专利名称：开口及接触窗的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种开口及接触窗的制造方法，尤其涉及一种能有效抑制介电材料的出气(outgasing)的开口及接触窗的制造方法。
背景技术：
当超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration)的发展到达0.13μm以下时，为提高芯片的执行速度，需有效地克服阻抗(impedance)及容抗(capacitance)所造成的时间延迟，因此采取低介电常数的介电材料及铜作为内连线结构已成为时势所趋。但是，由于低介电常数的介电材料具有不良的物理特性，例如较软、热稳定性差、加工不易以及当中的成分易逸失(即出气现象)等，所以在铜/低介电常数材料工艺中要保持良好的缺陷控制是很困难的。
图1A到图1C是绘示现有一种双重金属镶嵌结构开口的制造流程剖面图。
首先，请参照图1A，在已形成有导体层102的衬底100上形成一层介电层104。其中，介电层104的材质为低介电常数的介电材料。之后于介电层104上形成一图案化的光致抗蚀剂106，并裸露出部分介电层104。
然后，请参照图1B，以图案化的光致抗蚀剂层106(如图1A所示)为掩模，移除部分介电层104，直到裸露出导体层102，以于介电层104a中形成接触窗开口108。之后，移除图案化的光致抗蚀剂层106。接着，于衬底100上方形成另一层图案化的光致抗蚀剂层110。
其后，请参照图1C，以图案化的光致抗蚀剂层110(如图1B所示)为掩模，移除部分介电层104a，以于介电层104b中形成接触窗开口108与导线沟渠112。而接触窗开口108与导线沟渠112组成一双金属镶嵌结构开口114。然后，移除图案化的光致抗蚀剂层110。
然而，在上述形成双重金属镶嵌开口的制造方法中，介电层104本身会有出气现象，即介电层104中的成分会逸失。所以，图案化的光致抗蚀剂层106、110和介电层104接触的部分，可能会因出气现象所选出的介电材料成分与光致抗蚀剂层106、110产生作用，而在后续显影工艺中发生显影不完全的现象，如此会使得接触窗开口或导线沟渠的定义不精准。另一方面，为了避免在后续工艺中填入开口的金属产生尖峰现象(spike)、电迁移(electromigration)或是黏着性不佳等问题，一般会于开口中形成阻障层作为保护。然而，此阻障层也会因为低介电常数的介电材料的出气现象而发生缺陷，进而使得元件可靠度下降。
现有的一种方法可以改善低介电常数介电材料的出气现象，即在介电层上形成一阻挡层(block layer)。但是，这一做法除了会使得成本提高之外，还会因为产生应力而导致缺陷。另一方面，因为阻挡层的存在更易产生寄生电容，尤其在阻挡层的材料为高介电常数材料时更为显著。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种开口的制造方法，能避免因介电材料的出气现象所产生显影不完全的问题，以得到精确的开口图案。
本发明的另一目的是提供一种接触窗的制造方法，能抑制因介电材料的出气现象使阻障层产生缺陷，进而影响元件可靠度的问题。
本发明提出一种开口的制造方法，首先于一导体层上形成一介电层。接着，于介电层上形成一图案化的掩模层，此图案化的掩模层是暴露出预定形成沟渠的部分介电层。然后，对被图案化的掩模层所暴露出的介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中此膜层是可避免介电层中的成分逸失。接下来，于图案化掩模层及暴露出来的部分介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，此图案化的光致抗蚀剂层是暴露出预定形成接触窗开口的部分介电层。然后，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除部分的暴露的介电层，以形成一部分的接触窗开口。之后，移除图案化的光致抗蚀剂层。接着，以图案化的掩模层为掩模，移除暴露的介电层直到导体层表面暴露出来，以于介电层中形成一沟渠与一完整的接触窗开口，其中沟渠位于接触窗开口上方。
本发明还提出一种开口的制造方法，首先于一导体层上形成具有一接触窗开口的一介电层，且接触窗开口暴露出导体层表面。接着，对裸露的介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中此膜层是可避免介电层中的成分逸失。然后，于介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，此图案化的光致抗蚀剂层是暴露出预定形成沟渠的部分介电层。接下来，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露的介电层，以形成一沟渠，其中沟渠是位于接触窗开口上方。接着，移除图案化的光致抗蚀剂层。
