专利名称：不用中心提升针来提升玻璃衬底的方法
技术领域：
本发明涉及用于从基座上提升衬底的改进方法和装置。更具体地说，本发明涉及避免在被处理衬底的中心区域中生成不连续痕迹的方法和装置。
背景技术：
等离子体化学气相沉积(CVD)是这样的工艺，在该工艺中在衬底上沉积各种材料以生成膜。一般地，在CVD工艺中，衬底由真空沉积处理室中的基座支撑，并在处理过程中被加热到几百摄氏度。沉积气体被注入到室中，发生化学反应，导致在衬底上特定膜的沉积。在CVD室中使用的两种沉积工艺包括等离子体增强CVD(PECVD)和热增强CVD。CVD工艺被用于制造液晶显示器、平面显示器、膜晶体管以及其他半导体器件。
CVD基座是CVD室内的机械部件，其功能是在沉积期间在处理室中作为接地电极并支撑衬底。基座包括安装在柱上的衬底支撑盘，以及用于在CVD处理室内升高或降低衬底的提升组件。
对于商业产品来说，等离子体CVD装置一般包括提升设备，用于将衬底自动传送到沉积室的基座上，以及将被处理的衬底从基座上抬起以将衬底从沉积室中取出。提升设备包括提升针，用于在将被处理的衬底从基座上抬起的时候支撑被处理的衬底。
图1A是示出了根据现有技术的CVD装置中的示例性提升针配置的俯视平面图。在图1A中，提升针被配置成存在两个中心提升针150来支撑衬底160的中心区域140。此外，有八个边缘提升针110用于在衬底的周边支撑衬底160。在图1A示出的配置中，在衬底160的每一角部附近都有两个边缘针110支撑衬底。图1B是沿图1A中线1-1’的图1A的横截面侧视图。图1B图示了提升针110和150是如何被定位在基座166的孔(未示出)中的。在CVD沉积工艺期间，衬底160直接平放在基座166上。为了在结束沉积之后将衬底160从基座166上分离，或者(i)使提升针110和150升高穿过基座166，或者(ii)提升针110和150保持固定而降低基座166。
在传统CVD系统中存在与使用中心提升针150相关联的几个缺点。这些缺点包括在中心提升针接触被处理衬底的地方所形成的不连续痕迹，即公知的高尔夫球座痕迹。传统CVD装置操作的另一个缺点是，在衬底上直接由中心提升针150支撑的区域中沉积的膜一般比在衬底其他区域上沉积的膜薄5％到10％并且密度更小。
图2图示了在被处理的衬底上膜厚作为衬底位置的函数。该膜是使用传统的CVD装置沉积的栅极氮化物膜。区域205表示中心提升针150直接支撑被处理衬底160的位置。该图示出了在区域205中在被处理的衬底160上沉积的膜比在区域205外侧的区域的薄。此外，图2中被处理衬底的沉积厚度均一性是4.4％。这里，沉积厚度均一性(厚度变化)定义如下(Max-Min)/(Max+Min)×100％其中，Min是在衬底160的区域205内的位置上沉积的膜的厚度，Max是在衬底160上衬底160的区域205外的位置沉积的膜的厚度。在衬底中心位置的4.4％的沉积厚度均一性(厚度变化)是不令人满意的。
图3图示了对于图2中所使用的相同衬底，湿法刻蚀速率与衬底位置的关系。如图2所示，区域205表示中心提升针150直接支撑被处理衬底160的位置。该图示出了在被传统方法处理的衬底上，在区域205中湿法刻蚀速率比在区域205外侧的区域中更高。图3的被处理的衬底具有14.3％的湿法刻蚀速率均一性，这么高是不期望的。这里，湿法刻蚀速率均一性(湿法刻蚀速率变化)被定义为
(Maxrate-Minrate)/(Maxrate+Minrate)×100％其中，Minrate是在衬底160的区域205外的位置上沉积膜的湿法刻蚀速率，Maxrate是在衬底160上在衬底160的区域205内的位置上沉积膜的湿法刻蚀速率。湿法刻蚀速率一般与所沉积的膜的密度成比例。即，更高的湿法刻蚀速率对应密度更小的膜。因此，图3表明在衬底160的区域205中的膜的密度明显小于在区域205外沉积的膜的密度。
在中心提升针150直接支撑衬底160的区域中出现的不连续痕迹，作为污点通常对于肉眼是可视的。人们认为这些缺陷是由在中心提升针150接触衬底的位置上膜的不均匀引起的。可以理解，相对于衬底160没有位于中心提升针150正上方的区域，衬底160位于中心提升针150正上方的区域经受着不同的温度应力、热膨胀和压力。
虽然在不要求大的连续衬底面积的制造方案中可以避免不连续痕迹，例如对于PDA或计算机屏幕的衬底，但是这些痕迹的存在仍旧是不期望的。在衬底中心附近的不连续痕迹浪费被处理衬底的表面积，从而增加了制造成本。此外，被设计为不使用被处理衬底160的中心部分的工艺，需要额外的图案化步骤和工序，这也增加了总的制造时间。在需要大的连续衬底面积的应用中，例如在大屏幕的电视机生产中，这种不连续痕迹自然也不能避免。因此，在这种应用中不连续痕迹的存在也损害了产品质量。
