 光电子分光法来测定。
[0108] 接着，在获得的记录层上，旋涂紫外线硬化性树脂（日本化药社制"BRD - 864"）之 后，照射紫外线形成膜厚约〇. 1_的光透过层，得到光盘。
[0109] Pd的状态分析如下来进行。即，通过X射线光电子分光法（装置为Physical Electronics社制Quantera SXM)测定记录层的最表面能谱，进行Pd 3d5/2光电子能谱的峰 值分离，根据峰值面积比，求出记录层中存在的Pd的存在形态:金属Pd、一氧化Pd、二氧化Pd 的摩尔比（摩尔％ )。带电的修正以来自C1 s能级的光电子为基准来进行。上述分析在剥离上 述光盘的光透过层(覆盖层)而在聚碳酸酯基板上形成有记录层的状态下进行，分析区域约 为巾200mi。作为上述能谱的一例，图1示出表1中的No. 2的Pd 3d5/2光电子能谱。
[0110] (2)光盘的评价
[0111] 对制作出的光盘进行了如下评价。即，使用光盘评价装置(テック工业社制 "0DU -1000"），记录激光中心波长设为405nm，并使用了 NA(数值孔径）：0.85的透镜。下述所 示的反射率是使用上述装置将激光照射到磁道上，根据光盘中的未记录部分的激光的回光 强度求出。
[0112] 使用上述光盘评价装置，在线速:4.92m/s、基准时钟:66MHz的条件下，以各种记录 激光功率(记录功率)记录了2T~8T的随机信号。然后，求出使用横河电机社制夕 夕一f 一TA810测定出的抖动值(表示再生激光功率0.3mW下的记录再生时的 再生信号的时间轴上的波动的值)为最小的记录激光功率(记录功率）（值如表1所示），根据 下式（1)求出该抖动值为最小的记录功率下的调制度(反射率的变化率）。然后，将该调制度 为0.40以上的情况作为合格。
[0113] 调制度(反射率的变化率）=(未记录部分的反射率一记录部分的反射率)/(未记 录部分的反射率)???（0
[0114][表 1]
[0116]※1 "利原子相对于记录层吕所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率
[0117] ※2???100X二氧化Pd的摩尔％(-氧化Pd的摩尔%-二氧化Pd的摩尔％)
[0118] 由表1可知，若形成含有氧化Zn、氧化Sn等的、氧化物相对于lmol氧的标准生成自 由能的绝对值比Pd大的金属(X金属）的氧化物和氧化Pd且该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化 Pd的记录层，则调制度高，实用性的记录激光功率下的记录灵敏度优异。
[0119] (实施例2)
[0120] (1)光盘的制作
[0121] 作为盘基板，使用了聚碳酸酯基板(厚度：1. 1mm，直径：120mm，磁道间距:0.32wii， 槽深度:25nm)。并且，对于No. 4~10，通过DC磁控派射法，使用氧化物祀或纯金属革E，形成了 表2所示的成分、膜厚的电介质层(下）。用于形成该电介质层（下）的溅射条件为Ar流量：10 ~30sccm、氧流量(作为革E使用纯金属革E的情况）：〇~lOsccm、气压:0.2~0.4Pa、DC派射功 率：100~400W、基板温度:室温。
[0122] 接着，形成了记录层。详细说，在所述基板上[对于No. 4~10是在电介质层（下） 上]，通过DC磁控溅射法，分别形成了记录层。记录层的膜厚为40nm。关于溅射，进行了纯X元 素金属(Zn、W、Sn、Cu)靶、纯Pd金属靶这两个靶的同时放电下的多元溅射。用于形成上述记 录层的派射条件为Ar流量：lOsccm、氧流量：15sccm、气压:0.4Pa、DC派射功率：100~200W、 基板温度:室温。
[0123] 然后，对于表2的No. 3、5~13,使用氧化物革E或纯金属革E，与上述电介质层（下）同 样地形成了表2所示的成分、膜厚的电介质层(上）。
[0124]之后，对于No . 1、2、4是在记录层上、对于No. 3、5~13是在电介质层(上）上分别旋 涂紫外线硬化性树脂（日本化药社制"BRD - 864"）后，照射紫外线而形成膜厚约0.1mm的光 透过层，得到光盘。
[0125] 此外，另行确认了记录层含有氧化In和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化 Pd〇
[0126] (2)光盘的评价
[0127] 对于制作出的光盘的耐久性进行了如下评价。
[0128] 通过光盘评价装置(パ/レステック工业社制"0DU -1000"、记录激光波长:405nm、NA (数值孔径）：〇.85)，将激光照射到磁道上，根据光盘中的未记录部分的激光的回光强度进 行换算，求出了波长:405nm下的反射率(初期反射率）。
[0129] 另外，进行在温度80°C、相对湿度85%的大气气氛中保持96小时的加速环境试验 (恒温恒湿试验），对试验后的反射率与上述同样地进行了测定。将这些结果一同记入表2。
[0130] [表 2]
[0131]
[0132]※1 ????(!原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率
[0133] ※2…(试验后反射率[%]初期反射率[%]) /初期的反射率[%]
[0134] 由表2可知，通过使电介质层与记录层邻接而形成，与不形成电介质层的情况相 比，能够充分减小反射率的变化，能够实现耐久性优异的光信息记录介质。
[0135] 对本申请详细地且参照特定的实施方式进行了说明，但能够在不脱离本发明的精 神和范围的情况下追加各种变更或修正，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