本发明又提出一种开口的制造方法，首先于一导体层上形成具有一沟渠的一介电层。接着，对裸露的介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中此膜层是可避免介电层中的成分逸失。然后，于介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，图案化的光致抗蚀剂层是暴露出预定形成接触窗开口的部分介电层。接下来，以图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露的介电层直到暴露出导体层表面，以形成一接触窗开口，其中沟渠是位于接触窗开口上方。接着，移除图案化的光致抗蚀剂层。
本发明提出一种接触窗的制造方法，首先于一导体层上形成一图案化的介电层，且图案化的介电层具有一开口，暴露出部分导体层表面。接着，对开口所裸露的介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中此膜层是可避免介电层中的成分逸失。然后，于开口的表面形成一阻障层。以及，于开口中形成另一导体层。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中膜层的厚度是小于1000埃。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中处理步骤包括进行一离子注入工艺或是一气体等离子体工艺。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中离子注入工艺所注入的掺杂剂包括硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中离子注入工艺所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中离子注入工艺所注入的能量是介于80KeV至120KeV之间。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中气体等离子体工艺所使用的气体包括氮气、氧气或氢气。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中气体等离子体工艺的等离子体密度是介于10-11至10-13离子/原子之间。
依照本发明优选实施例所述的开口或接触窗的制造方法，其中介电层的材质包括低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃。
依照本发明优选实施例所述的接触窗的制造方法，其中该开口是由位于下层的一接触窗开口与位于上层的一沟渠所构成。
本发明因对裸露的介电层表面进行一处理步骤，以于介电层上形成一膜层，且此膜层可有效抑制介电材料的出气现象，如此将可避免逸出的介电材料成分与工艺中的其它材料产生作用，而发生诸如显影不完全或是造成阻障层的缺陷等问题。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1A到图1C是绘示现有一种双重金属镶嵌结构开口的制造流程剖面图；图2A到图2C是绘示本发明第一优选实施例的一种开口的制造流程剖面图；图3A到图3B是绘示本发明第二优选实施例的一种开口的制造流程剖面图；图4A到图4B是绘示本发明第三优选实施例的一种开口的制造流程剖面图；图5A到5C是绘示本发明一优选实施例中接触窗的制造流程剖面图。
主要元件符号说明100衬底102、200、300、400、500、530导体层104、104a、104b、210、310、410、510介电层106、110、230、330、430光致抗蚀剂层108、214a、214b、314、414、514接触窗开口112、216、316、416、516沟渠114双金属镶嵌结构开口212、312、412、512膜层218、318、418、518开口220掩模层
520阻障层532接触窗具体实施方式
<第一实施例>
图2A到图2C是绘示本发明第一优选实施例的一种开口的制造流程剖面图。
首先，请参照图2A，于一导体层200上形成一介电层210。其中，导体层200的材质例如是铜，是形成于一半导体衬底(未绘示)上，并用以和衬底上的其他元件电性连接。介电层210的材质例如是低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃，形成的方法例如是化学气相沉积法。接着，于介电层210上形成一图案化的掩模层220，此图案化的掩模层220是暴露出预定形成沟渠的部分介电层210。图案化的掩模层220的材质例如是氮化硅，形成方法例如是先利用光刻工艺在掩模层220上形成图案化的光致抗蚀剂层，再进行一各向异性蚀刻工艺形成图案化的掩模层220，并将光致抗蚀剂层移除的。
