专利名称：剥离膜以及使用剥离膜的粘合膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及在粘合膜中使用的剥离膜，特别是涉及在各向异性导电性粘合膜中使用的剥离膜。
背景技术：
以往，将半导体芯片接在基片上时普遍采用粘合膜。
图5(a)的符号110表示现有技术的粘合膜。粘合膜110具有剥离膜111和在剥离膜111的表面贴紧配置的粘合剂层118。
剥离膜111具有基材112和在基材112表面上形成的脱模剂层115，脱模剂层115配置在剥离膜111的紧贴粘合剂层118的面上。
图5(a)的符号102表示基片。基片102具有基膜103和在基膜103表面上配置的金属配线104。连接该基片102与后述的半导体芯片时，首先，将粘合膜110的配置粘合剂层118一侧的面与基片102的配置金属配线104一侧的面压在一起(图5(b))。
通常，脱模剂层115是由硅油构成，硅油(脱模剂层)与粘合剂层118之间的粘合力要比硅油与基材112之间的粘合力小，且比粘合剂层118和基片102之间的粘合力小，因此在图5(b)所示的状态，将剥离膜111剥离时，剥离膜111从粘合剂层118剥离，在基片102上残留粘合剂层118(图5(c))。
图5(d)的符号105表示半导体芯片。半导体芯片105具有芯片本体106和在芯片本体106的一面上形成的凸起状连接端子107。使半导体芯片105的形成连接端子107一侧的面与基片102的配置金属配线104一侧的面相对，在对准位置后，把半导体芯片105压在基片102的粘合剂层118上，在此状态下一边挤压半导体芯片105一边进行加热，则可使半导体芯片105的连接端子107对接在基片102的金属配线104表面。由于粘合剂层118通过加热可呈现粘合性，因此也可在半导体芯片105与基片102之间产生机械连接，并最终得到图5(e)所示的电气装置101。
由此，使用具有脱模剂层115的剥离膜111构成粘合膜110的话，则易于从粘合剂层118上剥离剥离膜111，并可进行基片102与半导体芯片105的连接。
不过，由于由硅油构成的脱模剂对基材112的粘合性差，因此在制造粘合膜110的工艺中，脱模剂层115有可能部分脱落，并且从粘合剂层118剥离剥离膜111时，脱模剂层115的一部分有可能粘附在粘合剂层118上。
如果脱模剂层115从剥离膜111上脱落，在脱落的部分，粘合剂层118与基材112直接接触，并且由于这部分对粘合剂层118的粘合力高，使得难以从剥离膜111上剥离粘合剂层118。
在粘合剂层118表面残留有粘附的脱模剂层115时，粘合剂层118与半导体芯片105的粘合力降低，所得到的电气装置101的可靠性变差。
另外，如特开平5-154857中记载的那样，已知有不形成脱模剂层，而是使用氟树脂膜那样的具有脱模性的基材作为剥离膜的方法。
不过，氟树脂膜通常是用拉伸法制造的，在制造工艺中由于发生膜的拉伸，所以膜的厚度容易不均衡，得到的膜的宽度精度和形成粘合膜时的膜厚精度降低。
在基材表面不设置脱模剂而直接设置粘合剂层时，粘合剂层与基材(剥离膜)之间的粘合力受到基材表面的表面粗糙度的制约。因此，基材表面的表面粗糙度不均衡时，粘合剂层与基材之间的粘合力也发生起伏。
发明内容
本发明是为了解决上述现有技术的不足而提出的，其目的在于，得到粘合剂层的剥离性优异，以及可用于制造可靠性高的电气装置的粘合膜。
为了解决上述课题，本发明提供一种具有基材和在基材表面形成的脱模剂层的剥离膜，其中，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下，上述脱模剂层以氟化合物为主要成分。
本发明是剥离膜，其中，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在1μm以上3μm以下。