[0136] 本申请基于2009年9月18日申请的日本专利申请(特愿2009 - 217352)、2009年9月 18日申请的日本专利申请(特愿2009 - 217353)，其内容作为参照援引于此。
[0137] 产业上的可利用性
[0138] 根据本发明，能够提供实用性的记录激光功率下的记录灵敏度优异的光信息记录 介质用记录层(特别是，追记型光信息记录介质用记录层）、及具备该记录层且记录层的耐 久性优异的光信息记录介质(特别是，追记型光信息记录介质）。另外，根据本发明，能够提 供对上述记录层的形成有用的溅射靶。
【主权项】
1. 一种光信息记录介质用记录层，其特征在于，是通过激光的照射进行记录的记录层， 其中， 所述光信息记录介质用记录层是如下的记录层:含有氧化物相对于Imol氧的标准生成 自由能的绝对值比Pd大的X金属的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且 Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％， 所述记录层的结构为非晶。2. 根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述X金属是从由Sn、 Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al构成的群中选择的1种以上的元素。3. 根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，所述二氧化Pd相对于 所述一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5~70摩尔％。4. 根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，膜厚为5~lOOnm。5. 根据权利要求1所述的光信息记录介质用记录层，其特征在于，在照射激光的部分生 成气泡，发生体积变化而进行记录。6. -种光信息记录介质，其特征在于，是具备通过激光的照射进行记录的记录层的光 信息记录介质，其中， 所述记录层含有氧化物相对于Imo 1氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的X金属的氧 化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属 原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％， 所述记录层的结构为非晶。7. 根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于，还具备与该记录层邻接而形成 的电介质层。8. 根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于，所述记录层中所含的X金属是 从由3]1、211、13;[、66、(：〇、￥、(：11及41构成的群中选择的1种以上的元素。9. 根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于，所述二氧化Pd相对于所述记录 层中所含的一氧化Pd和二氧化Pd的合计的比率为5~70摩尔％。10. 根据权利要求7所述的光信息记录介质，其特征在于，所述电介质层含有氧化物、氮 化物、硫化物、碳化物或它们的混合物。11. 根据权利要求10所述的光信息记录介质，其特征在于，构成所述电介质层的所述氧 化物是从由111、211、311^1、3丨、66、1^、63、了3、恥、!^、2匕0、8丨及1%构成的群中选择的1种以 上元素的氧化物，所述氮化物是从由S i、Ge及T i构成的群中选择的1种以上元素的氮化物， 所述硫化物是Zn硫化物，所述碳化物是从由Si、T i及W构成的群中选择的1种以上元素的碳 化物。12. 根据权利要求7所述的光信息记录介质，其特征在于，所述电介质层的膜厚为2~ 40nm〇13. 根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于，所述记录层的膜厚为5~ IOOnm014. 根据权利要求6所述的光信息记录介质，其特征在于，在所述记录层中照射激光的 部分生成气泡，发生体积变化而进行记录。15. -种溅射靶，其特征在于，是权利要求1或6所述的记录层形成用的溅射靶，其中，含 有X金属的氧化物和PcU且Pd原子相对于溅射靶中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率 为4~85原子％。16. -种溅射靶，其特征在于，是权利要求1或6所述的记录层形成用的溅射靶，其由含 有Pd原子相对于X金属原子和Pd原子的合计的比率为4~85原子％的?(1的合金构成。17. 根据权利要求15所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是从由Sn、Zn、B i、Ge、Co、W、 Cu及Al构成的群中选择的1种以上的元素。18. 根据权利要求16所述的溅射靶，其特征在于，所述X金属是从由Sn、Zn、B i、Ge、Co、W、 Cu及Al构成的群中选择的1种以上的元素。
【文档编号】G11B7/24038GK105931654SQ201610230364
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2010年9月16日
【发明人】田内裕基, 志田阳子, 三木刚, 曾根康宏
【申请人】株式会社神户制钢所, 索尼株式会社