专利名称：防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种防止芯片氟化的储存方法及晶片储存运送装置，特别涉及一种在完成护层的覆盖和蚀刻后，可防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置。
背景技术：
通常在芯片制造完后，会利用真空包装步骤，将芯片密封在晶片运送储存盒(shipping box)内，以确保在运送过程中芯片不会受到粒子和水气的污染。而传统的真空包装步骤是将晶片放入晶片运送储存盒后，将密封的晶片运送储存盒套进包装袋，放进真空包装机中，以抽出包装袋和晶片运送储存盒之间的空气和水气。以避免晶片在运送过程中受到粒子和水气的污染。
然而，晶片在装入晶片运送储存盒后，晶片运送储存盒即呈密封状态，此时，如图1所示，晶片表层所覆盖的保护膜32内的氟会扩散至晶片运送储存盒内的环境中(如图中的箭头所示)，而与铝焊垫30接触后，造成铝焊垫30表面氟化，使得后续的拉线封装过程不易进行。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置，在完成护层的覆盖和蚀刻后，可防止焊垫氟化。
本发明的另一目的在于提供一种防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置，将晶片储存在晶片运送储存盒中时，可减少晶片运送储存盒的氟的浓度，以避免暴露出的焊垫氟化。
本发明的目的是这样实现的本发明提供一种防止焊垫氟化的晶片储存方法，其方法简述如下首先，在晶片运送储存盒表面钻孔，并清干净后，再将晶片放进晶片运送储存盒内。接着，将其套进包装袋内，整个放进真空包装机中。之后，将晶片运送储存盒内的杂质(例如氟)、空气和水气抽出，直至压力降低至350--400毫米汞柱(mmHg)后停止抽气。接着灌入干燥的惰性气体(例如氮气)，使晶片运送储存盒内的压力与大气压力平衡，以避免晶片运送储存盒变形，再将包装袋密封住，即完成真空包装的动作。
本发明还提供一种晶片储存运送装置，适用于已形成焊垫和保护层的晶片，此装置包括一晶片运送储存盒、置于晶片运送储存盒内的一晶片、置于该晶片运送储存盒外的一包装袋、以及充满于该晶片运送储存盒内的一干燥的惰性气体。其中，包装袋可使晶片运送储存盒与外界隔离，并使置于晶片运送储存盒内的晶片为干燥的惰性气体所包围，依据本发明的实施例，上述的晶片运送储存盒表面具有至少一孔洞，用以连通晶片运送储存盒内与包装袋和晶片运送储存盒外之间。上述的干燥的惰性气体为氮气，用以置换原晶片运送储存盒内的杂质。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1表示将晶片放入晶片运送盒后，晶片表层所覆盖的保护膜内的氟扩散至与铝焊垫接触的情况的示意图；图2表示本发明的晶片储存运送装置的示意图；图3表示本发明的真空包装步骤的示意图。
具体实施例方式
当晶片在完成护层的覆盖和蚀刻后，需将其运送至下游工厂，以进行下一阶段的封装过程。而在储存运送的期间，晶片需利用真空包装，以避免与外界环境接触。然而当晶片置于晶片运送储存盒(shipping box)中时，由于环境为密闭，使得护层内的氟易扩散于整个晶片运送储存盒内，此外原本的晶片运送储存盒内的环境亦可能存在水气和其它杂质，这些都会污染晶片。因此，本发明提供一种晶片储存运送装置及防止焊垫氟化的晶片储存方法，并将配合附图做详细说明。
晶片储存运送装置图2为本发明的一种晶片储存运送装置，较适用于已形成焊垫和保护层的晶片，此装置包括一晶片运送储存盒10供容纳一晶片22、置于晶片运送储存盒10外的一包装袋14、以及充满于晶片运送储存盒10内的一干燥的惰性气体24。其中，包装袋可使晶片运送储存盒10与外界26隔离，并使置于晶片运送储存盒10内的晶片22为干燥的惰性气体24所包围。
