制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置的制造方法
专利名称:制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置：包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅液工作池，备液池，纯水清水池，去多孔硅溶液过滤处理池，药液预加热器，药气、液配制自动控制器，纯水预加热器，纯水加入自动控制器，去多孔硅液过滤处理池，碱液预加热器，碱液配制自动控制器，备液恒温加热器，备液恒温冷却器，去多孔硅工作池液位自动控制器，去多孔硅池溶液浓度自动控制器，去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，机械手，去多孔硅浸洗时间控制器，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷林管，纯水恒压恒温装置，去多孔硅工作池溢流口，工作参数显示屏，操作台，换液导流口，废纯水排流口，废去多孔硅溶液池，废纯水池。
【专利说明】
制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，尤其涉及一种自动控制程度高，高效率彻底去除多晶硅片制绒后表面多孔硅的自动装置，属于太阳能光伏技术领域。
【背景技术】
[0002]目前我国晶体硅太阳能电池产业技术已经非常成熟，其中绒面制备及清洗是晶体硅太阳能电池片生产过程中非常重要的工艺技术工序，直接影响电池片的Uoc.1sc等重要电性能参数和外观。使用常规的制绒后清洗设备时，均采用人工控制且在常温下KOH溶液去除制绒后多晶硅片表面产生的多孔硅。由于所有设备不设置任何可以控制药剂量、碱液浓度、清洗液温度、压力、流量以及复用液过滤处理液体循环等装置，因而清洗液的各项数据随着人为操作及环境的变化而变化，所有工作要素均处于不受控或人工自由控制状态，从而严重制约了此工序工艺技术的制程控制能力。由于药液配制气泡的变化，清洗液浓度的变化，以及清洗液压力、流量循环的变化，特别是清洗液温度随着环境的变化等一系列不标准、不确定因素导致溶液化学活性及反应速率较低和活性经常变化不稳定，最终造成去除多孔硅效果不佳、不稳定，效率低下，产量低，质量不稳定，碎片率高，成本较高，操作员工劳动强度大，工作环境差，不安全。使用常规的制绒后清洗多孔硅设备时，为确保表面多孔硅的去除效果好，使电池片烧结后可形成良好的铝背场，获得较高的Uoc和Lsc，传统的清洗在常温及无任何自动控制情况下只能使用KOH溶液的人工调配方法，必然增加溶液浓度和延长浸洗时间来改善清洗效果，但仍不能使绒面深处的多孔硅彻底去除干净，同时也增加了此过程的晶片碎片率，不仅增加了成本，而且效率低下，产量提不高，质量不保证，还有工作环境和劳动强度以及安全生产难以改善。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种能按标准设置成自动控制、尚效率、低成本，彻底去除晶娃片制域后表面多孔娃去除装置，从而提尚表面多孔硅去除率，电池片电性能、电池片外观质量，降低清洗碎片率，大幅提高工作效率，提高生产产量，降低劳动强度，改善工作环境，提高工作安全系数，降低生产成本，提高并稳定电池片各项指标质量。本实用新型实施后提高效率近5倍，每条流水线节约员工5名，提高产量5倍，降低药剂及用碱等成本40%以上，降低碎片率1.3%，操作现场空气大幅改善，操作危险系数极大降低。
[0004]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，它主要包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅工作液池，备液池，纯水清洗池，混液池，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷淋管，去多孔硅池溢流口，废去多孔硅液池和废纯水池，所述药箱与混液池之间设置有药液预热器和药气液配制自动控制器，所述纯水箱与混液池之间设置纯水预加热器和纯水加入自动控制器，所述碱液箱与混液池之间设置碱液预加热器和碱液配制自动控制器，所述备液池中间设置了备液恒温加热器和备液恒温冷却器;且备液池与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，通过去多孔硅池液位、浓度、流量数显计自动控制去多孔硅工作池液位，机械手在抓晶片花篮放置池中时保持上平面下5cm，碱浓度9.15%，气液流量0.35-0.75m3/h;确保在上述温度、浓度、流量和液位标准下浸洗去多孔硅时间为28秒，所述纯水箱与纯水清洗池之间设置有纯水恒温恒压装置和纯水清洗喷淋管，在所述纯水清洗喷淋管上设置有若干组纯水清洗喷淋头，通过自动数显温度计、压力计进行温度压力自动按恒温、恒压标准要求控制，其中温度设定60°C，压力设定0.5MPa ；通过恒温60 °C，恒压0.5MPa纯水喷淋清洗时间为95秒，在所述去多孔硅液工作池的底部设置第一换液导流口，在所述备液池的底部设置第二换液导流口，且上述二导流口均与废去多孔硅液池相连，在所述纯水清洗池底部设置排流管与废纯水池相连。