然后，请继续参照图2A，对被图案化的掩模层220所暴露出的介电层210表面进行一处理步骤，以形成一膜层212，此膜层212是可避免介电层210中的成分逸失。此外，此膜层212的形成是藉由破坏部分的介电层210而形成的。遭受破坏的介电层210会形成具有多孔的膜层212，而此具有多孔的膜层212可以有效避免介电层210中的成分逸失。另外，此膜层212的厚度例如是小于1000埃。在本发明一优选实施例中，形成膜层212的方法，例如是进行一离子注入工艺。其中，离子注入工艺所使用的掺杂剂例如是硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟，所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间，所注入的能量是例如介于80KeV至120KeV之间。在本发明另一优选实施例中，形成膜层212的方法，例如是进行一气体等离子体工艺。其中，气体等离子体工艺所使用的气体例如氮气、氧气或氢气，等离子体密度例如是介于10-11至10-13离子/原子之间。
接下来，请参照图2B，于图案化掩模层220及暴露出来的部分介电层210上形成一图案化的光致抗蚀剂层230，此图案化的光致抗蚀剂层230是暴露出预定形成接触窗开口的部分介电层210。其中，图案化的光致抗蚀剂层230的形成方法例如先以旋转涂布法形成一光致抗蚀剂材料层(未绘示)，再进行一曝光工艺及一显影工艺而形成的。特别是，因为先前已在裸露的介电层210表面形成一膜层212，故在图案化的光致抗蚀剂层230形成的过程中，介电层210不易有物质逸失。所以，在显影工艺中不会有显影不完全的状况发生。然后，以图案化的光致抗蚀剂层230为掩模，移除部分的暴露的介电层210，以形成一部份的接触窗开口214a，移除的方法例如是各向异性蚀刻法。
之后，请参照图2C，移除图案化的光致抗蚀剂层230，移除的方法例如是湿式去光致抗蚀剂法。然后，以图案化的掩模层220为掩模，移除暴露的介电层210直到导体层200表面暴露出来，以于介电层210中形成一沟渠216与一完整的接触窗开口214b，其中沟渠216位于接触窗开口214上方，且沟渠216与接触窗开口214b是组成一开口218。其中，移除暴露的介电层210的方法例如是各向异性蚀刻法。接着，移除图案化的掩模层220，移除的方法例如是进行湿式蚀刻法。
<第二实施例>
图3A到图3B是绘示本发明第二优选实施例的一种开口的制造流程剖面图。
首先，请参照图3A，于一导体层300上形成具有一接触窗开口314的一介电层310，且接触窗开口314暴露出导体层300表面。其中，导体层300的材质例如是铜，是形成于一半导体衬底(未绘示)上，并用以和衬底上的其他元件电性连接。此外，形成具有一接触窗开口314的一介电层310的方法，例如是先以化学气相沉积法形成介电材料层(未绘示)，其材质例如是低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃，再进行一光刻工艺以及蚀刻工艺以形成的。
接着，请继续参照图3A，对裸露的介电层310表面进行一处理步骤，以形成一膜层312，其中此膜层312是可避免介电层310中的成分逸失。关于此膜层312的特性及其相关工艺参数是与第一实施例的膜层212相似，在此不再赘述。
然后，请继续参照图3A，于介电层310上形成一图案化的光致抗蚀剂层330，此图案化的光致抗蚀剂层330是暴露出预定形成沟渠的部分介电层310。其中，图案化的光致抗蚀剂层330的形成方法例如先以旋转涂布法形成一光致抗蚀剂材料层(未绘示)，再进行一曝光工艺及一显影工艺而形成的。特别是，因为先前已在裸露的介电层310表面形成一膜层312，故在图案化的光致抗蚀剂层330形成的过程中，介电层310不易有物质逸失。所以，在显影工艺中不易有显影不完全的状况发生。
接下来，请参照图3B，以图案化的光致抗蚀剂层330为掩模，移除暴露的介电层310，以形成一沟渠316，其中沟渠316是位于接触窗开口314上方，且沟渠316与接触窗开口314组成一开口318。其中，移除暴露的介电层310的方法例如是各向异性蚀刻法。然后，移除图案化的光致抗蚀剂层330，移除的方法例如是湿式去光致抗蚀剂法。
<第三实施例>
图4A到图4B是绘示本发明第三优选实施例的一种开口的制造流程剖面图。
首先，请参照图4A，于一导体层400上形成具有一沟渠416的一介电层410。其中，导体层400的材质例如是铜，是形成于一半导体衬底(未绘示)上，并用以和衬底上的其他元件电性连接。此外，形成具有一沟渠416的一介电层410的方法，例如是先以化学气相沉积法形成一介电材料层(未绘示)，其材质例如是低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃，再进行一光刻工艺以及蚀刻工艺以形成的。
