专利名称：用于电子器件的晶片级老化试验的系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子器件的热和电气老化试验。更具体地说，本发明涉及适用于半导体工业元件的按晶片老化试验，它采用两个与晶片相反两面相接触的电触点。本发明还涉及垂直腔体表面发射激光器(VCSEL)的晶片级老化试验。
背景技术：
当今绝大多数元件中都有固态半导体器件。例如，半导体激光器就是用于光电子通信系统和高速印刷系统中的重要器件。虽然目前大多数应用中是使用边缘发射激光器，但对于垂直腔体表面发射激光(VCSEL)的关注已不断增加。其原因是边缘发射激光器产生的光束角度发散很大，以致很难有效地收集发出的束。另外，在晶片未分成单独的器件(其边缘构成每个器件的镜状平面)之前无法对边缘发射激光进行测试。另一方面，VCSEL的束不仅角度发射小而且它发射的光垂直于晶片表面。同时，由于VCSEL把镜面整体地做到其结构内，因而可以在晶片上测试并加工一维或二维激光器阵列。在一个晶片上加工出60,000个以上的半导体激光元件是很普通的事。
VCSEL一般是在一种衬底材料上生长几层反射材料而制成。VCSEL包括一个第一镜面堆叠体(用半导体制造技术作在衬底上)，一个活性区(形成于第一镜面堆叠体的顶上)，和一个第二镜面堆叠体(形成于活性区的顶上)。通过在第二镜面堆叠体顶上提供一个第一触点以及在衬底的背侧上提供一个第二触点就能使电流流过活性区，从而激发VCSEL。VCSEL可以用置于典型的GaAS衬底之内或周围的镓、砷、氮、铝、锑、磷和/或铟的组合而制成/生长。
在历史上半导体的制造曾经是一个很费工费钱的多步骤过程。元件的老化试验通常是指对新加工半导体元件的热和/或电气测试过程。老化试验可以单独识别一堆或一批元件中的不合格品。目前元件老化试验是在“组件”一级进行的，即单独封装好的器件一般是在从晶片产生出来之后进行测试的。由于所需劳动量很大，无论是芯片老化试验或组件一级的老化试验对制造商而言都是很费钱的。每个元件都要测试，就要求足够的人员都参加。
尽管目前半导体工业已开发的晶片级老化试验(WLBI)的方法和系统，但所提出的系统和方法一般要求有一些电探头与晶片上的一些电触点接触。这类系统可能很复杂且需要对探头与触点的对准额外小心。例如，授权给Nakata等人的美国专利6339329“同时测试多个半导体集成电路电气特性的方法”，是半导体工业中WLBI的典型技术方向。Nakata等人的专利说明如何同时测试一些半导体集成电路元件，方法是将一些探头端点与分别和晶片上多个半导体集成电路元件相连的测试电极相接触，并通过一些正温度系数元件把一个电压从共用电压源线加到每个测试电极上。
半导体制造工业需要能降低目前为器件老化试验所要求的成本和相关的劳力的方法和系统。另外，半导体工业需要的晶片级老化试验(WLBI)的方法和系统，它可用于具有前后触点(如VCSEL，二极管，LED和其它半导体器件)的半导体器件的制造和测试。本发明人认为，通过提供完成元件的晶片级老化试验的方法和系统，会有利于改进目前的老化试验程序。因而，本发明将提供并描述一种能改进目前此类技术中存在的缺点的新方法和装置。
发明内容
下面的发明概要是为便于了解本发明特有的一些创新特征，而不是一个完整的描述。为全面了解本发明的各个方面应整体参看全部说明、权利要求书、附图和摘要。本专业的普通人员阅读本说明后将会对本发明的其它目的和特征有更清楚的了解。
本发明一个特征是提供半导体器件的晶片级老化试验的系统。
按照以前方法所加的限制，所提供的系统是用于晶片一级的老化试验电子元件，即晶片级老化试验(WLBI)。
本发明一个特征是提供一个WLBI系统，它包含顶和底接触板，用来造成与具有前后触点的半导体晶片的电接触。
本发明另一个特征是提供一个WLBI系统，它包含一个热交换器，用来帮助调节老化试验过程中的晶片温度。
本发明另一个特征是选择性地提供一个石墨箔，以有利于接触板和/或晶片触点之间的接触。
本发明另一个特征是提供一个电功率调节器，以提供通过经受老化试验过程的晶片上的元件的电流和电压。
本发明另一个特征是提供为维持晶片级老化试验系统过程中所需电流和温度水平所必需的监控和自动调节设备。
本发明另一个特征是提供一个晶片级老化试验系统，它包含晶片支持硬件，用来提供正在经受老化试验过程的晶片的机械固定。
本发明另一个特征是提供一个晶片支座，它为正在经受老化试验过程的晶片提供可控的夹持力、电接触和温度界面。
本发明另一个特征是描述实现半导体器件的晶片级老化试验的方法，其中一个包含半导体器件的晶片正在被加工并经受晶片级老化试验，各单个器件是在老化试验后从晶片制成的，而可供使用的器件可以提供(发送)给用户。
晶片级老化试验可减少对封装件级老化试验的要求并降低元件生产成本。我们将描述一种具有特殊接触板的WLBI系统，这些板用作电极，以便用于对由晶片制成的半导体器件的前后触点的晶片的每个表面/侧面加上电偏压。另外，还将描述一种柔软的导电层(如石墨)、毡制材料(可以是盘形)，它用来同时为带电接触的晶片的器件边和/或衬底边提供引线。此柔软导电层可以让每个由晶片制成的器件具有一个有效的串联电阻R，从而协助保持偏压电平始终如一。柔软导电层还能防止由于容器接触将压力施于处在老化试验操作下的晶片上时损坏晶片。因为这个柔软导电层可能变形而吸住晶片器件一边的引线接触表面。我们还将描述一种冷却系统，它可以将均匀温度加到正经受老化试验的晶片上。
各附图中相似的标号表示相同或功能类似的元件，它们结合本说明的各部分进一步说明本发明，并与本发明的详细说明一起用来解析本发明的原理。
图1是现有技术的在底层和顶层有电触点的半导体器件的放大示意图，及一个包含多个如该放大示意图所示的器件的现有技术的晶片的示意图；