此外，上述的晶片运送储存盒10表面具有至少一孔洞12，使包装袋14里头的晶片运送储存盒10内与晶片运送储存盒10外互相连通。上述的干燥的惰性气体24可为氮气，用以置换原晶片运送储存盒10内的杂质。
防止焊垫氟化的晶片储存方法请参照图3，首先，在晶片运送储存盒10表面钻至少一孔洞12，并将晶片运送储存盒10清洗干净。
接着，将已完成护层的覆盖和蚀刻的晶片放在已钻孔的晶片运送储存盒10内，再将整个晶片运送储存盒10套进包装袋14内后，整个放进真空包装机(vacuum packaging machine)16中。之后，将晶片运送储存盒10内的杂质(例如氟)利用真空泵白排气管18抽出，此外亦同时将晶片运送储存盒10内空气和水气抽出，而此时包装袋14和晶片运送储存盒10之间的空气亦被抽出，直至压力降低至约350--400毫米汞柱(mmHg)后停止抽气。
接着自进气管20灌入干燥的惰性气体，例如氮气，使晶片运送储存盒10内的压力与大气压力平衡，以避免晶片运送储存盒10变形，再将包装袋14密封住。
经测试后，发现利用上述的真空包装方法运送及储存已完成护层的覆盖和蚀刻的晶片，可减少晶片运送储存盒的氟的浓度，以避免暴露出的焊垫氟化。
经上述的真空包装步骤将晶片放置于晶片运送储存盒后，即可将其运送至下游工厂，以进行下一阶段的封装过程。
与传统的真空包装步骤相较，传统的方法并未将晶片运送盒内的杂质抽出，即将晶片运送盒套进包装袋密封。而本发明在进行真空包装的同时，会先将晶片运送盒内的杂质抽出，以降低晶片中扩散至晶片运送盒中的氟含量，再将晶片运送盒套进包装袋后，放进真空包装机中，将包装袋和晶片运送盒之间的空气和水气抽出。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作等效变化与修改，因此本发明的保护范围以权利要求为准。
权利要求
1.一种防止焊垫氟化的晶片储存方法，其特征在于，包括提供一晶片运送储存盒，供容纳一晶片，且于该晶片运送储存盒设至少一贯穿内外的孔洞；提供一包装袋，供容纳包封该晶片运送储存盒；将该包装袋内和该晶片运送储存盒内的空气抽出；输入一干燥的惰性气体至该包装袋内与该晶片运送储存盒内，且其内压力接近大气压力；以及密封该包装袋。
2.如权利要求1所述的防止焊垫氟化的晶片储存方法，其特征在于，将该包装袋内和该晶片运送储存盒内的空气抽出的步骤，包括将已套入该包装袋的该晶片运送储存盒放进该真空包装机中进行抽气至该晶片运送储存盒内的的压力降至350--400毫米汞柱(mmHg)。
3.如权利要求1所述的防止焊垫氟化的晶片储存方法，其特征在于，该干燥的惰性气体为氮气。
4.一种晶片储存运送装置，其特征在于，包括一晶片运送储存盒，供容纳一晶片于其中，且设有至少一贯通该晶片运送储存盒内外的穿孔；一包装袋，容纳并包封该晶片运送储存盒；以及一干燥的惰性气体，充满该包装袋与该晶片运送储存盒内，使置于该晶片运送储存盒内的该晶片为该干燥的惰性气体所包围。
5.如权利要求4所述的晶片储存运送装置，其特征在于，该晶片运送储存盒内的压力接近大气压力。
6.如权利要求4所述的晶片储存运送装置，其特征在于，该干燥的惰性气体为氮气。
全文摘要
本发明涉及一种防止焊垫氟化的晶片储存方法以及晶片储存运送装置，首先在晶片运送储存盒表面钻孔，并清干净后，再将晶片放进晶片运送储存盒内。接着，将其套进包装袋内，整个放进真空包装机中。之后，将晶片运送储存盒内的杂质、空气和水气抽出。接着灌入干燥的惰性气体(例如氮气)，使晶片运送储存盒内的压力与大气压力平衡，以避免晶片运送储存盒变形，再将包装袋密封住，即完成晶片储存运送。
文档编号H01L21/02GK1466180SQ0214050
公开日2004年1月7日 申请日期2002年7月5日 优先权日2002年7月5日
发明者苏炎辉, 吴敬斌, 李宏文 申请人:旺宏电子股份有限公司