[0005]所述去多孔硅工作液池与备液池之间设置去多孔硅液过滤处理池，所述去多孔硅工作液池侧面设置有去多孔硅池溢流口，由去多孔硅工作液池溢出的去硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池后流入备液池回收利用。
[0006]在所述去多孔硅工作液池与纯水清洗池之中设置机械手。
[0007]所述药气液配制自动控制器、纯水加入自动控制器碱液配制自动控制器、去多孔硅工作池液位自动控制器、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器，备液池恒温自动控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器分别与操作台相连，由操作台进行参数控制，并且在操作台上设置有工作参数显示屏和去多孔硅浸洗时间控制器，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。
[0008]所述多孔硅液过滤处理池内设多层过滤网及石英砂层。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的优点在于:
[0010]本实用新型分别在药箱，纯水箱和碱液箱与混液池连通之间设置了配制量自动控制装置和预加热器，从而可按照科学设定的药剂量，碱液量和纯水量配比标准比例自动控制配制，可节约药剂0.83%，碱1.85%，可节约成本40%以上，每班节省配药时间2小时，省人工5名，而且配制过程处于封闭状态，防止了废气的外溢而污染工作场合空气，防止了人工配制不小心药剂、碱液伤着人体情况发生;还可按照设定温度分别对药液、碱液和纯水进行自动加温后进入混液池。备液池中的去多孔硅清洗溶液经混液池充分混合并产生化学反应，经加热与冷却二套恒温装置，使去多孔硅清洗溶液既附合最适应的48°C温度指标又附合各项配比指标与9.15%浓度，成为具有高化学活性，高化学反应速率的去多孔硅清洗溶液，达到浸洗时间从原来的45秒减少到28秒，且清除多孔硅从原来的清除率95%提升至99.7%，且由于时间短而降低碎片率1.3%，达到0.2%。备用池连通去多孔硅工作池中间分别设置了去多孔硅工作池液位控制器，浓度及流量自动控制器，根据设定鼓泡液气流量0.35-0.75m3/h，纯水流量5-8L/min，晶硅片叶面浸没至5cm液位，浓度9.15%，温度48°(:等最合理适应标准，不再需要人工去调正和中途停机添加处理，机械手设置成自动控制速度以及清洗时间，其中化学药液浸洗设定时间为28秒，比现有技术45秒节约17秒，纯水箱与纯水喷淋清洗池连通，中间设置恒温恒压自动控制装置和若干喷淋头，喷淋头对应机械手位置，纯水设定温度60 0C，改变了以往常温状态，压力0.5MPa，时间95秒，比现有技术125秒节约30秒，由于温水而提高了清洗效率，减少了清洗时间，且节约纯水量23%以上；去多孔硅工作液池与备液池连通中设置去多孔硅液过滤处理池，使去多孔硅气液通过杂质过滤和液气处理后再进入备液池反复利用，提高液气利用率60%以上，大幅度降低了成本，延长利用时间达16小时换液一次，比现有技术10小时延长6小时，每班减少因换液停机时间平均I小时。本实用新型通过一系列创新合理适应的设置使去多孔硅清除工序过程，均处于最适应合理的自动控制中，不但提高了清除多孔硅效果4.7%和提高工作效率5倍，节省员工5名(每台套)，还节约了此工序成本40%以上，降低了碎片率2.3%，单台套产量提高5倍，同时也减轻了劳动强度，改善了工作环境，提高了工作安全保障，而且不损害机械设备的使用寿命。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的结构示意图
[0012]其中:
[0013]药箱I
[0014]纯水箱2
[0015]碱液箱3
[0016]去多孔硅液工作池4
[0017]备液池5
[0018]纯水清洗池6
[0019]去多孔硅液过滤处理池7
[0020]药液预加热8
[0021]药液配制自动控制器9
[0022]纯水预加热器10
[0023]纯水加入自动控制器11
[0024]混液池12
[0025]碱液预加热器13
[0026]碱液配置自动控制器14
[0027]备液恒温加热器15