图2是本发明一个实施例的示意图，其中一个系统可提供与晶片的电和热接触，用一个自调节的上接触部件控制所加的实际压力，并用一个热交换器调节温度；图3是本发明另一个实施例的示意图，其中上下接触组件与晶片的电接触点相接触，所示热流经过整个组件，同时通过一个热交换器将热调节到大约在所设定的温度；图4是一种柔软晶片接触材料的示意图，它是导电的，构成与晶片相似的形状，以及用来为晶片上的半导体提供公共的电接触点，图中还画出了复盖晶片(明显表示的晶片底面)的表面(器件一边)的材料；图5是本发明另一个实施例的示意图，其中一个框架结构支撑着晶片接触组件，方法是在各正(+)负(-)电位组件之间提供电绝缘/阻挡装置，以及热交换器及正在经受热和电测试(或晶片级老化试验)的晶片；图6表示本发明另一个实施例，其中电功率源，热功率源，热电偶和测热设备与系统的上下组件相接触，还有通过热交换器提供温度控制的可选装置；图7表示本发明另一个实施例，其中显示了一个降低和升高上接触板的机构，此机构可以是由液压、气缸、气动或其它方式控制的；图8为按本发明用于WLBI系统的机械、电气和测量元件；图9为按本发明完成WLBI的方法步骤流程图；图10为按本发明完成WLBI过程中的示范日志或记录；图11为一个散热器的顶视图和侧视图，它可用作热交换器以帮助于接触板，最终也是正经受测试的任何晶片的冷却；图12为按本发明一个WLBI系统下面部件的透视图，其中散热器用电绝缘玻璃纤维装置安装在一个铝底座上；图13是本发明另一实施例的侧视图，其中可用液体来冷却系统的下接触部分；图14是一个液体冷却系统的另一个侧面透视图，其中可用一个预热元件来控制液体温度；图15是本发明另一实施例的侧视图，其中底接触板上开有一孔，以便用一个热传感器在最靠近由下接触板支撑的晶片中心处对接触板中心附近的板温作精确测量，同时还显示了一个新的提供液态冷却剂的结构，冷却剂通过一根铜管直接导向下接触板的底部；图16是本发明另一实施例的侧视图，其中上接触板装在一个壳体内，上板水平调节机构用于上接触板找平，且下接触板被紧密地结合为热交换器部件的一部分，液体冷却剂可以在接触板/热交换器的下表面上喷洒；图17是本发明另一实施例，其中上下两个接触板都利用冷却剂装置来维持晶片温度；图18表示与晶片和导电层接触的上下接触板的另一个侧面透视图，其中冷却剂和加热液体通过液体管道提供给上下接触板部件，同时一个球状触点为上板用于相对于被老化试验的晶片的找平。
具体实施例方式
本专业技术人员在考查本发明下面的详细描述，或通过实践本发明的学习后将对本发明的新特征有清楚的了解。但应指出，对本发明的详细描述和提供的具体实例只作为本发明的某些实施例用于说明的目的，因为本专业技术人员从本发明的详细描述和后面的权利要求书中很容易在本发明的范畴内作各种改变和修正。
本发明采用新的方法和系统替代元件或器件级的老化试验，以低很多的成本实现老化试验。本发明教导如何在各元件是晶片的整体部分的情况下同时对许多以晶片为基础的元件进行老化试验，而不是采用本行业目前已知的一些方法，目前已知的方法一般要求一次处理一个芯片/元件。现有的方法一般需要较大的劳动强度。另外，本发明大大降低了由晶片后老化试验操作造成的器件报废率。
参看图1，这是一个现有技术的半导体器件例子，将它在晶片100上的位置加以放大表示。这个以放大图表示的器件一般例如是一个活性器件，如一个VCSEL或LED。器件(如VCSEL)的活性区120产生并放大光，它通过器件表面上的窗口或开口传至出口115。电压在公共触点105处(一般位于器件和晶片的底部)加至器件上，且通常加的是负电压。公共触点105一般与晶片100的衬底相连。通常用来加正(+)电压到器件上的第二触点110典型地是处在器件的最上层。在器件加工过程中，示于放大图中的部分从晶片100中切出。在本发明之前，一般的作法是在封装之前或之后对单个晶片进行老化试验。根据本发明，现在所有的器件都不需要与晶片100分开就能进行老化试验测试(热和电)。
参看图2，图中画出了本发明一个重要实施例的主要元件。在一个晶片级老化试验(WLBI)系统200中，晶片100处于上接触板210和下接触板215之间。应指出，此系统只需要包含两个电接触板，即接触板210和215，虽然根据本发明也可以采用其它的电触点。另外应指出，可以把一个系统设计成垂直地接收半导体晶片，这时可把上接触板称作第一接触板，下接触板称作第二接触板。此外，对于本详细说明而言，我们假定利用了重力而使它水平地工作。因此，现在是利用上下接触板210、215来给晶片100提供正和负的电位。如原先在图1中所示，公共触点105(它可以是晶片的衬底)由下接触板215提供电接触。上接触板210可以直接通过各器件各自的表面触点110直接给形成于晶片100上的每个器件提供电接触。
必须指出，在晶片的生产/处理过程中，晶片100的上表面(即器件一侧)可能有变化，或者也可能在上接触板210的表面上产生变化，因而可能无法给晶片上所有器件加上电位。为保证所有器件都从上接触板210加上电位，可以在上接触板210和晶片100之间通过公共触点110有选择地引进一个柔软导电层220。柔软层还可以减少晶片100在器件一侧的机械压力。另外，还可通过公共触点105在下接触板215和晶片100之间有选择地引进柔软层220，以防止在晶片100上产生过大的机械压力。上接触板210可由控制器230控制。此控制器可让上接触板210的表面相对于器件触点110或柔软导电材料200(当使用时)的表面最优化地选定一个方位。这个控制器可提供上板210的X-Y-Z方位。
在老化试验过程中，可通过上接触板210将热能直接提供给晶片100表面上的所有器件触点110。如果选用了柔软层220，热能还必须足以通过它而进入晶片100。为维持处理过程中晶片上的老化试验温度不变，可以采用热交换器225。热交换器225可通过下接触板215为晶片100提供冷却作用。热交换器225可包含散热材料，液体冷却，空气冷却和其它业界熟知的热传导方法来稳定晶片上的温度不变。
参看图3，它显示了图2所述系统的元件在工作过程中所观察到的位置。在老化试验测试中，系统的上接触部分310处在与晶片100或柔软层220的上表面(例如，各单个器件触点110)相接触的位置。为实现上接触部分310对晶片110表面的最优化定位，即使装上了柔软层220，也可用上调节机构330来使上接触板210相对于晶片表面移动或“找平”。柔软层220不仅便于与晶片100上的器件触点作电接触，而且还有助于防止从上接触部分310所加的机械压力，这种压力可能毁坏晶片或晶片上的单个器件。由于柔软层220的柔软性可减少或防止在晶片上或晶片上的单个器件上产生断裂等损坏。可以通过下接触部分320实现热调节350，而热能340是通过上接触部分310施加的。
