专利名称：修正凸块轮廓的方法
技术领域：
本发明是有关于一种修正凸块轮廓的方法，且特别是有关于一种利用等离子体化学气相沉积法以于凸块的侧壁形成高分子材料层，借此以修正凸块轮廓的方法。
图1所示，其绘示为一种具有非垂直侧壁的凸块剖面示意图；图2所示，其绘示为另一种具有非垂直侧壁的凸块剖面示意图。
请参照图1，图中所示为在一基底100上的一凸块102，其侧壁与基底100表面之间具有一锐角夹角。另外，图2中的基底100上的凸块104，其侧壁与基底100表面之间具有一钝角夹角。换言之，凸块102、104的侧壁都不与基底100的表面垂直。
倘若凸块102、104为一图案化的光阻层，后续在以此凸块102、104作为一蚀刻罩幕而进行一蚀刻制作工艺时，将可能因光阻层侧壁厚度的不足以及不均匀之故，而使其于此蚀刻制作工艺中无法抵抗蚀刻反应的侵蚀。进而造成蚀刻制作工艺失败。
另外，特别值得一提的是，倘若所形成的凸块102为一图案化的导电层时，由于凸块102的顶部较凸块102的底部宽，因此后续于此凸块102上进行沉积制作工艺时，将非常容易于两相邻的凸块102之间形成一孔隙(Void)。而此孔隙恐会对器件造成不良的影响。
本发明的另一目的是提供一种修正凸块轮廓的方法，以避免于沉积制作工艺中，会于两相邻的凸块之间形成孔隙。
本发明提出一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块，其中此凸块可以是一图案化的光阻层或是一图案化的导电层。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，此高分子材料层由凸块侧壁的顶部向凸块侧壁的底部生长。且此高分子材料层以一等离子体增益型化学气相沉积法(PECVD)所形成。其中，此两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。而此两步骤沉积制作工艺的第一步骤的一偏压电源小于500W。另外，此两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。而此两步骤沉积制作工艺的第二步骤的一偏压电源(Bias Power)大于500W。
本发明提出另一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块，其中此凸块可以是一图案化的光阻层或是一图案化的导电层。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，此高分子材料层由凸块侧壁的底部向凸块侧壁的顶部生长。且此高分子材料层以一等离子体增益型化学气相沉积法所形成。其中，此两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。而此两步骤沉积制作工艺的第一步骤的一偏压电源大于500W。另外，此两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。而此两步骤沉积制作工艺的第二步骤的一偏压电源小于500W。
本发明又提出一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块，其中此凸块的侧壁并未垂直于基底的表面。而此凸块可以是一图案化的光阻层或是一图案化的导电层。接着，进行一等离子体增益型化学气相沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层，进而使形成有高分子材料层的凸块图案的侧壁能垂直于基底的表面。其中，当此凸块的侧壁与基底的表面之间距有一钝角夹角时，此沉积制作工艺的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。此外，此沉积制作工艺的一偏压电源小于500W。而当此凸块的侧壁与基底的表面的间距有一锐角夹角时，此沉积制作工艺的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。此外，此沉积制作工艺的一偏压电源大于500W。
利用的本发明的方法将凸块的轮廓修正之后，可使凸块的侧壁具有均匀的厚度，以使凸块于在后续蚀刻制作工艺中具有足够的抵抗能力。
利用本发明的方法可将凸块的侧壁修正成与基底表面垂直的侧壁，如此后续于进行沉积制作工艺时，就不会产生有孔隙。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下
请参照图3与图4，首先提供一基底200，其中基底200上已形成有一凸块202。其中凸块202可以是一图案化的光阻层或是一图案化的导电层。
之后，在凸块202的表面形成一高分子材料层204、206。本发明可控制于凸块202表面形成两种形式的高分子材料层204、206。其中之一的形式如图3所示，形成于凸块202侧壁的顶部的高分子材料层204较形成于凸块202侧壁的底部的高分子材料层204厚。
另外，本发明的方法还可控制高分子材料层206形成如图4的形式，意即形成于凸块202侧壁的底部的高分子材料层206较形成于凸块202侧壁的顶部的高分子材料层206厚。
其中，形成高分子材料层204、206的方法是以一等离子体增益型化学气相沉积法而形成的。倘若欲形成第一种形式的高分子材料层204，于等离子体增益型化学气相沉积法中所使用的一反应气体为二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。而且，此等离子体增益型化学气相沉积法中的一偏压电源例如是小于500W。另外，于等离子体增益型化学气相沉积法中的一压力例如是10～50mTorr。且其变压耦合式等离子体(Transformer Coupled Plasma，TCP)电源例如是500～2000W。于此等离子体增益型化学气相沉积法中的一选择性添加气体例如是氩气与一氧化碳，其中所添加的氩气流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