[0028]备液恒温冷却器16
[0029 ]去多孔硅工作池液位自动控制器17
[0030]去多孔硅工作溶液浓度自动控制器18
[0031 ]去多孔硅工作溶液流量自动控制器19
[0032]机械手20
[0033]去多孔硅浸洗时间自动控制器21
[0034]纯水清洗喷淋头22
[0035]纯水清洗喷淋管23
[0036]纯水恒压恒温装置24
[0037]去多孔硅工作池溢流口 25
[0038]工作数据显示屏26
[0039]操作台27
[0040]第一换液导流口28[0041 ]第二换液导流口 29
[0042]废纯水排流口 30
[0043]废去多孔硅液池31
[0044]废纯水池32。
【具体实施方式】
[0045]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0046]本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，主要包括药箱I，纯水箱2，碱液箱3，去多孔硅工作液池4，备液池5，纯水清洗池6，混液池12，机械手20，纯水清洗喷淋头22，纯水清洗喷淋管23，去多孔硅池溢流口 25，废去多孔硅液池31和废纯水池32ο
[0047]所述药箱I与混液池12之间设置有药液预热器8和药气液配制自动控制器9，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使药液配制能按最佳合理适应比例自动配制且预加温达45 °C。
[0048]所述纯水箱2与混液池12之间设置纯水预加热器10和纯水加入自动控制器11，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使去多孔硅溶液纯水能按最佳适应合理比例自动加入且预加温达45°C。
[0049]所述碱液箱3与混液池12之间设置碱液预加热器13和碱液配制自动控制器14，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使去多孔硅溶液碱浓度能按9.15%，最佳适应合理比例自动控制加入，且预加温达45 °C。
[0050]所述备液池5中间设置了备液恒温加热器15和备液恒温冷却器16;且备液池5与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器17和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器18以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器19，通过数显自动加温计，冷却计来自动控制备用池去多孔硅溶液达到恒温48°C，这最佳合理最适应去多孔硅温度;通过去多孔硅池液位、浓度、流量数显计自动控制去多孔硅工作池液位在机械手抓晶片花篮放置池中时保持上平面下5cm，碱浓度9.15%，气液流量0.35-0.75m3/h;确保在上述温度、浓度、流量和液位标准下浸洗去多孔硅时间为28秒，节约17秒，去多孔硅率达99.7%，提高4.7%，碎片率降低1.3%，达到0.2%，且节约药剂量0.83%，节约碱液1.85%，在工作途中不再需要人为不停地进行加药剂、加碱、加水等调正。
[0051]所述纯水箱2与纯水清洗池6之间设置有纯水恒温恒压装置24和纯水清洗喷淋管23，在所述纯水清洗喷淋管23上设置有若干组纯水清洗喷淋头22，通过自动数显温度计、压力计进行温度压力自动按恒温、恒压标准要求控制，其中温度设定60°C，压力设定0.5MPa;通过恒温60 °C，恒压0.5MPa纯水喷淋清洗时间为95秒，节约30秒，节约纯水23%以上。
[0052]所述去多孔硅工作液池4与备液池5之间设置去多孔硅液过滤处理池7，所述去多孔硅工作液池4侧面设置有去多孔硅池溢流口 25，由去多孔硅工作液池4溢出的去硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池7后流入备液池5回收利用，去多孔硅液过滤处理池7内设多层过滤网及石英砂层，通过过滤处理后的去多孔硅溶液再循环使用。可以延长使用时间至16小时换液一次，比原来1小时换液一次延长使用时间6小时，提高使用率60%，减少了因换液停机时间班均I小时。
[0053]在所述去多孔硅工作液池4与纯水清洗池6之间设置机械手20，用于自动抓取电池片，可以提高操作的安全性，同时在所述去多孔硅液工作池4的底部设置第一换液导流口
28 ο
[0054]在所述备液池5的底部设置第二换液导流口 29，且上述二导流口均与废去多孔硅液池31相连，在所述纯水清洗池6底部设置排流管30与废纯水池32相连。
