专利名称：成膜方法
技术领域：
本发明涉及成膜方法、成膜处理时间修正式的导出方法、成膜装置和导出方法的程序。特别是，本发明涉及半导体处理用的成膜方法的改良。在此，所谓半导体处理是指，为了通过在半导体晶片或LCD基板等被处理基板上以规定的图案形成半导体层、绝缘层和导电层等、来制造在该被处理基板上包括半导体器件、与半导体器件连接的布线、电极等构造物而实施的各种处理。
背景技术：
在半导体制造过程中，对半导体晶片进行成膜的装置之一有进行分批处理的纵型热处理装置。在这种装置中，在晶片载运体等保持具中呈搁板状保持多枚晶片。将这种保持具搬入纵型热处理炉中，供给氧等反应气体，进行成膜。根据供给热处理装置内的反应气体的气体种类，可以在晶片上形成氧化膜等。
通常，热处理炉内的气体压力是以大气压为基准测定的。例如，可以使用基于与大气压的差压来测定气体压力的相对压力传感器。因此，在大气压和热处理炉内的气体压力(绝对压力)二者都变化的情况下，从测定值上不能确认热处理的炉内的气体压力的变化。其结果是，有可能因为大气压的变化而引起所形成的膜厚有变化。
发明内容
本发明的目的是在成膜处理时、降低由大气压的变化引起的膜厚的变化。
根据本发明的第一观点，提供一种成膜方法，其中该成膜方法包括预备阶段和处理阶段。所述预备阶段包括在不同的处理时间分别形成膜的第一成膜步骤；测定在上述第一成膜步骤中形成的膜的膜厚的第一测定步骤；根据在上述第一测定步骤中测定的测定数据、导出表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式的第一导出步骤；以不同的大气压为基准、控制处理气体压力、分别形成膜的第二成膜步骤；测定在上述第二成膜步骤中形成的膜的膜厚的第二测定步骤；根据在上述第二测定步骤中测定的测定数据、导出表示大气压和膜厚的关系的第二关系式的第二导出步骤；和，根据在上述第一及第二导出步骤中导出的上述第一及第二关系式、导出用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的第三导出步骤。上述处理阶段包括根据现在的大气压的测定结果及在上述第三导出步骤中计算出的上述处理时间修正式来修正处理时间的修正步骤；和，根据在上述修正步骤中修正的处理时间、以大气压为基准、控制处理气体压力、形成膜的成膜步骤。
在第一观点的方法中，在上述预备阶段，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式。在上述处理阶段，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压测定结果，对处理时间进行修正，再根据修正了的处理时间，进行成膜。这样，由于可根据处理时间修正式，与大气压相对应来修正处理时间，所以可以降低因大气压变化引起的膜厚变化。
在此所述的“以大气压为基准、控制处理气体压力”，例如可以举出，利用以大气压为基准的气体压力测定器(作为一个例子，有根据与大气压的差压来测定气体压力的相对压力传感器)控制处理室内的气体压力。这种控制用手动、自动中的任何一种方式进行都可以。例如，可通过调节通入处理室内的气体流量和从处理室内排出的排气量中的任何一个或二者，控制处理室内的气体压力。
另外，第一成膜步骤、第一测定步骤、第一测定步骤和第二成膜步骤、第二测定步骤、第二测定步骤的前后关系并不成问题。例如，可以在第一成膜步骤之前实行第二成膜步骤，可以在第一测定步骤之前实行第二测定步骤，或者可以在第一导出步骤之前实行第二导出步骤。总之，在第三导出步骤时，导出第一及第二关系式二者即可。
根据本发明的第二观点，提供一种成膜处理时间修正式的导出方法，该方法可导出处理时间修正式，该处理时间修正式用于根据大气压的变化来修正以大气压为基准、控制处理气体压力、进行成膜时的处理时间，它包括根据第一测定数据、导出表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式的第一导出步骤；根据第二测定数据、导出表示大气压和膜厚的关系的第二关系式的第二导出步骤；和，根据在上述第一及第二导出步骤中导出的上述第一及第二关系式、导出用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的第三导出步骤。