如上面所概述的，中心提升针150的使用导致不令人满意的质量。但仅仅从传统的提升针配置中去除中心提升针150不能给出解决方案。当从如图1所示的传统提升针配置中去除中心提升针时，在将衬底从基座上移走时，衬底的中心会过度下垂。衬底下垂的量根据总衬底表面积、衬底温度以及衬底厚度而改变。表面积越大、衬底越薄、处理温度越高，衬底越倾向于过度下垂。在一般的制造条件下，当被处理的衬底被提升离开基座时，温度被保持在约350℃。尺寸为600毫米×720毫米、厚0.7毫米(mm)的衬底代表将开始出现过度下垂的尺寸。在使用已经将中心提升针移走的传统提升针配置时，厚度为0.63mm的1100nm×1250nm的衬底(例如康宁1737玻璃)在中心将下垂大于50mm。这种下垂程度是不期望的。使用自动提升组件将具有这种下垂量的衬底从处理室中移走是很困难的。
在上面的背景下，本领域所需的是用于从处理室提升衬底的改进装置和方法。
发明内容
本发明提供了不需要使用中心提升针的提升针配置。因此，使用本发明的提升针配置，可以将衬底从处理室中移出，而不会在衬底的中心区域中引入不连续痕迹。本发明的一个实施例提供了用于从处理室中的基座上提升衬底的方法和装置。该方法包括(i)将多个提升针中的每一个提升针定位在提升针支座上，以及(ii)升高多个提升针使它们支撑衬底。有利的是，本发明的提升针配置虽然是不需要使用中心提升针的配置，但是可以支撑衬底而不会导致衬底过度下垂。
在本发明的方法和装置中，衬底一般具有至少为500毫米的第一尺寸，以及至少为500毫米的第二尺寸。在一些实施例中，通过降低基座将衬底从基座上分离。当基座被降低时，多个提升针与基座接触，从而将衬底从基座上分离。
在本发明的一个实施例中，三个提升针支撑衬底的每一边缘。在另一个实施例中，提升针支座具有均匀布置在基座每一侧上的多于三个的提升针(例如，四个提升针、五个提升针或更多)。在本发明的一个方面中，所有的提升针从具有预定边框宽度的边框区域内的点支撑衬底。边框区域包括衬底的周边。在一些实施例中，边框区域的边框宽度为约40毫米到约400毫米。在其他实施例中，边框宽度小于衬底长度或宽度的十分之一。在一些实施例中，提升针被配置成每一个提升针支撑点距离衬底中心至少预定间距。这里所使用的提升针支撑点是衬底直接上覆于提升针的点。在这些实施例中，没有提升针支撑点位于衬底的中心区域内。在一些实施例中，衬底的中心区域具有约40毫米到约400毫米的直径。在其他实施例中，衬底的中心区域的直径为衬底长度的五分之一。
在一些实施例中，每一个提升针支撑点与衬底最近的边缘之间的距离，小于提升针支撑点与沿着被处理衬底的宽度(x轴)或长度(y轴)而中分被处理衬底的线之间的距离的五分之一。在本发明的另一个实施例中，多个提升针被配置成每一个提升针支撑点与被处理衬底的最近边缘之间的距离小于被处理衬底长度或宽度的十分之一。
本发明的一些实施例使用中心助推件。在使用中心助推件的实施例中，在多个提升针已经接触被处理衬底之前或者在刚刚接触之后即缩回中心助推件。
在本发明的一些实施例中，支撑部件覆盖着多个提升针。在这种方式下，支撑部件接触衬底以将衬底从基座上分离。在一些实施例中，支撑部件实际上包括多个部件。每一个这样的部件上覆于多个提升针中的不同子集。
有利的是，已经通过本发明的方法和装置处理的衬底在被处理衬底的中心区域内没有不连续痕迹。
图1A和图1B描绘了根据现有技术的提升针配置。
图2是图示了根据现有技术对于栅极氮化物膜在被处理衬底的提升针支撑点与其他区域之间的膜沉积厚度的差别的图。
图3是图示了根据现有技术对于栅极氮化物膜在被处理衬底的提升针支撑点与其他区域之间的湿法刻蚀速率的差别的图。
图4是根据现有技术在化学气相沉积(CVD)工艺中沉积层的横截面视图。
图5是CVD处理室的横截面视图。
图6是CVD处理室的横截面视图。
图7是处理室的横截面视图，图示了根据本发明，在提升被处理的衬底之前，将被处理的衬底从基座上分离的中心助推件的使用。
图8是根据本发明一个实施例的提升针配置的一个实施例的平面图。
图9是根据本发明一个实施例的另一种可选提升针配置的平面图。
图10是根据本发明一个实施例的提升针配置的一个实施例的平面图。
图11是根据本发明一个实施例的提升针配置的平面图。
图12是根据本发明另一个实施例的提升针配置的平面图。
在附图的几个视图中类似的标号指示相应的部件。
具体实施例方式
本发明旨在用于将衬底移进和移出处理室的方法和装置。在下面描述的实施例中，针对化学气相沉积(CVD)室来描述本发明。但是，本发明也可应用于其他类型的处理室。例如，本发明可以在进行沉积工艺的任何处理室中使用。这种室包括但是不限于等离子体增强CVD(PECVD)室、刻蚀室、物理气相沉积(PVD)室和快速热退火(RTA)室。