[0055]所述药气液配制自动控制器9、纯水加入自动控制器11、碱液配制自动控制器14、去多孔硅工作池液位自动控制器17、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器18、备液恒温加热器15、备液恒温冷却器16以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器19分别与操作台27相连，由操作台27进行参数控制，并且在操作台27上设置有工作参数显示屏26和去多孔硅浸洗时间控制器21，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。
[0056]综上几方面所述，本实用新型通过一系列创新科学合理适应的设置，使该工序整个流程均处于合理自动控制中，通过最合理最具适应性的要素控制，提高了工序流程自动化程度，单套设备节给员工5名，提高产量5倍;通过加温、控温、流量、压力、浓度、液位的自动适应性控制，最大限度地提高了去多孔硅溶液的化学活性和化学反应速率，不仅提高了去除多孔硅的效率达99.7%，碎片率降至0.2%，确保了电池片的高、稳定质量，而且节约该工序生产成本原材料成本40%以上；同时减轻了员工劳动强度，提升了工作环境质量，确保了安全生产，确保了产品质量的提升和总成本的下降。
[0057]除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:它主要包括药箱(I)，纯水箱(2)，碱液箱(3 )，去多孔硅液工作池(4)，备液池(5)，纯水清洗池(6 )，混液池(12 )，纯水清洗喷淋头(22)，纯水清洗喷淋管(23)，去多孔硅池溢流口(25)，废去多孔硅液池(31)和废纯水池(32)，所述药箱(I)与混液池(12)之间设置有药液预热器(8)和药气液配制自动控制器(9)，所述纯水箱(2)与混液池(12)之间设置纯水预加热器(10)和纯水加入自动控制器(11)，所述碱液箱(3)与混液池(12)之间设置碱液预加热器(13)和碱液配制自动控制器(14)，所述备液池(5)中间设置了备液恒温加热器(15)和备液恒温冷却器(16);且备液池(5)与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器(17)和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器(19);所述去多孔硅液工作池(4)中设置抓晶片花篮机械手(20)、能定时且自动清洗，所述纯水箱(2)与纯水清洗池(6)之间设置有纯水恒温恒压装置(24)和纯水清洗喷淋管(23)，在所述纯水清洗喷淋管(23)上设置有若干组纯水清洗喷淋头(22)，在所述去多孔硅液工作池(4)的底部设置第一换液导流口(28)，在所述备液池(5)的底部设置第二换液导流口(29)，且上述二导流口均与废去多孔硅液池(31)相连，在所述纯水清洗池(6 )底部设置排流管(30 )与废纯水池(32 )相连。2.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述去多孔硅液工作池(4)与备液池(5)之间设置去多孔硅液过滤处理池(7)，所述去多孔硅液工作池(4)侧面设置有去多孔硅池溢流口(25)，由去多孔硅液工作池(4)溢出的硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池(7)后流入备液池(5)回收利用。3.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:在所述去多孔硅液工作池(4)与纯水清洗池(6)之中设置机械手(20)。4.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述药气液配制自动控制器(9)、纯水加入自动控制器(11)、碱液配制自动控制器(14)、去多孔硅工作池液位自动控制器(17)、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器(19)分别与操作台(27)相连，由操作台(27)进行参数控制，并且在操作台(27)上设置有工作参数显示屏(26)和去多孔硅浸洗时间控制器(21)，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。5.根据权利要求2所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述多孔硅液过滤处理池(7)内设多层过滤网及石英砂层。
【文档编号】C30B33/10GK205723581SQ201620196736
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年3月15日