根据本发明的第三观点，提供一种成膜装置，它包括配置基板的处理室；向上述处理室内供给反应气体的气体供给系统；测定大气压的大气压测定器；存储用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的存储部；根据存储在上述存储部中的处理时间修正式来修正处理时间的处理时间修正部；和，根据上述大气压测定器的测定结果和由上述处理时间修正部修正了的处理时间、控制上述气体供给系统的控制部。
在第三观点的装置中，根据气体压力测定器的测定结果，进行由处理时间修正部进行的处理时间的修正，根据修正了的处理时间，进行成膜处理。其结果是，可降低因大气压变化引起的膜厚变化。
图1是表示作为本发明的实施方式的半导体处理用的成膜装置的纵型热处理装置的一部分的剖面图。
图2是表示用于防止由大气压引起的膜厚变化的顺序的一个例子的流程图。
图3是表示膜厚-处理时间关系式的一个例子的曲线图。
图4是表示大气压-膜厚关系式的一个例子的曲线图。
图5是表示大气压-处理时间关系式的一个例子的曲线图。
图6是表示修正处理时间关系式的一个例子的曲线图。
具体实施例方式
以下参照
本发明的实施方式图1是表示作为本发明实施方式的半导体处理用的成膜装置的纵型热处理装置的一部分的剖面图。如图1所示，纵型热处理装置10具有由例如石英制成并且上端塞住的反应管12。在反应管12内，多枚例如150枚的成为基板的半导体晶片W(制品晶片)，分别在水平状态下，上下以一定间隔、呈搁板状放置在作为保持具的晶片载运体13上。晶片载运体13通过保温筒(绝热体)15，保持在盖体14上。
将盖体14放置在用于将晶片载运体13搬入反应管12内、或从反应管12内搬出的载运体升降机16上。当在上限位置时，盖体14具有闭塞用反应管12构成的处理容器的下端开口部的作用。
在反应管12的周围配置由电阻加热体构成的加热器17，利用电力控制器18控制发热量，在反应管12的内壁上，设置热电偶等的温度传感器S(图中没有示出)，测定加热炉内的温度。
用于将气体供给至反应管12内的气体供给管21，与反应管12连接。在气体供给管21上配置使氢气和氧气混合燃烧的燃烧室23。在燃烧室23中，由氢气和氧气生成的水蒸气(反应气体)与氮气(载体气体)混合，从气体供给管21供给反应管12内。
氢气、氧气和氮气的流量可以利用质量流量控制器等流量调节器(图中没有示出)个别地调节。例如，当停止供给氢气时，可以使用氧气代替水蒸气，作为反应气体。另外，可以适当地变更反应气体(水蒸气或氧)和载体气体(氮气)的混合比。
用于排出反应管12内的气体的排气管31与反应管12连接。排气管31在中途分成管路32、33二个管路。管路32经由冷却排出气体的冷却器34、阀35，与工厂内的排气系统(图中没有示出)连接。另一方面，管路33经由捕获排出气体中所含的水的收集器36、阀37，与工厂内的排水系统(图中没有示出)连接。打开阀37，可将收集器36捕获的水排出至工厂内的排水系统中。
为了测定反应管12内的压力，压力传感器38与排气管路32的中途连接。压力传感器38以大气压为基准，测定反应管12内的压力。具体地是，压力传感器38是基于与大气压的差压来测定反应管12内的压力的相对压力测定器。
通过调节反应气体和载体气体的流量、或者改变阀35的开闭量调节从反应管12的排气量，可以控制反应管12内的压力。利用气体流量和排气量的平衡，确定反应管12内的压力。另外，改变气体流量和排气量二者，也可以控制反应管12内的压力。
在控制这种反应管12内的压力时，可参照压力传感器38的测定结果。即，根据压力传感器38的测定结果，控制反应管12内的压力。基于压力传感器38的测定结果的反应管12内的压力控制，可以用手动进行，也可以利用后述的信息处理单元100等自动地进行。
热处理装置10具有测定大气压力的大气压传感器40。如后所述，可以根据大气压传感器40进行的大气压测定结果，修正处理时间，由此，可防止基于大气压变化的膜厚变化。
另外，热处理装置10具有用于控制成膜处理的信息处理单元100。例如，信息处理单元100控制反应管12内的气体流量、压力、反应管12内的处理气氛的温度等处理参数。信息处理单元100将控制信号输出至电力控制器18等中。
<信息处理单元100的详细说明>
信息处理单元100具有近似式存储部101、参数存储部102、修正处理时间计算部103和控制部104。
近似式存储部101存储与大气压的变化相对应、用于进行处理时间的修正的作为修正处理时间关系式的近似式。在本实施方式中，如后所述，由于修正处理时间关系式以一次近似式的形式来表示，所以在近似式存储部101中存储的近似式的形式是一次式。
