专利名称：串联式射频mems开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种串联式射频MEMS开关。
背景技术：
目前所制作的串联式MEMS开关，通常采用平面式SiN薄膜作悬梁，在平面式SiN悬梁下蒸平面式镀金膜形成二层平面式薄膜触点结构，二层薄膜的尺寸均为14(宽)×80(长)微米，其结构如图1所示。由于平面式SiN薄膜制作过程中会产生较大的应力，致使触点产生形变，并导致弯曲，影响触点与信号线的接触。
实用新型内容本实用新型解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关。
本实用新型的技术方案如下它包括驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其特征在于其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。
本实用新型的T型结构的触点，有效地改善了触点的形变和弯曲，使触点与信号线之间能够进行有效的接触。本实用新型的T型触点结构的射频MEMS开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，T型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作用。
图1为现有的二层平面式薄膜触点的结构示意图。
图2为本实用新型开关的结构示意图。
图3为二层T形结构薄膜触点的结构示意图。
标号说明1驱动块，2触点、21上层薄膜、22下层薄膜、23向下凸起、24向上凹槽，3固定端，4共平面波导的地线，5共平面波导的信号线。
具体实施方式
如图2、3所示，本实用新型包括驱动块1、触点2、固定端3、共平面波导的地线、共平面波导的信号线；触点2由上下二层薄膜21和22构成，其特征在于其上层薄膜21的下表面的中间设有向下凸起23，下层薄膜22的上表面的中间设有与上层薄膜21的向下凸起23相配对的向上凹槽24。上层薄膜是1微米的SiN薄膜，下层薄膜是0.15微米的金薄膜。凸起部分尺寸8(宽)×0.2(厚)微米。
使用方式在串联式射频MEMS开关的触点部分采用T型结构，在静电力的驱动下，触点可以与信号线进行接触与分开，实现开关的功能，并保证开关在闭合时能够进行稳定的接触，减少接触电阻。
权利要求1.一种串联式射频MEMS开关，包括驱动块(1)、触点(2)、固定端(3)、共平面波导，触点(2)由上下二层薄膜(21)和(22)构成，其特征在于其上层薄膜(21)的下表面的中间设有向下凸起(23)，下层薄膜(22)的上表面的中间设有与上层薄膜(21)的向下凸起(23)相配对的向上凹槽(24)。
2.根据权利要求1所述的串联式射频MEMS开关，其特征在于上层薄膜(21)是1微米的SiN薄膜，下层薄膜(22)是0.15微米的金薄膜。
3.根据权利要求2所述的串联式射频MEMS开关，其特征在于向下凸起(23)部分尺寸为宽微米、厚0.2微米。
专利摘要一种串联式射频MEMS开关，它解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关，本实用新型包括驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。本实用新型的射频MEMS开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，T型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作用。
文档编号H01H13/70GK2752935SQ20042011150
公开日2006年1月18日 申请日期2004年11月16日 优先权日2004年11月16日
发明者于映, 罗仲梓 申请人:福州大学