专利名称：自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法，特别是涉及一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法。
背景技术：
随着集成电路的发展，多晶硅线宽及线宽之间的间距正变得越来越窄，这就对自对准硅化物阻挡层(Salicide block)在多晶硅线条之间的填充能力问题有着越来越高的要求。当填充能力不足时就会产生如图1中所示的情况，由于填充能力的不足而在多晶硅线条之间产生空洞。
同时，出于对填充能力的考虑，要求生长的自对准硅化物阻挡层应尽量薄，但是这却又不可避免的会造成针孔的现象，从而造成对器件的影响。如图2所示，由于形成薄的自对准硅化物阻挡层而产生的针孔现象，造成在原本需要阻挡硅化物的地方生长了硅化物。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，它可以解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题，并有效克服针孔现象，降低漏电流。
为解决上述技术问题，本发明自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，是采用如下技术方案实现的，它包括现有的自对准硅化物阻挡层的制作工艺，其中，在生长二氧化硅层时，分两步进行，首先，利用CVD(Chemicalvapor desposition化学汽相淀积)方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP(High density plasma高密度等离子体)方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。
由于采用本发明的方法，二氧化硅层的生长分两步，并采用不同的工艺形成。由于第二步HDP方法是一种边生长边刻蚀的过程，所以用HDP方法可以实现更强的填充性能。但是在它的刻蚀过程中可能会造成硅片的损伤，因此，在这之前先用CVD方法生长二氧化硅作为HDP的阻挡保护层。这样可以使生长的二氧化硅层更加致密，同时又避免了硅片的损伤；同时，采用不同工艺分两步生长二氧化硅层，可以使各层产生的针孔相互错开，从而可以提高自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题，并有效克服针孔现象，达到降低漏电流的目的。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。
图1是采用现有的工艺方法生长的自对准硅化物阻挡层由于填充能力不强而产生的缺陷示意图；图2是采用现有的工艺方法生长的自对准硅化物阻挡层由于产生针孔而造成的缺陷示意图；图3是现有的自对准硅化物阻挡层生长工艺方法流程图；图4是本发明自对准硅化物阻挡层生长工艺方法流程图。
具体实施例方式
如图3所示，现有的自对准硅化物阻挡层生长工艺方法包括如下步骤采用PECVD(等离子体增强化学汽相淀积)生长一层二氧化硅、涂胶、自对准难溶金属硅化物阻挡层(SAB)掩膜板光罩、进行HF(氢氟酸)刻蚀、生长自对准难溶金属硅化物(Salicide)层。
本发明自对准硅化物阻挡层生长工艺流程如图4所示，它包括如下步骤采用CVD方法生长第一层二氧化硅、利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面再生长第二层二氧化硅、涂胶、SAB掩膜板光罩、进行HF刻蚀、生长Salicide层。
本发明的工艺流程与现有的工艺流程一样，首先都是采用CVD的方法生长一层二氧化硅，但是采用本发明的方法生长的第一层二氧化硅，比现有的工艺生长的二氧化硅层厚度要薄许多，约为现有工艺流程生长的二氧化硅厚度的1/3左右，约为150-300埃(现有的工艺流程生长的二氧化硅厚度一般在400-1000埃)。本发明首先采用CVD的方法生长第一层二氧化硅的作用主要是用来阻挡在随后采用HDP方法生长二氧化硅层时可能造成的损伤。由于CVD方法固有的缺陷，此时生长的二氧化硅也必然具有较多的针孔。其次，本发明在用CVD方法生长第一层二氧化硅后，又用HDP的方法生长第二层二氧化硅，其厚度约为现有工艺流程生长的二氧化硅厚度的1/2左右，约为200-400埃。由于HDP方法生长二氧化硅更为致密，所以其针孔的现象得到了很大的改善。虽然用HDP的方法生长二氧化硅同样也会有一定数量的针孔，但是此时，由于许多针孔与采用CVD方法生长的第一层二氧化硅的针孔相互错开，使得针孔的现象出现的几率降到了最低。同时，HDP的方法生长二氧化硅也更耐salicide(自对准难溶金属硅化物)生长之前HF刻蚀，所以采用本发明的方法生长的自对准硅化物阻挡层具有更强的阻挡硅化物的性能。
权利要求
1.一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，包括现有的自对准硅化物阻挡层的制作工艺，其特征在于在生长二氧化硅层时，分两步进行，首先，利用CVD方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，其特征在于所述第一层二氧化硅的厚度为150-300埃。
3.根据权利要求1或2所述的自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，其特征在于所述第二层二氧化硅的厚度为200-400埃。
全文摘要
本发明公开了一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，先利用CVD的方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。本发明可解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题，并有效克服针孔现象，达到降低漏电流的目的。
文档编号H01L21/316GK1971857SQ20051011070
公开日2007年5月30日 申请日期2005年11月24日 优先权日2005年11月24日
发明者陈华伦, 周贯宇 申请人:上海华虹Nec电子有限公司