专利名称：具磷酸盐绝缘层的变阻器及其制法的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种具磷酸盐绝缘层的变阻器及其制法，尤其指一种可确实避免变阻器本体的非端电极位置于制程中受到电镀，同时亦可保持变阻器表面平整的变阻器制造方法。
如美国第4,140,551号专利所公开的技术，使用磷酸锌及其组成物，可与金属物产生反应生成保护膜，故适用范围上有所限制。
又，欧洲专利公告第0806780号A1、B1，0716429号B1、A3以及美国第5,614,074号、第5,757,263号专利，其主要利用磷酸与变阻器的陶瓷体作用反应，以于该变阻器的陶瓷体表面形成磷酸锌绝缘层，以进行后续电镀作业，但此一制程方法的缺点是使变阻器与磷酸反应，在变阻器表面形成腐蚀的痕迹，且于进行电镀作业时，该变阻器表面仍会被镀上金属层，故其不具完全的隔绝效果，且外观上会有明显地形成崎岖表面，因此，此一制作变阻器的方式仍存在缺陷。
再者，于美国公告第6,214,685号专利所揭示的制程方法是利用磷酸锌沉积于陶瓷体表面，以同样于陶瓷体表面形成一绝缘层，故可保护变阻器本体以顺利进行后续的电镀作业，由于磷酸锌沉积于陶瓷体表面，而不与陶瓷体产生反应，故此制程方式已可改善前述专利缺点，即该变阻器表面可保持平整，惟进行电镀时，仍容易在变阻器的表面镀上金属，同样无法达到完全绝缘的效果。
由上述可知，目前制作变阻器制程中的电镀作业，仍无法同时兼顾变阻器本体完全不被电镀，以及保持电镀后变阻器的完整外形，基于变阻器乃为各式电子电路必备的被动元件，因此，其制作品质及良率甚受重视，故针对前述的缺点，应进一步提出更有效的解决方案。
为实现上述目的，本发明提供的一种具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其中变阻器的变阻器本体为一由氧化锌为主成份组成的金属氧化物组成，而于变阻器本体的两端分设一端电极，该制法包含有一沉积磷酸盐步骤，即先将磷酸盐溶液保持于高温度下形成一过饱和溶液，以析出磷酸盐，再将该磷酸盐沉积于变阻器本体表面上；一加热磷酸盐步骤，即对覆盖于变阻器本体表面上的磷酸盐加热，直至其达融熔状态，即可形成一层均匀且结构结实的透明状绝缘层；一电镀端电极步骤，由于变阻器本体是受该绝缘层包覆，仅端电极外露故可续行电镀作业；由于变阻器置于电镀液中，因其表面形成有不被电镀液腐蚀特性的绝缘层，故可免除变阻器本体于端电极电镀时受其电镀或破坏其表面。
于电镀端电极步骤后进一步进行一去除绝缘层的步骤，即令变阻器本体表面重现。
于去除绝缘层的步骤后进一步进行一形成有机涂膜步骤，即于变阻器本体表面涂布一层有机涂膜，用以保护该变阻器本体。
于电镀端电极步骤后进一步进行一形成有机涂膜步骤，即对该变阻器本体表面的绝缘层直接涂布一有机涂膜，以保护该变阻器本体。
其中该端电极的金属表面是由内至外依序为至少一底镀层及至少一焊锡层。
该端电极的底镀层及焊锡层可由无电镀、刷镀或滚镀法制成。
该磷酸盐溶液包含有磷酸根、锌离子、无机酸根、金属离子。
该变阻器是氧化锌再加入其他金属氧化物为添加物。
该金属氧化物由金属有机盐或金属无机盐替代。
本发明提供的一种具磷酸盐绝缘层的变阻器，其包含有一变阻器，其包含由氧化锌为主成份组成的一变阻器本体，以及两端电极，分别设置于该变阻器本体的两端；一绝缘层，为一透明层，并形成于该变阻器本体表面，而其主要成份为磷酸盐，具有不受电镀液腐蚀的特性，以保护变阻器本体表面不电镀一金属层。
该绝缘层上再形成一有机涂膜。
各端电极金属表面由内至外电镀有至少一底镀层及至少一焊锡层。
该有机涂膜由亚克利酸聚合物、聚酯聚合物、环氧树酯聚合物或其它可作为保护层的有机聚合物，以及含有其它不溶性粉体及适量添加物的组成。
该底镀层为镍或铜。
图2A-E为本发明的第二较佳实施例的剖面图，显示了制程流程的步骤。
图3A-F为本发明的第三较佳实施例的剖面图，显示了制程流程的步骤。
图4A-E为本发明的第四较佳实施例的剖面图，显示了制程流程的步骤。
首先请参阅
图1A-D所示，为本发明的一较佳实施例，其中该制程方法包含下述步骤一沉积磷酸盐化合物(13)步骤，即先将磷酸盐溶液保持于高温度下形成一过饱和溶液，以析出磷酸盐沉淀物，再将该磷酸盐沉淀物沉积于变阻器本体(11)表面上；一加热磷酸盐化合物(13)步骤，即对覆盖于变阻器本体(11)表面上的磷酸盐化合物(13)加热，直至其达融熔状态，即可形成一层均匀且结构结实的透明状绝缘层(14)，该绝缘层(14)具有不被电镀液腐蚀的特性；于本实施例中加热温度可为500℃-750℃，而加热时间约为5-30分钟；一电镀端电极(12)步骤，由于变阻器本体(11)受该绝缘层(14)包覆，仅端电极(12)外露故可续行电镀作业；于本实施例中该电镀包含有一底镀层(15)及一焊锡层(16)，而电镀作业可利用滚镀法，先施以7安培80分钟对端电极形成一底镀层(15)，如镍或铜，再以7安培80分钟，于底镀层(15)表面形成一焊锡层(16)，至此完成电镀端电极(12)作业；此外亦可以刷镀法或无电镀法执行电镀端电极(12)作业。
再请参阅图2A-E所示，为本发明另一较佳实施例，其前段步骤皆相同，惟于最后一步骤再增加入一去除绝缘层(14)步骤(如图2E所示)，其以有机酸或无机酸将该绝缘层(14)去除，使该变阻器(10a)的变阻器本体表面重现。