参看图4所示的柔软层220和晶片100。承受老化试验过程的晶片置于图2所示的下接触板215的顶端，而晶片表面410面向上朝着图2的上接触板210。然后把柔软层220放在晶片410的顶端。最好把柔软层切成或做成一个“圆盘”形，其直径稍大于晶片100的外径。图4显示了柔软层220和晶片底420的组合，其中柔软层220的直径大于晶片100的直径。
使用时柔软层220应象一种中间接触材料那样工作，它能导电，导热，而且可以机械压缩。柔软层应给老化试验电路增加足够的电阻，以便流过晶片100上各芯片之间的电流变化最小。柔软层还必须是导热的，以将热流传给/传出半导体晶片。柔软层220必须是可机械压缩的，以保证在不均匀的晶片和电极表面上有均匀的接触，并防止半导体晶片表面(上和/或下表面)受损。可以采用的材料包括(但不限于)Z-轴合成橡胶，导电合成橡胶，导电橡胶，金属薄膜，金属浸渍聚合物薄膜，石墨片，和牺牲图形化金属。例如，由美国Oregon州Trontdale市的Toyo Transo USA公司制造和发售的名为PERMA FOIL的石墨膜片，可以从高纯度石墨片切成。PERMA FOIL的特性如下温度范围-200℃至+3,300℃压缩度(垂直于表面)45％导热系数(平行于表面)120Kcal/m.Hr℃导热系数(垂直于表面)4Kcal/m.Hr℃特定电阻率(平行于表面)900μΩ-cm特定电阻率(垂直于表面)250,000μΩ-cm热膨胀系数(平行于表面)5×10-6/℃
热膨胀系数(垂直于表面)2×10-4/℃参看图5，这是一个按本发明的用于晶片级老化试验的系统500的示意图。图中显示处于老化试验位置的晶片100和可任选的柔软层220。对图3所示的上接触部分310的控制可通过一个手动控制器510来实现。例如，将机械调节机构顺时针或反时针旋转可分别让上接触部分310降低或抬高。系统500上部540和下部550电位可通过置于540和510之间的电绝缘体530实现。当然，本专业技术人员应明白，电绝缘可以设在系统500的其它位置。如图5所示，下组件550可以包括热交换器520。
图6为按本发明的WLBI系统600的示意图，各元件协同提供晶片级老化试验过程中的电功率，热功率，以及测量和控制部件。电功率可通过电功率发生器610提供给上(615)和下(620)接触组件。热功率可通过一个置于与上接触板615正上方(见图6)相接触处的热耦合器640来提供。温度可由热电偶650监测。热电偶650可与热功率发生器630和热交换器660协同工作，以通过热耦合器640和热交换器660的协调维持晶片上的温度不变。电功率可通过电功率发生器610或其它本领域熟知的电气设备来维持。如图6所示，热交换器660可通过液体，空气，散热材料，或控热装置的任何组合及其等效物来提供热控制。
图7为本发明另一个实施例，其中的WLBI系统700包括一个降低或升高上接触板705的机构710。此机构710可以是液压的，气缸式的，气动的，或其它形式控制的。图7还显示了电接触点720和730，上面可以固定从发电机来的电缆线。图中还表示可把电绝缘子740安置在系统700的底座760附近的热交换器750下面。
图8是按本发明的用于WLBI系统800的机械810，电气820，控制830和测试元件840。该系统800已在VCSEL晶片老化试验中成功地测试过。
现在描述按本发明进行WLBI的方法。必须指出，对于不同的半导体晶片，可以改变步骤，时间长短，电/热量和其它参数上有所变化。在下面例子中用到的VCSEL，它的确切方法，步骤，时间长度和电/热量，不应看着是对本发明的方法和系统的限制。
参看图9，这是一个按本发明为接收到的一批晶片进行晶片级老化试验处理的流程图。在老化试验处理之前，应在步骤905对晶片，石墨片，和接触板进行清洁。晶片的编号(一般刻在晶片外顶面边缘上)应在把VCSEL晶片和石墨片(热交换器220)装到底接触板(步骤910)之前检查并记录下来。晶片的底面应置于下接触板上，使它面对/接触底接触板和柔软层220(如用了的话)，然后可置于晶片的顶(器件边)面上。接着在步骤915以小的接触力(为防止晶片被损)将接触板小心关闭。然后把与接触板电接触的电源偏置电流设置在一个选定的老化试验设置上，并让偏置电流渐增至工作值(步骤920)。接着把热交换器(如冷却风扇)和热源(如加热器)开启(步骤925)，达到其适当的老化试验规范。
一旦老化试验过程开始，老化试验开始信息和设置的纪录，可以纪录在一个老化试验日志/表格上(步骤930)。在老化试验过程中，对每个晶片的晶片级老化试验电流和温度进行监控，这可能要用几个小时或几天，依器件或应用不同而定。
在老化试验过程完成之后，加到晶片上的偏置电流降低并最终被关掉(步骤940)，同时加热器也被关掉(步骤940)。老化试验停止时间和其它可观察的信息可纪录在信息日志上(步骤945)。晶片一般在步骤950冷却至30℃以下。在冷却以后，热交换器(冷却装置，可能包含一个由电源驱动的风扇)被关掉(步骤955)，而且出于安全和防静电放电的原因，应把其它任何设备关掉。然后在步骤960将接触板打开。接着在步骤965把晶片和柔软片材料取走。再在步骤970将晶片清洗以去掉石墨(或其它柔软层220)颗粒，并将晶片送回处理组(步骤975)。然后将另一个VCSEL晶片从该批装入系统，或者若该批已处理完，则可将其送至下一工序(例如，进行确认测试或器件组装)。
众所周知，处理半导体晶片时必须考虑到静电放电(ESD)。在处理半导体晶片和器件时，任何时候都应该作恰当的清洗并采用非静电设备，程序和材料。
在上述处理过程中提到了“偏置电流的渐升/降”和接触板关闭过程中的机械压力。现在根据这些重要的处理考虑对本WLBI处理方法提供更详细的信息。
在晶片老化试验之前开始清洗的过程中，可以把不起毛的纸放在工作面上。可以用蘸有丙酮的不起毛纸巾揩擦导电石墨片(柔软层220)以去掉颗粒。可以用空气去尘(air-dusting)产品吹喷晶片的两面以缓慢地把松散的灰尘去掉。还可用不起毛纸巾揩擦老化试验系统的顶和底接触板以去掉颗粒，特别是前面的晶片老化试验中可能留下的石墨或其它颗粒。系统的接触板和晶片板也可以用空气去尘产品吹喷。