【发明人】赵枫, 赵雅, 赵卫东, 朱广和, 费春燕, 赵霞, 王燕, 李向华
【申请人】江苏东鋆光伏科技有限公司
【专利摘要】本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置：包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅液工作池，备液池，纯水清水池，去多孔硅溶液过滤处理池，药液预加热器，药气、液配制自动控制器，纯水预加热器，纯水加入自动控制器，去多孔硅液过滤处理池，碱液预加热器，碱液配制自动控制器，备液恒温加热器，备液恒温冷却器，去多孔硅工作池液位自动控制器，去多孔硅池溶液浓度自动控制器，去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，机械手，去多孔硅浸洗时间控制器，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷林管，纯水恒压恒温装置，去多孔硅工作池溢流口，工作参数显示屏，操作台，换液导流口，废纯水排流口，废去多孔硅溶液池，废纯水池。
【专利说明】
制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，尤其涉及一种自动控制程度高，高效率彻底去除多晶硅片制绒后表面多孔硅的自动装置，属于太阳能光伏技术领域。
【背景技术】
[0002]目前我国晶体硅太阳能电池产业技术已经非常成熟，其中绒面制备及清洗是晶体硅太阳能电池片生产过程中非常重要的工艺技术工序，直接影响电池片的Uoc.1sc等重要电性能参数和外观。使用常规的制绒后清洗设备时，均采用人工控制且在常温下KOH溶液去除制绒后多晶硅片表面产生的多孔硅。由于所有设备不设置任何可以控制药剂量、碱液浓度、清洗液温度、压力、流量以及复用液过滤处理液体循环等装置，因而清洗液的各项数据随着人为操作及环境的变化而变化，所有工作要素均处于不受控或人工自由控制状态，从而严重制约了此工序工艺技术的制程控制能力。由于药液配制气泡的变化，清洗液浓度的变化，以及清洗液压力、流量循环的变化，特别是清洗液温度随着环境的变化等一系列不标准、不确定因素导致溶液化学活性及反应速率较低和活性经常变化不稳定，最终造成去除多孔硅效果不佳、不稳定，效率低下，产量低，质量不稳定，碎片率高，成本较高，操作员工劳动强度大，工作环境差，不安全。使用常规的制绒后清洗多孔硅设备时，为确保表面多孔硅的去除效果好，使电池片烧结后可形成良好的铝背场，获得较高的Uoc和Lsc，传统的清洗在常温及无任何自动控制情况下只能使用KOH溶液的人工调配方法，必然增加溶液浓度和延长浸洗时间来改善清洗效果，但仍不能使绒面深处的多孔硅彻底去除干净，同时也增加了此过程的晶片碎片率，不仅增加了成本，而且效率低下，产量提不高，质量不保证，还有工作环境和劳动强度以及安全生产难以改善。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种能按标准设置成自动控制、尚效率、低成本，彻底去除晶娃片制域后表面多孔娃去除装置，从而提尚表面多孔硅去除率，电池片电性能、电池片外观质量，降低清洗碎片率，大幅提高工作效率，提高生产产量，降低劳动强度，改善工作环境，提高工作安全系数，降低生产成本，提高并稳定电池片各项指标质量。本实用新型实施后提高效率近5倍，每条流水线节约员工5名，提高产量5倍，降低药剂及用碱等成本40%以上，降低碎片率1.3%，操作现场空气大幅改善，操作危险系数极大降低。
[0004]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，它主要包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅工作液池，备液池，纯水清洗池，混液池，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷淋管，去多孔硅池溢流口，废去多孔硅液池和废纯水池，所述药箱与混液池之间设置有药液预热器和药气液配制自动控制器，所述纯水箱与混液池之间设置纯水预加热器和纯水加入自动控制器，所述碱液箱与混液池之间设置碱液预加热器和碱液配制自动控制器，所述备液池中间设置了备液恒温加热器和备液恒温冷却器;且备液池与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，通过去多孔硅池液位、浓度、流量数显计自动控制去多孔硅工作池液位，机械手在抓晶片花篮放置池中时保持上平面下5cm，碱浓度9.15%，气液流量0.35-0.75m3/h;确保在上述温度、浓度、流量和液位标准下浸洗去多孔硅时间为28秒，所述纯水箱与纯水清洗池之间设置有纯水恒温恒压装置和纯水清洗喷淋管，在所述纯水清洗喷淋管上设置有若干组纯水清洗喷淋头，通过自动数显温度计、压力计进行温度压力自动按恒温、恒压标准要求控制，其中温度设定60°C，压力设定0.5MPa ；通过恒温60 °C，恒压0.5MPa纯水喷淋清洗时间为95秒，在所述去多孔硅液工作池的底部设置第一换液导流口，在所述备液池的底部设置第二换液导流口，且上述二导流口均与废去多孔硅液池相连，在所述纯水清洗池底部设置排流管与废纯水池相连。