请再参阅图3A-F所示，为本发明的第三较佳实施例，其承接第二实施例的步骤，即于去除绝缘层(14)步骤后再增加一形成有机涂膜(17)步骤(如图3F所示)，于变阻器本体(11)的表面涂布一有机涂膜(17)，用以保护变阻器(10b)的变阻器本体(11)表面；由此以使变阻器(10b)的外观更加完善，其中该有机涂膜(17)可为亚克利酸聚合物、聚酯聚合物，环氧树酯聚合物或其它可作为保护层的有机聚合物，以及含有其它不溶性粉体及适量添加物的组成。
而请参阅图4A-E所示，为本发明的第四较佳实施例，其前段制程步骤与第一实施例相同，惟于制程最后再增加一形成有机涂膜(17)步骤(如图4E所示)，即于具绝缘层(14)的变阻器本体(11)表面再形成一有机涂膜(17)，由此，制作此一变阻器(10c)即可直接省去去除绝缘层(14)的步骤。
由上述可知，本发明由变阻器本体表面形成不受电镀液侵蚀的绝缘层，使变阻器本体表面不电镀金属层亦可保持表面的平整性，不因与绝缘层或电镀液作用而造成崎岖的表面，而影响外观，这样，本发明确保变阻器于制造时，大幅提高电镀后的良率。
权利要求
1.一种具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其中变阻器的变阻器本体为一由氧化锌为主成份组成的金属氧化物组成，而于变阻器本体的两端分设一端电极，该制法包含有一沉积磷酸盐步骤，即先将磷酸盐溶液保持于高温度下形成一过饱和溶液，以析出磷酸盐，再将该磷酸盐沉积于变阻器本体表面上；一加热磷酸盐步骤，即对覆盖于变阻器本体表面上的磷酸盐加热，直至其达融熔状态，即可形成一层均匀且结构结实的透明状绝缘层；一电镀端电极步骤，由于变阻器本体是受该绝缘层包覆，仅端电极外露故可续行电镀作业；由于变阻器置于电镀液中，因其表面形成有不被电镀液腐蚀特性的绝缘层，故可免除变阻器本体于端电极电镀时受其电镀或破坏其表面。
2.如权利要求1所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，于电镀端电极步骤后进一步进行一去除绝缘层的步骤，即令变阻器本体表面重现。
3.如权利要求2所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，于去除绝缘层的步骤后进一步进行一形成有机涂膜步骤，即于变阻器本体表面涂布一层有机涂膜，用以保护该变阻器本体。
4.如权利要求1所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，于电镀端电极步骤后进一步进行一形成有机涂膜步骤，即对该变阻器本体表面的绝缘层直接涂布一有机涂膜，以保护该变阻器本体。
5.如权利要求1、2、3或4所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，其中该端电极的金属表面是由内至外依序为至少一底镀层及至少一焊锡层。
6.如权利要求5所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，该端电极的底镀层及焊锡层可由无电镀、刷镀或滚镀法制成。
7.如权利要求1、2、3或4所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，该磷酸盐溶液包含有磷酸根、锌离子、无机酸根、金属离子。
8.如权利要求1、2、3或4所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，该变阻器是氧化锌再加入其他金属氧化物为添加物。
9.如权利要求8所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器制法，其特征是，该金属氧化物由金属有机盐或金属无机盐替代。
10.一种具磷酸盐绝缘层的变阻器，其包含有一变阻器，其包含由氧化锌为主成份组成的一变阻器本体，以及两端电极，分别设置于该变阻器本体的两端；一绝缘层，为一透明层，并形成于该变阻器本体表面，而其主要成份为磷酸盐，具有不受电镀液腐蚀的特性，以保护变阻器本体表面不电镀一金属层。
11.如权利要求10所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器，其特征是，该绝缘层上再形成一有机涂膜。
12.如权利要求10或11所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器，其特征是，各端电极金属表面由内至外电镀有至少一底镀层及至少一焊锡层。
13.如权利要求11所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器，其特征是，该有机涂膜由亚克利酸聚合物、聚酯聚合物、环氧树酯聚合物或其它可作为保护层的有机聚合物，以及含有其它不溶性粉体及适量添加物的组成。
14.如权利要求12所述的具磷酸盐绝缘层的变阻器，其特征是，该底镀层为镍或铜。
全文摘要
一种具磷酸盐绝缘层的变阻器及其制法，其主要于变阻器本体表面，除端电极设置区域外，形成一绝缘层，该绝缘层因可防止电镀液的金属离子附著其上，故可保护该变阻器本体除端电极外不受到电镀；由于该绝缘层不与变阻器本体直接产生腐蚀性反应，故而可保持变阻器本体表面平整，同时亦可有效避免于非端电极位置电镀，故可确实提高变阻器制程的良率。
文档编号H01C1/034GK1434464SQ0210247
公开日2003年8月6日 申请日期2002年1月22日 优先权日2002年1月22日
发明者吴见良 申请人:兴勤电子工业股份有限公司