一种纳米复合稀土永磁薄膜材料及其制备的制作方法

文档序号:6875140阅读:311来源:国知局
专利名称:一种纳米复合稀土永磁薄膜材料及其制备的制作方法
技术领域
本发明涉及永磁材料,特别提供了一种纳米复合稀土永磁薄膜材料及其制备技术。
本发明提供了一种纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于该薄膜材料由衬底、缓冲层、硬磁相和软磁相交叠层及保护层依次组成;主要过程如下1.合金熔炼用纯度高于99.5%的稀土元素和金属Fe及其它合金元素和B为原料,按成分R(Fe,T,B)z,其中R是稀土元素的一种或两种以上,z=2~8,T是合金元素,其原子百分比为0~60%,B的原子百分比为0.6~20%,剩余的部分由Fe进行平衡进行配比。配比后的原料,采用电弧炉熔炼或感应熔炼炉中抽真空后,在氩气保护下熔炼成合金铸锭。
2.靶材制作将铸态合金破碎成小于1毫米的颗粒,然后以酒精为介质的保护下,采用球磨机将合金颗粒球磨至小于500微米的粉末。用50~100吨压机压成直径为厚度为1毫米-10毫米园片,在高于2×10-5Pa的真空条件下,加热到900~1200℃,保温0.5-4小时,然后冷却至室温。表面经过抛光处理后,即可作为磁控溅射用的合金靶材。
3.薄膜溅射;磁性薄膜的制备采用磁控溅射制备薄膜设备,其中合金靶(作为硬磁相)、纯金属M靶(如Fe、Co、FeCo合金)和用于缓冲层M1和保护层M2金属靶(其中M1、M2包括Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Nb、Ta、Zr等)分别安装在用于磁控溅射的枪上。将系统的真空抽至2×10-5Pa以上,直流枪的电源功率均采用10~100瓦,射频枪的电源功率采用20~160瓦。采用称重法标定每种材料的溅射速率。
按照如下结构进行溅射,衬底/M1(dM1)/[R(Fe,T,B)z(d合金)M/(dM)]×n/M2(dM2)其中硬磁相R(Fe,T,B)z,R是稀土元素的一种或两种以上,z=2~8,T是合金元素Co、Ni、Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Mn、Ga、Sn、Nb、Si、Ta、Zr、Ge中的一种或两种以上。其原子百分比为0~60%,B的原子百分比为0.6~20%,剩余的部分由Fe进行平衡,厚度d合金为1~500nm其中软磁相M为M为Fe、Co、FeCo合金,其厚度dM为0~200nm(当dM=0时,与单层薄膜的情况相同)硬磁相和软磁相交叠重复次数n为1~200所述缓冲层及保护层分别为M1和M2(Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Nb、Ta、Zr等),厚度dM1和dM2分别为0~100nm。
所述衬底为陶瓷玻璃、玻璃或Si;4.退火与防腐蚀工艺结构分析和性能的测量。
溅射后的薄膜在高于2×10-5Pa的真空条件下400~750℃退火5sec~2h。用X-射线衍射仪观测薄膜样品的相结构,用SQUID(超导量子干涉仪)测量薄膜的磁性能。
本发明中所述稀土元素R可以为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或两种以上。最好为Nd、Dy的一种或两种。
本发明中所述合金元素T为Co、Ni、Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Mn、Ga、Sn、Nb、Si、Ta、Zr、Ge中的一种或两种。最好为Co、Nb的一种或两种。
本发明中所述硬磁相最好具有2141的相结构;所述硬磁相层和软磁相层的层数最好分别在1~100层之间;所述硬磁相层厚度最好为5~200nm。
本发明还提供了上述纳米复合稀土永磁薄膜材料的制备方法,其特征在于采用溅射的方式,包括合金熔炼、靶材制作、薄膜溅射几个步骤,薄膜溅射后进行退火处理,退火温度为400~750℃,退火时间为5S~2h.。
本发明首先利用已有的制备薄膜材料的溅射技术,得到处于非晶态的硬磁相层和软磁相层,经过进一步的真空热处理后,薄膜中的软磁相和硬磁相层相互扩散,晶化后晶粒呈均匀分布,通过调节退火温度和时间控制软磁相和硬磁相的晶粒尺寸,使得稀土永磁材料和过渡金属软磁材料在纳米尺度上进行磁性复合,从而获得了具有高磁能积和高的居里温度稳定性的永磁材料薄膜。下面通过实施例详述本发明。
图2为上述薄膜Si(衬底)/Ti(10nm)/NdDyFeCoNbB(300nm)/Ti(10nm)平行薄膜表面测量的室温下的磁滞回线。