本发明可以在由加州圣克拉拉的应用材料公司制造的型号为AKT-3500 PECVD系统中使用。AKT-3500 PECVD被设计在大液晶平面显示器用衬底的生产中使用。这是模块化的系统，其具有可以用于沉积非晶硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化合物膜的多个处理室。有关AKT-3500的更多细节可以在题目为“A Deposition Chamber Cleaning Technique Using a HighPower Remote Excitation Source”的美国专利6,432,255中找到，该专利已经被转让给本发明的受让人，并且这里通过引用而包含其全文。本发明可以与任何商业化的沉积系统一起使用，所述商业化的系统包括但不限于1600PECVD(例如AKT PECVD 1600 B型，衬底大小400×500)、3500 PECVD、4300 PECVD、5500 PECVD、PECVD 10K、PECVD 15K以及PECVD 25K，所有这些系统都由加州圣克拉拉的应用材料公司制造。
在本发明中使用的衬底的尺寸这里所使用的术语“衬底”宽泛地覆盖了在处理室中正被处理的任何物件。术语“衬底”包括例如用于平面显示器的平板，玻璃或陶瓷板，以及玻璃或陶瓷盘。本发明尤其可应用于大的衬底，例如尺寸为500mm×500mm和更大的玻璃衬底。在一个实施例中，衬底的尺寸为600mm×720mm或者更大。在本发明的另一个实施例中，衬底的尺寸为1000mm×1200mm或者更大。在本发明的另一个实施例中，衬底的尺寸为1100mm×1250mm或者更大。
本发明的一些实施例与厚度约0.7mm或更大的衬底一起使用。本发明的一些实施例与厚度约0.63mm或更大的衬底一起使用。本发明的另一些实施例与厚度约0.60mm或更大的衬底一起使用。本发明的另一些实施例与厚度约0.50mm或更大的衬底一起使用。
在衬底上沉积的膜PECVD和CVD是用于在衬底上沉积薄膜层的工艺。一般地，在CVD工艺中，衬底被支撑在真空沉积处理室中，并且在处理过程中被加热到几百摄氏度。沉积气体被注入到室中，并发生化学反应，以在衬底上沉积薄膜层。
图4图示了在CVD工艺中沉积的一般的膜的示例。首先，在衬底400上沉积氮化硅层402。层404是非晶硅。第三层(406)是多晶硅，第四层(408)是氮化硅钝化层。
沉积装置在本发明的一些实施例中，沉积工艺是PECVD工艺。图5图示了PECVD装置530，在其中可以使用本发明的提升针以将基座与衬底分离。如图5所示，PECVD装置530包括具有安装在柱537上的衬底支撑盘520的基座535。基座535被示为处于真空沉积处理室533的中间。支撑层522位于支撑盘520上，用于在衬底处理或者反应区域541中支撑例如玻璃板的衬底。可以设置提升机构(未示出)以提升和降低基座535。提升机构(未示出)受命令调节，所述命令由使用本领域中公知技术的控制器(未示出)提供。衬底通过在室533的侧壁534上的开口542而被自动托板(未示出)移进和移出室533。
沉积处理气体(由箭头523指示)通过进气歧管526流进室533。然后，气体流过带孔的阻挡板524和处理气体分配面板525上的孔521。气体流向由图5的衬底处理区域541中的小箭头指示。可以使用射频功率源在气体分配面板525与基座535之间施加电功率，以激发处理气体混合物，并形成等离子体。等离子体的组分发生反应以在位于基座支撑盘520上的衬底的表面上沉积期望的膜。
在本发明的一些实施例中，基座535在基座的中心部分没有提升针孔。在这些实施例中，基座535的中心部分包括中心区，并且基座的中心部分具有至少100mm2的面积。
沉积处理气体可以通过反应区541周围的槽形口531而从室排放到排气充气室550。气体从排气充气室550流经真空关闭阀552并流进连接到外部真空泵(未示出)的排气出口554。
图6是处理室530的横截面视图。该示了在室530(图5)中使用的衬底支撑件535和等离子体669的细节。在图示中，可以看到RF功率源672向气体分配面板525供电。在面板525与基座535之间生成等离子体669。
如上所讨论的，自动托板便于通过室533(图5)的侧壁534上的开口542将衬底移进和移出室530。参照图6，一旦自动托板(未示出)将衬底665移到位置上，那么定位在提升针支座667上的提升针671就向上移动，以在将衬底665移到处理位置之前支撑衬底。具体来说，提升针671穿过基座535的提升针孔662而移动，以接触并支撑衬底665。提升针671可以使用公知的移位机构或线性馈通(linear feedthrough)通过提升装置680的作用，而移动穿过提升针孔662。
应该注意，在例如AKT-1600 PECVD系统(加州圣克拉拉的应用材料公司)的一些处理室中，衬底由于基座535的移动而被移到处理位置。在自动托板(未示出)将衬底665移到提升针671上之后，基座535就向上移动以接触衬底665。
