专利名称：温度异常检测方法及半导体制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体装置时的温度异常检测方法。
背景技术：
近年来，为了制造半导体装置的光刻步骤，由下述步骤构成在晶片表面涂敷抗蚀剂形成厚度均匀的抗蚀膜的抗蚀剂涂敷步骤；为了使抗蚀膜中的残留溶剂蒸发提高光化学反应的前烘烤步骤；对晶片上的抗蚀膜烧上元件图案的曝光步骤；为了使抗蚀膜的曝光部溶出的显影步骤；以及为了强化抗蚀图案的后烘烤(postbake)步骤。
在上述前烘烤及后烘烤等加热处理中，由于到该处理结束为止的热过程很重要，因此即使将一旦加热处理的不良品再次进行加热处理，也很难使其成为良品。所以，为了排除被处理的晶片之间的热过程的不均等性，提出了早期将在光刻步骤中使用的加热处理装置的温度异常检测出来的方法。
在使用在光刻步骤中的加热处理装置的以往的温度异常检测方法及分类方法中，如专利文献1所示，通过预先对从设置在该装置的热板(热平板)上的温度传感器输出的温度数据值设定所规定的阈值，来判定该温度数据的峰值等的异常，进行温度异常的检测。
以下，参照附图，对专利文献1所示的、在光刻步骤中的加热处理时的温度异常检测方法及分类方法的一个例子加以说明。
图8为示出了以往的加热处理装置的结构图。如图8所示，在加热处理装置的大约中央处，设置有热平板201，作为用于将晶片200进行加热处理的处理板。热平板201，例如，被设置在直径比晶片200大一些的圆形保持板202的表面上。并且，在保持板202的背面一侧，例如，设置有与保持板202紧贴在一起的与保持板202的形状几乎相同的发热元件203。发热元件203，由因电流流动而发热的电阻体构成。在发热元件203流动的电流，由作为控制机构的温度控制部250控制，藉此方法来控制热平板201的温度(加热温度)。
在热平板201、保持板202及发热元件203的多处，设置有贯穿孔204。在这些贯穿孔204中，分别设置有多个用于晶片200的交接的支撑针(pin)205。这些支撑针205，与设置在保持板202下方的结合构件206成为一体。并且，结合构件206，连接在升降机构207上，结合构件206因升降机构207的升降动作而上下移动。因此，各支撑针205，在各贯穿孔204中上下移动，从热平板201的表面伸出或者隐没。在支撑针205从热平板201的表面伸出的状态下，在图8所示的加热处理装置和晶片搬送装置(省略图示)之间进行晶片200的交接。在从该搬送装置接到晶片200后，支撑针205下降，隐没在贯穿孔204内。这样一来，晶片200就被设置在热平板201的正上方。然后，进行晶片200的加热处理。
这里，为了在加热处理装置内较好地进行晶片200的加热处理，将晶片200装载在温度分布偏差较小的热平板201上所规定的晶片装载位置上(具体地说，除了热平板201的边缘部之外的部分的上侧区域)。
具体地说，为了使热平板201和晶片200不直接接触，换句话说，为了将晶片200保持为与热平板201仅隔有所规定的间隔，在相当于晶片装载位置外周部的热平板201上的多处(例如，6个地方)设置有近接垫(proximity sheet)211，并且，在相当于晶片装载位置的中央的热平板201上的规定地方设置有近接针(proximity pin)212。
并且，在晶片装载位置外周部设置的多个近接垫211分别延伸到晶片装载位置外侧的热平板201上，在各近接垫211的该延伸部分上，分别设置有引导晶片用的引导物213。也就是说，在图8所示的加热处理装置中，在热平板201上设置有围绕晶片装载位置的6个引导物213。
并且，在保持板202的背面一侧，设置有贯穿发热元件203且到达保持板202的规定深度的多个有底孔208。这些有底孔208，被设置在晶片装载位置的中央、及离该中央具有所规定的距离的位置上(例如，晶片装载位置外周部的附近)。在各有底孔208的底部(在有底孔208内，与热平板201最近的位置)，设置有用于测定热平板201的温度的例如热电偶等温度传感器209。由该温度传感器209检测出的结果(热平板201的温度数据)被传送到温度控制部250，在温度控制部250中，根据该检测出的结果对作为发热机构的发热元件203进行电流的控制。
以下，对上述结构的以往的半导体制造装置中的温度异常检测方法及分类方法加以说明。