本发明是剥离膜，其中，上述脱模剂层是将上述氟化合物为主要成分的脱模剂按每平方米上述基材表面0.01g以上5g以下涂布而成的。
本发明是剥离膜，其中，上述脱模剂层对水的接触角为100°以上140°以下，上述脱模剂层对硅油的接触角超过30°且在50°以下。
本发明是剥离膜，其中，上述氟化合物中至少具有一种选自C6H4(CF3)2、C8F16O和C8H18的化合物。
本发明是剥离膜，其中，上述基材的膜厚度为12.5μm以上100μm以下。
本发明是剥离膜，其中，上述基材具有成型为膜状的聚酯树脂和分散在上述聚酯树脂中的填充料。
本发明是具有剥离膜、粘合剂层的粘合膜，其中，上述剥离膜具有基材和在基材表面上形成的脱模剂层，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下，上述脱模剂层以氟化合物为主要成分，上述粘合剂层是在上述脱模剂层表面上形成的。
本发明是粘合膜，其中，上述粘合剂层含有热固性树脂。
本发明是粘合膜，其中，上述热固性树脂以环氧树脂为主要成分。
本发明中所用的表面粗糙度指用激光显微镜型干涉计(例如Lasertec公司制的“Laser Microscope ILM21”)测定由对象物(基材)表面的焦点契合方向得到的Z方向的高度时，得到的中心线的平均粗糙度。
本发明的构成如上所述，本发明剥离膜的基材表面的粗糙度在3μm以下。在上述的基材表面上形成脱模剂层，并在该脱模剂层的表面上形成粘合剂层时，粘合剂层的与脱模剂层贴紧的面，其表面粗糙度在2μm以下。
粘合剂层的表面粗糙度在2μm以下时，将粘合剂层的从剥离膜剥离的面贴在贴附对象物的话，贴附对象物与粘合剂层之间没有多余空气进入，粘合剂层与贴附对象物之间不产生气泡。
基材表面的粗糙度在1μm以上时，剥离膜表面的凹凸使得剥离膜和粘合剂层之间产生适度的摩擦力，进而切断粘合膜时粘合剂层不会从剥离膜剥离。
作为使基材表面形成凹凸(粗糙化)的方法，例如在基材中含有填充料的方法，以及通过电晕放电和研磨等使基材表面粗糙化的方法等。
在基材中含有填充料时，通过调整所含填充料的粒径(平均粒径)和含量，就可以调整基材表面的粗糙度。
实施发明的具体方案以下，详细说明本发明的剥离膜和粘合膜，以及它们的制造方法。
图1(a)的符号12表示基材。该基材12是由成型为膜状的聚酯树脂和分散于聚酯树脂中的填充料所构成。
图1(a)的符号13表示基材12中的填充料，位于基材12的表面附近的填充料13可使基材12的表面隆起，并且使基材12的表面形成凹凸。
用这种基材12制造粘合膜时，首先，在基材12的表面涂布预定量(每平方米面积的基材12表面为0.01g以上5g以下)的以氟化合物为主要成分的脱模剂。此时，由于涂敷液的涂布量十分少，基材12表面的凹凸不会被涂敷液所淹没。
接着，将整体加热干燥，在基材12表面形成脱模剂层15(图1(b))。
图1(b)的符号11表示形成脱模剂层15状态下的剥离膜。剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面沿基材12的凹凸模式形成凹凸。在脱模剂层15的形成工序中，脱模剂层15的氟化合物和基材12的聚酯树脂之间形成交联结构，使脱模剂层15与基材12的贴紧性变得非常高。
随后，准备以热固性树脂为主要成分的浆料状粘合剂。相对于这种粘合剂，由于具有氟化合物的脱模剂层15的湿润性高，在剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面上涂布粘合剂时，粘合剂并不粘连在脱模剂层15上，进而可形成膜厚均匀的粘合剂层18。接着，将整体进行干燥，得到本发明的粘合膜10(图1(c))。