参数存储部102存储与存储于近似式存储部101中的作为修正处理时间关系式的近似式相对应的参数。在此，由于近似式是一次式，所以最低可存储二个参数组。该组可以由二个以上的参数构成。可以将能适用修正处理时间关系式的处理条件一并存储在参数存储部102中。
从以上可看出，通过合并近似式存储部101和参数存储部102，构成存储修正处理时间关系式的存储部。
修正处理时间计算部103是与大气压相对应来计算修正了的处理时间的部件，起到处理时间修正部的功能。在计算时，可以使用大气压传感器40的测定结果。
控制部104，根据由修正处理时间计算部103计算出的修正处理时间等，控制电力控制器18。另外，控制部104，可以通过调节流量调节器(图中没有示出)，进行作为目标的气体压力P的控制。
<防止由大气压的变化引起的膜厚变化的顺序的详细说明>
在本实施方式中，通过与大气压相对应来修正处理时间，可防止因大气压变化引起的膜厚变化。图2是表示用于防止因大气压引起的膜厚变化的顺序的流程图。如图2所示，防止膜厚变化的顺序可以分成阶段S10、S20。在阶段S10中，导出表示大气压和修正了的处理时间的关系的关系式(修正处理时间关系式)。在阶段S20中，利用导出的修正处理时间关系式，在晶片W上进行成膜。
A.阶段S10修正处理时间关系式的导出如图2所示，阶段S10又可区分为步骤S11～S14。以下，分成步骤S11～S14进行详细说明。
步骤S11导出表示由热处理装置10进行热处理的晶片W的膜厚X和处理时间T的关系的膜厚-处理时间关系式(X-T关系式)。该导出是按以下的子步骤S11-1～S11-3的顺序进行的。
子步骤S11-1利用热处理装置10，在不同的处理时间下分别热处理多个晶片W。即，使处理时间不同地分别对多个晶片W进行热处理(成膜处理)。
在本实施方式中，在膜厚-处理时间关系式中使用一次近似式。因此，理论上可使处理时间分二个阶段变化。但是，为了导出正确的膜厚-处理时间关系式，优选为，将处理时间分成三个阶段以上变化，并且使作为样品的晶片W的枚数多些。
当热处理时，使大气压P大致为一定。这是因为，设法使大气压的变化不影响在以后的子步骤S11-3中导出的膜厚-处理时间关系式，优选为，这时的大气压P接近后述的基准大气压Pr，但也不是必需受此约束。
进行该热处理的热处理装置，优选为用于在阶段S20进行成膜的热处理装置10本身。但是，也可以使用同型的热处理装置代替。
子步骤S11-2测定热处理过的晶片W的膜厚。这种膜厚测定，可以利用例如椭率计等光学方法进行。
子步骤S11-3根据膜厚的测定结果，导出膜厚-处理时间关系式。图3中的曲线G1表示该关系式的一个例子。在此，设使处理时间分为二个阶段T1、T2变化时的晶片W的膜厚分别是X1、X2，导出作为一次近似的膜厚-处理时间的关系式。该关系式在时间为T、膜厚为X时，具体地说可如以下的式(1)那样来表示。如上所述，处理时间的变化数和晶片W的个数最好多些。在这种情况下，可以使用平方平均法等统计的方法导出更正确的近似式。
T＝A×X+B……(1)在此，采用一次近似是因为，如果处理时间的变化幅度有某种程度的限制，则测定结果可以可靠地用一次近似来表示。
例如，对于氧化膜，已知有Deal-Grove式。在这种情况下，膜厚X对于处理时间T，成为以下的式(2)这样的二次式。
X2+K1×X＝K2(T+τ) ……(2)式(2)是从理论的观点求出的，不能完全说明实际的测定结果。即，即使根据测定结果计算出式(2)的参数K1、K2、τ，有时计算仍有困难(所谓不能曲线拟合)。
由以上可知，在本实施方式中，利用容易处理的一次近似式表示膜厚-处理时间关系式。该关系式不是膜厚对处理时间(横轴为处理时间)，而是处理时间对膜厚(横轴为膜厚)，这是因为，如后所述，容易将膜厚的变化换算为处理时间。但是，这不是本质的，也可以导出膜厚对处理时间的关系式。
步骤S12导出表示大气压P和由热处理装置10热处理了的晶片W的膜厚X的关系的大气压-膜厚关系式(P-X关系式)。该导出是按以下的子步骤S12-1～S12-3的顺序来进行的。
子步骤S12-1在不同的大气压P时，在规定的处理时间内，利用热处理装置10对晶片W进行热处理。即，在不同的大气压时，分别对多个晶片W进行热处理。该规定的处理时间优选为接近后述的基准处理时间Tr，但不是必需受此约束。