首先，如果被搬送到处理板(热平板201)上的晶片(晶片200)，例如被搬到引导构件(引导物213)上，从晶片装载位置错开的话，则晶片中的与搬到引导构件上的部分相反的一侧的端部和处理板表面接触，而晶片中的该端部以外的大部分处于从处理板上悬空的状态。但是，在对晶片进行加热处理的处理板中，如果晶片被装载在该处理板上所规定的晶片装载位置上的话，则晶片从处理板吸收热，造成处理板温度暂时地下降。然而，如上所述，当晶片被装载成从处理板上悬空的状态时，与晶片被准确地装载在所规定的晶片装载位置时相比，将晶片装载在处理板上时的处理板温度下降的幅度较小。在专利文献1所示的方法中，着眼于这一点，通过温度传感器检测出将晶片装载在处理板上时处理板的温度变化，在该检测出的温度变化没有超过或等于所规定的温度变化时，认为发生了异常。
专利文献1日本特开2000-306825号公报如上所述，在制造半导体装置时的以往的温度异常检测方法中，通过将规定的阈值作为界线条件，评价将晶片装载在热平板上时热平板温度变化的峰值，来判断热平板上的晶片装载状态是正常还是异常。但是，当希望进行更高精度的加热处理装置的异常检测时，仅象以往技术那样，对热平板温度变化的峰值设定阈值是不够的。也就是说，在专利文献1所示的方法中，存在这样的问题不能进行高精度的加热处理装置的异常检测，难以严密地管理该装置。
发明内容
如上所鉴，本发明的目的在于能够高精度地检测制造半导体装置时的温度异常。
为了达到上述目的，本案发明者们在进行了种种研究探讨后，得到了这样的启发通过对如装载晶片时的热平板温度那样的、具有倾斜度的过渡变化的温度数据变动，在每个单位时间内设定管理范围，且评价该温度数据变动是否在所设定的管理范围内，来进行加热处理装置等半导体制造装置的异常判定及分类。
具体地说，本发明所涉及的温度异常检测方法，是检测半导体制造装置中的温度异常的方法，该半导体制造装置至少包括在表面上方装载被处理体且将该被装载的被处理体加热的热平板，在控制上述热平板温度的同时取得该温度的温度控制部，根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部，和在上述热平板上使上述被处理体升降的升降机构。该温度异常检测方法，包括将通过上述温度控制部取得的上述热平板的温度数据存储在上述半导体制造装置的存储部的存储步骤；在控制上述升降机构的同时，将上述被处理体的升降时刻数据传送到上述存储部的升降控制步骤；根据存储在上述存储部的温度数据、从上述本体控制部取得的处理程序数据、和被传送到上述存储部的升降时刻数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出步骤；以及利用在上述管理范围算出步骤中算出的管理范围，来检测上述半导体制造装置中的温度异常的步骤。
在本发明的温度异常检测方法中，最好上述管理范围算出步骤，包括使用通过在对其它被处理体预先进行的热处理中所存储在上述存储部的上述热平板的温度数据进行统计处理而获得的值，算出上述管理范围的步骤。
本发明所涉及的半导体制造装置，包括在表面上方装载被处理体且将该被装载的被处理体加热的热平板；在控制上述热平板的温度的同时取得该温度的温度控制部；根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部；存储通过上述温度控制部取得的上述热平板的温度数据的存储部；在上述热平板上使上述被处理体升降的升降机构；在控制上述升降机构的同时，将上述被处理体的升降时刻数据传送到上述存储部的升降控制部；根据存储在上述存储部的温度数据、从上述本体控制部取得的处理程序数据、和被传送到上述存储部的升降时刻数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出部；以及利用通过上述管理范围算出部算出的管理范围，来检测装置异常的异常检测部。
在本发明的半导体制造装置中，最好上述管理范围算出部，使用通过在对其它被处理体预先进行的热处理中所存储在上述存储部的上述热平板的温度数据进行统计处理而获得的值，算出上述管理范围。
(发明的效果)依据本发明，根据热平板的温度数据、处理程序数据和被处理体的升降时刻数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围，具体地说，算出与将被处理体设置在热平板上方时的热平板温度变化相符的管理范围，利用该管理范围检测装置异常。因此，能够详细地评价当将被处理体装载在热平板上方时由温度控制部检测出的热平板的温度变化，是否与参照温度数据(例如，过去所测定的温度数据)的变动不同。并且，当检测出的热平板的温度变化与参照温度数据的变动不同时，例如，当在参照温度数据的变动中所看到的变化，在检测出的热平板温度数据中看不到时，能够认为发生了装置异常，例如，发生了被搬送到热平板上的被处理体没有被准确地装载在规定的晶片装载位置上的异常。因此，与以往的技术那样，仅通过对热平板温度变化的峰值设定阈值来进行异常检测的情况相比，通过以单位时间为单位，对具有倾斜度的过渡变化的温度数据变动设定管理范围，能够进行高精度的半导体制造装置的温度异常的检测、判定或者分类。
