专利名称：磁阻存储器用电流驱动装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于由在字线与位线相交处的大量存储单元的一个存储单元区，并由分配给字线和位线的、各自在字线或位线的一端上提供的、驱动器构成的MRAM(磁阻存储器)的电流驱动装置。
背景技术：
在MRAM众所周知各个存储单元的磁可变电阻用于存储效应。这种存储单元，正如图2所示，由在这里用作为上导线LTO的字线WL与通过下导线LTU形成的位线BL的交叉构成，其中在这两导线LTO和LTU之间的交叉处存在两导线LTO和LTU之间确定的多层系统。该多层系统由其间存在隧道氧化物膜TL的硬磁材料层HML和软磁材料层WML构成。换句话说，在下导线LTU上依次叠层硬磁材料层HML，隧道氧化物膜TL和软磁材料层WML，其中软磁材料层WML在其上侧被上导线LTO复盖。
软磁材料层WML和硬磁材料层HML的安排在需要时也可以交换，所以硬磁材料HWL安排在“上”，而软磁材料层WML处在下导线LTU上。上导线LTO用于位线BL，下导线LTU用于字线WL也是可能的。
只有隧道氧化物膜TL处于软磁材料层WML和硬磁材料层HML之间才是重要的，其中这两层WML或HML各自分配给上导线LTO或下导线LTU。也可以用另一材料代替氧化物用于隧道氧化物膜。
隧道氧化物膜TL的厚度dTL(参照图3)主要处于0.5到5nm的范围。软磁材料层WML的厚度dWML和硬磁材料层HML的厚度dHML约处于1到5nm的范围。但是原则上与此偏离的厚度也是允许的。
按照这种方式，由软磁材料层WML，隧道氧化物膜TL和硬磁材料层HML组成的多层系统，在上导线LTO和下导线LTU之间形成具有电阻R的存储单元，因此有图4图示的装置。
多层系统的电阻值，即处于导线LTO和LTU之间或字线WL和位线BL之间存储单元的电阻值，现在与在两材料层WML和HML内磁化方向彼此是平行或反平行取向有关。如果在两材料层WML和HML内的磁化方向彼此平行取向，则有电阻R较低的电阻值，而在这些材料层的磁化方向反平行取向时，取得电阻R高的电阻值。因为这时硬磁材料层HML具有固定的磁化，通过软磁材料层上加相应的磁场方式，存储单元的写入通过软磁材料层的接通实现。该磁场通过两磁场的叠加产生，这两磁场通过在上导线LTO内的电流IO和下导线LTU内的电流IU形成。换言之，用通过导线LTO和LTU在一定方向传递相应电流IO或IU的方式，可以转换在软磁材料层WML内的磁化方向，因此，它对硬磁材料HML的磁化方向平行或反平行取向。在图3的例子中采纳两材料层WML和HML的反平行取向的磁化，它通过相应的箭头表示，因此在这里给出电阻R高的电阻值。
软磁材料层WML在对硬磁材料层HML反平行和平行取向的磁化方向之间转换时和相反应当注意，层WML的软磁材料具有磁滞特性。为了触发开关过程，由在上导线LTO或下导线LTU内的电流IO和IU产生的磁场的垒加是必要的。对于开关过程，电流IO或电流IU的原来的电流方向必须反转。
在传统的DRAM，字线各自与开关晶体管的栅极接头相连，所以这些字线也附加上通过栅极接头形成的电容。这意味着必须各自由驱动器准备电压用于对每一字线的电容快速再充电。DRAM的驱动器由n和p沟道场效应晶体管构成，因此可以无损耗接通高和低电压。但是为了对p沟道场效应晶体管得到如对n沟道场效应晶体管一样的驱动功率，由于在p沟道场效应晶体管内较低的载流子迁移率，与n沟道场效应晶体管相比，对其安排了约2.5倍沟道宽。
图5示出用于具有一只p沟道场效应晶体管P1和一只n沟道场效应晶体管N0的DRAM或FeRAM字线的传统驱动器，这些晶体管串联在驱动电压DRV和地之间，并以其栅极接头连接在读出接头RDOUTn上。字线WL处在这两晶体管P1和N0之间的连接点上。p沟道场效应晶体管P1的沟道宽wp为n沟道场效应晶体管N0的沟道宽wn的2.5倍。
在MRAM中与DRAM相反，为了写入必须2.5到3mA的较高电流，然而为了避免隧道氧化物膜的击穿在各存储单元上的电压应尽可能小。如果例如采用等于和小于2nm的隧道氧化物层厚度dTL，则在隧道氧化物膜上的电压不应当超过0.5V，以便可以维持10年的寿命。
发明内容
本发明的任务是提供一只电流驱动装置，它在较低的占地面积时能提供具有较高电流的低电压。
在本文开始所述类型的电流驱动装置情况下，根据本发明，本任务通过各由一只n沟道场效应晶体管和一只与其串联的电流源构成的驱动器解决。
用本发明的电流驱动装置，可以把具有高电流的所希望的低电压，正如它在MRAM写和读时必须的那样，用n沟道场效应晶体管以标准电平没有损耗地连接到MRAM的字线和位线上。在相同驱动功率情况下，该n沟道场效应晶体管与p沟道场效应晶体管相比，需要显著较小的面积。因此达到的面积减小约为2.5倍，这归因于已经描述过的较小的沟道宽。当为了控制n沟道场效应晶体管采用提高驱动功率的提高或升压的电压时，进一步的面积减小是可能的。
