专利名称：处理设备、处理方法、压力控制方法、传送方法以及传送设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于处理待处理物体的被处理物体处理设备、被处理物体处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备，特别是涉及作为干刻蚀或湿刻蚀的替换方法而进行CVD(化学汽相淀积)或COR(化学氧化物去除)的被处理物体处理设备，更特别地，涉及包括多个处理系统的被处理物体处理设备、用于传送被处理物体的被处理物体传送方法以及用于控制其压力的压力控制方法。
背景技术：
迄今为止，已经使用化学反应进行刻蚀以对薄膜成形。通常，刻蚀工艺与光刻工艺形成一套工艺；在光刻工艺中，形成抗蚀剂图形，然后在刻蚀工艺中根据已经形成的抗蚀剂图形对薄膜进行成形。
有两种刻蚀方法，即干刻蚀和湿刻蚀。最常用类型的干刻蚀是平行板反应离子刻蚀。对于平行板反应离子刻蚀，将真空处理设备(被处理物体处理设备)的真空处理室放入真空状态，作为被处理物体的晶片放入真空处理室中，然后向真空处理室中引入刻蚀气体。
在真空处理室的内部提供有放置晶片的工作台以及与该工作台的晶片放置表面平行且面对该工作台的晶片放置表面的上电极。高频电压施加于该工作台，借此将刻蚀气体形成为等离子体。带电粒子如正和负离子和电子、用做刻蚀物质的中性活性物质等散布存在于等离子体周围。当刻蚀物质被吸收到晶片表面上的薄膜上时，在晶片表面发生化学反应，然后由此生成的产物与晶片分离并被排到真空处理室的外部，由此进行刻蚀。而且，根据条件，刻蚀物质可以被溅射到晶片表面上，由此通过物理反应进行刻蚀。
这里，高频电场垂直地施加于晶片表面，因此刻蚀物质(自由离子)也在垂直于晶片表面的方向移动。因此在垂直于晶片表面的方向进行刻蚀，而不是各向同性地在晶片表面上进行刻蚀。就是说，刻蚀不在晶片表面侧向散布。因此干刻蚀适合于微处理。
然而，利用干刻蚀，为了进行适应于抗蚀剂图形的高精度微处理，必须使被刻蚀材料的刻蚀速度和抗蚀剂材料的刻蚀速度之间的比很高，并且应当当心由杂质的污染造成的刻蚀损伤、产生晶体缺陷等。
另一方面，对于湿刻蚀，有将晶片浸在含有液体化学材料的刻蚀槽中的浸渍法、和将液体化学材料喷射到晶片上同时旋转晶片的旋涂法。在任何情况下，刻蚀是各向同性地进行的，因此发生侧向刻蚀。相应地，湿刻蚀不能用在微处理中。然而，注意到，现今仍然使用湿刻蚀进行处理，如完全除去薄膜。
而且，使用化学反应形成薄膜的方法的例子是CVD(化学汽相淀积)。对于CVD，两种或更多种反应物气体在汽相或在晶片等的表面附近反应，通过该反应产生的产物作为薄膜形成在晶片的表面上。此时，加热晶片，并因此通过来自被加热晶片的热辐射给反应物气体输送激活能量，由此激活反应气体的反应。
通常，在集成电路和用于平板显示器等的其它电子器件的制造中，使用真空处理设备进行各种处理，如包括上述CVD的膜成形、氧化、扩散、用于上述成形的刻蚀、和退火。这种真空处理设备一般由至少一个负载锁定室、至少一个传送室、和至少一个处理室构成。至少两种这样的真空处理设备是公知的。
一种类型是多室型真空处理设备。这种真空处理设备由作为真空处理室的三到六个处理室、具有传送机构的真空制备室(负载锁定室)、多边形传送室、以及传送臂构成，其中所述传送机构用于将半导体晶片即被处理物体送入和送出每个处理室，在多边形传送室的周围设置处理室和负载锁定室，并且该多边形传送室在其周边壁中具有多个连接端口，这些连接端口用于以气密方式通过门阀与处理室和负载锁定室连通，所述传送臂设置在传送室内部并能翻转、伸长和收缩(例如参见日本特许公开专利公报(公开)No.H08-46013)。
此外，另一种是具有直线型室的真空处理设备。这种真空处理设备具有在其中在半导体晶片上进行刻蚀的真空处理室和负载锁定室，该负载锁定室具有设置在其中的标量型单拾取型或标量型双拾取型传送臂，作为传送装置，用于在负载锁定室和真空处理室之间进行晶片的转交。就是说，真空处理室和具有设置在其中的传送臂的负载锁定室是作为一个组件采用的(例如参见日本特许公开专利公报(公开)No.2001-53131，和日本特许公开专利公报(公开)No.2000-150618)。
在上述任何一种真空处理设备中，在负载锁定室中进行真空状态和大气压力状态之间的转换，并且在运送设置在晶片载体上的晶片的运载器和真空处理室之间实现了平缓的晶片传送。
在刻蚀处理的情况下，利用任一种真空处理设备，将高频电压施加于被引入到真空处理室内的刻蚀气体(反应处理气体)，由此使反应处理气体形成为等离子体，进行刻蚀。利用这种干刻蚀，由于根据施加电压控制刻蚀物质，因此可以以优异的垂直各向异性进行刻蚀处理，因此可以根据光刻所需要的线宽进行刻蚀。
然而，在关于向晶片表面燃烧电路图形的光刻工艺的微处理技术的研制中有了进展，其中用来自作为光刻光源的KrF准分子激光器(波长为248nm)的紫外线进行曝光的工艺已经投入实施，并且在投入实施的工艺中具有使用具有较短波长(193nm)的ArF准分子激光器的工艺。此外，使用能形成宽度为70nm或更小的精细图形的F2激光器(波长为157nm)的光刻已经成为2005下一代工艺的顶尖竞争者。然而，还没有研制出在不损失抗干刻蚀的情况下能以65nm或更小的线宽在150-200nm的膜厚实现11线-间隔精细构图的抗蚀剂材料，并且利用常规抗蚀剂材料，将出现由于除气产生的颗粒污染的实际问题，因此由各向异性干刻蚀进行的精细构图接近了它的极限。
因此将希望寄予作为精细刻蚀处理法的COR(化学氧化物除去)上，作为干刻蚀或湿刻蚀的替代者。对于COR，气体分子经受化学反应，并且生成的产物附着在被处理物体(晶片)上的氧化物膜上，然后给晶片加热以便除去该产物，由此可以获得比光刻图形更细的线宽。此外，COR包括适度的各向同性刻蚀；通过如压力、气体浓度、气体浓度比、处理温度、气体流速、和气体流速比来控制刻蚀速度，并且通过在一定处理时间周期以后饱和的处理量停止刻蚀。因此可以通过控制饱和点获得希望的刻蚀速度。
这种COR适合于制造亚0.1μm金属氧化物半导体场效应晶体管器件，这种场效应晶体管器件由最小厚度的多-耗尽层、具有形成在其上的金属硅化物层的源/漏结以及超低表面电阻多-栅极构成，使用镶嵌工艺的制造由源/漏扩散活化退火和金属硅化作用构成，其中所述金属硅化作用是恰好在虚拟栅区之前进行的，所述虚拟栅区后来将被除去并用多晶硅栅区代替(例如参见美国专利US6440808的说明书)。
利用进行常规刻蚀处理的真空处理设备，需要可以更有效地执行多个工艺。此外，对于进行COR处理或CVD处理的真空处理设备，需要对通过COR处理或CVD处理被加热的晶片进行冷却处理，因此再次要求可以更有效地执行多个工艺。然而，利用常规真空处理设备，如上所述，在负载锁定室中进行真空状态和大气压力状态之间的转换，并且负载锁定室含有传送臂和用于冷却晶片的冷却机构，因此负载锁定室的体积必然变大，因此真空状态和大气压力状态之间的转换需要更多的时间。此外，由于真空状态和大气压力状态之间的长时间转换，已经被传送到负载锁定室中的晶片暴露于空气，因此存在由于对流引起颗粒向上飞溅而附着的风险。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于处理待处理的被处理物体处理设备、被处理物体处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备，本发明能够有效地进行多个处理。
为了实现上述目的，在本发明的第一方案中，提供一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括可连通地成一线地连接在一起并且在其中处理被处理物体的多个处理系统和可连通地连接到处理系统的负载锁定系统，负载锁定系统具有将被处理物体送入和送每个处理系统的传送机构，并且至少一个处理系统是真空处理系统，负载锁定系统设置在适当的位置，以与处理系统形成一线。
为了实现上述目的，在本发明的第二方案中，提供一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括COR处理系统、至少一个真空处理系统以及负载锁定系统，在所述COR处理系统中对被处理物体进行COR处理，在至少一个真空处理系统中对被处理物体进行其它处理，COR处理系统和至少一个真空处理系统可连通地成一线地连接在一起，负载锁定系统可连通地连接到COR处理系统和至少一个真空处理系统，负载锁定系统具有用于将被处理物体送入和送出COR处理系统和至少一个真空处理系统的传送机构。
优选地，至少一个真空处理系统是连接到COR处理系统的热处理系统，在已经进行了COR处理的被处理物体上进行热处理。
更优选地，COR处理系统和热处理系统总是处于真空状态。
再优选地，负载锁定系统设置在适当的位置上，以便与至少一个真空处理系统形成一线。
