专利名称：变压器电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种变压器电路，特别涉及一种能够改善电磁波干扰(EMI)效应的返驰变压器电路。
以下将说明传统返驰变压器的电路结构。参阅
图1，图1显示了传统返驰变压器的电路结构。如图1所示，由外部电源所供应的交流电源经由一般整流及滤波电路(未显示)处理后，转换成为直流电源。此直流电源是供应至变压器的第一绕组10(或称主要绕组)的一端10A。而变压器的第一绕组10的另一端10B是耦接至消磁控制回路开关15(在此以N型金属氧化半导体NMOS为例)的源极。另外，消磁控制回开关15的闸极15A接收其他电路所提供的外部高频信号(例如监视器的水平扫描信号)，而其漏极15B耦接至接地电位。藉由外部高频信号的高频率的电位变化，可快速消磁控制回路开关15转换于导通及不导通的状态。在消磁控制回路开关15导通及不导通状态的过程中，将导致变压器的第一绕组10中的电流的流动产生剧烈地变化。籍由上述电流的变化，使得第一绕阻10的磁通量发生变化而产生磁能，而此磁能将转移至变压器的第二绕组12而使得第二绕组12因感应而得到一高频脉波电压。上述高频脉波电压经一输出二极管14整流及一输出电容器16降低纹波后，即可转换为一直流电源，做为其他电路的电源。
在返驰变压器的设计上，必须避免产生无谓的电磁波干扰(EMI)。所谓电磁波干扰是指含有电子电机零件的仪器及装置于运作时所产生的一种电磁波杂讯，或者是装置本身不需要的信号，经由辐射或传导的方式而影响其他装置的操作，造成其他装置操作不正常或失真。
然而，传统返驰变压器的设计将会发生电磁波干扰的问题。其原因在于传统返驰变压器电路中，第一绕阻10所产生的磁能并无法完全转移至变压器的第二绕组12。当消磁控制回路开关15不导通时，第一绕阻10所剩余的磁能将因为没有其他路径离开而留在第一绕阻10。此残留的能量留在变压器中，将产生EMI的问题。
为达到上述的目的，本发明提出一种变压器电路，适用于具有第一电位以及第二电位的外部电源，包括第一绕阻，其一端耦接至第一电位，用以产生第一反应电动势一消磁控制回路开关，耦接于第一绕阻的另一端及第二电位之间，上述消磁控制回路开关根据外部电路所提供的切换信号而开关切换通过第一绕阻的电流；一消磁电路，耦接于第一绕阻的另一端及第一电位之间，当消磁控制回路开关不导通时，则消耗留在上述第一绕阻的能量；及第二绕阻，其一端耦接至第二电位，用以根据上述第一感应电动势而产生具有第二感应电动势的信号。
具体实施例方式
以下将说明根据本发明实施例所述的变压器的电路结构。本发明所述的变压器电路为返驰变压电路。参阅图2，图2显示了根据本发明实施例所述的返驰变压器的电路结构。
如图2所示，根据本发明实施例所述的返驰变压器的电路包括第一绕阻20，上述第一绕阻的一端20A耦接至正电位端(DC)。此正电位端接收由外部电源所供应的直流电源。而此直流电源一般是将交流电源经由一般整流及滤波电路(未显示)处理后而转换为而得。
消磁控制回路开关25(在此以N型金属氧化半导体NMOS为一例)，上述MOS晶体管的源极端25A耦接至第一绕阻20的另一端20B；漏极端25C耦接至接地电位，而消磁控制回路开关25的闸极端25B耦接至外部电路所提供的切换信号Ssw。上述切换信号Ssw为高频信号，例如为监视器的水平扫描信号。而籍由切换信号Ssw即可控制消磁控制回路开关25的开关。例如当切换信号Ssw为高电位时，则消磁控制回25导通，当切换信号Ssw转变为低电位时，则消磁控制回路开关25不导通。
消磁电路23耦接于第一绕阻20的另一端20B及上述第一电位之间，包括第一二极管21及消磁线圈22。
第一二极管21，具有第一正极端21A以及第一负极端21B，第一正极端21A耦接至第一绕阻20的另一端20B。因为二极管的元件特性，使得电流仅能由其第一正极端21A输入。
消磁线圈22，其一端耦接至第一负极端21B，而另一端耦接至第一绕阻20的一端20A。此消磁线圈22能够消耗由第一二极管21的第一负极端21B所输出的电流。
第二绕阻26，第二绕阻26的一端26A耦接至接地电位，籍此，即可输出具有特定电压值的交流信号。
整流滤波电路24包括第二二极管27及输出电容28，用以将第二绕阻26所输出的信号做滤波及整流的处理，以输出具有特定电压值的直流信号第二二极管27，具有第二正极端27A以及第二负极端27B，第二二极管27的第二正极端27A耦接至第二绕阻26的另一端26B。输出电容28，耦接于第二负极端27B及第二绕阻的一端26A。
以下将介绍根据本发明实施例所述的返驰变压器的电路动作。如图2所示，当消磁控制回路开关25导通时，则直流电源DC所提供的电流将会开始经由第一绕阻20的一端20A流经第一绕阻20。由于此时流经第一绕阻20的电流逐渐增加，将会于第一绕阻20的两端产生感应电动势，其中第一绕阻20的一端20A的电压电位是高于另一端20B。在此同时，第二绕阻26会因为与第一绕阻20耦合而使得储存于第一绕阻20的能量转移至第二绕阻26。因此，于第二绕阻26的两端产生感应电动势，其中第二绕阻26的一端26A的电压电位的高于另一端26B。在此同时，由于二极管21的限流特性，使得直流电源DC不会流经消磁线圈22而造成无谓的能量损耗。