倘若欲形成第二种形式的高分子材料层206，于等离子体增益型化学气相沉积法中所使用的一反应气体为二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。而且，此等离子体增益型化学气相沉积法中的一偏压电源例如是大于500W。另外，于等离子体增益型化学气相沉积法中的一压力例如是10～50mTorr，且其变压耦合式等离子体电源例如是500～2000W。于此等离子体增益型化学气相沉积法中的一选择性添加气体例如是氩气与一氧化碳，其中所添加的氩气流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
由于在凸块表面所形成的高分子材料层的形式，可依据实际所需的情形而加以控制。因此，本发明可应用在先前所述的具有非垂直侧壁的凸块上，借此以修正凸块的轮廓。其详细的说明下。
图5与图6所示，其绘示为依照本发明第一实施例的修正凸块轮廓的方法。
请参照图5，倘若在基底100上所形成的凸块102侧壁并未垂直于基底100的表面，而是与基底100的表面具有一锐角夹角，则可利用上述于图4中的形成高分子材料层206的方法来修补凸块102的轮廓。由于所形成的高分子材料层206其于凸块102侧壁的底部的厚度会较厚，因此，经过高分子材料层206的修饰之后，便可使具有高分子材料层的凸块图案的轮廓修正成具有垂直侧壁的凸块图案。
另外，请参照图6，倘若在基底100上所形成的凸块104侧壁并未垂直于其基底100的表面，而是与基底100的表面具有一钝角夹角，则可利用上述于图3中的形成高分子材料层204的方法来修补凸块102的轮廓。由于所形成的高分子材料层204其于凸块102侧壁的顶部的厚度会较厚，因此，经过高分子材料层204的修饰之后，便可使具有高分子材料层的凸块图案的轮廓修正成具有垂直侧壁的凸块图案。第二实施例图7与图8所示，其绘示为依照发明第二实施例的以两步骤沉积制作工艺于凸块侧壁形成高分子材料层的剖面示意图。
请参照图7与图8，一基底200上已形成有一凸块202。其中，凸块202可以是一图案化的光阻层或是一图案化的导电层。
接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块202的侧壁形成一高分子材料层208。其中，本发明可控制高分子材料层208由凸块202侧壁的顶部向凸块202侧壁的底部生长。亦可控制高分子材料层208由凸块202侧壁的底部向凸块202侧壁的顶部生长。在本实施例中，此高分子材料层208以一等离子体增益型化学气相沉积法所形成。
其中，倘若欲控制高分子材料层208由凸块202侧壁的顶部向凸块202侧壁的底部生长，则此两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。而此两步骤沉积制作工艺的第一步骤的一偏压电源小于500W。另外，此两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。而此两步骤沉积制作工艺的第二步骤的一偏压电源大于500W。此外，于等离子体增益型化学气相沉积法中的一压力例如是10～50mTorr，且其变压耦合式等离子体电源例如是500～2000W。于此等离子体增益型化学气相沉积法中的一选择性添加气体例如是氩气与一氧化碳，其中所添加的氩气流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
另外，倘若欲控制高分子材料层208由凸块202侧壁的底部向凸块202侧壁的顶部生长，则此两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。而此两步骤沉积制作工艺的第一步骤的一偏压电源大于500W。另外，此两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。而此两步骤沉积制作工艺的第二步骤的一偏压电源小于500W。此外，于等离子体增益型化学气相沉积法中的一压力例如是10～50mTorr，且其变压耦合式等离子体电源例如是500～2000W。于此等离子体增益型化学气相沉积法中的一选择性添加气体例如是氩气与一氧化碳，其中所添加的氩气流量例如是50～500sccm，一氧化碳流量例如是50～500sccm。
本发明的修正凸块轮廓方法，可依照实际凸块轮廓的情形而调变等离子体增益型化学气相沉积制作工艺的参数，借此以控制所形成的高分子材料层的型态以及生长的方向，以使凸块的轮廓能以最适合的方式加以修饰。
综合以上所述，本发明具有下列优点1、利用的本发明将凸块的轮廓修正之后，可使凸块的侧壁具有均匀的厚度，以使凸块于在后续蚀刻制作工艺中具有足够的抵抗能力。
2、利用本发明的方法可将凸块的侧壁修正成与基底表面垂直的侧壁，如此后续于进行沉积制作工艺时，就不会产生有孔隙。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种修正凸块轮廓的方法，其特征在于包括提供一基底，该基底上已形成有一凸块；进行一两步骤沉积制作工艺，以在该凸块的侧壁形成一高分子材料层，其中该高分子材料层由该凸块侧壁的顶部往该凸块侧壁的底部生长。
2.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该凸块包括一图案化的导电层或一图案化的光阻层。
3.权利要求2所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该图案化的光阻层的底部还包括形成有一底部抗反射层。
4.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征于其中形成该高分子材料层的方法为一等离子体增益型化学气相沉积法。
5.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。