图3为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(2nm)]×20/Ti(10nm)的X-射线衍射谱。
图4为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(2nm)]×20/Ti(10nm)在不同温度退火30min后的磁滞回线。
图5为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(xnm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的X-射线衍射谱。
图6为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(xnm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的退磁曲线。
图7为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(3nm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的平面观察的透射电镜照片(TEM)。
图8为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Co(xnm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火5min后的磁滞回线。
图9为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Fe65Co35(ynm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的X-射线衍射谱。


图10为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Fe65Co35(ynm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的磁滞回线。
图11为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[A(15nm)Fe65Co35(6nm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的平面观察的透射电镜照片(TEM)。
具体实施例方式如下实施例的薄膜制备过程包括硬磁相成分、硬磁相和软磁相层的厚度及交叠的次数、退火条件等的不同之处将在具体的实施例中给出。薄膜制备过程的相同部分描述如下所有材料的纯度均高于99.5%,自己制备的合金靶(作为硬磁相)和纯金属M靶(如Fe、Co、FeCo合金)均安装在磁控溅射的直流枪上,用于缓冲层M1和保护层M2金属靶(其中M1、M2包括Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Nb、Ta、Zr等)安装在磁控溅射的射频枪上。将系统的真空抽至2×10-5Pa以上,通高纯氩气后开始溅射时的压力为5mTorr。通过称重法来标定不同靶的溅射速率。溅射后的薄膜在高于2×10-7Torr的真空条件下进行退火,用X-射线衍射仪观测薄膜样品的相结构,用透射电子显微镜观察薄膜的纳米结构,用SQUID(超导量子干涉仪)测量薄膜的磁性能。实施例1一种单层稀土永磁薄膜溅射的过程是Si(衬底)/Ti(10nm)/NdDyFeCoNbB(300nm)/Ti(10nm)。
其中NdDyFeCoNbB的具体成分为(Nd0.9Dy0.1)(Fe0.77Co0.12Nb0.03B0.08)5.5附图1为上述薄膜Si(衬底)/Ti(10nm)/NdDyFeCoNbB(300nm)/Ti(10nm)的X-射线衍射谱,其中(a)为沉积后,(b)750℃退火30min后。
从图1中可以看出,退火前的薄膜呈现出明显的非晶态,退火后硬磁主相为Nd2Fe14B-型相(标记为◆),同时伴随着少量的NdO2(标记为○)和富Nd相(标记为■)。
附图2为上述薄膜Si(衬底)/Ti(10nm)/NdDyFeCoNbB(300nm)/Ti(10nm)平行薄膜表面测量的室温下的磁滞回线。其内禀矫顽力达18.5kOe。实施例2一种多层稀土永磁薄膜如下结构中硬磁相的成分与实施例1相同。
附图3为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(2nm)]×20/Ti(10nm)的X-射线衍射谱。图中符号◆、○、□和■依次表示Nd2Fe14B、NdO2、陶瓷玻璃和富Nd相的衍射峰。退火温度自上而下,依次为500、550、575、600和650℃。