本发明的一些实施例使用氧化铝提升针作为提升针671。可以购得氧化铝提升针，其产品号为0200-71597 Rev.E1，标识号11875000(加州弗里蒙特，Stratamet公司)。
有利的是，本发明的提升针671不是在衬底665中心区域的支撑点处支撑衬底665。在一种定义中，衬底665的中心区域被定义为自衬底665的中心预定距离内(例如，100mm、200mm或更大)的区域。本发明的提升针不使用中心提升针，而是从衬底665边框部分中的支撑点支撑衬底。边框部分665包括衬底周边。
在本发明中，在提升针671已经接触衬底665之后，收回自动托板，并且将衬底665放到用于处理的位置上。在美国专利No.6,177,023中描述了使衬底665平放在基座上的一种定位方法，该专利已经被转让给本发明的受让人，并且这里通过引用而包含其全文。
在期望的化学物质已经在被处理衬底665上沉积为一层或多层膜后，将衬底与基座535分离，然后提升衬底使其离开沉积室。在美国专利No.5,380,566中描述了将基座535与衬底665分离的一种方法，该专利已经被转让给本发明的受让人，并且这里通过引用而包含其全文。该方法包括使被处理的衬底处于非活性气体669(图6)(例如氢气、氮气、氩气或氨气)的等离子体中，所述非活性气体不会对衬底665上的膜有不好的影响，也不会在已经在衬底665上的膜上添加额外的层。等离子体669与衬底665之间电荷的相互作用帮助解除衬底和基座535之间的结合。然后，使用提升针671将衬底665从基座535上提升起来。在一些实施例中，在提升针671将衬底665从基座535上提升起来之后，就不再使用等离子体669。在其他实施例中，即使在提升针671已经将衬底665从基座535上提升起来之后，也使用等离子体669(如图6所示)。在图6中，当衬底665已经被提升针671从基座535上提升起来时，等离子体669被示为处于室中。虽然在图6中没有示出，但是在一些实施例中，当衬底665在基座535上时也使用等离子体669，以在使用提升针671升高衬底之前帮助从基座上移走衬底。
在已经在衬底665上沉积了期望的膜之后，提升机构680升高提升针671，使它们穿过提升针孔662而移动并接触被处理的衬底665。提升机构680由控制器677控制。注意，在未图示的一些处理室中，例如在AKT-1600 PECVD中，基座的向下移动有效地提升被处理的衬底离开基座。当基座被降低时，提升针接触被处理的衬底并支撑衬底。
图7表示根据本发明的，用于在提升被处理的衬底之前将衬底从基座上分离的另一种可选的方法。中心助推件730在衬底中心附近接触被处理的衬底665，并且迫使衬底665在回缩之前离开基座535的支撑层552。由使用本领域中公知技术的控制器777向中心助推件730发送命令。中心助推件630(图7)与中心提升针150(图1)不同，因为中心助推件630被用于轻推衬底665离开基座535，而不是用于支撑衬底。因此，在一般的实施例中，中心助推件630短暂地接触衬底665，以轻碰衬底离开基座。然后，中心助推件被收回，并使用衬底周边上的提升针来提升衬底离开基座，使自动托板可以在衬底下面滑动。一旦自动托板接触衬底，托板就被用于将衬底移出沉积室。
提升针的配置出乎意料地发现图8中图示的提升针的配置支撑衬底665而不用使用中心提升针。图8中图示的提升针的配置与例如在图1中公开的公知的提升针配置不同。在图8中，在衬底的每一侧有三个提升针。图8中在衬底的每一侧存在的三个提升针提供了用于将衬底665从基座上分离的足够支撑，而不会导致衬底过度下垂。在一些实施例中，在被处理的衬底665的每一边缘上的提升针871都等距间隔排列。
图9是根据本发明的提升针871的另一种配置的平面视图。在图9所示的配置中，衬底665的每一侧都由N个提升针871支撑，其中N是3、4、5、6或大于6的整数。在一些实施例中，提升针871沿着衬底665的每一侧等距间隔排列。
图10是本发明的另一配置的平面视图。提升针871支撑衬底665。每一个提升针871在衬底上与提升针871相应的特定点支撑衬底665。这里，将提升针871支撑衬底665的点定义为提升针支撑点。在图10示出的实施例中，所有提升针支撑点都位于衬底665的边框部分1080内。在本发明的一些实施例中，边框部分1080具有预定宽度1020。在一个实施例中，预定边框宽度为约40毫米到约400毫米。在另一个实施例中，边框部分1080的预定宽度是衬底665的较长尺寸的十分之一或更小。这样，对于尺寸为600mm×720mm的衬底，边框宽度大约为72毫米或更小。在一些实施例中，边框部分1080的预定宽度为衬底665长度或宽度的五分之一或更小。在一些实施例中，边框部分1080的宽度在衬底1080的每一侧是不同的。虽然图10示出的提升针配置具有支撑衬底665每一边缘的三个等距间隔的提升针871，但是在边框部分1080内支撑衬底665的其他提升针配置也是可以的。例如，可以使用图9的提升针配置，其中，每一个提升针871-N(图9)位于边框区域1080内。