与膜厚-处理时间的关系式的情况同样，优选在大气压-膜厚关系式中采用一次近似式。另外，为了正确地导出关系式，使处理时间分成三个阶段以上变化，并且作为样品的晶片W的枚数最好多些。进行该热处理的热处理装置，与步骤S11同样，优选为用于在阶段S20中进行成膜的热处理装置10本身。但也可以使用同型的热处理装置代替。
子步骤S12-2测定热处理过的晶片W的膜厚。与步骤S11同样，该膜厚测定可以利用椭率计等光学方法来进行。
子步骤S12-3根据膜厚的测定结果，导出大气压-膜厚关系式。图4中的曲线G2表示该关系式的一个例子。在此，设使大气压分二个阶段P1、P2变化时的晶片W的膜厚分别是X3、X4，导出作为一次近似的膜厚-处理时间关系式。该关系式在大气压为P、膜厚为X时，具体地说可以如以下的式(3)那样来表示。与步骤S11同样，最好使大气压变化的阶段数和晶片W的个数增多，利用平方平均法等统计的方法导出更正确的近似式。
X＝F×P+C……(3)步骤S13导出表示大气压P和处理时间T的关系的大气压-处理时间关系式(P-T关系式)。该导出可通过将式(3)代入式(1)来进行。当将式(3)代入式(1)中时，导出以下的式(4)。
T＝A×(F×P+C)+B＝A×F×P+A×C+B……(4)式中，当令α＝A×F，β＝A×C+B时，可导出以下的式(5)。
T＝α×P+β ……(5)由将式(3)代入式(1)判断，用式(5)表示的大气压-处理时间关系式是将由大气压P产生的膜厚P的变化换算为处理时间T的关系式。图5中的曲线G3表示该大气压-处理时间关系式的一个例子。
该大气压-处理时间关系式(曲线G5)以通过基准大气压Pr、基准处理时间Tr的直线来表示。其有效范围是大气压为Pmin～Pmax(处理时间为Tmin～Tmax)。
大气压-处理时间关系式的有效范围是考虑到基于作为一次近似式的式(1)、式(3)计算出该关系式(式(5))所决定的。一次近似式越偏离基准值(此时是基准大气压Pr、基准处理时间Tr)，则与实测值的偏差越大。因此，在偏离基准值某种程度以内，采用式(5)，可抑制产生与实际值的不同。
基准大气压Pr在某种程度上可以任意决定。但是，优选利用在步骤S13中导出大气压-处理时间关系式时所用的大气压P的范围内、并且接近实际上能引起的大气压P的范围的中心值的值。这样，可使大气压-处理时间关系式的有效性更可靠。
大气压-处理时间关系式的有效范围，也可根据图4所示的大气压-膜厚关系式(近似式)与实测值在哪个范围内是否一致来决定。另外，作为方便的方法，可以根据相对于基准大气压Pr的比例来决定。以下的式(6)表示其一个例子，在经验上，如果在基准大气压Pr的10％左右的范围内，可以确保膜厚相对于大气压(用处理时间来换算)的变化的直线性。
Pmax＝Pr+0.1×PrPmin＝Pr-0.1×Pr……(6)处理时间的范围Tmin、Tmax，可用以下的式(7)由大气压的范围Pmin、Pmax自动地决定。在式(7)中，T(P)用上述的式(5)表示。
Tmax＝T(Pmax)Tmin＝T(Pmin) ……(7)步骤S14导出表示修正了的处理时间Tc对大气压的修正处理时间关系式(Tc(P))。图6表示导出该关系式的思路。在此，曲线G3、Gc分别表示大气压-处理时间关系式(在步骤S13中导出)和由它导出的修正处理时间关系式(Tc(P))。
如上所述，修正处理时间关系式是用于通过与大气压P的变化相对应地来修正处理时间、防止由大气压的变化引起的膜厚变化的关系式。具体地说，当大气压从基准值(基准大气压Pr)增加时，则将处理时间由基准值(基准处理时间Tr)减少。当大气压由基准值减少时，使处理时间由基准值增加。由此，可以与大气压P的变化相对应。即，表示修正处理时间关系式的曲线Gc，通过基准大气压Pr、基准处理时间Tr，与曲线G3相比，斜率的正负相反。
设大气压P时的处理时间(实际上是将膜厚换算为处理时间)为T、修正处理时间为Tc。在此，由于曲线G3、Gc的斜率的正负相反，所以可导出以下的式(8)。
T-Tr＝Tr-Tc ……(8)如下所述，可由式(8)导出表示修正处理时间Tc的以下的式(9)。在导出式(9)时，代入式(4)，同时定义γ＝2Tγ-β。
Tc(P)＝Tc＝2Tr-T＝2Tr-(α×P+β)＝-α×P+(2Tr-β)＝-α×P+γ ……(9)使用Pr，将式(9)变形，可成为以下的式(9-1)。
Tc(P)＝2Tr-T＝2(α×Pr+β)-(α×P+β)＝-α×P+(2α×Pr+β)＝-α×P+γ ……(9-1)由于有Tr＝α×Pr+β的关系，所以式(9)、(9-1)不管怎么说都可用同一形式来表示。