如上所述，剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面由于沿着基材12的凹凸模式形成凹凸，在该脱模剂表面形成的粘合剂层18的与脱模剂层15贴紧的面也形成凹凸，且其表面粗糙度为2μm以下。
进而，由于在脱模剂层15与粘合剂层18之间产生适度的摩擦力，将此粘合膜10按预定形状切断时，粘合剂层不会从剥离膜剥离。
以下，说明使用这种粘合膜10制造电气装置的工序。
图2(a)的符号21表示基片，基片21具有基膜22和在基膜22一面配置的金属配线23。在此基片21上连接后述半导体芯片时，首先，将粘合膜10的形成粘合剂层18一侧的面压在基片21的配置金属配线一侧的面上(图2(b))。
粘合剂层18与基片21之间的粘合力比粘合剂层18与脱模剂层15之间的粘合力大，并且由于基材12与脱模剂层15之间的粘合力足够大，所以将图2(b)所示状态的剥离膜11从粘合剂层18剥离时，脱模剂层15不粘附在粘合剂层18上，基片21上只残留粘合剂层18(图2(c))。
图2(d)的符号31表示半导体芯片。半导体芯片31具有芯片本体32和在芯片本体32一面配置的凸起状连接端子33，连接端子33与半导体芯片31中未图示的内部回路连接。
将半导体芯片31的配置连接端子33的面朝向基片21的配置粘合剂层18的面，并按连接端子33与金属配线23相对应的方式将位置对准。
基片21上露出粘合剂层18的剥离了剥离膜11的面，如上所述，该露出面沿基材12的凸凹模式形成了凸凹，其表面粗糙度为2μm以下，因此将半导体芯片31压在粘合剂层18的表面上时，不会卷进多余的空气。
一边挤压半导体芯片31一边将整体进行加热时，通过加热使粘合剂层18软化，半导体芯片31的连接端子33通过挤压挤退粘合剂层18，进而使连接端子33与对应的金属配线23接合。
在此状态下持续加热预定时间时，在连接端子33与金属配线23接合状态下粘合剂层18发生固化，并且在连接端子33与金属配线23接合状态下半导体芯片31固定在基片21上，进而得到电气装置。
图2(e)的符号1表示用上述工艺制成的电气装置。在该电气装置1中，基片21与半导体芯片31通过连接端子33电连接。由于在粘合剂层18上没有残留脱模剂层15，通过粘合剂层18即可使基片21与半导体芯片31产生机械上牢固的连接。
以上，对粘合剂层18的一面紧贴剥离膜11的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。
图3的符号50表示本发明的其它例子的粘合膜。粘合膜50具有粘合剂层58和2张剥离膜11，与图1(b)所示剥离膜11相同的部件标以相同的数字，2张剥离膜11a、11b的部件分别加注a、b以示区别。
2张剥离膜11a、11b分别贴紧配置在粘合剂层58的表面与反面，在这些剥离膜11a、11b中，将剥离膜11a、11b之一剥离后，就可以用图2(a)～(e)的工艺进行电气装置1的连接。
以上，对连接半导体芯片31与基片21的情况进行了说明，但本发明并不仅限于此，而是可应用于各种电气装置的连接，例如可应用于可搭载半导体芯片的TCP(Tape carrier package)和LCD(Liquidcrystal display)之间的连接。
作为构成脱模剂层15的氟化合物，可以使用多种氟化合物，但在其中优选使用C6H4(CF3)2、C8F16O和C8H18表示的氟化合物。这些氟化合物可以单独使用，也可以混合使用2种以上的氟化合物。
以上，对使用含填充料13的基材12的情况进行了说明，但本发明并不限于此。
图6(a)的符号73表示不含有填充料的基材。该基材73的表面通过研磨剂研磨或电晕放电进行了表面粗糙化处理，其表面粗糙度为1μm以上3μm以下。