接着，请继续参照图4A，对裸露的介电层410表面进行一处理步骤，以形成一膜层412，其中此膜层412是可避免介电层410中的成分逸失。关于此膜层412的特性及其相关工艺参数是与第一实施例的膜层212相似，在此不再赘述。
然后，请继续参照图4A，于介电层410上形成一图案化的光致抗蚀剂层430，图案化的光致抗蚀剂层430是暴露出预定形成接触窗开口的部分介电层410。其中，图案化的光致抗蚀剂层430的形成方法例如先以旋转涂布法形成一光致抗蚀剂材料层(未绘示)，再进行一曝光工艺及一显影工艺而形成的。特别是，因为先前已在裸露的介电层410表面形成一膜层412，故在图案化的光致抗蚀剂层430形成的过程中，介电层410不易有物质逸失。所以，在显影工艺中不易有显影不完全的状况发生。
接下来，请参照图4B，以图案化的光致抗蚀剂层430为掩模，移除暴露的介电层410直到暴露出导体层400表面，以形成一接触窗开口414，其中沟渠416是位于接触窗开口414上方，且沟渠416与接触窗开口414组成一开口418。其中，移除暴露的介电层410的方法例如是各向异性蚀刻法。然后，移除图案化的光致抗蚀剂层430，移除的方法例如是湿式去光致抗蚀剂法。
上述第一实施例、第二实施例与第三实施例是揭露一双层金属镶嵌开口的工艺，并在光致抗蚀剂层230、330、430与介电层210、310、410间藉由一处理步骤形成一膜层212、312、412以减少出气现象。在本发明其它优选实施例中，不论所形成的开口为何种形式，并不限于上述的双层金属镶嵌开口，只要在介电层与光致抗蚀剂层接触的界面上，皆可利用本发明的方法预先于介电层上形成一可以阻绝出气现象的膜层，以解决现有的问题。
此外，上述数个实施例中，是藉由对介电层210、310、410进行一处理步骤，来形成具有多孔介质的膜层212、312、412，以捕捉由出气现象外逸的介电材料成分。因此，可避免因介电材料与光致抗蚀剂层230、330、430产生反应，而导致显影不完全的问题。另一方面，介电层210、310、410的材质为低介电常数的介电材料，还可有效减少导线之间的寄生电容的产生。
图5A到5C是绘示本发明一优选实施例中接触窗的制造流程剖面图。
首先，请参照图5A，于一导体层500上形成具有一开口518的一介电层510。在一优选实施例中，开口518是由沟渠516及一接触窗开口514所组成，且沟渠516是位于接触窗开口514的上方。此开口518的形成方法例如是利用上述第一实施例、第二实施例或第三实施例所述的方法形成的。
接着，请参照图5B，对由开口518所暴露的介电层510表面进行一处理步骤，以形成一膜层512，其中此膜层是可避免介电层中的成分逸失。此外，此膜层512的形成是藉由破坏部分的介电层510而形成的。遭受破坏的介电层510会形成具有多孔的膜层512，而此具有多孔的膜层512可以有效避免介电层510中的成分逸失。另外，此膜层512的厚度例如是小于1000埃。在本发明一优选实施例中，形成膜层512的方法，例如是进行一离子注入工艺。其中，离子注入工艺所使用的掺杂剂例如是硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟，所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间，所注入的能量是例如介于80KeV至120KeV之间。在本发明另一优选实施例中，形成膜层512的方法，例如是进行一气体等离子体工艺。其中，气体等离子体工艺所使用的气体例如氮气、氧气或氢气，等离子体密度例如是介于10-11至10-13离子/原子之间。
然后，请继续参照图5B，于介电层510表面形成一阻障层520，其材质例如是钛或氮化钛，形成的方法例如是化学气相沉积法。特别是，因为先前已在裸露的介电层510表面形成一膜层512，故在阻障层520形成的过程中，介电层510不易有物质逸失。所以，所形成的阻障层520不易有缺陷产生，从而可以提高后续形成的接触窗的可靠度。以及，于开口中形成另一导体层530，其材质例如是铜或钨，形成的方法例如是物理气相沉积法。
接下来，请参照图5C，以介电层510为抛光终止层对导体层530进行一平坦化工艺，以形成一接触窗532。其中，所进行的平坦化工艺例如是化学机械抛光法。
在上述实施例中是揭露一双层金属镶嵌接触窗的工艺，并在阻障层520与介电层510间藉由一处理步骤形成一膜层512以减少出气现象。在本发明其它优选实施例中，不论所形成的接触窗为何种形式，并不限于上述的双层金属镶嵌接触窗，只要在介电层与阻障层接触的界面上，皆可利用本发明的方法预先于介电层上形成一可以阻绝出气现象的膜层，以解决现有的问题。