为了实现上述目的，在本发明的第三方案中，提供一种用于被处理物体处理设备的被处理物体处理方法，所述被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统、在其中在已经进行了COR处理的被处理物体上进行热处理的热处理系统、以及可连通地连接到负载锁定系统的装载器组件，该方法包括以下步骤第一负载锁定系统送入步骤，将第一被处理物体送入负载锁定系统；第一排气步骤，在第一负载锁定系统送入步骤之后对负载锁定系统进行排气；第一COR处理系统送入步骤，在已经完成第一排气步骤中的排气之后，将第一被处理物体送入COR处理系统；COR处理开始步骤，开始在第一被处理物体上进行COR处理；第二锁定系统送入步骤，在对第一被处理物体进行COR处理期间将第二被处理物体送入负载锁定系统；第二排气步骤，在执行第二负载锁定系统送入步骤之后对负载锁定系统进行排气；第一传送步骤，在已经完成第二排气步骤中的排气之后并在已经完成第一被处理物体的COR处理之后，将第一被处理物体从COR处理系统送入热处理系统；第二传送步骤，将被处理物体从负载锁定系统送入COR处理系统；同时处理开始步骤，在COR处理系统中在第二被处理物体上开始进行COR处理并在热处理系统中在第一被处理物体上进行热处理；第三传送步骤，在已经完成第一被处理物体的热处理之后将第一被处理物体从热处理系统送入负载锁定系统；和替换步骤，使负载锁定系统和装载器组件互相连通，以便用在装载器组件中等候的第三被处理物体替换负载锁定系统中的第一被处理物体。
为了实现上述目的，在本发明的第四方案中，提供一种用于被处理物体处理设备的压力控制方法，所述被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统、在其中在已经进行了COR处理的被处理物体上进行热处理的热处理系统、以及将被处理物体送入和送出负载锁定系统的装载器组件，该方法包括送入步骤，将负载锁定系统置入大气压力状态中并将没有进行COR处理的被处理物体从装载器组件传送到负载锁定系统，同时对热处理系统排气；负载锁定系统排气步骤，终止热处理系统的排气，并且对负载锁定系统进行排气使其压力下降到设定压力；热处理系统排气步骤，在负载锁定系统已经达到设定压力之后，终止负载锁定系统的排气，并对热处理系统进行排气，以便满足热处理系统内部的压力低于负载锁定系统内部的压力的条件；以及第一连通步骤，在已经满足热处理系统内部的压力低于负载锁定系统内部的压力之后，使负载锁定系统与热处理系统连通，同时对热处理系统进行排气。
优选地，根据本发明第四方案的压力控制方法还包括第一压力监控步骤，在执行第一连通步骤之后，监视热处理系统内部的压力；COR处理系统排气步骤，对COR处理系统进行排气，同时继续对热处理系统排气，以便满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件；以及第二连通步骤，当已经满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件时，终止COR处理系统的排气，并且使热处理系统与COR处理系统连通，同时继续对热处理系统排气。
更优选地，根据本发明的第四方案的压力控制方法还包括注入步骤，在进行第二连通步骤之后，向负载锁定系统和COR处理系统中引入流体。
更优选地，从负载锁定系统流向热处理系统的流体的流速以及从COR处理系统流向热处理系统的流体的流速彼此相等。
还优选，根据本发明第四方案的压力控制方法还包括在从COR处理系统送出已经进行了COR处理的被处理物体之后对热处理系统和COR处理系统进行排气的排气步骤，因此将COR处理系统内部的压力设定为用于消除残余ESC电荷的静态消除压力。
为实现上述目的，在本发明的第五方案中，提供一种用于被处理物体处理设备的压力控制方法，该处理设备至少包括在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统和在其中对已经进行了COR处理的被处理物体进行热处理的热处理系统，该方法包括压力监控步骤，监控热处理系统内部的压力，同时对热处理系统进行排气；COR处理系统排气步骤，对COR处理系统进行排气，以便满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件；以及连通步骤，当满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件时，终止COR处理系统的排气，并将热处理系统与COR处理系统可连通地连接。
为实现上述目的，在本发明的第六方案中，提供一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括第一处理系统，在其中对被处理物体进行第一处理；第二处理系统，与第一处理系统可连通地连接并在其中对被处理物体进行第二处理；和负载锁定系统，设置在第一处理系统和第二处理系统之间并与第一处理系统和第二处理系统的每个可连通地连接，该负载锁定系统具有将被处理物体送进和送出第一处理系统和第二处理系统的传送机构。
优选地，第二处理系统是冷却处理系统，在其中对已经进行了第一处理的被处理物体进行冷却处理。
更优选地，第一处理系统总是处于真空状态，并且第二处理系统总是处于大气压力状态。
还优选地，负载锁定系统设置在与第一处理系统和第二处理系统形成一线的位置上。
为实现上述目的，在本发明的第七方案中，提供一种用于被处理物体处理设备的被处理物体处理方法，该被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行真空处理的真空处理系统、在其中对已经进行了真空处理的被处理物体进行冷却处理的大气处理系统、以及装载器组件，该方法包括负载锁定系统送进步骤，将被处理物体从装载器组件送进负载锁定系统；第一真空/大气压力转换步骤，在执行负载锁定系统送进步骤之后对负载锁定系统进行排气；真空处理系统送进步骤，在执行第一真空/大气压力转换步骤之后将被处理物体送进真空处理系统；真空处理步骤，对已经被送进真空处理系统的被处理物体进行真空处理；负载锁定系统送出步骤，将已经进行了真空处理的被处理物体送出至负载锁定系统；第二真空/大气压力转换步骤，在执行负载锁定系统送出步骤之后将负载锁定系统的内部打开到大气；大气处理系统送出步骤，将被处理物体从负载锁定系统送出进入大气处理系统；大气处理步骤，对已经被送出进入大气处理系统的被处理物体进行冷却处理；和装载器组件送出步骤，将已经进行了冷却处理的被处理物体送入装载器组件。
为实现上述目的，在本发明的第八方案中，提供一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，该被处理物体处理设备至少包括具有用于传送被处理物体的传送装置的负载锁定系统、在其中对被处理物体进行真空处理的真空处理系统、在其中对已经进行了真空处理的被处理物体进行热处理的热处理系统、和可连通地连接到负载锁定系统的装载器组件，该方法包括负载锁定系统送进步骤，将被处理物体送进负载锁定系统；排气步骤，在执行负载锁定系统送进步骤之后对负载锁定系统排气；真空处理系统送进步骤，在已经完成排气步骤中的排气之后将被处理物体送进真空处理系统；真空处理开始步骤，在执行真空处理系统送进步骤之后开始真空处理；第一传送步骤，在已经完成真空处理之后，将被处理物体从真空处理系统传送到热处理系统中；热处理开始步骤，在热处理系统中开始热处理；第二传送步骤，在已经完成热处理之后，将被处理物体从热处理系统送进负载锁定系统；和装载器组件送出步骤，将负载锁定系统和装载器组件彼此连通并将被处理物体送进装载器组件。
为了实现上述目的，在本发明的第九方案中，提供一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，该被处理物体处理设备包括具有第一工作台并在其中对已经放在第一工作台上的被处理物体进行热处理的热处理系统、具有第二工作台并在其中对已经放在第二工作台上的被处理物体进行真空处理的真空处理系统、用于与热处理系统和真空处理系统连通设置并具有用于传送被处理物体的传送装置的负载锁定系统、和控制传送装置的控制器，该传送装置具有保持被处理物体的被处理物体保持部件，该保持部件可通过热处理系统和真空处理系统自由移动，该保持部件具有用于检测关于被处理物体是否存在的信息的第一检测装置，第一工作台和第二工作台的至少一个具有用于检测关于是否存在被处理物体的信息的第二检测装置，该控制器在被检测信息的基础上检测被处理物体的位置，该方法包括第一位置关系检测步骤，检测处于起始位置的被处理物体的中心与第一工作台和第二工作台之一的中心之间的第一相对位置关系；传送步骤，在被检测第一相对位置关系基础上确定被处理物体的传送路线，并沿着确定的传送路线传送被处理物体；第二位置关系检测步骤，检测已经被传送到第一工作台和第二工作台之一之后的被处理物体的中心和处于起始位置的被处理物体的中心之间的第二相对位置关系；和位置校正步骤，在第一相对位置关系和第二相对位置关系之间的偏差基础上校正被处理物体的位置。
优选地，根据本发明第九方案的被处理物体传送方法还包括被处理物体保持部件旋转步骤，使被处理物体保持部件旋转，同时被处理物体保持部件仍然保持被处理物体，以使已经进行位置校正的被处理物体的参考平面的位置与预定位置对准。
还优选，处于起始位置的被处理物体的中心是传送前负载锁定系统中的被处理物体的中心。
为实现上述目的，在本发明的第十方案中，提供一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，该被处理物体处理设备包括可连通地连接到具有第一工作台的热处理系统的负载锁定系统，在该热处理系统中对已经放在第一工作台上的被处理物体进行热处理，该负载锁定系统经过热处理系统可连通地连接到具有第二工作台的真空处理系统，在该真空处理系统中对已经放在第二工作台上的被处理物体进行真空处理，该负载锁定系统具有用于传送被处理物体的传送装置，该传送装置包括传送臂，该传送臂包括至少两个臂形部件，该臂形部件在其每个的一端可旋转地连接在一起；和被处理物体保持部件，该保持部件连接到臂形部件之一的另一端并保持被处理物体，该方法包括被处理物体移动步骤，在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的另一端旋转被处理物体保持部件，在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的一端旋转臂形部件之一，和在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件的另一个的另一端旋转臂形部件的另一个。
