专利名称：切割用胶粘薄膜及切割方法
技术领域：
本发明涉及一种切割用胶粘薄膜及采用该切割用胶粘薄膜的切割方法。本发明的切割用胶粘薄膜特别适用于，在从半导体晶片等上切断分离(切割)元件小片时，用作固定该半导体晶片等被切断体的半导体晶片切割用胶粘薄膜。例如，本发明的切割用胶粘薄膜能够用作硅半导体切割用胶粘薄膜、化合物半导体晶片切割用胶粘薄膜、半导体组件切割用胶粘薄膜、玻璃切割用胶粘薄膜等。
背景技术：
以往，以硅、钾、砷等作为材料的半导体晶片，在以大直径制造后，被切断分离(切割)成元件小片，然后再转到装配工序。此时，在半导体晶片被粘贴、保持在胶粘薄膜上的状态下，实施切割工序、清洗工序、展开工序、拾取(picking up)工序及装配工序的各工序。作为上述胶粘薄膜，一般采用，在由塑料薄膜构成的基材上，利用丙烯酸类胶粘剂等涂布、形成厚度10～30μm的胶粘剂层的胶粘薄膜，例如，对镜面状硅片(siliconmirror wafer)的剥离胶粘力(23℃粘贴，23℃剥离)为1.5～6N/25mm范围的胶粘薄膜。
在上述切割工序中，用一边旋转、一边移动的圆刀片(circular blade)进行晶片的切断，但此时，主要采用切入到保持半导体晶片的切割用胶粘薄膜的基材内部的称之为全切的切断方式。
但是，在采用全切法切断半导体晶片时，作为切割用胶粘薄膜，在采用以往的胶粘剂层的厚度为10～30μm的、剥离胶粘力为1.5～6N/25mm的胶粘薄膜时，在半导体元件(晶片)的背面侧发生称之为碎裂(chipping)的裂纹。近年来，随着IC卡等的普及，半导体元件不断薄型化，存在半导体元件的碎裂导致半导体元件的强度大大降低，严重降低其可靠性的问题。
关于切割时产生碎裂的机理，大致推断如下。即，推断为是，在采用全切的切断方式中，如图2所示，利用圆刀片3切入到胶粘薄膜1的基材薄膜11的内部的结果，胶粘剂层12或基材薄膜11被圆刀片3所压住、在旋转方向及前进方向变形，此时，如图2所示，在利用圆刀片3切断的胶粘剂层12和半导体晶片2的界面的微小部分a产生剥离，半导体晶片2的端部形成悬空的形式，结果，因圆刀片3的旋转，在切断中的半导体晶片2的切断部产生不规则的振动。因该被切断体的不规则的振动，不能正常切断，产生碎裂。
作为解决上述问题的手段，例如，在特开平5-335411号公报中提出，首先，在形成了元件的半导体晶片上，通过切割形成规定深度的槽，然后，通过背面研磨(研磨晶片背面)研磨到被切割的槽的深度，制造薄型化的半导体元件芯片的方法(上述切割法)。但是，在该方法中，虽抑制碎裂的发生，但由于通过预先切割，在半导体晶片上切入几十μm到几百μm深的槽，所以在向背面研磨工序搬送的过程中，半导体晶片容易在该切入部分破裂，结果导致半导体晶片成品率的降低。
本发明是为解决上述以往技术中存在的问题而提出的，其目的是提供一种半导体晶片等被切断体的成品率高、而且能够防止在切割时发生碎裂的切割用胶粘薄膜。
此外，本发明的目的是提供一种采用该切割用胶粘薄膜的切割方法。
发明的公开本发明者们，为解决上述问题，经过深入研究，结果发现，用以下所示的切割方法及切割用胶粘薄膜，能够达到上述目的，由此完成本发明。
即，本发明涉及一种切割用胶粘薄膜，在基材薄膜上设置有胶粘剂层，其特征在于，所述胶粘剂层的厚度为1～10μm，而且，所述切割用胶粘薄膜具有这样的粘贴温度，即在将切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上。
上述本发明的切割用胶粘薄膜，胶粘剂层的厚度薄，而且，在切割时对被切断体的剥离胶粘力强，由此，通过抑制或防止容易变形的胶粘剂层的变形和芯片-胶粘剂层界面的剥离，能抑制或防止产生碎裂。