[0005]所述去多孔硅工作液池与备液池之间设置去多孔硅液过滤处理池，所述去多孔硅工作液池侧面设置有去多孔硅池溢流口，由去多孔硅工作液池溢出的去硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池后流入备液池回收利用。
[0006]在所述去多孔硅工作液池与纯水清洗池之中设置机械手。
[0007]所述药气液配制自动控制器、纯水加入自动控制器碱液配制自动控制器、去多孔硅工作池液位自动控制器、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器，备液池恒温自动控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器分别与操作台相连，由操作台进行参数控制，并且在操作台上设置有工作参数显示屏和去多孔硅浸洗时间控制器，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。
[0008]所述多孔硅液过滤处理池内设多层过滤网及石英砂层。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的优点在于:
[0010]本实用新型分别在药箱，纯水箱和碱液箱与混液池连通之间设置了配制量自动控制装置和预加热器，从而可按照科学设定的药剂量，碱液量和纯水量配比标准比例自动控制配制，可节约药剂0.83%，碱1.85%，可节约成本40%以上，每班节省配药时间2小时，省人工5名，而且配制过程处于封闭状态，防止了废气的外溢而污染工作场合空气，防止了人工配制不小心药剂、碱液伤着人体情况发生;还可按照设定温度分别对药液、碱液和纯水进行自动加温后进入混液池。备液池中的去多孔硅清洗溶液经混液池充分混合并产生化学反应，经加热与冷却二套恒温装置，使去多孔硅清洗溶液既附合最适应的48°C温度指标又附合各项配比指标与9.15%浓度，成为具有高化学活性，高化学反应速率的去多孔硅清洗溶液，达到浸洗时间从原来的45秒减少到28秒，且清除多孔硅从原来的清除率95%提升至99.7%，且由于时间短而降低碎片率1.3%，达到0.2%。备用池连通去多孔硅工作池中间分别设置了去多孔硅工作池液位控制器，浓度及流量自动控制器，根据设定鼓泡液气流量0.35-0.75m3/h，纯水流量5-8L/min，晶硅片叶面浸没至5cm液位，浓度9.15%，温度48°(:等最合理适应标准，不再需要人工去调正和中途停机添加处理，机械手设置成自动控制速度以及清洗时间，其中化学药液浸洗设定时间为28秒，比现有技术45秒节约17秒，纯水箱与纯水喷淋清洗池连通，中间设置恒温恒压自动控制装置和若干喷淋头，喷淋头对应机械手位置，纯水设定温度60 0C，改变了以往常温状态，压力0.5MPa，时间95秒，比现有技术125秒节约30秒，由于温水而提高了清洗效率，减少了清洗时间，且节约纯水量23%以上；去多孔硅工作液池与备液池连通中设置去多孔硅液过滤处理池，使去多孔硅气液通过杂质过滤和液气处理后再进入备液池反复利用，提高液气利用率60%以上，大幅度降低了成本，延长利用时间达16小时换液一次，比现有技术10小时延长6小时，每班减少因换液停机时间平均I小时。本实用新型通过一系列创新合理适应的设置使去多孔硅清除工序过程，均处于最适应合理的自动控制中，不但提高了清除多孔硅效果4.7%和提高工作效率5倍，节省员工5名(每台套)，还节约了此工序成本40%以上，降低了碎片率2.3%，单台套产量提高5倍，同时也减轻了劳动强度，改善了工作环境，提高了工作安全保障，而且不损害机械设备的使用寿命。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的结构示意图
[0012]其中:
[0013]药箱I
[0014]纯水箱2
[0015]碱液箱3
[0016]去多孔硅液工作池4
[0017]备液池5
[0018]纯水清洗池6
[0019]去多孔硅液过滤处理池7
[0020]药液预加热8
[0021]药液配制自动控制器9
[0022]纯水预加热器10
[0023]纯水加入自动控制器11
[0024]混液池12
[0025]碱液预加热器13
[0026]碱液配置自动控制器14
[0027]备液恒温加热器15