优选地，在被处理物体移动步骤中，臂形部件和被处理物体保持部件彼此协作旋转，以便沿着第一工作台和第二工作台的配置方向移动被处理物体。
为实现上述目的，在本发明的第十一方案中，提供一种传送设备，该传送设备设置在可连通地连接到热处理系统的负载锁定系统中，其中热处理系统具有第一工作台，在热处理系统中对已经放在第一工作台上的被处理物体进行热处理，负载锁定系统经过热处理系统可连通地连接到具有第二工作台的真空处理系统，在该真空处理系统中对已经放在第二工作台上的被处理物体进行真空处理，该传送设备包括传送臂，该传送臂包括至少两个臂形部件，臂形部件在每个的一端可旋转地连接在一起；和被处理物体保持部件，它连接到臂形部件之一的另一端并保持被处理物体，该被处理物体保持部件设置成可在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的另一端旋转，并且该臂形部件之一设置成可在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的一端旋转，另一个臂形部件设置成可在平行于被处理物体的表面的平面内围绕另一个臂形部件的另一端旋转。
优选地，臂形部件和被处理物体保持部件设置成彼此协作旋转，以便沿着第一工作台和第二工作台的配置方向移动被处理物体。
根据本发明的第一方案，在其中处理被处理物体的多个处理系统可连通地连接在一起，至少一个处理系统是真空处理系统。结果是，简化了在处理系统之间传送被处理物体的操作，因此可以有效地进行包括至少一个真空处理的多个处理。
根据本发明的第二方案，在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统和在其中对被处理物体进行其它处理的至少一个真空处理系统可连通地连接在一起，负载锁定系统可连通地连接到COR处理系统和至少一个真空处理系统。结果是，简化了在COR处理系统和其它处理系统之间传送被处理物体的操作，因此可以有效地进行多个处理。
根据本发明的第二方案，用于进行热处理的热处理系统优选连接到COR处理系统。结果是，可以在COR处理系统之后有效地进行热处理。
根据第二方案，COR处理系统和热处理系统优选总是处于真空状态。结果是，可以在不释放真空的情况下，一个接一个进行COR处理系统和热处理系统中的各个处理，因此在COR处理之后不会将潮气吸收到被处理物体表面上，由此可防止在COR处理之后与被处理物体上的氧化物膜进行化学反应。
根据本发明的第二方案，负载锁定系统优选设置在适当的位置上，以便与COR处理系统和热处理系统形成一线。结果是，可以进一步简化将被处理物体送进和送出的操作，因此可以更有效地进行包括COR处理和热处理的多个处理。
根据本发明的第三方案，在COR处理系统中在被处理物体上进行COR处理的同时，在已经进行COR处理的被处理物体上在热处理系统中进行热处理，而且可以在等待完成COR处理的同时准备没有进行了COR处理的被处理物体。结果是，可以有效地进行COR处理和热处理，在处理顺序期间不会浪费时间。
根据本发明的第四方案，在将负载锁定系统和热处理系统连通在一起之前，对热处理系统排气，以便满足热处理系统内部的压力低于负载锁定系统内部的压力的条件，然后继续对热处理系统排气。结果是，可防止热处理系统中的气氛被吸进负载锁定系统中。
根据本发明的第四方案，优选地，在将负载锁定系统和热处理系统连通在一起之后，对热处理系统排气，以便，满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件，然后热处理系统和COR处理系统连通在一起，同时继续对热处理系统排气。结果是，不仅可防止热处理系统中的气氛被吸进负载锁定系统中，而且可以防止热处理系统中的气氛吸进COR处理系统中。
根据第四方案，优选向负载锁定系统和COR处理系统中引入流体。结果是，当从热处理系统排气时可以防止对流等发生。
根据本发明的第四方案，流体从负载锁定系统流进热处理系统的流速以及流体从COR处理系统流进热处理系统的流速优选彼此相等。结果是，在热处理系统中可以保持压力平衡，并且排气流方向可以固定。
根据本发明第四方案，在从COR处理系统送出已经进行了COR处理的被处理物体之后，优选对热处理系统和COR处理系统排气，由此设定COR处理系内部的压力以用于消除残余ESC电荷的静止消除压力。结果是，可以在热处理系统内部的气氛不进入COR处理系统的情况下进行ESC静电消除。
根据本发明的第五方案，在将热处理系统和COR处理系统连通在一起之前，对热处理系统排气，以便满足热处理系统内部的压力低于COR处理系统内部的压力的条件。结果是，可防止热处理系统中的气氛吸进COR处理系统中。
根据本发明的第六方案，在其中对被处理物体进行第一处理的第一处理系统和在其中对被处理物体进行第二处理的第二处理系统可连通地连接在一起，而且负载锁定系统置于第一处理系统和第二处理系统之间并可连通地连接到第一处理系统和第二处理系统的每个。结果是，可以简化被处理物体在第一处理系统和第二处理系统之间的传送操作，因此可以有效地进行多个处理。
根据第六方案，用于进行冷却处理的冷却处理系统优选经过负载锁定系统连接到第一处理系统。结果是，在第一处理之后可以有效地进行冷却处理。
根据第六方案，冷却处理优选在总是处于大气压力状态的第二处理系统中进行。结果是，不必在第二处理系统中在真空状态和大气压力状态之间进行转换，因此可以在短时间内进行冷却处理；而且，在其中进行真空状态和大气压力状态之间的转换的负载锁定系统不必具有冷却机构，因此可以减小负载锁定系统的体积，因此真空状态和大气压力状态之间的转换可以在短时间内进行。结果是，可以更有效地进行多个处理。而且，在已经传送到负载锁定系统之后，被处理物体(晶片)不将暴露于由于真空状态和大气压力状态之间的长时间转换产生的空气对流，因此还可以减少由这种对流引起颗粒向上飞溅而附着的风险。
根据第六方案，负载锁定系统优选设置在适当的位置上，以便与第一处理系统和第二处理系统形成一线。结果是，可以进一步简化被处理物体的送进和送出，因此可以更有效地进行包括第一处理和第二处理的多个处理。
根据本发明的第七方案，在被处理物体(晶片)已经进行了真空处理之后进行的第二真空/大气压力转换步骤和大气处理步骤是分开的。结果是，可以减少这些步骤所需要的总时间，因此有效地进行多个处理。而且，在被处理物体(晶片)已经进行了真空处理之后，只在负载锁定系统送出步骤、第二真空/大气压力转换步骤和大气处理系统送出步骤之后到达大气处理步骤，因此甚至在大气处理步骤之前进行被处理物体(晶片)的冷却，因此可以在大气处理步骤中有效地进行冷却处理。
根据本发明的第八方案，传送装置将被处理物体传送到负载锁定系统中，并在已经完成负载锁定系统的排气之后，将被处理物体传送到真空处理系统中，然后，在完成真空处理之后，将被处理物体从真空处理系统传送到热处理系统中，并在完成热处理之后，将被处理物体传送到负载锁定系统中，然后将被处理物体传送到装载器组件中。结果是，可以简化在处理系统之间传送被处理物体的操作，因此可以有效地进行包括至少一个真空处理的多个处理。
根据本发明的第九方案，对于每个工作台，检测在起始位置的被处理物体的中心和工作台的中心之间的第一相对位置关系，在被检测到的第一相对位置关系的基础上确定被处理物体的传送路线，并沿着确定的传送路线传送被处理物体。结果是，到工作台的传送路线可以设定为很短。而且，检测已经被传送到该工作台的被处理物体的中心和处于起始位置的被处理物体的中心之间的第二相对位置关系，并在第一相对位置关系和第二相对位置关系之间的偏差的基础上校正被处理物体的位置。结果是，被处理物体可以放在工作台中的准确位置，并因此可以提高传送操作的效率，由此可以有效地进行多个处理。
根据第九方案，被处理物体保持部件优选旋转，同时被处理物体保持部件仍然保持被处理物体。结果是，被处理物体相对于工作台的参考面很容易与预定位置对准，因此可以进一步提高传送操作的效率。
根据第九方案，起始位置中的被处理物体的中心优选是在传送之前负载锁定系统中的被处理物体的中心。结果是，传送路线可以设定为更短。
根据本发明的第十方案，负载锁定系统可连通地连接到热处理系统和真空处理系统，由负载锁定系统所拥有的传送装置包括传送臂，它包括在其每个的一端可旋转地连接在一起的至少两个臂形部件；和连接到臂形部件之一的另一端并保持被处理物体的被处理物体保持部件；被处理物体保持部件在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的另一端旋转，并且臂形部件之一在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的一端旋转，臂形部件的另一个在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件的另一个的另一端旋转。结果是，可以沿着自由选择的路线将被处理物体传送到热处理系统中或真空处理系统中的自由选择位置上，因此可以提高传送操作的效率，有效地进行多个处理。
根据第十方案，臂形部件和被处理物体保持部件优选互相协作旋转，以便沿着第一工作台和第二工作台的设置方向移动被处理物体。结果是，被处理物体传送路线可以缩短，因此可以进一步提高传送操作的效率。