如果减薄胶粘剂层的厚度，由于有不能确保充足的胶粘力的倾向，所以，胶粘剂层的厚度需要在1μm以上。从此观点考虑，胶粘剂层的厚度优选在3μm以上。另外，如果加厚胶粘剂层，则增加由圆刀片的旋转引起的胶粘剂层全体的变形量，促进在刀片切断的半导体晶片-胶粘剂层的界面的剥离，所以，胶粘剂层的厚度在10μm以下。从此观点考虑，胶粘剂层的厚度更优选在7μm以下。胶粘剂层的厚度特别优选在3～7μm。
此外，切割用胶粘薄膜的剥离胶粘力，将所述切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力在10N/25mm以上。根据对镜面状硅片的胶粘力规定上述胶粘力，是因为镜面状硅片的表面状态(粗糙度)稳定，适合作为客观的被覆体，此外，材质为硅，是与作为切割对象的被切断体同质的材料。此外，通常，由于在室温(23℃)下进行切割，所以以23℃时的胶粘力为标准。切割用胶粘薄膜对镜面状硅片的上述胶粘力在10N/25mm以上，优选12N/25mm以上。如果低于上述胶粘力，则在切割时，当胶粘剂层由于圆刀片的旋转而变形时，容易在半导体晶片-胶粘剂层的界面产生剥离。
在上述切割用胶粘薄膜中，切割用胶粘薄膜向镜面状硅片上的粘贴温度优选在20～80℃。
切割用胶粘薄膜向镜面状硅片的粘贴温度，只要是粘贴后显示上述胶粘力，就没有特别限定，但是，对于切割用胶粘薄膜而言，由于通常在20～80℃被粘贴到被切断体上，所以，优选的是在上述温度范围内，粘贴到镜面状硅片上后，具有上述粘结力的切割用胶粘薄膜。通过把粘贴温度调节到适当的温度，能够提高对于镜面状硅片的上述胶粘力。例如，即使在常温下不能满足上述胶粘力，通过升温，能够满足上述胶粘力。
在上述切割用胶粘薄膜中，优选利用放射线固化型胶粘剂形成切割用胶粘薄膜的胶粘剂层。
上述切割用胶粘薄膜，由于剥离胶粘力被设计得较高，在其后的工序中难于进行拾取，所以，优选由通过放射性照射进行固化而能够降低胶粘力的放射线固化型胶粘剂形成胶粘剂层。例如，在切割后，通过固化胶粘剂层，降低胶粘力，能用小的应力剥离(拾取)的放射线固化型胶粘剂，特别适用于作为被切断体采用薄型半导体晶片等时。
此外，本发明涉及一种切割方法，其特征在于将所述切割用胶粘薄膜，在将所述切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上的粘贴温度下，粘贴在被切断体上后，切割被切断体。
上述切割用胶粘薄膜，在达到上述胶粘力以上的粘贴温度下被粘贴在被切断体上，并在以较强的剥离胶粘力固定被切断体的状态下供于切割，采用上述切割用胶粘薄膜，具有抑制、防止碎裂的效果。
图1是一例本发明的切割用胶粘薄膜的剖面图。切割用胶粘薄膜1具有基材薄膜11及胶粘剂层12。此外，在胶粘剂层12具有隔片13。
图2是在用圆刀片(切割刀片)3切断用切割用胶粘薄膜1固定的半导体晶片2时的碎裂的生成机理的说明图。
具体实施例方式
以下，参照图1详细说明本发明的切割用胶粘薄膜。如图1所示，本发明的切割用胶粘薄膜设置基材薄膜11、胶粘剂层12。此外，根据需要，在胶粘剂层12上具有隔片。在图1中，在基材薄膜的单面具有胶粘剂层，但也能够在基材薄膜的两面形成胶粘剂层。切割用胶粘薄膜也可以卷取成带状。
基材薄膜11不特别限制，但特别优选采用塑料薄膜。作为其有代表性的材料，例如，有低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-醋酸乙烯共聚物，离聚物树脂，乙烯(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物，乙烯-丁烯共聚物，乙烯-己烯共聚物，聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯，聚酰亚胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚1，2-二氯亚乙烯、氟树脂、硅树脂、纤维素系树脂及它们的交联体等的聚合物。另外，构成基材薄膜的上述例示中的材料，根据需要，也可以接枝官能团、功能性单体或改性单体等后使用。