图11是根据本发明的提升针871的另一配置的平面视图。每一个提升针支撑点离开被处理的衬底665的中心1170至少预定距离。在图11中，提升针871被示为支撑被处理的衬底665，使得所有的提升针支撑点都离开衬底中心1110至少预定距离1160。换句话说，没有提升针支撑点位于衬底的区域1140(中心部分)内。在一个实施例中，预定距离1160为约100毫米或更大，约120毫米或更大，约200毫米或更大，或者约400毫米或更大。在另一个实施例中，预定距离1160为约衬底较长尺寸的五分之一。这样，对于尺寸为1100mm×1250mm的衬底，预定距离为250毫米。在一些实施例中，预定距离1160约为衬底665长度或宽度的五分之一。在一些实施例中，没有提升针位于衬底665的中心区域1140(图11)内，并且中心区域1140的直径至少为100毫米。在一些实施例中，没有提升针位于衬底665的中心区域1140(图11)内，并且中心区域1140的直径至少为200毫米。虽然图11示出的提升针配置具有支撑衬底1100每一边缘的三个等距间隔的提升针880，但是在中心区域外的其他提升针配置也是可以的。例如，可以使用图9图示的提升针配置。
图12是本发明的另一个实施例的平面视图。衬底665被示为由提升针871支撑。支撑部件1270上覆于提升针中的至少一个子集，并且在提升针被用于将衬底与基座分离时接触衬底。如图12所图示的，支撑部件1270-1上覆于在提升针的子集1371。类似地，支撑部件1270-2、1270-3和1270-4上覆于在不同的提升针871子集上。根据本发明，上覆的支撑部件1270的各种数量、配置和尺寸都是可以的。
其他可选实施例和引用文献这里所引用的所有文献通过对它们的全文引用而被包含于此并用于所有目的，如同对每一个单独的公开或专利或专利申请被特别且单独地指出以通过引用被包含而用于所有目的一样。虽然已经参照一些具体实施例描述了本发明，但是描述是说明本发明，而不应被解释为对本发明的限制。对于本领域的技术人员来说，可以想到各种修改，而不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种从处理室中的基座上提升衬底的方法，所述方法包括使用多个提升针支撑所述衬底，其中，所述多个提升针不包括中心提升针。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底具有至少为500毫米的第一尺寸和至少为500毫米的第二尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针在所述基座下降到低于所述多个提升针中的提升针的尖端时支撑所述衬底。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针中的每一个提升针被配置成从距离所述衬底的中心至少120毫米的点支撑所述衬底。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成所述多个提升针中的每一个提升针从所述衬底的边框部分中的点支撑所述衬底，所述边框部分包括所述衬底的周边，并且所述边框部分具有小于约四十毫米的宽度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中在所述衬底的一个边缘至少有三个提升针支撑点。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的长度或宽度的五分之一。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底的中心区域中具有相应的提升针支撑点。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述衬底的所述中心区域具有至少100毫米的直径。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述衬底的所述中心区域具有至少200毫米的直径。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使所述衬底处于等离子体中。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述衬底与中心助推件接触。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括在所述多个提升针支撑所述衬底时缩回所述中心助推件。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，上覆于所述多个提升针中至少一个子集的支撑部件在至少一部分的所述使用步骤期间接触所述衬底。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述支撑部件包括多个部件，所述多个部件中的每一个部件上覆于所述多个提升针的不同子集。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括玻璃。