观察需要进行晶片级老化试验的新晶片的批号和晶片号，然后记在日志中。图10为日志一页的例子。晶片号一般刻在晶片顶面边缘上。
然后把晶片80和柔软层220(即导电片材料，如采用了的话)装载到如图2所示的系统内。装载时一般用镊子把晶片夹住并放到底接触板上，晶片平面面朝上。接着用镊子将柔软层220夹住放到VCSEL晶片顶上，柔软层220的平面边缘与晶片平面边缘相匹配，如图4所示。
然后把接触板关合在晶片和盘上。系统可以装上手动或自动接触关合装置。这里所说是一个关合自动化系统的过程。在准备关合自动化触点关合装置时，可把上接触板气缸空气压力计设在10*5psi。然后按下与接触板相连的“向下”按钮将接触板关合。在接触板关合过程中对晶片和/或石墨片进行监测，以确保它们不产生移动/滑动。若有移动，则要有一个操作员把板打开并重复这些步骤。
在接触板关合之后，操作员应等候一分钟左右使系统和晶片稳定下来，然后压力(可由气缸产生)将增加，而按下面的顺序监控空气压力计205*psi 一分钟305*psi 一分钟405*psi 一分钟505*psi 一分钟我们发现，在VCSEL测试过程中的最终工作条件在汽缸压力计的读数为505*psi时达到最佳，这相当于在晶片上的夹紧力为90psi。
接下来的过程中可以把电接触上的偏置电流逐渐升高。首先，操作员应把电压传感器/电压表的引线短路在一起(以防止电源升高过程中供给电流过大)。操作员可将一个500安培的电源打开。在开始的名义读数可以是低于3.0伏的开路电压和0安的短路电流。当把电压测量引线短路时，电源的读数应为约0V电压输出和0A输出电流。开始可把电源偏置电流设在10A。操作员然后把电压测量表的短路引线取走。这时电源输出电压应增至1-2V。操作员按下面的时间表手动缓慢地逐渐升高偏置电流(采用电源装置中通用的电流调节旋钮)对于120A晶片10A2分钟(在测量短路线取走以后)20A3分钟40A4分钟80A5分钟120A 对最终的老化试验读数。
对于170A晶片10A1分钟(在测量短路线取走以后)20A2分钟40A2分钟80A3分钟120A 3分钟170A 对最终的老化试验读数。
对于480A晶片20A1分钟(在测量短路线取走以后)40A2分钟80A3分钟160A 4分钟240A 5分钟320A 5分钟360A 5分钟400A 5分钟440A 5分钟480A 对最终的老化试验读数。
为避免过大的温度变化造成晶片震动和破裂，缓慢地升高偏置电流很重要。这时电流升高率将限制热变化小于5℃/分钟。对于常用的各种类型晶片的老化试验电流可参见表1。
表1
接下来，操作员应从热电偶读数上校验晶片衬底的温度。例如，用于VCSEL晶片的晶片温度应从25℃稳定地增至125℃的老化试验温度。然后把热交换器启动。如果热交换器是一个带冷却风扇的散热器，则应把冷却风扇的开关接通(如果还没有工作的话)，并把热监控温度设置成将冷却风扇控制在与如表1所示的器件指标相符(例如85℃或125℃)。这样带自动控制的风扇就可以循环开/停，使衬底温度超过设定控制温度时让晶片冷却。
可以用热电偶读数来校验晶片/晶片衬底的温度。晶片温度可以以不到5℃/分钟的速率稳定地增至所规定的老化试验温度。对于120A和170A那类晶片，操作员应在晶片衬底温度超过50℃时将顶板加热器电源开启。480A那类晶片一般不要求顶板加热来达到老化试验温度。对于VCSEL晶片，当晶片衬底温度达到100℃(对125℃老化试验条件那类晶片)和60℃(对85℃老化试验条件那类晶片)，就认为晶片老化试验“开始了”。开始时间和其它信息的记录可记在如图10所示的老化试验日志的适当位置。
操作员从老化试验一开始直到晶片衬底温度稳定在规定的老化试验温度(例如，对VCSEL为85℃或125±5℃)，并在整个老化试验过程中(例如，对VCSEL为20小时)定期地校验晶片衬底温度。冷却风扇应在±5℃的温度范围内循环启/停。120A和170A的晶片很少要循环开风扇。480A的晶片大约每隔2分钟开/停一次风扇。在老化试验过程中还应对电源电流定期监控，以验证还维持的额定的偏置电流。还应定期检验夹持(接触)压力，以保证维持适当的读数(例如对VCSEL为50*5psi)，使晶片上保持合适的热和电接触。还可定期地监控顶接触板加热器，以保证维持适当的读数。若晶片衬底温度超过最大许可值(例如，对VCSEL为135℃)则应立即采取措施把冷却风扇设在“接通”位置，或者如需要的话，降低/切断电源偏置电流。
完成老化试验周期后，把电流逐渐减小并将加热器关掉。对于SCSEL操作员应按下述仔细缓慢降低电源偏置电流(以避免温度变化引起晶片震动和破损)，并将顶板加热器关掉120A晶片120A是在顶板加热器接通时的老化试验状态设置。将顶板加热器如下地关掉80A3分钟40A3分钟20A3分钟10A3分钟0A 将偏置完全关掉。
170A晶片170A是在顶板加热器接通时的老化试验状态设置。将顶板加热器如下地关掉120A 3分钟80A3分钟40A3分钟20A3分钟10A3分钟0A 将偏置完全关掉。
480A晶片480A是在顶板加热器断开时的老化试验状态设置。
400A3分钟360A3分钟320A3分钟240A3分钟160A3分钟80A 3分钟40A 3分钟20A 3分钟10A 3分钟0A 将偏置完全关掉。
偏置关掉时把各电压测量线短路在一起。
这种操作应防止电源在晶片和接触板上变成-1.0V。然后将电源关掉。接着把停止时间和日期记录在老化试验日志上。停止时间可以是操作员开始做老化试验电流渐降循环的时间。然后晶片将冷却至＜80℃的衬底温度，此时夹持力被加上，没有偏流，且冷却风扇设置在老化试验状态。对于120A的晶片，在冷却风扇设置在老化试验状态下将晶片冷至70℃以下。这个冷却周期一般花费不到20分钟。当衬底温度降至＜80℃(或对120A晶片＜70℃)时，可将冷却风扇置于“接通”位置。风扇将以全速连续运转。这将使冷却速度加快(但晶片热变化仍为＜50℃/分钟)。当晶片衬底温度降至30℃以下时，可将冷却风扇接到“自动”位置。一般当风扇一直接通的冷却周期应花费不到20分钟。