关于基材薄膜的制造方法，可以采用以往众所周知的制膜方法。例如，可以适宜采用压延(calender)制膜、浇注制膜、充气(inflation)挤压、T模挤压等。
如此得到的基材薄膜的厚度，通常为10～300μm，优选30～200μm。另外，基材薄膜也可以是单层膜或多层膜中的任何一个，也可以是干法混合上述2种以上树脂的混合物基材。采用上述树脂等，用共挤压法、干叠层法等惯用的薄膜叠层法，能够制造多层薄膜。此外，基材薄膜可以采用未拉伸的，根据需要也可以实施单向或双向的拉伸处理。在如此制膜的基材薄膜的表面，根据需要，能够实施消光处理、电晕放电处理、等离子处理、交联处理等惯用的物理或化学的处理。
胶粘剂层12，如上所述，厚度为1～10μm，而且，通过调节在镜面状硅片上的粘贴温度，只要对于镜面状硅片的180°剥离(拉伸速度300mm/min)胶粘力达到10N/25mm以上，就不特别限定。形成上述这样胶粘剂层时，可以适当选择使用已知或惯用的胶粘剂。对于胶粘剂没有特别的限定，例如，可以采用橡胶系、丙烯酸类、硅系、聚乙烯醚系等各种胶粘剂。其中，从对半导体晶片的胶粘性等方面考虑，优选以丙烯酸类聚合物为基础聚合物的丙烯酸类胶粘剂。
作为上述丙烯酸类胶粘剂，例如，可以采用(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物，或根据需要以改善凝集力、耐热性等性质为目的，可以使用在(甲基)丙烯酸烷基酯中共聚了共聚性单体的共聚物。另外，所谓的(甲基)丙烯酸酯，指的是丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本发明的所谓(甲基)是完全相同的意思。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，有甲酯、乙酯、丁酯、2-乙基己酯、辛酯、异壬基酯等。其中，从剥离胶粘力的角度考虑，均聚物的玻璃化转变温度(以下，称为Tg)在25℃以上的单体适合作为主单体。优选含有50重量％以上上述主单体。
作为共聚性单体，例如，有(甲基)丙烯酸的羟基烷基酯(例如，羟乙酯、羟丁酯、羟己酯等)、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟基甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁氨基乙酯等)、醋酸乙烯、苯乙烯、丙烯腈等。这些共聚性单体，可以使用1种或2种以上。此外，上述丙烯酸类聚合物，为了交联，根据需要，作为共聚用单体成分也可以含有多官能性单体等。
上述丙烯酸类聚合物可以通过使单一单体或2种以上单体混合物参加聚合而获得。聚合也能够以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任何方式进行。从防止半导体晶片等的污染等方面考虑，胶粘剂层优选低分子量物质含量小的。基于此点，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选30万以上，更优选60万～300万的范围。
在上述胶粘剂中，为提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，也可以适宜添加交联剂。作为交联剂，例如，有聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、密胺树脂、尿素树脂、酐化合物、聚胺、含羧基的聚合物等。在使用交联剂时，考虑到不过分降低剥离胶粘力，其使用量，一般，相对于上述基础聚合物100重量部，优选配合0.01～5重量部。此外，形成胶粘层的胶粘剂中，根据需要，除上述成分外，可以含有以往众所周知的各种增粘剂、防老化剂、填充剂、防老化剂、着色剂等常用的添加剂。