17.一种已经过了沉积方法处理的衬底，其中，所述衬底在包括所述衬底中心的中心区域内没有不连续痕迹，并且其中所述衬底具有至少为500毫米的第一尺寸和至少为500毫米的第二尺寸。
18.根据权利要求17所述的衬底，其中，所述中心区域具有至少200毫米的直径。
19.一种不会在衬底的中心区域中产生不连续痕迹的处理衬底的方法，所述方法包括当衬底处于沉积室中的基座上时，在所述衬底上沉积层；使所述衬底与所述基座分离；以及通过使用在所述衬底的边框部分内接触所述衬底的提升针，从所述基座提升所述衬底，并且其中没有任何提升针在所述衬底的所述中心区域内接触所述衬底。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述中心区域具有至少200毫米的直径且包括所述衬底的中心，并且其中，所述边框部分的宽度小于所述衬底的长度或宽度的十分之一。
21.一种用于从基座上提升衬底的提升装置，所述提升装置包括多个提升针；以及用于调节所述多个提升针使得它们支撑所述衬底的提升机构；其中所述提升装置不包括中心提升针。
22.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述衬底具有至少为500毫米的第一尺寸和至少为500毫米的第二尺寸。
23.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述提升机构将所述基座降低到低于所述多个提升针中的提升针的尖端。
24.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针从距离所述衬底中心至少120毫米的点支撑所述衬底。
25.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针从所述衬底边框区域内的点支撑所述衬底，并且其中所述边框区域包括所述衬底的周边，并且所述边框区域具有小于约四十毫米的宽度。
26.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成至少三个提升针支撑所述衬底的一个边缘。
27.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针中的每一个在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的长度或宽度的约十分之一。
28.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针中的每一个在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中每一个提升针支撑点与所述衬底最靠近提升针支撑的边缘之间的距离小于所述衬底的长度或宽度的十分之一。
29.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成使得在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底中心的提升针支撑点处支撑所述衬底。
30.根据权利要求21所述的提升装置，其中所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中所述多个提升针被配置成在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底中心的至少100毫米内具有相应的提升针支撑点。
31.根据权利要求21所述的提升装置，其中所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中所述多个提升针被配置成在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底中心的至少200毫米内具有相应的提升针支撑点。
32.根据权利要求21所述的提升装置，所述装置还包括用于产生使所述衬底从所述基座上松开的等离子体的射频功率源。
33.根据权利要求21所述的提升装置，还包括用于松开所述衬底的中心助推件。
34.根据权利要求33所述的提升装置，其中，所述中心助推件在所述多个提升针支撑所述衬底时被缩回。