[0028]备液恒温冷却器16
[0029 ]去多孔硅工作池液位自动控制器17
[0030]去多孔硅工作溶液浓度自动控制器18
[0031 ]去多孔硅工作溶液流量自动控制器19
[0032]机械手20
[0033]去多孔硅浸洗时间自动控制器21
[0034]纯水清洗喷淋头22
[0035]纯水清洗喷淋管23
[0036]纯水恒压恒温装置24
[0037]去多孔硅工作池溢流口 25
[0038]工作数据显示屏26
[0039]操作台27
[0040]第一换液导流口28[0041 ]第二换液导流口 29
[0042]废纯水排流口 30
[0043]废去多孔硅液池31
[0044]废纯水池32。
【具体实施方式】
[0045]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0046]本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，主要包括药箱I，纯水箱2，碱液箱3，去多孔硅工作液池4，备液池5，纯水清洗池6，混液池12，机械手20，纯水清洗喷淋头22，纯水清洗喷淋管23，去多孔硅池溢流口 25，废去多孔硅液池31和废纯水池32ο
[0047]所述药箱I与混液池12之间设置有药液预热器8和药气液配制自动控制器9，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使药液配制能按最佳合理适应比例自动配制且预加温达45 °C。
[0048]所述纯水箱2与混液池12之间设置纯水预加热器10和纯水加入自动控制器11，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使去多孔硅溶液纯水能按最佳适应合理比例自动加入且预加温达45°C。
[0049]所述碱液箱3与混液池12之间设置碱液预加热器13和碱液配制自动控制器14，通过数显自动加温计和流量计自动控制温度及流量，使去多孔硅溶液碱浓度能按9.15%，最佳适应合理比例自动控制加入，且预加温达45 °C。
[0050]所述备液池5中间设置了备液恒温加热器15和备液恒温冷却器16;且备液池5与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器17和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器18以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器19，通过数显自动加温计，冷却计来自动控制备用池去多孔硅溶液达到恒温48°C，这最佳合理最适应去多孔硅温度;通过去多孔硅池液位、浓度、流量数显计自动控制去多孔硅工作池液位在机械手抓晶片花篮放置池中时保持上平面下5cm，碱浓度9.15%，气液流量0.35-0.75m3/h;确保在上述温度、浓度、流量和液位标准下浸洗去多孔硅时间为28秒，节约17秒，去多孔硅率达99.7%，提高4.7%，碎片率降低1.3%，达到0.2%，且节约药剂量0.83%，节约碱液1.85%，在工作途中不再需要人为不停地进行加药剂、加碱、加水等调正。
[0051]所述纯水箱2与纯水清洗池6之间设置有纯水恒温恒压装置24和纯水清洗喷淋管23，在所述纯水清洗喷淋管23上设置有若干组纯水清洗喷淋头22，通过自动数显温度计、压力计进行温度压力自动按恒温、恒压标准要求控制，其中温度设定60°C，压力设定0.5MPa;通过恒温60 °C，恒压0.5MPa纯水喷淋清洗时间为95秒，节约30秒，节约纯水23%以上。
[0052]所述去多孔硅工作液池4与备液池5之间设置去多孔硅液过滤处理池7，所述去多孔硅工作液池4侧面设置有去多孔硅池溢流口 25，由去多孔硅工作液池4溢出的去硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池7后流入备液池5回收利用，去多孔硅液过滤处理池7内设多层过滤网及石英砂层，通过过滤处理后的去多孔硅溶液再循环使用。可以延长使用时间至16小时换液一次，比原来1小时换液一次延长使用时间6小时，提高使用率60%，减少了因换液停机时间班均I小时。
[0053]在所述去多孔硅工作液池4与纯水清洗池6之间设置机械手20，用于自动抓取电池片，可以提高操作的安全性，同时在所述去多孔硅液工作池4的底部设置第一换液导流口
28 ο
[0054]在所述备液池5的底部设置第二换液导流口 29，且上述二导流口均与废去多孔硅液池31相连，在所述纯水清洗池6底部设置排流管30与废纯水池32相连。