为提高从芯片的剥离性，胶粘剂优选是由紫外线、电子射线等固化的放射线固化型胶粘剂。另外，作为胶粘剂，在采用放射线固化型胶粘剂时，由于在切割工序后，向胶粘剂层照射放射线，所以上述基材薄膜优选具有足够的放射线透过性。
作为放射线固化型胶粘剂，能够无特别限制地使用具有碳-碳双键等放射线固化性的官能团、且显示胶粘性的胶粘剂。作为放射线固化型胶粘剂，例如，可以举例在上述丙烯酸类聚合物中配合放射线固化性的单体成分或低聚物成分的放射线固化性胶粘剂。
作为配合的放射线固化性的单体成分或低聚物成分，例如，有三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸和多元醇的酯化物，酯丙烯酸酯低聚物，2-丙烯基-二-3-丁烯氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯等异氰脲酸酯或异氰脲酸酯化合物等。上述单体成分或低聚物成分的粘度不特别限制，但为提高对镜面硅片的剥离胶粘力，25℃时的粘度(用B型旋转粘度计测定)优选5Pa·sec以上，更优选10Pa·sec以上。
放射线固化性的单体成分或低聚物成分的配合量不特别限制，但如果考虑到提高对镜面硅片的剥离胶粘力，相对于构成胶粘剂的丙烯酸类聚合物等的基础聚合物100重量部，例如可以是30～150重量部，优选50～120重量部的范围。
此外，作为放射线固化型胶粘剂，作为基础聚合物，也可以采用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳-碳双键的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架。此时，也可以不特别地添加放射线固化性的单体成分或低聚物成分，其使用是任意的。
对于上述放射线固化型胶粘剂，在利用紫外射线等固化时，含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，有苯偶姻甲醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚类，苄基、苯偶姻、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类，苄基二甲醛缩苯乙酮等芳香族酮缩醇，聚乙烯二苯甲酮、2-氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。光聚合引发剂的配合量，相对于构成胶粘剂的丙烯酸类聚合物等的基础聚合物100重量部，例如可以是0.1～10重量部，优选0.5～5重量部的范围。
本发明的切割用胶粘薄膜，例如，在基材薄膜11的表面，涂布胶粘剂溶液，通过干燥(根据需要实施加热交联)形成胶粘剂层12，根据需要，能够通过在该胶粘剂层12的表面贴合隔片13制造。此外，也可以采用在剥离衬底13上形成胶粘剂层12后，将它们贴合在基材薄膜11上的方法等。
为了标签加工或平滑胶粘剂的目的，根据需要设置隔片13。作为隔片的构成材料，例如，有纸、聚乙烯，聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂薄膜等。为提高从胶粘剂层的剥离性，根据需要，也可以在隔片的表面上实施硅处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。此外，根据需要，为使胶粘薄膜不因环境紫外线而发生反应，也可以实施防止紫外线透过的处理。隔片的厚度通常在10～200μm，优选25～100μm的范围。
本发明的切割用胶粘薄膜，用上述胶粘力达到10N/25mm以上的温度被粘贴到半导体元件等的被切断体上。在粘贴切割用胶粘薄膜后，按常规方法进行切割。切割温度在10～35℃的范围，但一般在室温(23℃)下进行。在切割工序，使刀片高速旋转，按规定的尺寸切断被切断体。切割可以采用切入到上述胶粘薄膜的基材内部的称为全切的切断方式等。另外，当在胶粘剂层采用放射线固化型胶粘剂时，根据胶粘剂的种类，在切割后利用放射线照射固化胶粘层，降低胶粘性。通过切割后的放射线照射，由于固化，胶粘剂层的胶粘性降低，能够易于剥离。放射线照射的方法不特别限定，例如，可用紫外线照射等进行。