35.根据权利要求21所述的提升装置，还包括上覆于所述多个提升针的至少一个子集的支撑部件。
36.根据权利要求37所述的提升装置，其中，所述支撑部件包括多个部件，每一个部件上覆于所述多个提升针的不同子集。
37.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述基座在所述基座的中心部分中没有提升针孔，所述基座的所述中心部分包括所述基座的中心，并且所述基座的所述中心部分具有至少100mm2的面积。
38.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述衬底具有600mm×720mm或更大的尺寸。
39.根据权利要求21所述的提升装置，其中，所述衬底具有1000mm×1200mm或更大的尺寸。
40.一种从处理室中的基座上提升衬底的方法，所述方法包括使用多个提升针支撑所述衬底，其中，所述多个提升针仅在所述衬底的边框部分内支撑所述衬底。
41.根据权利要求40所述的方法，其中，所述衬底具有至少为500毫米的第一尺寸和至少为500毫米的第二尺寸。
42.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针在所述基座被降低到低于所述多个提升针中的提升针的尖端时支撑所述衬底。
43.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针中的每一个提升针被配置成从距离所述衬底中心至少120毫米的点支撑所述衬底。
44.根据权利要求40所述的方法，其中，所述边框部分包括所述衬底的周边，并且所述边框部分的宽度小于约400毫米。
45.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中在所述衬底的一个边缘至少有三个提升针支撑点。
46.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的最长尺寸的十分之一。
47.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的长度或宽度的五分之一。
48.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底的中心区域中具有相应的提升针支撑点。
49.根据权利要求48所述的方法，其中，所述衬底的所述中心区域具有至少100毫米的直径。
50.根据权利要求48所述的方法，其中，所述衬底的所述中心区域具有至少200毫米的直径。
51.根据权利要求40所述的方法，所述方法还包括使所述衬底处于等离子体中。
52.根据权利要求40所述的方法，所述方法还包括将所述衬底与中心助推件接触。
53.根据权利要求52所述的方法，所述方法还包括在所述多个提升针支撑所述衬底时缩回所述中心助推件。
54.根据权利要求40所述的方法，其中，上覆于所述多个提升针中的至少一个子集的支撑部件在至少一部分的所述使用步骤期间接触所述衬底。
55.根据权利要求40所述的方法，其中，所述多个提升针在所述衬底的每一边上等距间隔排列。
56.根据权利要求40所述的方法，其中，在所述衬底每一边缘上的所述边框部分的宽度不同于所述衬底的至少一个其他边缘的边框部分的宽度。
57.一种不会在衬底的中心区域中产生不连续痕迹的处理衬底的方法，所述方法包括当衬底处于沉积室中的基座上时，在所述衬底上沉积层；使所述衬底与所述基座分离；以及通过使用仅在所述衬底边框部分内接触所述衬底的提升针从所述基座上提升所述衬底。
58.根据权利要求57所述的方法，其中，所述衬底的中心区域具有至少200毫米的直径，并且其中所述边框部分的宽度小于所述衬底的长度或宽度的五分之一。
59.根据权利要求57所述的方法，其中，所述边框部分在约40毫米和约400毫米之间的范围内。
60.根据权利要求57所述的方法，其中，所述多个提升针在所述衬底的每一边缘上等距间隔排列。
61.一种用于从基座上提升衬底的提升装置，所述提升装置包括多个提升针；以及用于调节所述多个提升针使得它们仅在所述衬底的边框部分中支撑所述衬底的提升机构。
62.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述衬底具有至少为500毫米的第一尺寸和至少为500毫米的第二尺寸。
63.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述提升装置将所述基座降低到低于所述多个提升针中的提升针的尖端。
64.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针从距离所述衬底的中心至少120毫米的点支撑所述衬底。