为打开接触板，接触板夹持空气压力计读数应按下面的顺序从50psi降至10psi50*5psi老化试验设置40*5psi1分钟30*5psi1分钟20*5psi1分钟10*5psi1分钟为打开触点，操作员将接通触点“向上”开关。顶接触板应缓慢开启。操作员应观察开启过程中晶片和盘的吸持和滑动。需要的话，操作员要用钳子夹住晶片，以防止它滑落底板。当顶接触板停止向上移动时，就可以把晶片和盘取下。晶片和盘应在底板上粘在一起。从下接触板取下后，应检查晶片是否有破损或任何其它眼睛可看出的损伤。此过程通常在将晶片的全部信息和观察结果记录在老化试验过程日志上之后结束。
此处描述的接触方法是对于具有与前与后接触点的电子器件。它包括，例如VCSCL型激光器、其它激光器、LED、半导体；二极管，及其它型式的电子器件。该接触方法最后包括两个不同的电极，置于晶片的每一侧以施加偏压。柔软层220的使用能接触到整个晶片表面以及它上面的所有器件。
此处所描述的以柔软的和/或石墨材料构成为符合晶片尺寸与形状的盘片的柔软层220可以加到电极(接触板)和晶片之间的晶片一侧、二侧或没有一侧之上。如以上图4所说明的有关详细的某些描述，该中间接触层220是导电、导热和机械可压缩的。
目前的WLBI系统可以包括在电子、电气、机械、测量和控制技术中现在可得到的装备和设计。这些包括但不限于两个或多个电极，它们与晶片二侧的整个表面面积接触以施加偏压和机械接触。
两个或多个高导电和导热电极，它们提供跨越晶片的均匀偏压和温度。
一个机械地可以压缩电极以便施加或除去接触所需的可控制和测量的机械力。
一个温度控制的热交换器结构，它模拟在元件封装中的应用，使用经过晶片衬底的接触的热通道并按要求从每个电极注入/排除热以重复元件封装应用。
一个温度控制的热交换器结构，它能够通过空气或液体冷却从一个电子器件晶片一侧去除热。
一种温度控制热交换器结构，它可通过空气或液体冷却从电子器件晶片任一面或两面去掉或导入热量。
一个温度控制系统，用来将热电偶插入电子器件晶片的每一边，以测量电极板的温度并利用此信号来控制热注入到电子器件晶片或从电子器件晶片去掉。
一个模块式，两段，自找平电极接触板，它为整个晶片表面造成初始低力接触，为电子器件晶片表面作位置找平，然后一个第二接触板在第一接触板中心造成高力接触。枢转的界面本身校正接触板和电子器件晶片的不平度。
一个模块式，两段，自找平电极接触板，在两段间有一个球面触点(或其它类似的几何表面)，以在平面接触下获得大的接触面积和低的接触电阻。
一个热交换器结构，通过将热量导向带散热片的大面积，和将高速空气流导向中心散热片区域，把热从电极上散出，然后从散热片导向一个出口表面，并从那儿将已加热的空气散掉。
一个可移去的支座电极接触区，它可以定期更换电极而不必更换全部电极/热交换器元件。
在电极上作表面涂覆(如镀金和/或镍)，以防止金属扩散至电子器件晶片内，防止电极氧化，并为晶片和/或中间接触材料提供低电阻接触。
一种热交换器结构，用以保持接触电极的温度不变，这是通过将热量从接触电极导向一个常温表面，比如(但不限于)将热量从接触电极导向一个100℃的沸水容器而实现的。对于一个由电子器件晶片产生的给定热流和给定的导热尺寸，可相对于恒定温度表面保持恒定的温度增量。
一种热交换器结构，它通过液体(包括，但不限于，沸水)的蒸发热用自动液面监控器补给液体而将热量从电极上散走。
一种热交换器结构，它通过调节导热尺寸而调节热电阻，从而调节接触电极的温度。这种调节包括(但不限于)可调节的螺钉插入导热通路内螺纹孔的深度，以改变导热横截面积和有效热阻。
一种在接触电极和偏压电源之间的电偏压连接，它提供具有足够电和热特性的电接触，以避免由于电损耗而产生过多的热量，而且能防止由于电极至偏压电源的热流而毁坏偏压电源。这种连接包括(但不限于)低电阻的金属总线条或电缆，并带有对条/电缆的空气或液体冷却，以散掉流到条/电缆的热量。
以及/或者以上各项的任意组合。
以下的描述将集中在对VCSEL晶片老化试验的考虑，但其原理适用于其它的半导体晶片。VCSEL晶片产品通常是3英寸直径圆(平口直径2.9英寸)的砷化镓(GaAs)半导体晶片，典型厚度0.008-0.014英寸。晶片的顶面加工有金属化圆形，底面是全表面金属化。的晶片级老化试验是一个带电的老化试验，一般为20mA直流(有些产品是5-20mA直流)，电流限制，晶片上每个器件约为2V，典型的温度125℃(有些产品是85-150℃)，控制在+/-5℃，典型地在空气环境下进行20小时。每个晶片(与器件类型有关)有24K-58K器件，总老化试验电流要求120-1200A，电压在0-5V的范围。
典型的VCSEL晶片功率耗散在200W-2000W的范围，依每个晶片的器件数和偏置电流不同而异。本发明的老化试验系统提供金属电极，它以可控压力(可在10-100psi调节，可控制在+/-5psi)夹到晶片的两面，在装/卸时打开。一个形状与VCSEL晶片表面基本匹配，目前使用厚度为0.015英寸左右的石墨箔(即柔软层220)装在VCSEL晶片有图形的顶面，以提供一个导电导热的减震层。对老化试验过程中由石墨和晶片组合产生的大量热量必须在老化试验系统中作热控制，以维持目标晶片底面的温度。为控制热负荷可利用空气和/或液体冷却。
本发明人开发的晶片级老化试验系统是空气冷却的，在1200W以下能维持125℃的晶片温度，并可控制到1400W以下为140℃的晶片温度。最大的功率损耗所追求的性能是在1600W的功耗下保持125℃的晶片温度。此WLBI系统采用一个气缸夹具在晶片上施加达700磅以下的力。热电偶把晶片衬底温度传到一个控制盒，后者将冷却风扇接通/关闭，以维持底接触板中心的目标温度+/-5℃。铜底板上的温度分布边缘比中心读数下降10℃左右。热通路通常经底部铜接触板向下流至一个大的铜散热器，后者带冷却散热片，空气被强迫流过散热片。所采用的是一个容量600cfm的轴流式风扇。对于低电流晶片产品，有一个辅助的加热器与顶接触板相连，以将热量注入。
用来完成VCSEL晶片老化试验的系统应均匀地将一个压力接触加到晶片上，它可以调节至10-100psi(对3英寸直径晶片)。这相当于在3英寸晶片上有70-700磅的夹紧力。此压力应控制在+/-5psi。在20小时的老化试验过程中，应将0-5V范围内可调节的120-1200A的直流加到晶片及形成于晶片上的器件。电压应控制在+/-1％以内。