附图4为为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(2nm)]×20/Ti(10nm)在不同温度退火30min后的磁滞回线。由图中可知,多层膜在575℃退火后获得了较好的磁性能。实施例3一种多层稀土永磁薄膜如下结构中硬磁相的成分与实施例1相同。
附图5为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(xnm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的X-射线衍射谱。图中符号◆、○、□和■依次表示Nd2Fe14B、NdO2、陶瓷玻璃和富Nd相的衍射峰。由图可知,随着Fe在薄膜中含量的增加,图中α-Fe的衍射峰也随之增高。
附图6为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(xnm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的退磁曲线。从图中可以看出,随着Fe含量的增加,薄膜的矫顽力由9.3kOe减少到4.5kOe,当Fe的厚度为3nm时,其最大磁能积超过了24MGOe。
附图7为多层膜陶瓷玻璃(衬底)/Ti(10nm)/[NdDyFeCoNbB(20nm)Fe(3nm)]×20/Ti(10nm)在575℃退火30min后的平面观察的透射电镜照片(TEM)。由电子衍射谱确定薄膜中硬磁相为Nd2Fe14B-型相。硬磁相的晶粒尺寸大约为40nm,含Fe的软磁相则呈连续分布。实施例4软磁相含Co的多层稀土永磁薄膜如下结构中硬磁相的成分与实施例1相同。
附图8为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Co(xnm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火5min后的磁滞回线。由图中可知,当x=0时单层膜的内禀矫顽力为17.2kOe,其剩磁为33emu/cc。在多层膜中,随着Co的厚度的增加,剩磁得到大幅度的提高,而矫顽力降低很少。当4≤x≤8时,与单层膜的结果相比,由于硬磁相层间软磁相Co的存在导致剩磁增加了270emu/cc,矫顽力减少了4kOe。可见,硬磁相与软磁相存在磁性耦合导致剩磁增强效应。实施例5软磁相含FeCo合金的多层稀土永磁薄膜如下结构中硬磁相的成分与实施例1相同。
附图9为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Fe65Co35(ynm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的X-射线衍射谱。图中符号◆、○和■依次表示Nd2Fe14B、NdO2和富Nd相的衍射峰。与单层膜的结果相比,除了随机取向的Nd2Fe14B-型相外,还出现了大量的α-Fe(Co)和少量的NdO2和富Nd相,并且随着FeCo厚度的增加,薄膜中富Nd相减少。
附图10为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[NdDyFeCoNbB(15nm)Fe65Co35(ynm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的磁滞回线。从图中可以看出,当FeCo层的厚度为2nm时,由于硬磁相在薄膜中起了主导作用,所以其磁性表现与单层膜的结果相类似。当FeCo层的厚度为10nm时,其剩磁达到了692emu/cc。所有薄膜的剩磁比均超过了0.65,因此,存在着明显的剩磁增强效应。
附图11为多层膜Si(衬底)/Ti(20nm)/[A(15nm)Fe65Co35(6nm)]×20/Ti(20nm)在625℃退火1min后的平面观察的透射电镜照片(TEM)。图中发现两种类型的晶粒,其中相对小的(标为A),由电子衍射谱确定为Nd2Fe14B-型相。另外,相对大的不规则的晶粒(标为B)被确定为立方的α-Fe(Co)软磁相。实施例6含Pr的多层稀土永磁薄膜溅射的过程是Si(衬底)/Ti(30nm)/[PrDyFeCoNbB(18nm)Fe(xnm)]×20/Ti(30nm)。
其中PrDyFeCoNbB的具体成分为(Pr0.9Dy0.1)(Fe0.77Co0.12Nb0.03B0.08)5.5上述薄膜600℃退火5min后,薄膜中的硬磁相为具有四方结构的2141相,软磁相为α-Fe。其磁性能如下表