65.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述边框区域包括所述衬底的周边，并且所述边框部分的宽度小于约400毫米。
66.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成至少三个提升针支撑所述衬底的一个边缘。
67.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的最长尺寸的十分之一。
68.根据权利要求61所述的提升装置，其中所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中每一个提升针支撑点与所述衬底最靠近提升针支撑的边缘之间的距离小于所述衬底的长度或宽度的五分之一。
69.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述多个提升针被配置成在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底的中心处的提升针支撑点处支撑所述衬底。
70.根据权利要求61所述的提升装置，其中所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中所述多个提升针被配置成在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底中心的至少100毫米内具有相应的提升针支撑点。
71.根据权利要求61所述的提升装置，其中所述多个提升针中的每一个提升针在相应的提升针支撑点处支撑所述衬底，并且其中所述多个提升针被配置成在所述多个提升针中没有任何提升针在所述衬底的中心的至少200毫米内具有相应的提升针支撑点。
72.根据权利要求61所述的提升装置，所述装置还包括用于产生使所述衬底与所述基座松开的等离子体的射频功率源。
73.根据权利要求61所述的提升装置，还包括用于松开所述衬底的中心助推件。
74.根据权利要求73所述的提升装置，所述中心助推件在所述多个提升针支撑所述衬底时被缩回。
75.根据权利要求61所述的提升装置，还包括上覆于所述多个提升针的至少一个子集的支撑部件。
76.根据权利要求75所述的提升装置，其中，所述支撑部件包括多个部件，每一个部件上覆于所述多个提升针的不同子集。
77.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述基座在所述基座的中心部分中没有提升针孔，所述基座的所述中心部分包括所述基座的中心，并且所述基座的所述中心部分具有至少100mm2的面积。
78.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述衬底具有600mm×720mm或更大的尺寸。
79.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述衬底具有1000mm×1200mm或更大的尺寸。
80.根据权利要求61所述的提升装置，其中，所述多个提升针在所述衬底的每一边缘上等距间隔排列。
81.根据权利要求61所述的提升装置，其中，在所述衬底每一边缘上的所述边框部分的宽度不同于所述衬底的至少一个其他边缘的边框部分的宽度。
82.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针被配置成每一个提升针在提升针支撑点处支撑所述衬底，并且每一个提升针支撑点与所述衬底最近的边缘之间的距离小于所述衬底的最长尺寸的十分之一。
83.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个提升针在所述衬底的每一边缘上等距间隔排列。
84.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底每一边缘上的边框部分的宽度不同于所述衬底的任何其他边缘的宽度。
85.根据权利要求17所述的装置，其中，所述中心区域具有至少100毫米的直径。
全文摘要
本发明提供了一种用于从基座上提升衬底的方法。配置多个提升针，使得它们支撑衬底而不接触衬底的中心部分。被处理的衬底具有至少为500毫米的第一尺寸，以及至少为500毫米的第二尺寸。在多个提升针中，每一个提升针被配置成从距离衬底中心至少120毫米的点支撑衬底。多个提升针被配置成基座的每一侧都由至少三个提升针支撑。在一些实施例中，支撑部件上覆于多个提升针中的至少一个子集。
文档编号H01L21/687GK1706025SQ200380101846
公开日2005年12月7日 申请日期2003年11月18日 优先权日2002年11月18日
发明者侯力, 上泉元, 罗伯特·I·格林 申请人:应用材料公司