附图的简单说明
图1为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置(加热处理装置)的简要结构图。
图2为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置中的晶片加热处理情况的图，具体地说，为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。
图3为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置中的晶片加热处理情况的图，具体地说，为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。
图4为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置中的晶片加热处理情况的图，具体地说，为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。
图5为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置中在装载晶片时发生了异常情况的图。
图6为示出了本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置中在装载晶片时发生了异常的情况下，与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。
图7为由本发明的一实施例所涉及的半导体制造装置的异常检测部进行的、加热处理时的异常检测方法的流程图。
图8为示出了以往的加热处理装置的结构图。
(符号的说明)100、800-晶片；101-热平板；102-保持板；103一发热元件；104-贯穿孔；105-支撑针；106-结合构件；107-升降机构；108-有底孔；109-温度传感器；111-近接垫；112-近接针；113-引导物；150-温度控制部；151-存储部；152-本体控制部；153-升降控制部；154-管理范围算出部；155-异常检测部；301、901-热平板温度；402、902-经过时间的曲线(plot)；703、903-管理范围。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的一实施例所涉及的温度异常检测方法及半导体制造装置加以说明。
图1为示出了本实施例所涉及的半导体制造装置(具体地说，加热处理装置)的简要结构图。如图1所示，在加热处理装置的大约中央位置，设置有热平板101，作为用于对被处理体即晶片100进行加热处理的处理板。将热平板101设置在直径例如比晶片100大一些的圆形保持板102的表面上。并且，在保持板102的背面一侧，例如，设置有与保持板102紧贴在一起的与保持板102的形状几乎相同的发热元件103。发热元件103，例如，由因电流流动而发热的电阻体构成。在发热元件103流动的电流，由作为控制机构的温度控制部150控制，藉此方法来控制热平板101的温度(加热温度)。
在热平板101、保持板102及发热元件103的多处，设置有贯穿孔104。在这些贯穿孔104中，分别设置有多个用于晶片100的交接的支撑针(pin)105。这些支撑针105，与设置在保持板102下方的结合构件106成为一体。并且，结合构件106，连接在升降机构107上，结合构件106因升降机构107的升降动作而上下移动。因此，各支撑针105，在各贯穿孔104中上下移动，从热平板101的表面伸出或者隐没。在支撑针105从热平板101的表面伸出的状态下，在图1所示的加热处理装置和晶片搬送装置(省略图示)之间进行晶片100的交接。在从该搬送装置接到晶片100后，支撑针105下降，隐没在贯穿孔104内。这样一来，晶片100就被设置在热平板101的正上方。然后，进行晶片100的加热处理。