此外，在上述接触窗的制造方法中，藉由对介电层510进行一处理步骤来破坏表面的介电层的结构，进而形成具有多孔介质的膜层512。如此可捕捉由出气现象外逸的介电材料成分，并可避免因介电材料与阻障层520产生反应而使得阻障层520产生缺陷的问题。
综上所述，本发明至少具有下列优点1.依照本发明开口的制造方法，可藉由对介电层进行一处理步骤所形成的膜层来捕捉逸出的介电材料，进而增加开口图案的精确度。
2.本发明中开口的制造方法是使用低介电常数的介电材料，不易于导线之间产生寄生电容。
3.利用本发明中接触窗的制造方法，可有效防止因介电层的出气现象而导致阻障层发生缺陷的问题。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种开口的制造方法，包括于一导体层上形成一介电层；于该介电层上形成一图案化的掩模层，该图案化的掩模层暴露出预定形成沟渠的部分该介电层；对被该图案化的掩模层所暴露出的该介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中该膜层是可避免该介电层中的成分逸失；于该图案化掩模层及暴露出来的部分该介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，该图案化的光致抗蚀剂层暴露出预定形成接触窗开口的部分该介电层；以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除部分的暴露的该介电层，以形成一部份的接触窗开口；移除该图案化的光致抗蚀剂层；以及以该图案化的掩模层为掩模，移除暴露的该介电层直到该导体层表面暴露出来，以于该介电层中形成一沟渠与一完整的接触窗开口，其中该沟渠位于该接触窗开口上方。
2.如权利要求1所述的开口的制造方法，其中该膜层的厚度是小于1000埃。
3.如权利要求1所述的开口的制造方法，其中该处理步骤包括进行一离子注入工艺或是一气体等离子体工艺。
4.如权利要求3所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的掺杂剂包括硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟。
5.如权利要求3所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间。
6.如权利要求3所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的能量是介于80KeV至120KeV之间。
7.如权利要求3所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺所使用的气体包括氮气、氧气或氢气。
8.如权利要求3所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺的等离子体密度是介于10-11至10-13离子/原子之间。
9.如权利要求1所述的开口的制造方法，其中该介电层的材质包括低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃。
10.一种开口的制造方法，包括于一导体层上形成具有一接触窗开口的一介电层，且该接触窗开口暴露出该导体层表面；对裸露的该介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中该膜层是可避免该介电层中的成分逸失；于该介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，该图案化的光致抗蚀剂层暴露出预定形成沟渠的部分该介电层；以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露的该介电层，以形成一沟渠，其中该沟渠是位于该接触窗开口上方；以及移除该图案化的光致抗蚀剂层。
11.如权利要求10所述的开口的制造方法，其中该膜层的厚度是小于1000埃。
12.如权利要求10所述的开口的制造方法，其中该处理步骤包括进行一离子注入工艺或是一气体等离子体工艺。
13.如权利要求12所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的掺杂剂包括硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟。
14.如权利要求12所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间。
15.如权利要求12所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的能量是介于80KeV至120KeV之间。