该基材73的经表面粗糙化的面上涂布含有氟化合物的脱模剂，形成脱模剂层72之后，在该脱模剂层72的表面涂布粘合剂并形成粘合剂层75，进而得到粘合膜70(图6(b))。
作为基材12的材质，可以使用多种聚酯树脂，但从强度和价格角度考虑，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
作为可以在粘合剂层18中使用的热固性树脂，可以使用环氧树脂、尿素树脂、密胺树脂、酚树脂等多种树脂，但从热固化后的粘合剂强度等考虑，优选使用环氧树脂。
使用环氧树脂作为热固性树脂时，优选与固化剂并用。作为本发明中使用的固化剂，可以使用咪唑类固化剂、多胺固化剂、酚类、异氰酸酯类、聚硫醇类、酸酐固化剂等多种固化剂。也可以将这些固化剂微胶囊化后作为所谓的潜在性固化剂进行使用。
粘合剂中也可以添加消泡剂、着色剂、防老剂等各种添加剂。粘合剂中添加热塑性树脂时，热塑性树脂的性质导致粘合剂的凝聚力加大，使得粘合剂的粘合性变得更高。作为这种热塑性树脂，可以使用酚氧树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯醇缩醛、乙烯乙酸乙烯酯、聚丁二烯橡胶等橡胶类等各种各样的树脂。也可以使用分散有导电性粒子的粘合剂形成粘合剂层。
实施例分别准备4种由分散有填充料13的聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下，略作PET)膜构成且表面粗糙度和膜厚度各不相同的基材12，以及1种由没有填充料且表面也没有进行过粗糙化的PET膜构成的基材12。这些基材12的表面粗糙度与膜厚度分别示于下述表1中。
表1评价试验结果
*上述表中的PET表示聚对苯二甲酸乙二醇酯*上述表中的ニトフロン表示日东电工株式会社的商品“ニトフロン#900”另外，在由氟利昂和稀释剂构成的氟类溶剂中，加入75重量份氟化合物C8F16O和25重量份同为氟化合物的C8F18并进行混合，制成以氟化合物为主要成分的脱模剂。
在上述5种基材12的一面上，按上述表1中涂布量一栏所示的量用照相凹版涂布机涂布上脱模剂，干燥后形成5种剥离膜11。
接着，将索尼化学株式会社制的各向异性导电性粘合剂(商品名为“FP16613”)中使用的60重量份固态环氧树脂溶解在40重量份有机溶剂中并进行混合，制成含60重量％固态组分的粘合剂。在各剥离膜11的脱模剂层15表面上，用刮刀涂布机分别涂布上述粘合剂，然后将整体在80℃干燥5分钟，形成膜厚度为25μm的粘合剂层18，进而得到实施例1～5的粘合膜10。
另外，使用硅油作为脱模剂，除了该硅油的涂布量为0.3g/m3之外，与实施例1同样的条件下制作比较例1的粘合膜。另外，在氟树脂膜(日东电工株式会社制造，商品名为“ニトフロン#900”，膜厚度为75μm)表面上以与实施例1～5同样的工序形成粘合剂层，制成没有脱模剂层的比较例2的粘合膜。
对这些实施例1～5、比较例1、2的粘合膜进行以下所示的“分切性”、“加工性”、“卷绕性”的各种评价试验。[分切性]把粘合膜10切断(分切)成宽1.5mm的细长小片，观察所得到的小片。试验片的粘合剂层18紧贴在剥离膜11上的状态标为“○”，粘合剂层18从剥离膜11上剥离的标为×。[加工性]从粘合膜10上，用切刀只将粘合剂层18切下(半切)。此时，在不损伤剥离膜11的前体下将粘合剂层18切出的标为“○”，剥离膜受损或粘合剂层18不能从剥离膜剥离的标为“×”。[卷绕性]制作宽1.5mm、长50m的实施例1～5、比较例1、2的粘合膜10，将这些粘合膜10以一定的张力(10gf/h)卷成直径110cm的卷，将处于卷绕状态的粘合膜10在30℃保存48小时后，观察粘合膜10的粘合剂层18的状态。在粘合膜的粘合剂层18上没有观察到突起的标为“○”，在粘合剂层18上出现突起的标为“×”。