这里，为了在本实施例的加热处理装置内较好地进行晶片100的加热处理，将晶片100装载在温度分布偏差较小的热平板101上的所规定的晶片装载位置上(在热平板101的边缘部之外的部分的上侧区域)。
具体地说，为了使热平板101和晶片100不直接接触，换句话说，为了将晶片100保持为与热平板101间隔有仅规定的间隔，在相当于晶片装载位置外周部的热平板101上的多处(例如，6个地方)设置有近接垫(proximity sheet)111，并且，在相当于晶片装载位置的中央的热平板101上的所规定的地方设置有近接针(proximity pin)112。
并且，在晶片装载位置的外周部设置的多个近接垫111，分别延长到晶片装载位置外侧的热平板101上，在各近接垫111的该延长部分上，分别设置有引导晶片用的引导物113。也就是说，在图1所示的加热处理装置中，在热平板101上设置有围绕晶片装载位置的6个引导物113。
并且，在保持板102的背面一侧，设置有贯穿发热元件103且到达保持板102的规定深度的多个有底孔108。这些有底孔108，被设置在晶片装载位置的中央、及离该中央具有规定距离的位置上(例如，晶片装载位置外周部的附近)。在各有底孔108的底部(在有底孔108内，与热平板101最近的位置)，设置有用于测定热平板101的温度的例如热电偶等温度传感器109。由该温度传感器109检测出的结果(热平板101的温度数据)被传送到温度控制部150，在温度控制部150中，根据该检测出的结果对作为发热机构的发热元件103进行电流的控制。
并且，本实施例的加热处理装置，作为其特征，除了上述各构成要素之外，还包括将由温度控制部150取得的热平板101的温度数据存储起来的存储部151；根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部152；在控制升降机构107的同时，将晶片100的升降时刻数据传送到存储部151的升降控制部153；以处理程序为单位，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出部154；和利用由管理范围算出部154算出的管理范围，来检测加热处理装置的异常的异常检测部155。这里，管理范围算出部154，根据存储在存储部151的温度数据、从本体控制部152取得的处理程序数据、和被传送到存储部151的升降时刻数据，算出上述管理范围。
另外，在本实施例中，例如，可以用由中央处理器、存储器、键盘等输入器以及显示器等显示装置构成的计算机来实现温度控制部150、存储部151、本体控制部152、升降控制部153、管理范围算出部154及异常检测部155。并且，可以用专用的硬件来实现温度控制部150、本体控制部152、升降控制部153、管理范围算出部154及异常检测部155。
以下，对上述结构的本实施例的半导体制造装置中的晶片加热处理的情况加以说明。
图2为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。首先，当将低温的晶片100装载在被高温保持的热平板101上时，如图2的区域311所示，热平板温度301因热扩散而暂时地急剧下降。之后，如图2的区域312所示，在例如通过PID(Proportional Integral Difference)控制等使热平板温度301、也就是晶片100的温度上升到所设定的温度后，如图2的区域313所示，在稳定的温度状态下进行晶片100的热处理。也就是说，在将晶片100设置在热平板101上开始热处理之后不久，热平板温度301(晶片温度)，不断地呈倾斜状态变化。因此，如以往技术那样，仅对热平板温度301变化的峰值单纯地设定阈值(上限值或者下限值)，难以充分地检测出温度异常。
因此，在本实施例中，如图2的区域311及区域312所示，为了算出用以适当地管理不断变化的热平板温度301的管理范围，根据过去的热平板温度数据(例如，通过使用本实施例的加热处理装置，对与晶片100一样的其它多个晶片预先进行热处理而获得的热平板温度数据)的历时变化，事先将该变化的情况量子化，将量子化后的数据作为参照温度数据。并且，为了保存上述过去的热平板温度数据，将由温度控制部150取得的热平板温度数据保存在存储部151中。
另外，使热平板温度数据(以下，也将其简单地称为温度数据)存储在存储部151的频率，也就是存储部151从温度控制部150收集温度数据的取样频率是越高越好，以下，使温度数据存储在存储部151的取样频率为1Hz(每秒)加以说明。