[0055]所述药气液配制自动控制器9、纯水加入自动控制器11、碱液配制自动控制器14、去多孔硅工作池液位自动控制器17、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器18、备液恒温加热器15、备液恒温冷却器16以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器19分别与操作台27相连，由操作台27进行参数控制，并且在操作台27上设置有工作参数显示屏26和去多孔硅浸洗时间控制器21，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。
[0056]综上几方面所述，本实用新型通过一系列创新科学合理适应的设置，使该工序整个流程均处于合理自动控制中，通过最合理最具适应性的要素控制，提高了工序流程自动化程度，单套设备节给员工5名，提高产量5倍;通过加温、控温、流量、压力、浓度、液位的自动适应性控制，最大限度地提高了去多孔硅溶液的化学活性和化学反应速率，不仅提高了去除多孔硅的效率达99.7%，碎片率降至0.2%，确保了电池片的高、稳定质量，而且节约该工序生产成本原材料成本40%以上；同时减轻了员工劳动强度，提升了工作环境质量，确保了安全生产，确保了产品质量的提升和总成本的下降。
[0057]除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:它主要包括药箱(I)，纯水箱(2)，碱液箱(3 )，去多孔硅液工作池(4)，备液池(5)，纯水清洗池(6 )，混液池(12 )，纯水清洗喷淋头(22)，纯水清洗喷淋管(23)，去多孔硅池溢流口(25)，废去多孔硅液池(31)和废纯水池(32)，所述药箱(I)与混液池(12)之间设置有药液预热器(8)和药气液配制自动控制器(9)，所述纯水箱(2)与混液池(12)之间设置纯水预加热器(10)和纯水加入自动控制器(11)，所述碱液箱(3)与混液池(12)之间设置碱液预加热器(13)和碱液配制自动控制器(14)，所述备液池(5)中间设置了备液恒温加热器(15)和备液恒温冷却器(16);且备液池(5)与去多孔硅液池之间设置了去多孔硅工作池液位自动控制器(17)和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器(19);所述去多孔硅液工作池(4)中设置抓晶片花篮机械手(20)、能定时且自动清洗，所述纯水箱(2)与纯水清洗池(6)之间设置有纯水恒温恒压装置(24)和纯水清洗喷淋管(23)，在所述纯水清洗喷淋管(23)上设置有若干组纯水清洗喷淋头(22)，在所述去多孔硅液工作池(4)的底部设置第一换液导流口(28)，在所述备液池(5)的底部设置第二换液导流口(29)，且上述二导流口均与废去多孔硅液池(31)相连，在所述纯水清洗池(6 )底部设置排流管(30 )与废纯水池(32 )相连。2.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述去多孔硅液工作池(4)与备液池(5)之间设置去多孔硅液过滤处理池(7)，所述去多孔硅液工作池(4)侧面设置有去多孔硅池溢流口(25)，由去多孔硅液工作池(4)溢出的硅液通过溢流口流出，并经过去多孔硅液过滤处理池(7)后流入备液池(5)回收利用。3.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:在所述去多孔硅液工作池(4)与纯水清洗池(6)之中设置机械手(20)。4.根据权利要求1所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述药气液配制自动控制器(9)、纯水加入自动控制器(11)、碱液配制自动控制器(14)、去多孔硅工作池液位自动控制器(17)、去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自动控制器(19)分别与操作台(27)相连，由操作台(27)进行参数控制，并且在操作台(27)上设置有工作参数显示屏(26)和去多孔硅浸洗时间控制器(21)，分别用来显示各个控制器的参数状态和控制浸洗时间。5.根据权利要求2所述的一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于:所述多孔硅液过滤处理池(7)内设多层过滤网及石英砂层。
【文档编号】C30B33/10GK205723581SQ201620196736
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年3月15日
【发明人】赵枫, 赵雅, 赵卫东, 朱广和, 费春燕, 赵霞, 王燕, 李向华
【申请人】江苏东鋆光伏科技有限公司
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