根据本发明的第十一方案，设置在可连通地连接到热处理系统和真空处理系统的负载锁定系统中的传送装置包括传送臂，该传送臂包括在每个的一端可旋转地连接在一起的至少两个臂形部件；和连接到臂形部件之一的另一端并保持被处理物体的被处理物体保持部件；被处理物体保持部件在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的另一端旋转，并且臂形部件之一在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的一端旋转，臂形部件的另一个在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件的另一个的另一端旋转。结果是，可以沿着自由选择的传送路线将被处理物体传送到热处理系统中或真空处理系统中的自由选择位置上，因此可以提高传送操作的效率，并有效地进行多个处理。
根据第十一方案，臂形部件和被处理物体保持部件优选互相协作旋转，以便沿着第一工作台和第二工作台的设置方向移动被处理物体。结果是，可以缩短被处理物体传送路线，因此可以进一步提高传送操作的效率。
从下面结合附图的详细说明使本发明的上述和其它目的、特点和优点更明显。
附图简述
图1是示意性地表示根据本发明第一实施方式的真空处理设备的结构的平面图；图2是示意性地表示图1中所示的真空处理设备的结构的侧视图；图3是表示用于图1中所示的真空处理设备的被处理物体传送序列的第一半的示意图；图4是表示传送序列的后一半的示意图，其第一半示于图3中；图5是表示用于图1中所示真空处理设备中的压力控制的时序图；图6是示意性地表示根据本发明第二实施方式的真空处理设备的结构的平面图；图7是示意性地表示图6中所示的真空处理设备的结构的侧视图；和图8是表示用于图6中所示真空处理设备的被处理物体传送序列的示意图。
优选实施方式的详细说明下面将参照表示本发明的实施方式的附图详细介绍本发明。
图1是示意性地表示根据本发明第一实施方式的真空处理设备的结构的平面图。图2是示意性地表示图1中所示真空处理设备的结构的侧视图。
在图1中，真空处理设备100具有在其中对将要被处理的物体(以下称为“被处理物体”)，例如半导体晶片进行处理的第一真空处理室10、与第一真空处理室连接成一线并可连通地连接以及在其中处理被处理物体的第二真空处理室30、在与第一真空处理室10和第二真空处理室30成一线的位置上可连通地连接到第二真空处理室30的负载锁定室50以及可连通地连接到负载锁定室50的装载器组件70。
第一真空处理室10具有设置在其中的工作台11和用于进行被处理物体的交接的被处理物体保持器12，其中在进行处理时在工作台11上放置被处理物体。如图2所示，用于提供N2气体等的气体供应系统13在其上部连接到第一真空处理室10，排气系统压力控制阀14在其下部连接于第一真空处理室10上。而且，用于测量第一真空处理室10内部的压力的压力测量仪(未示出)安装在第一真空处理室10中。
在第一真空处理室10的侧壁中提供用于将被处理物体送进和送出第一真空处理室10的传送口(未示出)。第一传送口(未示出)同样设置在第二真空处理室30中。其中设置传送口的第一真空处理室10的部分和其中设置第一传送口的第二真空处理室30的部分通过连接单元20连接在一起。连接单元20由门阀21和绝热单元22构成，其中绝热单元用于隔离第一真空处理室10和第二真空处理室30的内部与周围环境。
第二真空处理室30具有设置在其中的工作台31和用于进行被处理物体的交接的被处理物体保持器32，其中在进行处理时，被处理物体放在工作台31上。如图2所示，用于提供N2气体等的气体供应系统33在其上部连接到第二真空处理室30，排气系统压力控制阀34在其下部连接于第二真空处理室30上。而且，用于测量第二真空处理室30内部的压力的压力测量仪(未示出)安装在第二真空处理室30中。
除了上述第一传送口之外，还在第二真空处理室30中设置第二传送口(未示出)。第一传送口(未示出)同样设置在负载锁定室50中。其中设置第二传送口的第二真空处理室30的部分和其中设置第一传送口的负载锁定室50的部分通过连接单元40连接在一起。第一真空处理室10、第二真空处理室30和负载锁定室50设置成一线。连接单元40由门阀41和绝热单元42构成，其中该绝热单元用于隔离第二真空处理室30的内部和负载锁定室50中的环境与周围气氛。
负载锁定室50具有设置在其中的被处理物体保持部件51和传送机构52，在传送期间该保持部件51保持被处理物体，以便可以进行被处理物体的交接，该传送机构52用于将被处理物体保持部件51传送到第一真空处理室10、第二真空处理室30和装载器组件70中。通过传送保持被处理物体的被处理物体保持部件51的传送机构52，可以在第一真空处理室10、第二真空处理室30和装载器组件70之间传送被处理物体，并且可以进行被处理物体的交接。
如图2所示，用于提供N2气体等的气体供应系统53在其上部连接到负载锁定室50，排气系统80在其下部连接于负载锁定室50上。而且，用于测量负载锁定室50内部的压力的压力测量仪(未示出)安装在负载锁定室50中。
除了上述第一传送口之外，还在负载锁定室50中安装第二传送口(未示出)。同样在装载器组件70中提供传送口(未示出)。其中设置第二传送口的负载锁定室50的部分和其中设置传送口的装载器组件70的部分通过连接单元60连接在一起。连接单元60由门阀61和绝热单元62构成，其中该绝热单元用于隔离负载锁定室50的内部和装载器组件70中的环境与周围气氛。
在上述真空处理设备100的结构中，有两个真空处理室，即成一线连接在一起的第一真空处理室10和第二真空处理室30。但是，真空处理室的数量不限于此，三个或更多个真空处理室可以成一线连接在一起。
利用上述真空处理设备100，可以进行被处理物体传送序列，如下面所述；然而，在不适当地传送被处理物体的情况下，被处理物体传送序列必须立即停止，以便防止被处理物体经受不适当的处理。因此真空处理设备100必须具有精确地掌握正在被传送的被处理物体的位置的能力。因此真空处理设备100具有多个位置传感器，如下所述。
首先，与每个被处理物体直接接触的组成部件、特别是工作台31(或被处理物体保持器32)、传送机构52(或被处理物体保持部件51)和设置在负载锁定室50内用于暂时保持被处理物体的工作台(未示出)，它们每个都具有位置传感器，并使用这些位置传感器检测被处理物体是否存在。而且，根据设置在第一真空处理室10内的工作台11中的ESC夹具的状态或使用位置传感器检测被处理物体是否存在。对于真空处理设备领域的技术人员来说，在通过检测获得的信息的基础上建立用于检测被处理物体的位置的软件是很容易的；通过这种软件，例如，控制传送机构52等的操作的控制器(未示出)可检测正在通过真空处理设备100被传送的被处理物体的位置。
此外，在第一真空处理室10、第二真空处理室30和负载锁定室50中，位置传感器单元90、91、92、93、94和95在每个门阀21和41以及门阀61的每侧的位置上沿着被处理物体传送路线设置。每个位置传感器单元由三个位置传感器构成，例如指向被处理物体的外周边的激光传感器；该激光传感器面向被处理物体的外周边径向设置，或者设置在对应被处理物体的外周边的位置上，并且不仅检测被处理物体的位置，而且检测被处理物体的中心位置。
控制器检测在传送之前在负载锁定室50中(以下称为“起始位置”)的被处理物体的中心位置和工作台11或31的中心位置之间的第一相对位置关系，在被检测到的第一相对位置关系的基础上确定被处理物体的传送路线，沿着确定的传送路线传送被处理物体，然后检测已经被传送到工作台11或31的被处理物体的中心位置和起始位置之间的第二相对位置关系，在第一和第二相对位置关系之间的偏差的基础上校正工作台11或31上的被处理物体的位置。结果是，到每个工作台的传送路线可以设置得很短，而且每个被处理物体可以放在每个工作台11或31上的准确位置上，因此可以提高传送操作的效率，并可以有效地进行多个处理。
传送机构52是由标量型单拾取型、标量型双拾取型等的铰链臂构成的传送臂。连接滑轮设置在传送臂的底部，并且这个连接滑轮经过定时带连接到设置在传送臂的接合处的支撑滑轮上，由此旋转驱动力可传输到支撑滑轮。此外，连接滑轮还经过另一定时带连接到由编码器所拥有的旋转角滑轮上，其中该旋转角滑轮是检测传送臂的旋转角的。
编码器电储存旋转角滑轮的旋转开始位置，即用于移动传送臂的开始位置，将其作为原点，并通过使用旋转角传感器检测由数字信号形式的另一定时带可旋转地驱动的旋转角滑轮的旋转角，检测传送臂的移动距离，并输出被检测到的移动距离，将其作为在被处理物体的传送中使用的教导数据，例如在判断是否准确地进行被处理物体的定位时将使用该数据。
真空处理设备100通过比较由位置传感器检测到的被处理物体的位置与由编码器输出的教导数据而判断是否准确地进行被处理物体的定位、特别是在工作台11或13上的被处理物体的定位。
此外，用做传送机构52的传送臂由至少两个臂形部件构成。这两个臂形部件在每个的一端可旋转地连接在一起，并且被处理物体保持部件51连接到这两个臂形部件之一的另一端上。而且，被处理物体保持部件51在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的另一端旋转，而臂形部件之一在平行于被处理物体的表面的平面内围绕臂形部件之一的一端旋转，另一臂形部件在平行于被处理物体的表面的平面内围绕另一臂形部件的另一端旋转。结果是，每个被处理物体可以沿着自由选择的传送路线被传送到第二真空处理室30或第一真空处理室10中的自由选择的位置上，因此可以有效地进行多个处理。