并且，图1所示的存储部151，在从温度控制部150取得温度数据的同时，从控制整个装置的本体控制部152取得包含对被处理体即晶片100进行处理时所用的程序名称及热平板设定温度等的处理程序信息。并且，存储部151，对温度数据和处理程序信息(程序名称及热平板设定温度等)的相关关系起名，进行温度数据的管理。
并且，图1所示的存储部151，在从温度控制部150取得温度数据的同时，从升降控制部153取得使被处理体即晶片100进行升降动作的时刻信息。这是为了取得将晶片100装载在热平板101上的时刻。该升降动作的时刻信息，例如，是根据升降动作的启动信息取得的。并且，在取得该升降动作的启动信息时，可以用逻辑数据、ON/OFF信号、或者升降动作的命令信号或命令通讯中的任意一种。或者，可以有效地利用在热处理中使用的将惰性气体喷出时的阀的开闭信号，来代替升降动作的时刻。此时，也与上述升降动作的启动信息的取得方法一样，当取得将惰性气体喷出时的阀的开闭动作的启动信息时，可以用逻辑数据、ON/OFF信号、或者开闭动作的命令信号或命令通讯中的任意一种。
如上所述，将由温度控制部150取得的温度数据、从本体控制部152取得的处理程序信息、以及从升降控制部153取得的升降动作时刻信息存储在存储部151中。并且，根据这些被存储的信息，在管理范围算出部154中，对图2的区域311及区域312所示的具有倾斜度的过渡状态的温度数据(热平板温度)算出管理范围。
图3为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。另外，图3为在图2所示的坐标图中加上将晶片100装载在热平板101上后的经过时间的曲线402的图。图3的横轴所示的热处理时间，被分为两个阶段，它们是将晶片100搬送到本实施例的半导体制造装置为止的阶段411、和将晶片100装载在热平板101上对晶片100进行加热处理的阶段412。阶段411和阶段412的区划，例如，是根据从上述升降控制部153取得的升降动作时刻信息进行的。
在将晶片100装载在热平板101上后的经过时间的曲线402中，在将晶片100装载在热平板101上的时刻，将经过时间的值设为0。并且，然后，图3的横轴所示的热处理时间每经过1秒、2秒、…，该经过时间(右侧纵轴)的值就与1秒、2秒、…成正比地增加。
图4为示出了与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。另外，图4是在图3所示的坐标图中加上由管理范围算出部154算出的管理范围703的图。
如图4所示，得知由于热平板温度301在管理范围703内，因此热平板温度301是正常的。
另外，在本实施例中，以经过时间的曲线402的各取样时间为单位设定管理范围703，在这一点上，管理范围703与对热平板温度301变化的峰值所设定的以往技术的「阈值」是完全不同的。并且，管理范围703的上限值，例如，是μ+3σ〔μ在经过时间的曲线402的各取样时间中的参照温度数据(例如，在对于多个晶片预先进行的热处理中所测定的温度数据)的平均值，σ在经过时间的曲线402的各取样时间中的参照温度数据的标准偏差，以下相同〕，管理范围703的下限值，例如，是μ-3σ。
如上所述，在本实施例中，对于具有倾斜度的过渡变化的热平板温度301，也能够恰当地设定管理范围703，在利用该管理范围703的异常检测部155中，对由图1所示的温度控制部150取得的温度数据是正常还是异常进行判定。
另外，在本实施例中，很方便地使用了μ+3σ及μ-3σ分别作为管理范围703的上限值及下限值。但是，管理范围703的设定方法，并不限定于此，例如，能够在考虑到过程的状态和加热处理装置的硬件稳定性等情况下，任意地设定管理范围703的上限值及下限值。并且，可以对经过时间的曲线402的各取样时间设定多个管理范围(例如，将μ+2σ及μ-2σ分别设为上限值及下限值的注意管理范围，及将μ+3σ及μ-3σ分别设为上限值及下限值的警告管理范围)。
图5为示出了在图1所示的本实施例的半导体制造装置中在装载晶片时产生异常情况的图。另外，在图5中，由于对与图1一样的结构要素标注一样的符号，因此省略说明。并且，在图5中，简要地示出了图1所示的一部分结构要素。
如图5所示，例如，由于搬送臂(省略图示)的误动作等，当被处理体即晶片800(区别于图1的被正常装载的晶片100)被搬到引导物113上时，晶片800不能被正常地设置在所规定的晶片装载位置上。