6.权利要求5所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的该第一步骤的一偏压电源小于500W。
7.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。
8.权利要求7所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的该第二步骤的一偏压电源大于500W。
9.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一选择性添加气体包括氩气与一氧化碳。
10.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一压力为10～50mTorr。
11.权利要求1所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一变压耦合式等离子体电源为500～2000W。
12.一种修正凸块轮廓的方法，其特征在于包括提供一基底，该基底上已形成有一凸块；进行一两步骤沉积制作工艺，以在该凸块的侧壁形成一高分子材料层，其中该高分子材料层由该凸块侧壁的底部往该凸块侧壁的顶部生长。
13.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该凸块包括一图案化的导电层或一图案化的光阻层。
14.权利要求13所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该图案化的光阻层的底部还包括形成有一底部抗反射层。
15.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中形成该高分子材料层的方法为一等离子体增益型化学气相沉积法。
16.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。
17.权利要求16所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的该第一步骤的一偏压电源于大500W。
18.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。
19.权利要求18所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的该第二步骤的一偏压电源小于500W。
20.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一选择性添加气体包括氩气与一氧化碳。
21.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一压力为10～50mTorr。
22.权利要求12所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一变压耦合式等离子体电源为500～2000W。
23.一种修正凸块轮廓的方法，其特征在于包括提供一基底，该基底上已形成有一凸块，且该凸块的侧壁并未垂直于该基底的表面；进行一沉积制作工艺，以在该凸块的侧壁形成一高分子材料层，以使该凸块的图案的侧壁能垂直于该基底的表面。
24.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该凸块包括一图案化的导电层或一图案化的光阻层。
25.权利要求24所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该图案化的光阻层的底部还包括形成有一底部抗反射层。
26.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中形成该高分子材料层的方法为一等离子体增益型化学气相沉积法。
27.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中当该凸块的侧壁与该基底表面的间距有一钝角夹角时，该沉积制作工艺的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5。
28.权利要求27所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该沉积制作工艺的一偏压电源小于500W。
29.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中当该凸块的侧壁与该基底表面的间距有一锐角夹角时，该沉积制作工艺的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。
30.权利要求29所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该沉积制作工艺的一偏压电源大于500W。
31.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该沉积制作工艺的一选择性添加气体包括氩气与一氧化碳。
32.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该沉积制作工艺的一压力为10～50mTorr。
33.权利要求23所述的修正凸块轮廓的方法，其特征在于其中该两步骤沉积制作工艺的一变压耦合式等离子体电源为500～2000W。
全文摘要
一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，本发明于凸块侧壁形成高分子材料层的方法，可控制其由凸块侧壁的顶部向凸块侧壁的底部生长，也可控制其由凸块侧壁的底部往凸块侧壁的顶部生长。
文档编号H01L21/768GK1466188SQ02140508
公开日2004年1月7日 申请日期2002年7月5日 优先权日2002年7月5日
发明者赖俊仁 申请人:旺宏电子股份有限公司