如上所述，修正处理时间关系式是近似式，其有效范围有某种程度限制。因此，优选为，对于每个目标膜厚等的成膜条件(处方)，另外导出修正处理时间关系式，根据成膜条件选择适当的修正处理时间关系式。
在以上所示的步骤S11～S14中，如上所述，原则上热处理可用在阶段S20中进行成膜的热处理装置10(或者与它同一形式)进行。
关系式的导出，利用计算机进行很方便，随着关系式的导出，也可用图3～图6那样的曲线来表示实测值(膜厚等)和关系式的对应关系。
作为计算机来说，可以使用与热处理装置10有直接关连的计算机(例如，热处理装置10的信息处理单元100、或利用网络与热处理装置10连接的主计算机)。另外，作为计算机，也可以使用与热处理装置10没有直接关连性的计算机，但若可以与热处理装置10通信，则下面的步骤S21(向热处理装置10导入修正处理时间关系式)变得容易。
作为在计算机中使用的软件来说，专用或通用的软件都可以。作为在本实施方式中使用的通用的软件的一个例子，可以使用微软公司的“Excel”。
导出的修正处理时间关系式用式(9)的参数α、γ表示。另外，基准值(基准大气压Pr、基准处理时间Tr中的任一个或二者)和有效范围(处理时间的范围Tmin、Tmax；大气压的范围Pmin、Pmax)具有无误地使用修正处理时间关系式的意义。即，越接近基准值，修正处理时间关系式的可靠性越高，在有效范围以外，可靠性难以保证。
在此，参数α、γ由参数A、B、F、C导出。因此，使用参数A、B、F、C代替参数α、γ表示修正处理时间关系式也可以。由以上可知，作为一个例子，可以利用参数A、B、F、C和基准处理时间Tr表示修正处理时间关系式及其有效范围。另外，如式(6)、(7)所示，如果利用基准处理时间Tr表示有效范围，则不需要另外使用与有效范围有关的参数(Pmin、Pmax等)。
B.阶段S20利用导出的修正时间关系式的成膜。
如图3所示，阶段S20可以再划分为步骤S21～S23。以下，分开说明步骤S21～S23。
步骤S21将修正时间关系式导入热处理装置10中，这可通过将与修正时间关系式有关的参数(例如，参数A、B、F、C、基准处理时间Tr)存储在参数存储部(参数表)102中来进行。具体地说，通过存储媒体(软盘、CD-ROM等)或网络，将参数存储在信息处理单元100中。
如上所述，优选为，在参数存储部102中，对于每个目标膜厚等的成膜条件(处方)存储多个修正处理时间关系式，再根据成膜条件，选择适当的修正处理时间关系式。在这种情况下，优选将用于识别成膜条件、可以进行其选择的任何信息(参数等)存储在参数存储部102中。
将作为代入参数的基础的近似式存储在信息处理单元100的近似式存储部101中。因此，可以只将参数存储在参数存储部102中，构成修正处理时间关系式。
步骤S22计算出实际开始成膜处理时(优选为将要进行步骤S23之前)与现在的大气压相对应的修正处理时间。在进行该计算之前，利用大气压传感器40进行大气压的测定。然后，将存储在参数存储部102中的修正处理时间关系式用的参数(例如，参数A、B、F、C、基准处理时间Tr)代入存储在近似式存储部101中的近似式(一次近似式)中，导出修正处理时间关系式。再将利用大气压传感器40测定的大气压值代入修正处理时间关系式中，计算修正处理时间Tc。该计算可利用修正处理时间计算部103进行。
另外，与处理条件(处理处方)相对应，有时将多个修正处理时间关系式的参数的组存储在参数存储部102中，在这种情况下，进行作为目标的处理条件的输入和与输入了的处理条件相对应的参数的选择。
步骤S23基于计算出的修正处理时间，进行膜的形成。该处理是利用控制部104、并且基于计算出的修正处理时间和作为目标的处理温度T等、控制流量调整器(图中没有示出)、电力控制器18来进行的。
如上所述，通过与大气压相对应，增减处理时间(对处理时间进行修正)，可以降低因大气压变化引起的膜厚变化。
在本发明的技术思想范围内，上述实施方式可以扩张和变更。例如，成膜装置不限于纵型热处理炉。另外，基板也不限于半导体晶片，例如玻璃基板也可以。本发明不限于反应气体的种类(气体种)，例如，一般来说使用氧或水蒸气作为氧化种形成氧化膜也可以适用。另外，本发明不限于氧化膜的形成，一般来说因大气压变化造成热处理特性变化的热处理过程也可以适用。
权利要求