在20小时的老化试验过程中，应在例如3英寸直径晶片上耗散2000W以下的热量，以控制晶片温度至85-150℃范围，温度误差+/-5℃。接触压力，偏置电流/电压，及晶片温度加热/冷却在老化试验开始/完成过程中应以可控和可调方式逐渐升/降。对晶片接触板上的接触压力，偏流，偏压及老化试验和渐升，渐降过程中的晶片(底接触板)温度应作监控并将数据记录在案。
选作WLBI系统机器零件的材料类型可包括铝，铜及其它材料类型。支撑机器零件的材料建议用铝，且所有大电流通路材料最好是镀金/镍触点的铜，以阻止铜渗入砷化镓VCSEL晶片并防止铜氧化和产生寄生电阻/热。
顶/底接触板(210和215)希望能找平至0.003英寸左右。石墨片(柔软层220)可压缩至0.003英寸左右，以补偿某些晶片/板的平行度变化。此系统在VCSEL 20小时的老化试验过程中应能连续运行。假定系统每周运行6天以上，包括4小时装/拆时间。
VCSEL晶片最好以可控的压力接触，可控的偏流，和可控的温度在可控的时间长度内进行老化试验而无晶片破损。渐升和渐降过程应该可控。接触板表面最好是平的、光滑的和洁净的，以防止不规则表面造成晶片破损。可采用带传感仪器的以PC为基础的记录系统来自动监控并定期提供读数。PC为基础的系统可监控接触压力，偏流，接触板偏压，底接触板温度，顶接触板温度，并且在20小时的老化试验中在渐升和渐降的过程中每隔一分钟记录数据，然后每5分钟记录数据，可以把每个系统/接触老化试验组的数据日志提供给一个数据文件，后者可下载到一个网络服务器的位置。
为了监控，可对电源作校准并把信号加到偏流上。可用电压表测量接触板的偏压。可将热电偶插入上/下接触板内以测量温度。
过热警报触发偏置电源使之关闭，这将终止热发生源。若系统的空气压力跌落，晶片接触力将消失，这将触发一个系统报警器。应采用不间断电源(UPS)支持辅助的110V交流控制电路，以在110V交流电源掉电时保护系统。如果3相电源断电，系统警报器将被触发，以进行补救性测量，从而保护晶片和系统。
用于PC控制和自动录入系统的软件可以同时控制和监测几个WLBI系统，最好可把数据记录文件输出下载到一个网络服务器位置。并用Microsoft(商标)兼容软件(例如Excel等)来观看。可用以太网等网络界面来提供必要的网络连接及仪器遥控。
每个WLBI系统最好用三相208V交流20A电源，控制器电路用单相110V交流20A电源。
操作员在晶片处理过程中应给系统提供静电放电(ESD)保护连接。晶片接触板与电源终端电气连接以防止ESD。
本老化试验过程在试验中已经证明，让以晶片为基础的器件工作在较高的温度和直流电流一个固定时间可“稳定”VCSEL性能。元件老化试验已在125℃，20mA电流和20小时长度内成功地检测过。以晶片为基础的测试元件已经证明，在从老化试验过的晶片中取出并单独制成元件之后是“稳定的”，而且要在14小时的“运行”老化试验过程中对每个器件的光学功率输出变化进行跟踪。
在测试过程中，要求WLBI系统以“芯片缩小”的晶片工作，即每个晶片有50K芯片，在20mA/芯片下支取1000A/晶片，对于1600W的总功率耗散有1.6V前向电压降。此晶片功率耗散VF×IF作为热发生器将晶片加热至125℃。然后，此系统应以可控方式将热散掉以维持125℃。已证明本发明可在1000A的总容量下运行，耗损量达2100W。对整个晶片所作的确认PO(光学功率输出)增量稳定性的WLBI测试确定了几个有趣的效应。质子和氧化物VCSEL的性能各不相同，这使我们对电流流过晶片的方式有更深的了解。业已显示WLBI大致接近元件老化试验过程所达到的稳定性。按照本发明的方法，WLBI可做成870A阵列的VCSEL产品，而且可以适用于在晶片正面、背面或其它表面有电接触点的其它半导体产品(如LED)。
可以采用几种热交换器结构为按本发明作老化试验的晶片提供热控制。现在将讨论这些可供选用的不同热控制措施。
图11为一个散热器的顶视图和侧视图，此散热器可用作热交换器225来帮助冷却下接触板215以及最终经受测试的晶片100。参照图11，它表示一个可用来从系统的下接触板215吸热的散热器900的顶视图(1110)和侧视图(1120)。散热器900将放在大部分图中(特别是图2(标号225)，3，5(标号520))中显示的热交换器的位置。散热器可用铜制成并用安装孔机械固定在接触板和系统框架上。散热器应做成使其散热片部分提供适当的表面积并通风，使它冷却并最终冷却接触板。可把一个风扇(未示)放在散热器下面对着散热片部分以利冷却。也可以让液体(未示)循环流过散热器部分以帮助冷却。
图12表示按本发明一个WLBI系统下面部件1200的透视图，其中散热器900用电绝缘玻璃纤维座安装在铝底座1210上。本专业技术人员知道，也可以采用其它的材料。
图13为本发明另一实施例的侧视图，其中可用液体来冷却系统的下接触部分。参考图13，它总体表示一个WLBI系统1300，带一个液体冷却热交换器1305用以冷却铜吸盘1310。在此系统1300中，从远处的水源1315把水(或其它冷却剂)供给液体冷却容器1305。铜吸盘1310通过长型铜热导体1325与冷却液作热交换。冷却过程中冷却液通过口1330蒸发。当需要更多冷却液冷却铜吸盘1310时，可通过液体管道1335把新冷却液加入容器1305。
用铜加热导体1325作为热导体(例如，直径为3.17英寸)时，当热负荷为1000W时，沸水水面需低于铜块1310表面2英寸，对2000W的热负荷，沸水水面需低于铜块1310表面1英寸。若沸水水面与块1310顶面非常接近，则可采用更低导热系数的材料。
铜热导体1325在任何时候都必须插入沸水中。最好可能是采用直径8.04cm(3.17英寸)高度10cm(4英寸)的热导体/吸盘柱体。热导体1325和块面两者的直径可以都是8.04cm(3.17英寸)。
图14为与图13类似的一个液体冷却系统的另一个侧面透视图，此系统采用一个预热元件1410来控制液体温度。
图15为本发明另一实施例的侧视图，其中底接触板组件1510上有一个孔1520或别的入口，用于让热传感器精确测量靠近接触板1510中心附近的板温度，此中心最靠近由下接触板1510支撑的晶片的中心。图15还显示了一个通过铜管1530或别的入口将液体冷却剂供给下接触板1510底部1540的机构。