两个臂形部件和被处理物体保持部件51彼此协作旋转，以便沿着自由选择的传送路线、例如沿着工作台11或13的设置方向移动每个被处理物体。结果是，被处理物体传送路线可以更短，因此可以进一步提高工作效率。
此外，在工作台11或31上，被处理物体保持部件51旋转，同时仍然保持被处理物体，以便对准被处理物体(晶片)的定向平面(参考面)的位置与预定位置。结果是，晶片相对于工作台11或31的定向平面的位置可以很容易地与预定位置对准，因此可以进一步提高工作效率。
接着，下面将介绍通过真空处理设备100进行的被处理物体处理方法和在这种方法中使用的被处理物体传送序列。
图3是表示用于图1中所示的真空处理设备100的被处理物体传送序列的第一半的示意图。图4是表示传送序列的后一半的示意图，其第一半示于图3中。
在下面的说明中，将举例如下真空处理设备100在被处理物体上进行COR(化学氧化物除去法)和PHT(后热处理)作为对常规刻蚀处理(干刻蚀或湿刻蚀)的替换方法。COR是如下处理对气体分子进行化学反应并且产生的产物附着于被处理物体的氧化物膜上，PHT是如下处理对已经被进行COR处理的被处理物体加热，由此使通过COR中的化学反应在被处理物体上产生的产物汽化和热氧化，因此使这些产物脱离被处理物体。
这里，在被处理物体上进行的COR中，该被处理物体由形成基底的衬底和形成在衬底上的预定层构成，在除去预定层的栅区中的多晶硅层之后暴露出来的氧化物层(氧化膜)或多晶硅被选择地刻蚀；通过这个COR，控制刻蚀速度，以便在衬底表面停止进行刻蚀。此外，这个COR包括用于形成栅极开口的汽相化学氧化物除去工艺，这可以通过使用HF和NH3的蒸气作为刻蚀气体而在低压力下实现。
在下面，第一真空处理室10制成为在其中在被处理物体上进行COR的COR处理室10，第二真空处理室30制成为在其中在被处理物体上进行PHT的PHT处理室。这里，COR处理室10的气体供应系统13优选是簇射头，在这种情况下可以通过COR处理室10均匀地输送引入气体。
COR处理室10的体积约为30公升，COR处理室10内部的压力在0.5-30毫乇范围内，COR处理室10内的温度在15-50℃范围内，引入气体为含氟反应气体、还原气体、惰性气体等。惰性气体包括Ar、He、Ne、Kr和Xe气体，但是Ar气体是优选的。
此外，PHT处理室30的体积约为50公升，PHT处理室30内部的压力在两级内被减小，处理期间的压力不同于传送期间的压力。此外，对于在两级中减小的压力没有限制，但是可以根据处理条件进行多于两级的压力减小的多级压力减小。此外，PHT处理室30内的温度在80-200℃范围内，并且真空泵排气速度在1600-1800L/min(当在200毫乇时)，当完成处理时在0-100L/min(当在0.5毫乇时)，尽管一旦PHT处理室30中达到预定真空度，泵就不工作了。引入到PHT处理室30中的气体是用于防止颗粒散射和用于冷却，并且为下流气体(N2)。
如图3中的(1)所示，首先，被处理物体W1处于装载器组件70中，并且连接单元20和40处于关闭状态，因此COR处理室10和PHT处理室30彼此隔离。另一方面，连接单元60处于打开状态。被处理物体W1具有采用常规处理已经形成在其表面上的预定图形。如(2)中所示，第一被处理物体W1从装载器组件70被传送到负载锁定室50中，然后连接单元60的门阀61闭合。接着，排气系统压力控制阀34闭合，并且对负载锁定室50排气。完成负载锁定室50的排气之后，如(3)所示，排气系统压力控制阀34打开，连接单元40的门阀41打开。之后，连接单元20的门阀21打开。
接着，如(4)所示，被被处理物体保持部件51保持的被处理物体W1被传送机构52传送到COR处理室10中，然后如(5)中所示，在被处理物体保持部件51和传送机构52已经返回负载锁定室50之后，门阀21和41闭合，开始进行COR。在这个处理期间，负载锁定室50的内部打开到大气空气。
接着，如(6)和(7)中所示，第二被处理物体W2从装载器组件70传送到负载锁定室50中，然后，门阀61闭合。此外，排气系统压力控制阀34闭合，并且对负载锁定室50排气。完成负载锁定室50的排气之后，排气系统压力控制阀34和门阀41打开，等待COR处理的完成。
如(8)和(9)中所示，完成COR之后，门阀21打开，被处理物体W1从COR处理室10被移动到PHT处理室30中。
然后，如(10)和(11)中所示，被处理物体W2从负载锁定室50移动到COR处理室10中，然后如(12)所示，被处理物体保持部件51和传送机构52返回负载锁定室50之后，门阀21和41闭合，开始在COR处理室10中进行COR，同时在PHT处理室30中开始进行PHT。
完成PHT之后，如(13)中所示，门阀41打开，PHT处理室30中的被处理物体W1被移动到负载锁定室50中。
接下来，如(14)-(16)所示，门阀41闭合，负载锁定室50的内部打开到大气空气，然后负载锁定室50中的被处理物体W1和在装载器组件70中等待的被处理物体W3彼此交换。之后，如(17)中所示，对负载锁定室50排气。然后门阀41打开，并等待被处理物体W2的COR的完成。上述传送序列是通过压力控制来实现的。可以重复上述传送序列，直到完成整批被处理物体的处理为止。
在上述传送序列中的步骤(1)-(16)的每个中，可以进行在由前述位置传感器检测的被处理物体的位置和教导数据之间的比较的基础上判断每个被处理物体的定位，并且在特定步骤中在没有准确进行被处理物体的定位的情况下，可以停止被处理物体的传送，并且该步骤和在该步骤中的被处理物体的位置可以被储存，由此储存的数据可以用做再处理方案的基础数据。
上面只是传送方法的一个例子，但是其它传送方案也是可以的，例如，负载锁定室50→第一真空处理室10→负载锁定室50，负载锁定室50→第二真空处理室30→负载锁定室50，和负载锁定室50→第二真空处理室30→第一真空处理室10→负载锁定室50。
此外，如果需要的话，还可以在第一真空处理室10和第二真空处理室30之间来回移动。通过在COR处理室10(第一真空处理室10)和PHT处理室30(第二真空处理室30)之间往复移动被处理物体，可以重复进行COR和PHT，理论上讲可以使形成在被处理物体上的图形的线宽更精细。由此可以适应图形最小化。
根据上述本发明第一实施方式的真空处理设备，传送机构52将被处理物体W1传送到负载锁定室50中，完成负载锁定室50的排气之后，将被处理物体W1传送到COR处理室10中，并在完成COR之后，将被处理物体W1从COR处理室10移动到PHT处理室30中，并在完成PHT之后，将PHT处理室30中的被处理物体W1移动到负载锁定室50中，然后进一步将被处理物体W1移进装载器组件70。结果是，可以简化在多个处理室之间传送被处理物体W1的操作，因此可以有效地进行包括至少一个COR处理的多个处理。
此外，根据第一实施方式的真空处理设备，在满足下列工艺条件的情况下，可以有效地进行两个处理的顺序，而不用第一真空处理室10等候。
工艺条件(第一处理时间)≥(第二处理时间)+(第一转换时间)+(第二转换时间)+(对负载锁定室50引入/排放气体的时间)这里第一处理时间＝在第一真空处理室10中进行处理的时间第二处理时间＝在第二真空处理室30中进行处理的时间第一转换时间＝在负载锁定室50和第二真空处理室30之间替换被处理物体所需的时间第二转换时间＝在负载锁定室50和装载器组件70之间替换被处理物体所需的时间第一真空处理室10和第二真空处理室30可以由选自刻蚀系统、膜形成系统、涂覆系统、测量系统、热处理系统等的所需组件的适当组合构成，但对上述例子没有限制。
此外，在第一真空处理室10和第二真空处理室30总是处于真空状态的情况下，第二真空处理室30和负载锁定室50不同时排气，因此在这种情况下，第二真空处理室30和负载锁定室50可以共享同一排气系统80。
接着，下面将介绍在真空处理设备100工作期间的压力控制。
图5是表示用于在真空处理设备100中的压力控制的时序图。
1)对PHT处理室30排气时，负载锁定室50的内部打开到大气空气，并将没有进行COR处理的被处理物体从装载器组件70传送到负载锁定室50中，然后将连接到PHT处理室30的排气系统压力控制阀34(以下称为“PHT排气阀34”)闭合，由此开始负载锁定室50的排气。
一旦负载锁定室50已经达到设定压力，负载锁定室50的排气阀(LLM排气阀，图1或2中未示出)闭合，PHT排气阀34打开，并进行控制，以便PHT处理室30内部的压力变得小于负载锁定室50内部的压力；一旦确认已经完成这个控制，负载锁定室50和PHT处理室30之间的门阀41(以下称为“PHT侧门阀41”)打开，由此使PHT处理室30与负载锁定室50连通。
即使在PHT侧门阀41打开之后，PHT排气阀34也保持打开，由此对PHT处理室30排气并防止PHT气氛进入负载锁定室50。而且，可以谨慎地将流体(N2)从负载锁定室50流进，以便防止发生对流等。
2)监视PHT处理室30内部的压力，同时对PHT处理室30排气，并且控制COR处理室10内部的压力，以使PHT处理室30内部的压力小于COR处理室10内部的压力。
一旦PHT处理室30内部的压力小于COR处理室10内部的压力，连接到COR处理室10的排气系统压力控制阀14(以下称为“COR排气阀14”)闭合，并且PHT处理室30和COR处理室10之间的门阀21(以下称为“COR侧门阀21”)打开。
即使在COR侧门阀21打开之后，PHT排气阀34也保持打开，由此对PHT处理室30排气并防止PHT处理室30内部的气氛进入COR处理室10。而且，可以谨慎地将流体(N2)从COR处理室10流进，以便防止发生对流等。