如上述表1所示，用含有填充料的PET膜作为基材12的实施例1～5的粘合膜10得到了卷绕性优异的结果，但以氟树脂膜作为剥离膜的比较例2因卷绕使氟树脂膜产生拉伸，在卷绕后的粘合膜上观察到了粘合剂层的突起。
基材12的膜厚度为12.5μm的实施例4与其它的实施例相比，虽然其加工性(半切性)差，但在实用上没有任何问题。
基材12的表面粗糙度为1μm以上3μm以下的实施例1～4的分切性优异，但基材12不含填充料且表面粗糙度为0μm的实施例5，虽然在切断时从剥离膜11表面剥离了粘合剂层18，但粘合剂层18的剥离程度处于实用上不会产生问题的范围内。
实施例在与实施例1中同样的基材12的表面上，用与实施例1中同样的脱模剂，分别按下述表2所示的涂布量进行涂布，进而制作4种剥离膜11。然后，用这些剥离膜11按与实施例1同样的工艺制作实施例6～9的粘合膜10。
表2评价试验结果
*上述表中的剥离力、粘合力、起始终止剥离强度的单位分别是g/cm用这些实施例6～9的粘合膜10、上述实施例1～5和比较例1、2的粘合膜10，进行以下所示的“外观”、“剥离力”、“成本”、“粘合力”、“导通”、“起始终止剥离强度”的各种试验。[外观]观察粘合膜10，观察不到粘合剂层18中卷入的气泡、即针孔的标为“○”，观察到针孔的标为“×”。[剥离力]测定将粘合膜10的粘合剂层18从剥离膜11剥离时所需要的力。[成本]粘合膜10的制造成本比通常用剥离PET膜时的制造成本低的标为“○”，制造成本虽高，但仍在可实施范围的标为“△”，制造成本高且不可能实施的标为“×”。[粘合力]用实施例1～9、比较例1、2的粘合膜，按照上述图2(a)～(e)的工艺将基片21和半导体芯片31进行连接，然后测定从半导体芯片31剥离基片21时所需要的力(粘合力，初期)。另外，把粘合膜10在50℃温度条件下保存24小时(老化)后，在与上述同样的条件下测定粘合力(老化后)。
其中，使用在平面形状为边长6.3mm正方形的半导体芯片31上形成了240个平面形状为边长50μm正方形、高20μm的连接端子33的半导体芯片，以及在厚度20μm的聚酰亚胺膜(基膜22)表面上以50μm间隔配置多个宽50μm的金属配线23(其中，在膜厚度12μm的铜配线表面上形成了镀金层)的基片21，在加热温度190℃、荷重5.85kPa、10秒条件下进行热压。[导通]用实施例1～9、比较例1、2的粘合膜10，按照上述图1(a)～(e)所示的工艺制作11种电气装置1。其中，使用在平面形状为边长1cm正方形的芯片本体32上以150nm的间隔形成264个平面形状为边长100nm正方形、高20μm连接端子33的半导体芯片31，以及在膜厚度25μm的聚酰亚胺膜(基膜22)表面上形成了膜厚度12μm的铜配线(金属配线23)的基片21。
测定这些11种电气装置1的基片21和半导体芯片31的导通之后(初期)，将这些电气装置1在240℃加热(再流动)，再测定加热后的导通(再流动后)。测定的导通阻抗值小于10mΩ的标为“○”，10mΩ以上小于50mΩ的标为“△”，50mΩ以上的标为“×”。[起始终止剥离强度]将实施例1～9、比较例1、2的粘合膜10制成10m长，从所得到的粘合膜10的长度方向的一端(起始)和另一端(终止)分别切出小片，用与上述“剥离力”同样的条件分别测定所得小片的上述“剥离力”，求出从一端切下的小片的剥离力和从另一端切出的小片的剥离力之间的差。
上述表2列出了由实施例6～7得到的测定结果和评价结果，下述表3列出了由实施例1～5、比较例1、2得到的测定结果和评价结果。
表3评价试验结果