实施例以下，根据实施例，更详细地说明本发明，但本发明并不局限于这些实施例1(基材薄膜)作为基材薄膜，采用厚度70μm的直链低密度聚乙烯薄膜。在该薄膜的单面实施电晕放电处理。
(胶粘剂的调制)在醋酸乙烯溶液中，利用常规方法，共聚丙烯酸甲酯(均聚物的Tg＝8℃)60重量部、丙烯酸丁酯(均聚物的Tg＝-54℃)30重量部及丙烯酸(均聚物的Tg＝106℃)10重量部，得到含有重均分子量为80万的丙烯酸类共聚物的溶液，然后在该溶液中添加通过使三丙烯酸季戊四醇酯和二异氰酸酯反应得到的放射线固化性低聚物(25℃时的粘度10Pa·sec)60重量部、光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、Chiba Specialty chemicals制)3重量部及聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯制)2重量部，得到丙烯酸类放射线固化型胶粘剂溶液。
(切割用胶粘薄膜的制作)在基材薄膜的电晕放电处理面上，涂布按上述调整的胶粘剂溶液，在80℃加热交联10分钟，形成厚度7μm的放射线固化型胶粘剂层。然后，在该胶粘剂层面贴合隔片，制成紫外线固化型切割用薄膜。
实施例2
(胶粘剂的调制)在醋酸乙烯溶液中，利用常规方法，共聚丙烯酸乙酯(均聚物的Tg＝-22℃)50重量部、丙烯酸2-乙基己酯(均聚物的Tg＝-85℃)25重量部、丙烯酰基吗啉20重量部及丙烯酸(均聚物的Tg＝106℃)5重量部，得到含有重均分子量为70万的丙烯酸类共聚物的溶液，然后在该溶液中添加五丙烯酸酯(pentaacrylate ester)(商品名“KAYARAD SR-9041”、日本化药制、25℃时的粘度15Pa·sec)50重量部、光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、Chiba Specialty chemicals制)3重量部及聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯制)3重量部，得到丙烯酸类放射线固化型胶粘剂溶液。
(切割用胶粘薄膜的制作)在实施例1中，作为胶粘剂溶液，采用按上述得到的，并且除使胶粘剂层的厚度设定5μm外，与实施例1同样地制作紫外线固化型切割用薄膜。
比较例1(胶粘剂的调制)在醋酸乙烯溶液中，利用常规方法，共聚丙烯酸2-乙基己酯(均聚物的Tg＝-85℃)95重量份及丙烯酸(均聚物的Tg＝106℃)5重量部，得到含有重均分子量为70万的丙烯酸类共聚物的溶液，然后在该溶液中添加三丙烯酸季戊四醇酯(25℃时的粘度1Pa·sec)60重量部、光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、Chiba Specialty chemicals制)3重量部及聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯制)5重量部，得到丙烯酸类放射线固化型胶粘剂溶液。
(切割用胶粘薄膜的制作)在实施例1中，除作为胶粘剂溶液采用按上述得到的外，与实施例1同样制作紫外线固化型切割用胶粘薄膜。
比较例2在实施例2的切割用胶粘薄膜的制作中，除使放射线胶粘剂层的厚度设定20μm外，与实施例1同样地制作紫外线固化型切割用胶粘薄膜。
(对镜面硅片的剥离胶粘力)以25mm宽、长方形状切断在实施例及比较例中得到的切割用胶粘薄膜，在设定在23℃(室温)及70℃的加热板上，粘贴镜面硅片(信越半导体株式会社制造，CZN<100>2.5-3.5(4英寸))。在室温保护气氛下，静置30分钟后，在23℃的恒温室内，测定180°剥离(拉伸速度300mm/min)胶粘力。结果见表1。