3)使用上面1)中所述的顺序打开PHT侧门阀41，然后使负载锁定室50和PHT处理室30为单组件，使用上面2)中所述的顺序打开COR侧门阀21。即使在PHT侧门阀41和COR侧门阀21打开之后，PHT排气阀34也保持打开，由此对PHT处理室30排气并防止PHT处理室30内部的气氛进入负载锁定室50或COR处理室10。
此外，可以谨慎地使流体(N2)流进负载锁定室50和COR处理室10，以便防止发生对流等，并通过使流体从负载锁定室50流进PHT处理室30的流速等于从COR处理室10流进PHT处理室30的流速，可以防止发生逆流。
4)在上面3)中所述的顺序中，在已经进行COR处理的被处理物体被送出COR处理室10之后，使用PHT排气阀34将COR处理室10内部的压力控制到静态消除压力，以便消除残余ESC电荷。结果是，可以在不使PHT处理室30内部的气氛进入COR处理室10的情况下进行ESC静态消除。
此外，可以总是在真空状态下连续进行PHT处理室30和COR处理室10中的处理，因此可以防止发生在COR之后被处理物体上的氧化物膜从气氛等中吸收潮气的化学反应。
在上述传送方法中，将被用做产品(即产品晶片)的晶片作为被处理物体被传送；然而，传送的被处理物体不限于产品晶片，也可以是用于检测真空处理设备100的处理室和装置的操作的虚拟晶片，或者在干燥处理室时使用的虚拟晶片。
接着，下面将参照附图介绍根据本发明第二实施方式的真空处理设备。
图6是示意性地表示根据本发明第二实施方式的真空处理设备的结构的平面图。图7是示意性地表示图6中所示真空处理设备的结构的侧视图。
在图6中，真空处理设备600具有在其中对被处理物体进行真空处理的真空处理室601；与真空处理室601成一线并与其可连通地连接而且在其中对被处理物体进行其它处理的大气处理室602；位于真空处理室601和大气处理室602之间的负载锁定室603，负载锁定室603与真空处理室601和大气处理室602可连通地连接，并处于与真空处理室601和大气处理室602形成一线的位置上；和可连通地连接到大气处理室602的装载器组件604。
真空处理室601具有设置在其中的工作台605，该工作台605用做其上放置被处理物体的平台并用做下电极，当进行处理时给该下电极施加高频电压，用于在真空处理室601内部产生等离子体；加热器606，它建立在工作台605中并给工作台605上放置的被处理物体加热；簇射头(shower head)607，它用做向真空处理室601中输送反应气体的输送系统并用做上电极，该上电极与用做下电极的工作台605协作在真空处理室601内部产生高频电场；具有可自由打开/关闭的阀门(未示出)的排放口608，在真空处理室601内部产生的等离子体和残余产物从该排放口608排放出去；和用于测量真空处理室601内部的压力的压力测量仪(未示出)。真空处理室601的内部总是处于真空状态，并且这里是处于可进行真空处理的状态下。
在真空处理室601的侧壁中设置用于将被处理物体送进和送出第一真空处理室601的传送口(未示出)。同样在与真空处理室601相邻设置的负载锁定室603的侧壁中设置传送口(未示出)。其中设置传送口的真空处理室601和负载锁定室603的部分由连接单元611连接在一起。连接单元611由门阀612和隔热单元613构成，隔热单元613用于使真空处理室601的内部和负载锁定室603中的环境与环境气氛隔离。
大气处理室602具有设置在其中的工作台609和固定器610，其中工作台609上放置被处理物体，固定器610固定放在工作台609上的被处理物体。工作台609具有设立在其中的冷却回路(未示出)作为冷却机构，通过该冷却机构可使冷却液循环，由此冷却放在工作台609上的被处理物体。此外，大气处理室602的内部总是打开到大气空气。因此，可以在大气处理室602中的大气压力下进行对在CVD期间等已经被加热的被处理物体进行冷却的冷却处理。
此外，作为冷却机构，除了上述冷却回路之后，大气处理室602还可以具有入口，通过该入口可以将用于冷却的下流气体例如惰性气体如N2、Ar或He气体等引入大气处理室602中。
在大气处理室602的侧壁中提供用于将被处理物体送进和送出大气处理室602的传送口(未示出)。除了上述传送口之外，在与大气处理室602相邻设置的负载锁定室603的侧壁中同样也设置另一传送口(未示出)。大气处理室602和负载锁定室603的部分中通过连接单元614连接在一起。结果是，设置真空处理室601、负载锁定室603和大气处理室602以便依次形成一线。连接单元614由门阀615和隔热单元616构成，隔热单元616用于使大气处理室602的内部和负载锁定室603中的环境与环境气氛隔离。
负载锁定室603具有设置在其中的被处理物体保持部件617，和传送机构618，在传送期间被处理物体保持部件617保持被处理物体以便可以进行被处理物体的交接，传送机构618用于将被处理物体保持部件617传送到真空处理室601和大气处理室602中。通过传送被处理物体保持部件617的传送机构618，可以在真空处理室601和大气处理室602之间传送被处理物体，并且可以进行被处理物体的交接。而且，负载锁定室603内部的体积设定为可以确保最小所需空间，以至于不妨碍传送机构618的操作。
如图7所示，在负载锁定室603的下部提供将负载锁定室603的内部连通到外部的管道619。排气泵623如涡轮分子泵和阀门624设置在管道619中，其中阀门624使负载锁定室603的内部与排气泵623彼此连通或彼此切断。而且，在负载锁定室603中安装用于测量负载锁定室603内部的压力的压力测量仪(未示出)。此外，用于输送氮气等的气体供应系统620在其下部连接到负载锁定室603。因此负载锁定室603具有这样一种结构，其中根据该结构，可以采用管道619和气体供应系统620将其内部在真空状态和大气压力之间进行转换。
装载器组件604具有设置在其中的被处理物体保持部件625和传送机构626，它们与上述的被处理物体保持部件617和传送机构618相似。使用被处理物体保持部件625和传送机构626，可以在安装在装载器组件604中的被处理物体载体(未示出)和大气处理室602之间传送被处理物体，并且可以进行被处理物体的交接。
在装载器组件604的侧壁中提供传送口(未示出)。而且，除了前述传送口之外，在与装载器组件604相邻设置的大气处理室602的侧壁中同样还设置另一传送口(未示出)。装载器组件604和大气处理室602的设置传送口的部分通过连接单元627连接在一起。
在上述真空处理设备60的结构中，有成一线连接在一起的两个处理室，即真空处理室601和大气处理室602。然而，与根据本发明第一实施方式的真空处理设备100相同，处理室的数量不限于两个，三个或多个处理室可以成一线连接在一起。
接着，下面将介绍通过真空处理设备600进行的被处理物体处理方法和在这个方法中使用的被处理物体传送序列。
图8是表示用于图6中所示的真空处理设备600的被处理物体传送序列的示意图。
在下列说明中，给出了真空处理设备600在被处理物体上进行CVD和冷却处理的例子。
下面，将真空处理室601制成为在其中对被处理物体进行CVD的CVD处理室601，在大气处理室602中对被处理物体进行作为大气处理的冷却。在图8中，如在图3和4中那样，连接单元是白色的，表示门阀处于打开状态，连接单元是黑色的，表示门阀处于闭合状态。
首先，如图8中的(1)所示，处于装载器组件604中的被处理物体W1被传送到大气处理室602中。此时，门阀612处于闭合状态，因此负载锁定室603和CVD处理室601彼此隔离。另一方面，门阀615处于打开状态，因此大气处理室602和负载锁定室603彼此连通。
接着，如(2)中所示，被处理物体W1从大气处理室602被传送到负载锁定室603中，然后如(3)中所示，门阀615闭合，而且管道619中的阀门624打开，然后排气泵623工作，由此对负载锁定室603进行排气。
接着，如(4)中所示，门阀612打开，然后利用传送机构618将由被处理物体保持部件617保持的被处理物体W1传送到CVD处理室601中。然后，如(5)中所示，在被处理物体保持部件617和传送机构618已经返回负载锁定室603之后，门阀612闭合，并在CVD处理室601中对被处理物体W1进行CVD处理。
接着，如(6)中所示，完成CVD处理室之后，门阀612打开，并且将已经进行了CVD处理的被处理物体W1从CVD处理室601传送到负载锁定室603中。
接着，如(7)中所示，在将被处理物体W1送进负载锁定室603之后，门阀612闭合，而且管道619中的阀门624闭合，开始从气体供应系统620输送氮气等，由此将负载锁定室603的内部释放到大气空气中。一旦负载锁定室603内部的压力达到大气压力，如(8)中所示，门阀615打开，然后由传送机构618将被处理物体W1传送到大气处理室602中，将其放在工作台609上并由固定器610连接。
接下来，如(9)中所示，工作台609冷却了被处理物体W1，一旦被处理物体W1被冷却到预定温度(约70℃)，如(10)中所示，被处理物体W1被传送到装载器组件604中。
然后真空处理设备600重复上述传送序列，直到完成整批被处理物体的处理为止。
在上述传送序列中的步骤(1)-(10)的每个中，如对本发明第一实施方式所述的那样，可以在由位置传感器检测的被处理物体的位置和教导数据之间的比较的基础上进行每个被处理物体的定位的判断，并在特定步骤中没有准确进行被处理物体的定位的情况下，可以停止被处理物体的传送，并且可以存储该步骤和在该步骤中的被处理物体的位置，利用储存的数据，由此可以将被储存的数据用做再处理方案的基础数据。