1.一种成膜方法，其特征在于该成膜方法包括预备阶段和处理阶段，所述预备阶段包括在不同的处理时间分别形成膜的第一成膜步骤；测定在上述第一成膜步骤中形成的膜的膜厚的第一测定步骤；根据在上述第一测定步骤中测定的测定数据、导出表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式的第一导出步骤；以不同的大气压为基准、控制处理气体压力、分别形成膜的第二成膜步骤；测定在上述第二成膜步骤中形成的膜的膜厚的第二测定步骤；根据在上述第二测定步骤中测定的测定数据、导出表示大气压和膜厚的关系的第二关系式的第二导出步骤；和根据在上述第一及第二导出步骤中导出的上述第一及第二关系式、导出用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的第三导出步骤，上述处理阶段包括根据现在的大气压的测定结果及在上述第三导出步骤中计算出的上述处理时间修正式来修正处理时间的修正步骤；和根据在上述修正步骤中修正的处理时间、以大气压为基准、控制处理气体压力、形成膜的成膜步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述第三导出步骤包括根据上述第一及第二关系式、导出表示大气压和处理时间的关系的第三关系式的关系式导出步骤；和根据在上述关系式导出步骤中导出的第三关系式、导出上述处理时间修正式的修正式导出步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述第一及第二关系式中的至少一个是一次近似式。
4.一种成膜处理时间修正式的导出方法，该方法可导出处理时间修正式，该处理时间修正式用于根据大气压的变化来修正以大气压为基准、控制处理气体压力、进行成膜时的处理时间，其特征在于包括根据第一测定数据、导出表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式的第一导出步骤；根据第二测定数据、导出表示大气压和膜厚的关系的第二关系式的第二导出步骤；和根据在上述第一及第二导出步骤中导出的上述第一及第二关系式、导出用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的第三导出步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于上述第三导出步骤包括根据上述第一及第二关系式、导出表示大气压和处理时间的关系的第三关系式的关系式导出步骤；和根据在上述关系式导出步骤中导出的第三关系式、导出上述处理时间修正式的修正式导出步骤。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于上述第一及第二关系式中的至少一个是一次近似式。
7.一种成膜装置，其特征在于包括配置基板的处理室；向上述处理室内供给反应气体的气体供给系统；测定大气压的大气压测定器；存储用于与大气压的变化相对应来修正处理时间的处理时间修正式的存储部；根据存储在上述存储部中的处理时间修正式来修正处理时间的处理时间修正部；和根据上述大气压测定器的测定结果和由上述处理时间修正部修正了的处理时间、控制上述气体供给系统的控制部。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于上述存储部存储分别与多个成膜处理条件相对应的多个上述处理时间修正式，上述成膜装置还包括从上述多个处理时间修正式中选择与所希望的成膜处理条件相对应的处理时间修正式的修正式选择部。
9.一种存储用于使计算机执行权利要求4～6中任一项所述的成膜处理时间修正式的导出方法的程序的媒体。
全文摘要
成膜方法包括预备阶段(S10)和处理阶段(S20)。在预备阶段(S10)中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式(S11～S14)。在处理阶段(S20)中，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压的测定结果，修正处理时间，根据修正了的处理时间，进行成膜(S21～S23)。
文档编号H01L21/00GK1643667SQ03806219
公开日2005年7月20日 申请日期2003年4月14日 优先权日2002年4月19日
发明者松浦广行, 高桥丰 申请人:东京毅力科创株式会社