图16为本发明另一个实施例的侧视图，其中上接触板1610被容纳在一个壳体1620内。上板水平调节机构1630用于找平上接触板1610。下接触板不再作为一个分开的部件画出，而是作为热交换器部件1640的一部分画在一起。工作时供给热交换器部件1640的液体冷却剂是通过入口1650提供的，并可以喷洒在接触板/热交换器1660的下表面上，如图16所示。
图17表示上(1720)和下(1720)接触板的另一个侧面透视图，这些板与一个晶片和导电层(如果用了的话，它与柔软层220类似)相接触，其中冷却剂和/或加热液体供给上、下接触板部件内的室/容器1730。
图18表示系统1800的另一个侧面透视图，其中上(1810)和下(1820)接触板与一个晶片和导电层1805(如果用了的话，它与柔软层220类似)相接触。在这种场合下，冷却液和/或加热液体供给绕在与上、下接触板1810，1820相连的轴上的圈/管1830，并通过后者供给其它元件。上、下板1810，1820为镀Ni-Au的铜。图18中还表示了半球形触点1840，它为上板1810提供找平作用和相对于被老化试验的晶片1805的均匀压力。
上面提供的实施例和例子是为了说明本发明和它的实际应用，以使本专业技术人员能利用本发明。但本专业技术人员应明白，上面的描述和例子只是为了说明和举例的目的。本专业技术人员可对本发明作其它的改变和修正，我们打算用后面的权利要求书来涵盖这些改变和修改。上面的说明并不意味着本发明的极限或对它的范围的限制。对上面所述可以作许多改变和修正而不偏离后面的权利要求书的范围。我们预计利用本发明可能包含具有不同特征的元件。我们打算用后面的权利要求书来界定本发明的范畴，以对各方面的等效物有一个全面认识。
权利要求
1.一种晶片级老化试验的系统，包括一第一电极板(210)，用来同时为做在半导体晶片(100)上的一个以上半导体器件的触点(110)提供电接触，它处在该半导体晶片的一个器件表面上；一第二电极板(215)，用来为该半导体晶片(100)的衬底表面(105)提供电接触；及通过触点(110)为一个以上的半导体器件和通过第一(210)和第二(215)电极板为半导体晶片(100)的衬底(105)提供电源(610)装置。
2.如权利要求1的晶片级老化试验系统，其中提供电源(610)的装置包含一个稳压器，用来通过第一(210)和第二(215)电极板提供和监控用于一个以上的半导体器件的电源。
3.如权利要求1的晶片级老化试验系统，还包含通过第一(210)和第二(215)电极板中至少一个向半导体晶片(100)提供可控热能(640)的装置。
4.如权利要求3的晶片级老化试验系统，还包含一个温度调节器(630)，以便将均匀的温度加到半导体晶片(100)上。
5.如权利要求4的晶片级老化试验系统，其中温度调节器(630)还包含一热电偶(650)，它与第一(210)和第二(215)电极板中至少一个处在一起，以将均匀温度加到半导体晶片(100)上。
6.如权利要求1的晶片级老化试验系统，还包含一热交换器(660)，用来通过第一(210)和第二(215)电极板中至少一个来控制半导体晶片(100)上的热能。
7.如权利要求6的晶片级老化试验系统，其中热交换器(660)还包含一散热器(900)，它与第一(210)和第二(215)电极板中至少一个相接触。
8.如权利要求6的晶片级老化试验系统，还包含一个晶片表面接触材料(220)，它放在所述一个以上半导体器件(110)和第一电极接触板(210)之间，以帮助半导体晶片(100)和做在它上面的一个以上半导体器件(110)的热和电传导，并使由第一(210)和第二(215)接触板所加压力造成的晶片和至少一个半导体器件(110)的损坏最小。
9.如权利要求6的晶片级老化试验系统，还包括一第一晶片表面接触材料(220)，它放在半导体晶片(100)的器件(110)表面和第一电极接触板(210)之间；及一第二晶片表面接触材料(220)，它放在半导体晶片(100)的衬底表面(105)和第一电极接触板(210)之间；其中第一和第二晶片表面材料(220)可帮助半导体晶片(100)通过衬底表面(105)和做在它上面的一个以上半导体器件(110)的热和电传导，该第一和第二晶片表面接触材料(220)能使半导体晶片和一个以上的半导体器件由于第一(210)和第二(215)接触板分别加在器件表面和衬底表面的压力所造成的损坏最小。
10.如权利要求6的晶片级老化试验系统，还包含一个晶片接触压力控制部件(330)，用来对第一和第二接触板中至少一个提供自调节的接触和压力控制。
11.如权利要求10的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制组件(330)还包含一手动控制系统(710)。
12.如权利要求10的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(330)还包含一液压系统(710)。
13.如权利要求10的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(330)还包含一气动系统(710)。
14.一种晶片级老化试验系统，包括上接触板(210)，用来提供半导体晶片(100)正面(110)的物理和电接触；下接触板(215)，用来提供半导体晶片(100)背面(105)的物理和电接触；及与上(210)和下(215)接触板相连的电压源(610)，用来提供流过半导体晶片(100)的电流；其中半导体晶片(100)的正面(110)包含做在该晶片上一个以上半导体器件的触点，半导体晶片的背面(105)包含一个衬底，它用作一个以上半导体器件的公共触点。
15.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一稳压器(610)，用来对一个以上半导体器件提供可控电源。
16.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一热交换器(660)，用来通过上(210)或下(215)中的至少一个接触板对半导体晶片(100)提供热能控制。