而且，在根据本发明第二实施方式的真空处理设备中，如关于本发明第一实施方式的说明，还可以在由位置传感器获得的信息的基础上检测工作台605或609的中心位置和起始位置之间的第一相对位置关系，在被检测的第一相对位置关系的基础上确定被处理物体的传送路线，沿着确定的传送路线传送被处理物体，然后检测已经被传送到工作台605或609的被处理物体的中心位置和起始位置之间的第二相对位置关系，并在第一和第二相对位置关系之间的偏差的基础上校正工作台605或609上的被处理物体的位置。结果是，可以实现上述效果。
此外，传送机构618和被处理物体保持部件617可具有与第一实施方式中的传送机构52和被处理物体保持部件51相同的结构，由此可以实现前述效果。
前面只是传送序列的例子，如果需要的话，也可以在真空处理室601和大气处理室602之间进行其它传送序列的往复运动。通过在CVD处理室601(真空处理室601)和大气处理室602之间来回移动被处理物体W1，由此可以重复进行CVD和冷却，可以抑制在被处理物体表面上形成的薄膜的厚度的变化。
而且，真空处理室601和大气处理室602可以由选自刻蚀系统、膜形成系统、涂覆/显影系统、测量系统、加热系统等的所需组件的合适组合构成，而对上述例子没有限制。
根据上述本发明的第二实施方式的真空处理设备，在其中对被处理物体W1进行CVD的CVD处理室601和在其中对被处理物体W1进行冷却的大气处理室602可连通地连接在一起，并且负载锁定室603设置在CVD处理室601和大气处理室602之间并处于与真空处理室601和大气处理室602形成一线并可连通地连接到真空处理室601和大气处理室602的位置上。结果是，可以简化在CVD处理室601和大气处理室602之间传送被处理物体W1的操作，因此可以有效地进行包括CVD处理和冷却处理的多个处理，特别是，可以在对被处理物体进行CVD处理之后有效地进行冷却处理。
此外，大气处理室602中的冷却处理总是在大气压力状态下进行，因此不必进行真空状态和大气处理室602中的大气压状态之间的转换，因此可以在短时间内进行冷却处理；此外，在其中进行真空状态和大气压状态之间的转换的负载锁定室603不必具有冷却机构，因此可以减小负载锁定室603的体积，并可以在短时间内进行真空状态和大气压状态之间的转换。结果是，可以在被处理物体W1上进行包括冷却处理的多个处理，并且可以更有效地进行真空状态和大气压状态之间的转换。
例如，如果真空状态和大气压状态之间的转换和冷却处理同时进行，象常规真空处理设备那样，则负载锁定室必须不仅含有传送机构而且含有冷却机构，因此增加了负载锁定室的体积，并且已经发现在真空状态和大气压状态之间的转换以及冷却处理需要约126秒；然而，在真空状态和大气压状态之间的转换以及冷却处理在分开的处理室中进行的情况下，如根据上述本发明第二实施方式的真空处理设备，只需要在负载锁定室中进行真空状态和大气压状态之间的转换，并且只需要在大气处理室中进行冷却处理，因此减小了负载锁定室的体积，因此在真空状态和大气压状态之间的转换只需要约20秒，冷却处理只需要约15秒，即，真空状态和大气压状态之间的转换以及冷却处理总共只需要约35秒。
此外，在已经被传送到负载锁定室603中之后，被处理物体W1不暴露于由于真空状态和大气压状态之间的长时间转换产生的空气对流，因此可以减少由这种对流产生的粒子飞溅而附着的风险。
而且，根据第二实施方式的被处理物体处理方法，真空状态和大气压状态之间的转换以及在被处理物体W1已经进行了CVD处理之后的冷却处理在负载锁定室603和大气处理室602中分开，因此可以缩短这些处理的每个处理所需的时间，因此可以有效地进行真空状态和大气压状态之间的转换以及冷却处理。此外，在被处理物体W1已经进行了CVD处理之后，在将被处理物体W1传送到负载锁定室603中的工艺、真空状态和大气压状态之间的转换的工艺以及将被处理物体W1传送到大气处理室602中的工艺之后，进行大气处理室602中的冷却处理；即使在进行冷却处理之前也可以进行被处理物体W1的冷却，例如在刚刚完成CVD之后被处理物体W1的温度约为650℃的情况下，已经发现在将被处理物体W1传送到大气处理室602中的工艺之后被处理物体W1的温度约为400℃。结果是，可以有效地进行在大气处理室602中在被处理物体W1上进行的冷却处理。
利用根据上述本发明第二实施方式的真空处理设备，在被处理物体上进行CVD；然而，不用说，由该真空处理设备在被处理物体上进行的真空处理不限于CVD，可以进行由伴随着热处理的任何真空处理，并且在这种情况下同样可以实现上述效果。
权利要求
1.一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括可连通地成一线地连接在一起并在其中处理被处理物体的多个处理系统；和可连通地连接到所述处理系统的负载锁定系统，所述负载锁定系统具有将被处理物体送入和送出每个所述处理系统的传送机构；其中至少一个所述处理系统是真空处理系统，所述负载锁定系统设置在适当的位置，以与所述处理系统形成一线。
2.一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括COR处理系统，在其中对被处理物体进行COR处理；至少一个真空处理系统，在其中对被处理物体进行其它处理，所述COR系统和所述至少一个真空系统可连通地成一线连接在一起；和负载锁定系统，它可连通地连接到所述COR处理系统和所述至少一个真空处理系统，所述负载锁定系统具有用于将被处理物体送入和送出所述COR处理系统和所述至少一个真空处理系统的每个的传送机构。
3.根据权利要求2的被处理物体处理设备，其中所述至少一个真空处理系统是连接到所述COR处理系统的热处理系统，在已经进行了COR处理的被处理物体上进行热处理。
4.根据权利要求3的被处理物体处理设备，其中所述COR处理系统和所述热处理系统总是处于真空状态下。
5.根据权利要求2的被处理物体处理设备，其中所述负载锁定系统设置在适当的位置上以便与所述至少一个真空处理系统形成一线。
6.一种用于被处理物体处理设备的被处理物体处理方法，所述被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统、在其中在已经进行了COR处理的所述被处理物体上进行热处理的热处理系统、以及可连通地连接到所述负载锁定系统的装载器组件，该方法包括第一负载锁定系统送入步骤，将第一被处理物体送入所述负载锁定系统；第一排气步骤，在所述第一负载锁定系统送入步骤之后对所述负载锁定系统进行排气；第一COR处理系统送入步骤，在已经完成所述第一排气步骤中的排气之后，将所述第一被处理物体送入所述COR处理系统；COR处理开始步骤，开始在所述第一被处理物体上进行COR处理；第二锁定系统送入步骤，在对所述第一被处理物体进行所述COR处理期间将第二被处理物体送入所述负载锁定系统；第二排气步骤，在执行所述第二负载锁定系统送入步骤之后对所述负载锁定系统进行排气；第一传送步骤，在已经完成所述第二排气步骤中的排气之后并在已经完成所述第一被处理物体上的所述COR处理之后，将所述第一被处理物体从所述COR处理系统送入所述热处理系统；第二传送步骤，将所述被处理物体从所述负载锁定系统送入所述COR处理系统；同时处理开始步骤，在所述COR处理系统中在所述第二被处理物体上开始进行COR处理并在所述热处理系统中在所述第一被处理物体上进行热处理；第三传送步骤，在已经完成所述第一被处理物体的所述热处理之后将所述第一被处理物体从所述热处理系统送入所述负载锁定系统；和替换步骤，使所述负载锁定系统和所述装载器组件互相连通，以便用在所述装载器组件中等候的第三被处理物体替换所述负载锁定系统中的所述第一被处理物体。
7.一种用于被处理物体处理设备的压力控制方法，所述被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统、在其中在已经进行了所述COR处理的所述被处理物体上进行热处理的热处理系统、以及将所述被处理物体送入和送出所述负载锁定系统的装载器组件，该方法包括送入步骤，将所述负载锁定系统置入大气压力状态中和将没有进行COR处理的被处理物体从所述装载器组件传送到所述负载锁定系统，同时对所述热处理系统排气；负载锁定系统排气步骤，终止所述热处理系统的排气，并且对所述负载锁定系统进行排气使其压力下降到设定压力；热处理系统排气步骤，在所述负载锁定系统已经达到设定压力之后，终止所述负载锁定系统的排气，并对所述热处理系统进行排气，以便满足所述热处理系统内部的压力低于所述负载锁定系统内部的压力的条件；以及第一连通步骤，在已经满足所述热处理系统内部的压力低于所述负载锁定系统内部的压力的条件之后，使所述负载锁定系统与所述热处理系统连通，同时继续对所述热处理系统进行排气。
8.根据权利要求7的压力控制方法，还包括第一压力监控步骤，在执行所述第一连通步骤之后，监视所述热处理系统内部的压力；COR处理系统排气步骤，对所述COR处理系统进行排气，同时继续对所述热处理系统排气，以便满足所述热处理系统内部的压力低于所述COR处理系统内部的压力的条件；以及第二连通步骤，当已经满足所述热处理系统内部的压力低于所述COR处理系统内部的压力的条件时，终止所述COR处理系统的排气，并且使所述热处理系统与所述COR处理系统连通，同时继续对所述热处理系统排气。
9.根据权利要求8的压力控制方法，还包括注入步骤，在进行所述第二连通步骤之后，向所述负载锁定系统和所述COR处理系统中引入流体。
10.根据权利要求9的压力控制方法，其中从所述负载锁定系统流进所述热处理系统的流体的流速以及从所述COR处理系统流进所述热处理系统的流体的流速彼此相等。