*上述表中的PET表示聚对苯二甲酸乙二醇酯*上述表中的ニトフロン表示日东电工株式会社的商品“ニトフロン#900”*上述表中的剥离力、粘合力、起始终止剥离强度的单位分别是g/cm由上述表2、表3可知，实施例1～9的粘合膜的“外观”、“导通”都得到了高度的评价，并且“初期”与“老化后”的粘合力没有差别。
另外，在起始终止剥离试验中所得到的剥离强度差小，本发明的粘合膜10与比较例1、2相比，可以确认粘合膜10的剥离强度没有出现不均匀现象。
另一方面，用硅油作为脱模剂的比较例1和用没有脱模剂层的氟树脂膜作为剥离膜的比较例2中，不仅可确认在粘合剂层中产生气泡，并且起始终止剥离强度试验中所得到的剥离强度结果的差异大。
其中，对于用硅油的比较例1中再流动后的“导通”的评价差。这是由于将剥离膜剥离后的粘合剂层表面上残留有硅油，并由残留的硅油导致了再流动中的导通不良。
实施例用分散有填充料的膜状PET(表面粗糙度5μm)作为基材，在与上述实施例1同样的条件下制成比较例3的粘合膜。分别将比较例3、上述实施例2、3、5的粘合膜10的粘合剂层18从剥离膜11上剥离。对于从粘合剂层18的剥离膜11剥离的一侧的面(剥离面)，用激光显微镜型干涉计(例如，Lasertec公司制的“Laser Microscope ILM21”)测定表面粗糙度。图4示出了这些测定结果。
图4的纵轴为粘合剂层18的剥离面的表面粗糙度(μm)、横轴为基材12表面的粗糙度(μm)。图4的符号L为所得图的曲线。由图4可知，基材12表面的粗糙度与粘合剂层18的剥离面的粗糙度具有相关性，基材12表面的粗糙度超过3μm时，可确认粘合剂层18的粗糙度超过2μm。
以下，对上述实施例2、3、5和比较例3的粘合膜10进行以下所示的“气泡”试验。[气泡]从各粘合膜10切出2mm宽的小片作为试验片。将这些试验片的剥离膜11从粘合剂层18上剥离，将粘合剂层18的剥离了剥离膜11的面分别压在玻璃基片表面上，于80℃、3kgf/cm2的条件下进行热压(假压)。接着，观察假压后的粘合剂层18。粘合剂层18中没有气泡的标为“○”，仅在粘合剂层18的边缘部观察到气泡的标为“△”，边缘部及粘合剂层18的中央部分均观察到气泡的标为“×”。这些评价结果和基材12的表面粗糙度均列在下述表4中。
表4基材表面的粗糙度与粘合剂层中气泡的有无
由上述表4可知，基材的表面粗糙度在3μm以下的实施例2、3、5的粘合膜10中，粘合剂层18几乎观察不到气泡，特别是实施例3、5中粘合膜10的边缘部也观察不到气泡。另一方面，基材的表面粗糙度为5μm的比较例3的粘合膜，由于基材表面的粗糙度过大，在剥离膜与粘合剂层之间确认有许多气泡。
由此可知，基材的表面粗糙度在3μm以下时，粘合剂层18中难以卷入气泡。
实施例以下，用与上述实施例1中同样的剥离膜11作为实施例10，用实施例10的剥离膜11分别进行下述所示的“接触角”和“粘合剂针孔”试验。[接触角]测定剥离膜11的脱模剂层15表面与水的接触角。同样，测定脱模剂层15表面与硅油的接触角。测定接触角时的温度为25℃。所测得的各接触角分别列于下述表5的水接触角和硅油接触角栏中。[粘合剂针孔]将剥离膜11切成A4纸大小，在切得的剥离膜11的脱模剂层15表面的一面上，涂布与实施例1同样的粘合剂，观察所形成的粘合剂涂布膜。
形成的涂布膜的膜厚度均匀、且在涂布膜中观察不到针孔的标为“○”，在脱模剂层15的表面观察到1个以上3个以下直径为5μm以下针孔的标为“○-△”，在涂布膜的一部分观察到4个以上针孔的标为“△”，在涂布膜一面观察到针孔者的标为“×”。这些评价结果列于下述表5中。
表5对水与硅油的接触角和粘合剂层的外观评价