图6为示出了当产生了图5所示的晶片装载异常时，与晶片加热处理时间相对应的热平板温度变化的图。另外，在图6中，曲线902与图3的曲线402一样，示出了将晶片800装载在热平板101上后的经过时间。并且，管理范围903与图4的管理范围703一样，以经过时间的曲线902的各取样时间为单位，由管理范围算出部154来设定。
如图6所示，当晶片800没有被正常地装载在热平板101上时，与图2的热平板温度301的变动不同，看不出热平板温度901的暂时下降。其结果，造成热平板温度901没有在管理范围903内，在图1所示的异常检测部155中，判定热平板温度901异常。
另外，在本实施例中，由于将温度数据的取样频率设定成1Hz(每秒)，因此必然对每秒的温度数据的曲线设定有管理范围的上限值及下限值。但是，管理范围的设定方法，并不限定于此。具体地说，当需要灵敏度更高的异常检测时，通过将温度数据的取样频率设定得更高(例如，通过将其设定为10Hz)，能够以更短的单位时间为单位对温度数据的曲线〔当取样频率(数据取得频率)为10Hz时，在每0.1秒中的温度数据的曲线〕设定管理范围的上限值及下限值。
以下，对由图1所示的异常检测部155所进行的、加热处理时的异常检测方法加以说明。
图7为异常检测部155中的加热处理时的异常检测的流程图。这里，将为了收集温度数据的取样频率设为1Hz。
首先，在步骤S000中，异常检测部155，从本体控制部152取得进行处理的晶片100的程序名称，进行处理程序的确认。
其次，在步骤S001中，在将晶片100搬送到热平板101附近，其次，将晶片100装载在热平板101上后，在该时刻，在步骤S002中，异常检测部155，将热处理经过时间t设定为t＝0。该晶片装载时刻信息，例如，是根据来自升降控制部153的晶片100的下降信号取得的。
当收集温度数据的取样频率为1Hz时，接着，在步骤S003中，异常检测部155，从温度控制部150取得t＝1(秒)时的热平板温度的数据T(1)，同时，例如，从保持在异常检测部155内部的数据表中检索且取得t＝1(秒)时的管理范围的上限值及下限值〔以下，称为上限管理值(例如，μ1+3σ1)及下限管理值(例如，μ1-3σ1)〕。另外，在通过异常检测部155开始进行异常检测步骤前，将由管理范围算出部154以各取样时间为单位算出的管理范围数据存储在上述数据表中。
其次，在步骤S004中，异常检测部155，进行从温度控制部150取得的「t＝1(秒)时的温度数据T(1)」是否在从上述数据表中取得的「t＝1(秒)时的上限管理值及下限管理值」的管理范围(规定范围)内的判定。这里，当温度数据在规定范围外时，异常检测部155具有发送警报的功能。
其次，在步骤S005中，异常检测部155，从温度控制部150取得t＝2(秒)时的热平板温度的数据T(2)，同时，从上述数据表中检索且取得t＝2(秒)时的上限管理值(例如，μ2+3σ2)及下限管理值(例如，μ2-3σ2)。
其次，在步骤S006中，异常检测部155，进行从温度控制部150取得的「t＝2(秒)时的温度数据T(2)」是否在从上述数据表中取得的「t＝2(秒)时的上限管理值及下限管理值」的规定范围内的判定，当该温度数据在规定范围外时，发送警报。
其次，在步骤S007以后的步骤中，异常检测部155，对t＝3(秒)以后的温度数据，反复进行与步骤S003～S006一样的处理，直到晶片100的加热处理结束为止。
另外，如上所述，虽然，当判定热平板温度的数据在规定范围外时，异常检测部155具有发送警报的功能，但是，对该发送警报的时刻并不作特别地限定。也就是说，可以以进行温度异常判定的时刻为单位，每当温度数据在规定范围外时，就立刻发送警报，或者，也可以当只在一次判定时刻中，温度数据在规定范围外时不发送警报，例如，只在连续3次的判定时刻中，温度数据在规定范围外时发送警报。
如上所述，依据本实施例，根据热平板101的温度数据、处理程序数据和被处理体即晶片100的升降时刻数据，来算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围，具体地说，来算出与将晶片100装载在热平板101上时的热平板101的温度变化相符的管理范围，利用该管理范围检测装置异常。因此，能够更详细地评价将晶片100装载在热平板101上时由温度控制部150检测出的热平板101的温度变化，是否与参照温度数据(例如，过去所测定的温度数据)的变动不同。并且，当检测出的热平板101的温度变化与参照温度数据的变动不同时，例如，当在参照温度数据的变动中所看到的变化，在检测出的热平板温度数据中看不到时，能够认为发生了装置异常，例如发生了搬送到热平板101上的晶片100没有被准确地装载在所规定的晶片装载位置上的异常。所以，与如以往技术那样，仅通过对热平板温度变化的峰值设定阈值来进行异常检测的情况相比，通过以单位时间为单位对具有倾斜度的过渡变化的温度数据变动设定管理范围，能够进行高精度的半导体制造装置中的温度异常的检测、判定或者分类。