11.根据权利要求8的压力控制方法，还包括在从所述COR处理系统送出已经进行了所述COR处理的所述被处理物体之后，对所述热处理系统和所述COR处理系统进行排气的排气步骤，因此将所述COR处理系统内部的压力设定为用于消除残余ESC电荷的静态消除压力。
12.一种用于被处理物体处理设备的压力控制方法，该处理设备至少包括在其中对被处理物体进行COR处理的COR处理系统和在其中对已经进行了所述COR处理的所述被处理物体进行热处理的热处理系统，该方法包括压力监视步骤，监视所述热处理系统内部的压力，同时对所述热处理系统进行排气；COR处理系统排气步骤，对所述COR处理系统进行排气，以便满足所述热处理系统内部的压力低于所述COR处理系统内部的压力的条件；以及连通步骤，当已经满足所述热处理系统内部的压力低于所述COR处理系统内部的压力的条件时，终止所述COR处理系统的排气，并将所述热处理系统与所述COR处理系统连通。
13.一种用于处理被处理物体的被处理物体处理设备，包括第一处理系统，在其中对被处理物体进行第一处理；第二处理系统，与所述第一处理系统可连通地连接并在其中对被处理物体进行第二处理；和负载锁定系统，它设置在所述第一处理系统和所述第二处理系统之间并与所述第一处理系统和所述第二处理系统的每个可连通地连接，所述负载锁定系统具有将所述被处理物体送进和送出所述第一处理系统和所述第二处理系统的传送机构。
14.根据权利要求13的被处理物体处理设备，其中所述第二处理系统是冷却处理系统，在其中对已经进行了所述第一处理的所述被处理物体进行冷却处理。
15.根据权利要求14的被处理物体处理设备，其中所述第一处理系统总是处于真空状态，并且所述第二处理系统总是处于大气压状态。
16.根据权利要求15的被处理物体处理设备，其中所述负载锁定系统设置在适当的位置上以与所述第一处理系统和所述第二处理系统形成一线。
17.一种用于被处理物体处理设备的被处理物体处理方法，所述被处理物体处理设备至少包括负载锁定系统、在其中对被处理物体进行真空处理的真空处理系统、在其中对已经进行了所述真空处理的所述被处理物体进行冷却处理的大气处理系统、以及装载器组件，该方法包括负载锁定系统送进步骤，将被处理物体从所述装载器组件送进所述负载锁定系统；第一真空/大气压转换步骤，在执行所述负载锁定系统送进步骤之后对所述负载锁定系统进行排气；真空处理系统送进步骤，在执行所述第一真空/大气压转换步骤之后将所述被处理物体送进所述真空处理系统；真空处理步骤，对已经被送进所述真空处理系统的所述被处理物体进行真空处理；负载锁定系统送出步骤，将已经进行了所述真空处理的所述被处理物体送出至所述负载锁定系统；第二真空/大气压转换步骤，在执行所述负载锁定系统送出步骤之后将所述负载锁定系统的内部打开到大气；大气处理系统送出步骤，将所述被处理物体从所述负载锁定系统送出进入所述大气处理系统；大气处理步骤，对已经被送出进入所述大气处理系统的所述被处理物体进行冷却处理；和装载器组件送出步骤，将已经进行了所述冷却处理的所述被处理物体送出进入所述装载器组件。
18.一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，该被处理物体处理设备至少包括具有用于传送被处理物体的传送装置的负载锁定系统、在其中对被处理物体进行真空处理的真空处理系统、在其中对已经进行了所述真空处理的所述被处理物体进行热处理的热处理系统、和可连通地连接到所述负载锁定系统的装载器组件，该方法包括负载锁定系统送进步骤，将被处理物体送进所述负载锁定系统；排气步骤，在执行所述负载锁定系统送进步骤之后对所述负载锁定系统排气；真空处理系统送进步骤，在已经完成所述排气步骤中的排气之后将所述被处理物体送进所述真空处理系统；真空处理开始步骤，在执行所述真空处理系统送进步骤之后开始真空处理；第一传送步骤，在已经完成所述真空处理之后，将所述被处理物体从所述真空处理系统传送到所述热处理系统中；热处理开始步骤，在所述热处理系统中开始热处理；第二传送步骤，在已经完成所述热处理之后，将所述被处理物体从所述热处理系统送进所述负载锁定系统；和装载器组件送出步骤，将所述负载锁定系统和所述装载器组件彼此连通并将所述被处理物体送进所述装载器组件。
19.一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，该被处理物体处理设备包括具有第一工作台并在其中对已经放在所述第一工作台上的被处理物体进行热处理的热处理系统、具有第二工作台并在其中对已经放在所述第二工作台上的被处理物体进行真空处理的真空处理系统、用于与所述热处理系统和所述真空处理系统连通设置并具有用于传送所述被处理物体的所述传送装置的负载锁定系统、和控制传送装置的控制器，所述传送装置具有保持所述被处理物体的被处理物体保持部件，所述被处理物体保持部件可通过所述热处理系统和所述真空处理系统自由移动，所述被处理物体保持部件具有用于检测关于所述被处理物体是否存在的信息的第一检测装置，所述第一工作台和所述第二工作台的至少一个具有用于检测关于是否存在被处理物体的信息的第二检测装置，所述控制器在被检测信息的基础上检测所述被处理物体的位置，该方法包括第一位置关系检测步骤，检测处于起始位置的所述被处理物体的中心与所述第一工作台和所述第二工作台之一的中心之间的第一相对位置关系；传送步骤，在所述被检测的第一相对位置关系基础上确定所述被处理物体的传送路线，并沿着所述被确定的传送路线传送所述被处理物体；第二位置关系检测步骤，检测已经被传送到所述第一工作台和所述第二工作台之一之后的所述被处理物体的中心和处于起始位置的所述被处理物体的中心之间的第二相对位置关系；和位置校正步骤，在所述第一相对位置关系和所述第二相对位置关系之间的偏差基础上校正所述被处理物体的位置。
20.根据权利要求19的被处理物体传送方法，还包括被处理物体保持部件旋转步骤，使所述被处理物体保持部件旋转，同时所述被处理物体保持部件仍然保持所述被处理物体，以使已经进行位置校正的所述被处理物体的参考平面的位置与预定位置对准。
21.根据权利要求19的被处理物体传送方法，其中处于起始位置的所述被处理物体的中心是传送前所述负载锁定系统中的所述被处理物体的中心。
22.一种在被处理物体处理设备中用于传送装置的被处理物体传送方法，所述被处理物体处理设备包括可连通地连接到具有第一工作台的热处理系统的负载锁定系统，在所述热处理系统中对已经放在所述第一工作台上的被处理物体进行热处理，所述负载锁定系统经过所述热处理系统可连通地连接到具有第二工作台的真空处理系统，在所述真空处理系统中对已经放在所述第二工作台上的所述被处理物体进行真空处理，所述负载锁定系统具有用于传送所述被处理物体的传送装置，所述传送装置包括传送臂，所述传送臂包括至少两个臂形部件，所述臂形部件在其每个的一端可旋转地连接在一起；和被处理物理保持部件，所述被处理物体保持部件连接到所述臂形部件之一的另一端并保持所述被处理物体，该方法包括被处理物体移动步骤，在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述臂形部件之一的另一端旋转所述被处理物体保持部件，在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述臂形部件之一的一端旋转所述臂形部件之一，并在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述臂形部件的另一个的另一端旋转所述臂形部件的另一个。
23.根据权利要求22的被处理物体传送方法，其中在所述被处理物体移动步骤中，所述臂形部件和所述被处理物体保持部件彼此协作旋转，以便沿着所述第一工作台和所述第二工作台的配置方向移动所述被处理物体。
24.一种传送设备，所述传送设备设置在可连通地连接到热处理系统的负载锁定系统中，其中所述热处理系统具有第一工作台，在所述热处理系统中对已经放在所述第一工作台上的被处理物体进行热处理，所述负载锁定系统经过所述热处理系统可连通地连接到具有第二工作台的真空处理系统，在所述真空处理系统中对已经放在所述第二工作台上的所述被处理物体进行真空处理，所述传送设备包括传送臂，该传送臂包括至少两个臂形部件，所述臂形部件在其每个的一端可旋转地连接在一起；和被处理物体保持部件，它连接到所述臂形部件之一的另一端并保持所述被处理物体；其中所述被处理物体保持部件设置成在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述臂形部件之一的另一端旋转，所述臂形部件之一设置成在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述臂形部件之一的一端旋转，所述臂形部件的另一个设置成在平行于所述被处理物体的表面的平面内围绕所述另一个臂形部件的另一端旋转。
25.根据权利要求24的传送设备，其中所述臂形部件和所述被处理物体保持部件设置成彼此协作旋转，以便沿着所述第一工作台和所述第二工作台的配置方向移动所述被处理物体。
全文摘要
本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到处理系统并具有将被处理物体送进和送出每个处理系统的传送机构。至少一个处理系统是真空处理系统，负载锁定系统设置在适当的位置以与处理系统形成一线。
文档编号H01L21/68GK1574270SQ20041003105
公开日2005年2月2日 申请日期2004年4月12日 优先权日2003年6月24日
发明者小泽润, 关口克巳 申请人:东京毅力科创株式会社