上述表5所示的比较例4～7分别是在由PET膜构成的基材表面上形成了由硅油构成的脱模剂层的情况。比较例4中使用的剥离膜是将具有抗静电能力的PET膜(膜厚度25μm)作为基材使用时的情况。比较例5～7是在具有抗静电能力的白色PET膜(含有填充料，膜厚度50μm)的表面分别用不同种类的硅油形成了脱模剂层的情况。比较例8是使用与上述比较例2同样的剥离膜时的情况。
由上述表5可知，实施例10的剥离膜11，其脱模剂层15表面与水的接触角在100°以上140°以下，与硅油的接触角超过30°且在50°以下。具有这种表面特性的实施例10的剥离膜11，在涂布膜中见不到针孔。
另一方面，使用硅油作为脱模剂的比较例4～7和没有脱模剂层的由氟树脂构成的比较例8与硅油接触角均在30°以下，在这种剥离膜的粘合剂涂布膜中观察到了针孔。
发明的效果根据本发明，可以得到分切性高、且从粘合剂层将剥离膜剥离时在粘合剂层上不残留脱模剂的粘合膜。本发明申请的剥离膜中由于没有硅油，所以在电气装置的粘合剂中不会残留硅油，也不会发生由硅油导致的电气装置导通不良显象。
附图的简单说明图1(a)～(e)粘合膜制造工艺的说明2(a)～(e)电气装置制造工艺的说明3粘合膜其它示例的说明4基材表面的粗糙度与粘合剂层表面的粗糙度之间的关系5(a)～(e)现有技术的粘合膜制造电气装置的工艺说明6(a)、(b)粘合膜制造工艺的其它示例的说明图符号说明10 粘合膜11 剥离膜12 基材15 脱模剂层18 粘合剂层
权利要求
1.一种剥离膜，它是具有基材和在基材表面上形成的脱模剂层的剥离膜，其中，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下，上述脱模剂层以氟化合物为主要成分。
2.权利要求1所述的剥离膜，其中，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在1μm以上3μm以下。
3.权利要求1所述的剥离膜，其中，上述脱模剂层是将上述氟化合物为主要成分的脱模剂按每平方米上述基材表面0.01g以上5g以下涂布而成的。
4.权利要求1所述的剥离膜，其中，上述脱模剂层对水的接触角为100°以上140°以下，对硅油的接触角超过30°且在50°以下。
5.权利要求1所述的剥离膜，其中，上述氟化合物中至少具有1种选自C6H4(CF3)2、C8F16O和C8H18的化合物。
6.权利要求1所述的剥离膜，其中，上述基材的膜厚度为12.5μm以上100μm以下。
7.权利要求6所述的剥离膜，其中，上述基材具有成型为膜状的聚酯树脂和分散在上述聚酯树脂中的填充料。
8.一种粘合膜，它是具有剥离膜和粘合剂层的粘合膜，其中，上述剥离膜具有基材和在基材表面上形成的脱模剂层，上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下，上述脱模剂层以氟化合物为主要成分，上述粘合剂层是在上述脱模剂层表面上形成的。
9.权利要求8所述的粘合膜，其中，上述粘合剂层含有热固性树脂。
10.权利要求9所述的粘合膜，其中，上述热固性树脂以环氧树脂为主要成分。
全文摘要
本发明的目的在于，得到用于制造可靠性高的电气装置的粘合膜。由于本发明的剥离膜11的脱模剂层15是以氟化合物为主要成分且不含有硅油，所以基材12与脱模剂层15的粘合力高，并且可得到将剥离膜11从粘合剂层18剥离下来时不粘合有脱模剂层15的可靠性高的电气装置1。由于基材12的表面粗糙度在3μm以下，所以粘合剂层18的剥离剥离膜11一侧的面的凹凸小，与半导体芯片31压合时粘合剂层18与半导体芯片31之间不产生气泡。此外，基材12的表面粗糙度在1μm以上时，粘合膜10的分切性变高。
文档编号H01L21/68GK1392214SQ0212301
公开日2003年1月22日 申请日期2002年6月13日 优先权日2001年6月14日
发明者山田幸男 申请人:索尼化学株式会社