另外，在本实施例中，以在抗蚀剂的前烘烤或者后烘烤等中使用的热平板的温度异常的检测为对象进行了说明。但是，本发明并不限定于此，也能够应用在例如RTP(Rapid Thermal Process)装置中的加热时灯温度的异常检测、或者CVD(Chemical Vapor Deposition)装置中的晶片装载位置异常的检测等处。
(实用性)本发明涉及制造半导体装置时的温度异常的检测方法，例如，在将其使用在光刻工序中所用的热平板温度管理等时，能够获得可高精度地进行温度异常的检测、判定或者分类的效果，非常有用。
权利要求
1.一种温度异常检测方法，其特征在于是检测半导体制造装置中的温度异常的方法，该半导体制造装置至少包括在表面上方装载被处理体且将该被装载的被处理体加热的热平板，在控制上述热平板温度的同时取得该温度的温度控制部，根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部，和在上述热平板上使上述被处理体升降的升降机构；包括将通过上述温度控制部取得的上述热平板的温度数据存储在上述半导体制造装置的存储部的存储步骤，在控制上述升降机构的同时将上述被处理体的升降时刻数据传送到上述存储部的升降控制步骤，根据存储在上述存储部的温度数据、从上述本体控制部取得的处理程序数据、和被传送到上述存储部的升降时刻数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出步骤，以及利用在上述管理范围算出步骤中算出的管理范围，来检测上述半导体制造装置中的温度异常的步骤。
2.根据权利要求1所述的温度异常检测方法，其特征在于上述管理范围算出步骤，包括使用通过在对其它被处理体预先进行的热处理中所存储在上述存储部的上述热平板的温度数据进行统计处理而获得的值，算出上述管理范围的步骤。
3.一种半导体制造装置，其特征在于包括在表面上方装载被处理体且将该被装载的被处理体加热的热平板；在控制上述热平板温度的同时取得该温度的温度控制部；根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部；存储通过上述温度控制部取得的上述热平板的温度数据的存储部；在上述热平板上使上述被处理体升降的升降机构；在控制上述升降机构的同时，将上述被处理体的升降时刻数据传送到上述存储部的升降控制部；根据存储在上述存储部的温度数据、从上述本体控制部取得的处理程序数据、和被传送到上述存储部的升降时刻数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出部；以及利用通过上述管理范围算出部算出的管理范围，来检测装置异常的异常检测部。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其特征在于上述管理范围算出部，使用通过在对其它被处理体预先进行的热处理中所存储在上述存储部的上述热平板的温度数据进行统计处理而获得的值，算出上述管理范围。
全文摘要
本发明公开了一种温度异常检测方法及半导体制造装置。本发明的目的在于能够高精度地检测制造半导体装置时的温度异常。半导体制造装置，包括加热晶片100的热平板101；控制热平板101的温度的温度控制部150；根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部152；存储热平板101的温度数据的存储部151；在热平板101上使晶片100升降的升降机构107；在控制升降结构107的同时，将升降时刻数据传送到存储部151的升降控制部153；根据温度数据、处理程序数据和升降时序数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出部154；以及利用通过管理范围算出部154算出的管理范围，检测装置异常的异常检测部155。
文档编号H01L21/66GK1702849SQ200510072628
公开日2005年11月30日 申请日期2005年5月16日 优先权日2004年5月26日
发明者佐藤直昭 申请人:松下电器产业株式会社