17.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一个温度调节器(630)，它能使的晶片级老化试验过程中对半导体晶片(110)加上均匀温度。
18.如权利要求17的晶片级老化试验系统，其中温度调节器(630)还包含一热电偶(650)，它与上(210)和下(215)接触板中至少一个处在一起，以使温度调节器(630)能为半导体晶片(100)提供均匀和可控的温度。
19.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一热交换器(660)，用来通过上(210)或下(215)接触板中至少一个控制半导体晶片(100)上的热能。
20.如权利要求19的晶片级老化试验系统，其中热交换器(660)还包含一散热器，它与上(210)或下(215)接触板中至少一个热接触。
21.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一个晶片表面接触材料(220)，它被放在下面各项中至少一个之间正面(410)和上接触板(210)，和背面(420)和下接触板(215)；其中晶片表面接触材料(220)有助于对半导体晶片(100)和做在它上面的一个以上半导体器件(110)的导热和导电的控制，该晶片表面接触材料(220)还能最大限度减少由上(210)和下(215)接触板所加压力造成的晶片(100)和器件的破损。
22.如权利要求14的晶片级老化试验系统，还包含一个晶片接触压力控制部件(230)，它能对第一(210)和第二(215)接触板中至少一个做自调节的接触和压力控制。
23.如权利要求22的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(230)还包含一个手动控制系统。
24.如权利要求22的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(230)还包含一个液压系统(710)。
25.如权利要求22的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(230)还包含一个气动系统(710)。
26.一种晶片级老化试验系统，包括一第一电极板(210)，用来为半导体晶片(100)的衬底表面(105)提供物理和电接触；一第二电极板(215)，用来为做在半导体晶片(100)的一个以上半导体器件(110)的触点同时提供物理和电接触；通过第一(210)和第二(215)电极板为一个以上半导体器件提供电源的装置；及通过第一(210)和第二(215)电极板为半导体晶片提供可控热能(630)的装置。
27.如权利要求26的晶片级老化试验系统，其中提供电源(610)的装置还包含一稳压器，以通过第一(210)和第二(215)电极板提供和监控给一个以上半导体器件的电源。
28.如权利要求26的晶片级老化试验系统，其中提供可控热能的装置还包含一温度调节器，用来给半导体晶片加上均匀的温度。
29.如权利要求28的晶片级老化试验系统，其中温度调节器还包含一热电偶(640)，它与第一(210)和第二(215)电极板中至少一个做在一起，以便能给正在受老化试验的半导体晶片加上均匀的温度。
30.如权利要求26的晶片级老化试验系统，其中提供可控热能(630)的装置还包含一热交换器(660)，用来通过第一和第二电极板中至少一个控制半导体晶片上的热能。
31.如权利要求30的晶片级老化试验系统，热交换器(660)还包含一散热器，它与第一(210)和第二(215)电极板中至少一个热接触。
32.如权利要求26的晶片级老化试验系统，还包含一晶片表面接触材料(220)，它放在半导体器件和第二电极板(215)之间，以方便半导体晶片和做在它上面的半导体器件的导热和导电，并最大限度地减少由第一(210)和第二接触板(215)所加压力造成的晶片和器件的破损。
33.如权利要求32的晶片级老化试验系统，其中晶片表面接触材料(220)做成半导体晶片的形状，该材料与至少一个半导体器件产生物理、热和电接触，而且这种晶片表面材料(220)有助于做在半导体晶片上的一个以上半导体器件达到一致的偏压水平，该接触材料可最大限度减少由第二电极板(215)加到一个以上半导体器件的压力造成的一个以上器件的破损。
34.如权利要求26的晶片级老化试验系统，还包含一个晶片接触压力控制部件，用来对第一(210)和第二(215)电极板中至少一个提供自调节的接触和压力控制。
35.如权利要求34的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(710)包含一手动控制系统。
36.如权利要求34的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(710)包含一液压系统。
37.如权利要求34的晶片级老化试验系统，晶片接触压力控制部件(710)包含一气动系统。
全文摘要
本发明提出了一些对半导体器件(210、215)的晶片级老化试验(WLBI)的系统。这些系统至少有两个电极，用来将电偏压和/或热功率加到晶片(100)的每一面，此晶片具有用于做在它上面的半导体器件的后(105)和前(110)电触点。还描述了利用此系统进行的晶片级老化试验的方法。另外，还描述了一种在器件带电触点的晶片一面提供管脚或触点(100)的柔软导电层(220)。此柔软导电层(220)可以在做在晶片(100)上的每一个器件内产生有效串联电阻R，从而帮助维持电压偏置水平一致。这个柔软导电层还可防止由容器触点(210、215)加到晶片上的压力和在老化试验过程中晶片(100)表面上的压力对晶片的损伤。还描述了一种冷却系统(660)，它能把均匀的温度加到晶片(100)上。
文档编号H01S5/00GK1568431SQ02820293
公开日2005年1月19日 申请日期2002年8月12日 优先权日2001年8月13日
发明者M·J·哈吉-谢克, J·R·比亚尔, R·M·豪金斯, S·拉比诺维奇, J·K·冈特 申请人:霍尼韦尔国际公司