当消磁控制回路开关25不导通时，则宜流电源DC不再供应电流至第一绕阻20。此时电流由第二绕阻26的一端26A流至另一端26B，并经由第二二极管27而对输出电容28充电，使得输出电容28所储存的能量逐渐增加。
如上所述，第一绕阻20的能量并无法完全转移至第二绕阻26。因此当消磁控制回路开关25不导通时，留在第一绕阻20的能量将由第一二极管21的正极端21A输入，并经由第一二极管21而输入至消磁线圈22。此时，消磁线圈22将消耗上述留在第一绕阻20的能量。使得于第一绕阻20所产生的电磁波干扰得以消除。在本实施例中，藉由消磁线圈22达到消磁的目的。其原因在于消磁线圈22在低频信号其阻抗甚小，不会降低返驰变压器的效率；而对于高频的杂讯(噪声)，则能够提高阻值，有效的消除会产生电磁波干扰的杂讯。
籍由本发明所述的变压器电路，能够消耗残留于第一绕阻的剩余能量，以达到消磁的目的，有效抑制辐射干扰其他仪器。并解决传统技术中，变压器电路于消磁控制回路开关不导通时所产生电磁波干扰的问题。
本发明虽以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉此技术领域者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当由所附的权利要求来限定。
权利要求
1.一种变压器电路，适用于具有第一电位以及第二电位的外部电源，包括第一绕阻，上述第一绕阻的一端耦都接至上述第一电位，用以产生第一感应电动势；消磁控制回路开关，耦接于上述第一绕阻的另一端及上述第二电位之间，用以根据外部电路所提供的切换信号而开关切换通过上述第一绕阻的电流；消磁电路，耦接于上述第一绕阻的另一端及上述第一电位之间，当上述消磁控制回路开关不导通时，则消耗留在上述第一绕阻的能量及第二绕阻，上述第二绕阻的一端耦接至上述第二电位，用以根据上述第一感应电动势而产生具有第二感应电动势的信号。
2.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，还包括整流滤波电路，用以整流及滤波上述第二感应电动势的信号。
3.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述消磁电路包括第一二极管，具有第一正极端以及一第一负极端，上述第一正极端耦接至上述第一绕阻的另一端；消磁线圈，上述消磁线圈的一端耦接至上述第一负极端，而上述消磁线圈的另一端系耦接至上述第一绕阻的一端，用以消耗经由上述第一二极管所接收的上述第一绕阻的能量。
4.如权利要求3所述的变压器电路，其特征在于，上述整流滤波电路包括第二二极管，具有第二正极端以及第二负极端，上述第二正极端耦接至上述第二绕阻的另一端；及输出电容，耦接于上述第二负极端及上述第二绕阻的一端。
5.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，所述变压器电路为为返驰变压电路。
6.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述外部电源为直流电。
7.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述消磁控制回路开关为NMOS晶体管。
8.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述切换信号为高频信号。
9.如权利要求7所述的变压器电路，其特征在于，上述切换信号为监视器的水平扫描信号。
10.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述外部电源的第一电位为正电位。
11.如权利要求1所述的变压器电路，其特征在于，上述外部电源的第二电位为接地电位。
全文摘要
本发明提供一种变压器电路，适用于具有第一电位以及第二电位的外部电源，包括第一绕阻，其一端耦接至第一电位，用以产生第一威应电动势；一消磁控制回路开关，耦接于第一绕阻的另一端及第二电位之间，上述消磁控制回路开关根据外部电路所提供的切换信号而开关切换通过第一绕阻的电流；一消磁电路，耦接于第一绕阻的另一端及第一电位之间，当消磁控制回路开关不导通时，则消耗留在上述第一绕阻的能量；及第二绕阻，其一端耦接至第二电位，用以根据上述第一感应电动势而产生具有第二感应电动势的信号。
文档编号H01F27/42GK1402269SQ01125260
公开日2003年3月12日 申请日期2001年8月29日 优先权日2001年8月29日
发明者李英维, 郑裕强 申请人:神基科技股份有限公司, 神达电脑股份有限公司