实施例7硬磁相为NdDyFeB的多层稀土永磁薄膜溅射的过程是陶瓷玻璃(衬底)/Ti(30nm)/[NdDyFeB(15nm)Fe(xnm)]×20/Ti(30nm)。
其中NdDyFeCoNbB的具体成分为(Nd0.9Dy0.1)14.1Fe80B5.9上述薄膜625℃退火1min后,薄膜中的硬磁相为具有四方结构的2141相,软磁相为α-Fe。其磁性能如下表

权利要求
1.一种纳米复合稀土永磁薄膜材料,由衬底、缓冲层、硬磁相和软磁相交叠层及保护层依次组成,其特征在于所述衬底为陶瓷、陶瓷玻璃、玻璃或Si;所述缓冲层为Ti、Cr、Ta、Mo、Nb或V中的一种,厚度为0.5~100nm;所述硬磁相和软磁相交叠层分别为硬磁相R(Fe,T,B)z,其中R是稀土元素,z=2~8,T是合金元素,原子百分比为0.1~60%,B的原子百分比为0.6~20%,剩余的部分由Fe进行平衡,厚度为1~500nm;软磁相Fe、Co或FeCo合金,厚度为0-50nm;硬磁相层和软磁相层的层数分别在1~200层之间。
2.一种纳米复合稀土永磁薄膜材料,由衬底、缓冲层、硬磁相和软磁相交叠层及保护层依次组成,其特征在于所述衬底为陶瓷、陶瓷玻璃、玻璃或Si;所述缓冲层为Ti、Cr、Ta、Mo、Nb或V中的一种,厚度为0.5~100nm;所述硬磁相和软磁相交叠层分别为硬磁相R(Fe,B)z,其中R是稀土元素,z=2~8,B的原子百分比为0.6~20%,剩余的部分由Fe进行平衡,厚度为1~500nm;软磁相Fe、Co或FeCo合金,厚度为0-50nm;硬磁相层和软磁相层的层数分别在1~200层之间。
3.按照权利要求1或2所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述稀土元素R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或两种以上。
4.按照权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述合金元素T为Co、Ni、Ti、Al、W、V、Cr、Mo、Mn、Ga、Sn、Nb、Si、Ta、Zr、Ge中的一种或两种以上。
5.按照权利要求3所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述稀土元素R为Nd、Pr、Dy的一种或多种。
6.按权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述合金元素T为Co、Nb的一种或两种。
7.按权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述硬磁相具有2∶14∶1的相结构。
8.按权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述硬磁相层和软磁相层的层数分别在1~100层之间。
9.按权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料,其特征在于所述硬磁相层厚度为10~100nm。
10.一种权利要求1所述纳米复合稀土永磁薄膜材料的制备方法,采用溅射的方式,包括合金熔炼、靶材制作、薄膜溅射几个步骤,其特征在于薄膜溅射后进行退火处理,退火温度为400~750℃,退火时间为5sec.~2h.。
全文摘要
一种纳米复合稀土永磁薄膜材料,由衬底、缓冲层、硬磁相和软磁相交叠层及保护层依次组成,其特征在于所述衬底为陶瓷玻璃、玻璃或Si;所述缓冲层为Ti、Cr、Ta、Mo、Nb或V中的一种,厚度为0~100nm;所述硬磁相和软磁相交叠层分别为,硬磁相R(Fe,T,B)z,其中R是稀土元素,z=2~8,T是合金元素,其原子百分比为0~60%,B的原子百分比为0.6~20%,剩余的部分由Fe进行平衡,厚度为1~500nm;软磁相Fe、Co或FeCo合金,厚度为0-50nm.米;硬磁相层和软磁相层的层数分别在1~200层之间。
文档编号H01F10/32GK1412791SQ0113331
公开日2003年4月23日 申请日期2001年10月18日 优先权日2001年10月18日
发明者刘伟, 张志东, 孙校开, 耿殿禹, 赵新国, 刘家平(J.P.Liu), 大卫·施尔玛雅(D.J.Sellmyer) 申请人:中国科学院金属研究所
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