一种新型金属封装型mos三极管的制作方法

专利名称:一种新型金属封装型mos三极管的制作方法
【专利摘要】一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于：包括固定翼板、金属帽、固定螺钉孔和半导体芯片，固定翼板前表面中部设置有金属帽，固定翼板上下对称设置有固定螺钉孔，金属帽内部设置有半导体芯片，半导体芯片上设置有漏极，漏极下侧设置有栅极，栅极下侧设置有源极，固定翼板后表面中部设置有金属封装盖，金属封装盖上设置有极柱伸出口，有益效果在于：导通压降小，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，热阻特性好，适合大功率并联，可以在微电流、低电压条件下工作，且便于集成。
【专利说明】
一种新型金属封装型MOS三极管
技术领域
[0001 ]本实用新型属于MOS三极管设备领域，具体涉及一种新型金属封装型MOS三极管。
【背景技术】
[0002]MOS管是场效应晶体管，是一种电压控制器件。而普通晶体管(又称双极晶体管)是一种电流控制器件，MOS管有N沟道与P沟道之分，两者极性相反，正如PNP与NPN晶体管一样。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semi conductor)场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。但是现在使用的MOS三极管存在导通压降大，电源损耗大，安装不方便等缺点。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种新型金属封装型MOS三极管。
[0004]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]—种新型金属封装型MOS三极管，包括固定翼板、金属帽、固定螺钉孔和半导体芯片，固定翼板前表面中部设置有金属帽，固定翼板上下对称设置有固定螺钉孔，金属帽内部设置有半导体芯片，半导体芯片上设置有漏极，漏极下侧设置有栅极，栅极下侧设置有源极，固定翼板后表面中部设置有金属封装盖，金属封装盖上设置有极柱伸出口。
[0006]上述结构中，将源极、栅极和漏极通过焊锡焊接在电路板上，并将螺钉通过固定螺钉孔将三极管固定在电路板上，便可以使用。
[0007]作为本实用新型的优选方案，定翼板与金属帽通过焊接相连接，固定螺钉孔通过在固定翼板上冲压形成。
[0008]作为本实用新型的优选方案，半导体芯片装夹在金属帽内部，半导体芯片与漏极通过焊锡焊接相连接。
[0009]作为本实用新型的优选方案，半导体芯片与栅极通过焊锡焊接相连接，半导体芯片与源极通过焊锡焊接相连接。
[0010]作为本实用新型的优选方案，金属封装盖与固定翼板通过焊接相连接，极柱伸出口通过在金属封装盖上冲压形成。
[0011]有益效果在于:导通压降小，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，热阻特性好，适合大功率并联，可以在微电流、低电压条件下工作，且便于集成。
【附图说明】

[0012]图1是本实用新型所述一种新型金属封装型MOS三极管的主视图；
[0013]图2是本实用新型所述一种新型金属封装型MOS三极管的左视图；
[0014]图3是本实用新型所述一种新型金属封装型MOS三极管的后视图。
[0015]附图标记说明如下:
[0016]1、固定翼板;2、金属帽；3、固定螺钉孔;4、源极;5、栅极;6、漏极;7、半导体芯片;8、
金属封装盖;9、极柱伸出口。
【具体实施方式】
[0017]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0018]如图1-图2-图3所示，一种新型金属封装型MOS三极管，包括固定翼板1、金属帽2、固定螺钉孔3和半导体芯片7，固定翼板I前表面中部设置有金属帽2，固定翼板I上下对称设置有固定螺钉孔3，金属帽2内部设置有半导体芯片7，金属帽2起到保护内部半导体芯片7的作用，并可以防止静电干扰，半导体芯片7上设置有漏极6，漏极6下侧设置有栅极5，栅极5下侧设置有源极4，固定翼板I后表面中部设置有金属封装盖8，将半导体芯片7封装在金属帽2内部，金属封装盖8上设置有极柱伸出口 9，源极4、栅极5和漏极6通过极柱伸出口 9伸出来，以便于安装在电路板上。
[0019]上述结构中，将源极4、栅极5和漏极6通过焊锡焊接在电路板上，并将螺钉通过固定螺钉孔3将三极管固定在电路板上，便可以使用。
[0020]作为本实用新型的优选方案，固定翼板I与金属帽2通过焊接相连接，固定螺钉孔3通过在固定翼板I上冲压形成，半导体芯片7装夹在金属帽2内部，半导体芯片7与漏极6通过焊锡焊接相连接，半导体芯片7与栅极5通过焊锡焊接相连接，半导体芯片7与源极4通过焊锡焊接相连接，金属封装盖8与固定翼板I通过焊接相连接，极柱伸出口 9通过在金属封装盖8上冲压形成。
[0021]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。
【主权项】
1.一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于:包括固定翼板、金属帽、固定螺钉孔和半导体芯片，固定翼板前表面中部设置有金属帽，固定翼板上下对称设置有固定螺钉孔，金属帽内部设置有半导体芯片，半导体芯片上设置有漏极，漏极下侧设置有栅极，栅极下侧设置有源极，固定翼板后表面中部设置有金属封装盖，金属封装盖上设置有极柱伸出口。2.根据权利要求1所述的一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于:固定翼板与金属帽通过焊接相连接，固定螺钉孔通过在固定翼板上冲压形成。3.根据权利要求1所述的一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于:半导体芯片装夹在金属帽内部，半导体芯片与漏极通过焊锡焊接相连接。4.根据权利要求1所述的一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于:半导体芯片与栅极通过焊锡焊接相连接，半导体芯片与源极通过焊锡焊接相连接。5.根据权利要求1所述的一种新型金属封装型MOS三极管，其特征在于:金属封装盖与固定翼板通过焊接相连接，极柱伸出口通过在金属封装盖上冲压形成。
【文档编号】H01L23/04GK205723493SQ201620363166
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】王兴
【申请人】王兴