在本发明的扩展中规定在对一端对置的字线或位线的另一端上，另一只n沟道场效应晶体管与电压源串联的电路处在此另一端和地(机壳)之间。这里电压源可以由一只电阻、一只晶体管二极管或一复合电路组成。
本发明依靠附图详细说明如下。这些附图是图1示出根据本发明的一个实施例的用于MRAM的电流驱动装置的简略电路图，图2示出MRAM的存储单元的透视图，图3示出图2的存储单元的侧视图，图4示出用于图2和图3的存储单元的简略等效电路图，图5示出用于DRAM的现有的驱动器。
图2到图5在本文一开始已经作了说明。
在图中彼此相对应的构件具有相同的参考符号。
具体实施例方式
图1示出由用于位线BL的驱动器T1和用于字线WL的驱动器T2组成的电流驱动装置。驱动器T1由电流源J3和沟道宽wn的n沟道场效应晶体管N6组成，驱动器T2以类似方式包含一电流源J0和具有沟道宽wn的n沟道场效应晶体管N0。电流源J3和场效应晶体管N6串联在供电电压源V_SupplyBL和位线BL之间，电流源J0以及场效应晶体管N0以类似方式串联在用于字线WL的供电电压源V_SupplyWL和字线WL之间。两晶体管N6和N0的栅极接头各通过信号W是可控制的。
形成电阻R(参阅图4)的存储单元Z处于字线WL和位线BL的相交处。
由n沟道场效应晶体管N7和参考电压源V_RefBL(E0)构成的串联电路处在对驱动器T1对置的位线端BL上。这里该电压源E0的负极接地。场效应晶体管N7在其栅极上通过信号W控制，并如场效应晶体管N0和N6一样具有沟道宽wn。
此外，在与驱动器T2对置的字线WL的一端上提供由n沟道场效应管N5和参考电压源V_RefWL(E1)构成的串联电路。该电压源E1的负极接地。场效应晶体管N5在其栅极上受信号W控制，并具有沟道宽wn。
为了能够转换在导线内的电流方向，在通常的情况下，在字线WL或位线BL的两端上可以安排电流驱动器。为此，电流源J0通过电压源(例如E1)，电压源E1通过电流源(例如J0)进行电路技术上的例如简单的补充。同样也可以用于位线BL上。
在写入时，在字线WL和位线BL的写入路径通过信号W开启。随后在字线WL内由电流源J0出发流动的电流可以经场效应晶体管N0和N5以及参考电压E1流向地。同样在位线BL内的电流由电流源J3出发经场效应管N6和N7以及参考电压源E0流向地。在存储单元Z内通过这些电流产生一磁场，该磁场使软磁层WML内的磁化转换方向。
在位线BL一端或字线WL一端上的电压源E0和E1用于产生可调整的参考电压。这些电压源可以通过一个电阻、一只晶体管二极管或一复合电路实现，并使位线BL或字线WL维持在一定电位上，由此阻止在存储元Z上的击穿。为了控制场效应晶体管N0或N6可以用升压的电压，这可以允许在相同的驱动功率下减小占地面积。
参考符号表Z存储单元J0，J3 电流源N0，N5，N6，N7 n沟道场效应晶体管wn n沟道场效应晶体管的沟道宽P1 p沟道场效应晶体管W信号BL 位线WL 字线E0，E1 参考电压源V_RefWL 用于字线的参考电压源V_RefBL 用于位线的参考电压源V_SupplyBL 用于位线供电电压V_SupplyWL 用于字线的供电电压DRV 控制信号wp p沟道场效应晶体管P1的沟道宽RDOUTn 读输出LTO 上导线LTU 下导线WML 软磁层HML 硬磁层TL 隧道氧化物膜R电阻dWML软磁层厚度dTL隧道氧化物膜厚dHML硬磁层厚度IO在上层LT0内的电流IU在下层LTU内的电流
权利要求
1.用于由在字线(WL)与位线(BL)相交处的大量存储单元(Z)的一个存储单元区，并由分配给字线(WL)和位线(BL)的、各自在字线(WL)或位线(BL)的一端上提供的、驱动器(T1，T2)构成的MRAM的电流驱动装置，其特征为-驱动器(T1，T2)各由一只n沟道场效应晶体管(N0，N6)和与其串联的一只电流源(J0，J3)组成，和-在对一端对置的字线(WL)和位线(BL)的另一端上，另一只n沟道场效应晶体管(N5，N7)与电压源(E1，E0)串联的电路处在此另一端和地之间。
2.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征为电压源(E1，E0)由一只电阻、一只晶体管二极管或一复合电路组成。
3.根据权利要求1或2所述的电流驱动装置，其特征为驱动器(T1，T2)的n沟道场效应晶体管(N6，N0)通过升压的电压控制。
全文摘要
本发明涉及用于MRAM的电流驱动装置,其中字线和位线驱动器(T2,T1)由n沟道场效应晶体管(N0,N6)与一电流源(J0,J3)串联组成。
文档编号H01L27/10GK1337708SQ0112214
公开日2002年2月27日 申请日期2001年7月3日 优先权日2000年7月3日
发明者T·贝姆, D·戈格尔, G·米勒, T·雷尔 申请人:因芬尼昂技术股份公司