16.如权利要求12所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺所使用的气体包括氮气、氧气或氢气。
17.如权利要求12所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺的等离子体密度是介于10-11至10-13离子/原子之间。
18.如权利要求10所述的开口的制造方法，其中该介电层的材质包括低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃。
19.一种开口的制造方法，包括于一导体层上形成具有一沟渠的一介电层；对裸露的该介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中该膜层是可避免该介电层中的成分逸失；于该介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层，该图案化的光致抗蚀剂层暴露出预定形成接触窗开口的部分该介电层；以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露的该介电层直到暴露出该导体层表面，以形成一接触窗开口，其中该沟渠是位于该接触窗开口上方；以及移除该图案化的光致抗蚀剂层。
20.如权利要求19所述的开口的制造方法，其中该膜层的厚度是小于1000埃。
21.如权利要求19所述的开口的制造方法，其中该处理步骤包括进行一离子注入工艺或是一气体等离子体工艺。
22.如权利要求21所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的掺杂剂包括硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟。
23.如权利要求21所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间。
24.如权利要求21所述的开口的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的能量是介于80KeV至120KeV之间。
25.如权利要求21所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺所使用的气体包括氮气、氧气或氢气。
26.如权利要求21所述的开口的制造方法，其中该气体等离子体工艺的等离子体密度是介于10-11至10-13离子/原子之间。
27.如权利要求19所述的开口的制造方法，其中该介电层的材质包括低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃。
28.一种接触窗的制造方法，包括于一导体层上形成一图案化的介电层，且该图案化的介电层具有一开口，暴露出部分该导体层表面；对该开口所裸露的该介电层表面进行一处理步骤，以形成一膜层，其中该膜层是可避免该介电层中的成分逸失；于该开口的表面形成一阻障层；以及于该开口中形成另一导体层。
29.如权利要求28所述的接触窗的制造方法，其中该膜层的厚度是小于1000埃。
30.如权利要求28所述的接触窗的制造方法，其中该处理步骤包括进行一离子注入工艺或是一气体等离子体工艺。
31.如权利要求30所述的接触窗的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的掺杂剂包括硼、氟化硼、磷化氢、砷、铝或氟。
32.如权利要求30所述的接触窗的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的剂量是介于1014至1016原子数/平方厘米之间。
33.如权利要求30所述的接触窗的制造方法，其中该离子注入工艺所注入的能量是介于80KeV至120KeV之间。
34.如权利要求30所述的接触窗的制造方法，其中该气体等离子体工艺所使用的气体包括氮气、氧气或氢气。
35.如权利要求30所述的接触窗的制造方法，其中该气体等离子体工艺的等离子体密度是介于10-11至10-13离子/原子之间。
36.如权利要求28所述的接触窗的制造方法，其中该开口是由位于下层的一接触窗开口与位于上层的一沟渠所构成。
37.如权利要求28所述的接触窗的制造方法，其中该介电层的材质包括低介电常数的介电材料或含氟硅玻璃。
全文摘要
一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
文档编号H01L21/70GK1979774SQ20051012971
公开日2007年6月13日 申请日期2005年12月1日 优先权日2005年12月1日
发明者郑懿芳, 周孝邦 申请人:联华电子股份有限公司