(碎裂评价)在实施例及比较例中得到的切割用胶粘薄膜上安装，在23℃(室温)及70℃气氛下研磨(#2000精加工)了背面的厚150μm的6英寸晶片，然后，按以下条件，在23℃(室温)下切割。切割后，从薄膜的背面照射紫外线(500mJ/cm2)，然后，拾取(剥离)任意的50个半导体芯片，之后，用光学显微镜(200倍)观察在半导体芯片侧面的芯片厚度方向上的碎裂的深度，按每一尺寸计数碎裂的数量(个数)。结果见表1。
(成品率)就碎裂评价的任意的50个半导体芯片，其碎裂尺寸不在50μm～以上的芯片比例作为成品率(％)。
切割条件切 割 机DISCO公司制造，DFD-651刀片DISCO公司制造，27HECC刀片转数40000rpm切割速度120mm/sec切割深度25μm切割方式下切式(down cut)切割尺寸2.5×2.5mm
表1
由表1可以看出，尽管实施例1的切割用胶粘薄膜的胶粘剂层薄，但由于粘贴温度无论在室温(23℃)，还是在高温(70℃)，对镜面状硅片的剥离胶粘力都在10N/25mm以上，所以不发生尺寸50μm～以上的碎裂，成品率良好的。此外，在实施例2中，粘贴温度在室温(23℃)时，对镜面状硅片的剥离胶粘力低于10N/25mm，发现有少量尺寸50μm～以上的碎裂，但在高温(70℃)时，对镜面状硅片的剥离胶粘力提高到10N/25mm以上，未发生尺寸50μm～以上的碎裂，成品率良好。另外，在比较例1中，粘贴温度无论是在室温(23℃)，还是在高温(70℃)，对镜面状硅片的剥离胶粘力都低于10N/25mm，发生尺寸50μm～以上的碎裂，成品率差。此外，在比较例2中，粘贴温度无论是在室温(23℃)，还是在高温(70℃)，对镜面状硅片的剥离胶粘力都在10N/25mm以上，但由于胶粘剂层的厚度超过10μm，发生尺寸50μm～以上的碎裂，成品率差。
采用本发明的切割用胶粘薄膜的切割方法，被切断体的成品率高，而且能够防止在切割时发生碎裂，特别适用于用作固定半导体晶片等被切断体的半导体晶片切割用胶粘薄膜等。因此，本发明在工业上应用的可能性高。
权利要求
1.一种切割用胶粘薄膜，在基材薄膜上设置有胶粘剂层，其特征在于，所述胶粘剂层的厚度为1～10μm，而且，所述切割用胶粘薄膜具有这样的粘贴温度，即在将切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上。
2.如权利要求1所述的切割用胶粘薄膜，其特征在于在镜面状硅片上粘贴切割用胶粘薄膜的温度为20～80℃。
3.如权利要求1或权利要求2所述的切割用胶粘薄膜，其特征在于通过放射线固化型胶粘剂形成切割用胶粘薄膜的胶粘剂层。
4.一种切割方法，其特征在于将如权利要求1～3中任何一项所述的切割用胶粘薄膜，在将所述切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上的粘贴温度下，粘贴到被切断体上后，切割被切断体。
全文摘要
本发明的切割用胶粘薄膜，是一种在基材薄膜上设置有胶粘剂层的切割用胶粘薄膜，其特征在于，上述胶粘剂层的厚度为1～10μm，而且，所述切割用胶粘薄膜具有这样的粘贴温度，即将切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃、进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上。采用使用本发明的切割用胶粘薄膜的切割方法，半导体晶片等被切断体的成品率高，而且能够防止在切割时发生碎裂。
文档编号H01L21/67GK1541257SQ0281572
公开日2004年10月27日 申请日期2002年8月2日 优先权日2001年8月10日
发明者山本昌司 申请人:日东电工株式会社