专利名称：片式陶瓷基电子元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种陶瓷基片式电子元件的制造方法，特别是应用越来越广泛的片式PTC、片式NTC、片式压敏电阻的制造方法。
背景技术：
热敏电阻、压敏电阻由于其特殊的电热性能而广泛的应用于电子线路的过流、过压、过温保护领域以及温度传感领域。随着集成电路的高速发展，对表面贴装热敏电阻的需求越来越广。目前对片式热敏电阻和压敏电阻的应用以0805、0603为主，并有向0402发展的趋势。如果以多层陶瓷电容器的生产为参考来生产这些电子元件，需要流延机、叠片机、内电极工艺、等静压机、划片机、封端机、气氛烧结炉等一套设备，还需在流延工艺上摸索以制得适合流延的配方，总投资在三百万元以上。投资规模较大，其需求量也远达不到片式电阻和片式电容那么大，投资的风险相对也就较大。
发明目的本发明的目的在于提供一种用现有传统设备来生产这几种表面贴装片式元件，用较小的投资来生产片式PTC、片式NTC、片式压敏电阻。
本发明可以通过以下工艺过程来实现先由传统陶瓷工艺制得块体陶瓷材料，可制得较大尺寸的块体，通过磨片的方式得到一定厚度的瓷片，瓷片表面被上玻璃釉料，再经切割机得到所需尺寸，切割后得到的是长条状瓷片。具体说片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件。
所述片式陶瓷基电子元件包括片式PTC、片式NTC和片式压敏电阻。
其中，所述被覆玻璃釉料作为防电镀绝缘层，烧结温度为500～600℃。
在上述方案基础上，所述欧姆电极加表面电极或化学镀镍电极构成内电极，再在其上电镀镍层和电镀锡层。
本发明切割瓷片用精密划片机切割即可。
方案一在长条两个侧面被覆欧姆电极和表面电极，而在被覆了玻璃釉料的上下两个表面，再在其表面被两个所需长条的表面银浆。将制得的长条经电镀镍和电镀锡后，再经过切割，即可制得所需尺寸的片式热敏电阻。
方案二在长条两个侧面化学镀镍，经热处理后得到欧姆接触，再在被覆了玻璃釉料的上下两个表面，再在其表面被两个所需长条的表面银浆。将制得的长条经电镀镍和电镀锡后，再经过切割，即可制得所需尺寸的片式热敏电阻。
本发明在投资较小规模设备的同时，可制得片式热敏电阻，也可用同样的方法制得压敏电阻。
本发明实施例工艺流程图。
具体实施例方式
如附图本发明实施例工艺流程图所示，片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；其中，块状陶瓷基体依序经配料、球磨、造粒、压制、烧结而成。
第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状，即玻璃釉层切割；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触，形成端面电极；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件，即经过再切割、分选、编带、入库。
实施例1将PTC热敏电阻粉体压制烧结，得到瓷体30*30*2mm，磨至1.0mm，再经被玻璃釉料经500～600℃后、切割成宽度为2.0mm的长条。在切割后的新表面上被上欧姆电极和表面电极，而在玻璃釉料的两个表面的两侧各被上0.4mm的长条。再经电镀镍和电镀锡后，切割成宽度为1.25mm的小元件，此元件即为片式PTC热敏电阻，尺寸为0805。电阻值约为470欧姆。
实施例2将NTC热敏电阻粉体压制烧结，得到瓷体30*30*2mm，磨至0.8mm，再经被玻璃釉料经500～600℃后、切割成宽度为1.6mm的长条。在切割后的新表面上被上NTC银浆的电极，而在玻璃釉料的两个表面的两侧各被上0.4mm的长条电极。经电镀镍和电镀锡后，切割成宽度为0.8mm的小元件，此元件即为片式NTC热敏电阻，尺寸为0603。电阻值约为470欧姆。
从以上结果可以看出，本发明能通过较小规模的投资制得小尺寸的片式NTC热敏电阻和片式PTC热敏电阻。也可由同样的工艺制得片式压敏电阻。
权利要求
1.片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件。
2.根据权利要求1所述片式陶瓷基电子元件的制造方法，其特征在于所述片式陶瓷基电子元件包括片式PTC、片式NTC和片式压敏电阻。
3.根据权利要求1所述片式陶瓷基电子元件的制造方法，其特征在于所述被覆玻璃釉料作为防电镀绝缘层，烧结温度为500～600℃。
4.根据权利要求1所述片式陶瓷基电子元件的制造方法，其特征在于所述欧姆电极加表面电极或化学镀镍电极构成内电极，再在其上电镀镍层和电镀锡层。
5.根据权利要求1所述片式陶瓷基电子元件的制造方法，其特征在于所述切割瓷片用精密划片机切割。
全文摘要
本发明涉及一种陶瓷基片式电子元件的制造方法，特别是应用越来越广泛的片式PTC、片式NTC、片式压敏电阻的制造方法。片式陶瓷基电子元件的制造方法，第一步，通过传统陶瓷制造方法先制得块状陶瓷基体，再经磨片；第二步，在磨片的两个表面被覆玻璃釉料，再切割成长条状；第三步，在长条状产品两个侧面通过覆盖欧姆电极和表面电极或者通过化学镀镍的方式产生欧姆接触；第四步，再经过电镀镍和电镀锡形成表面焊接良好的两层电镀层；最后，经过第二次切割制得所需尺寸片式元件。本发明在投资较小规模设备的同时，可制得片式热敏电阻，也可用同样的方法制得压敏电阻。
文档编号H01C7/02GK1624816SQ20041009332
公开日2005年6月8日 申请日期2004年12月21日 优先权日2004年12月21日
发明者钱朝勇, 沈十林, 周欣山 申请人:上海维安热电材料股份有限公司