专利名称：光刻投影装置和致动器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置和致动器。
背景技术：
光刻投影装置是将所需图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传送到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传送是通过成像在设于基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的整个网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传送到基底上。
通常，在投影系统的周围会存在颗粒或者从基底上释放颗粒，例如碳氢化合物颗粒或辐射敏感材料的颗粒。在将从基底产生的颗粒暴露于构图光束之前或之后，当基底特别是辐射敏感材料暴露于构图光束时，或者当进行其它的基底处理时，可以去除该从基底产生的颗粒。从基底产生的或存在于投影系统周围的颗粒例如可以和光学作用表面相互作用，即，带图案的光束可以穿过所述表面和/或改变其方向。这种光学作用表面还可以设置在光刻装置中不属于投影系统的位置处，例如光学作用表面朝投影系统的末端设置，即相对于带图案光束的传播方向的下游。在下文中称该末端为投影系统的“底部”，其包括例如透镜表面或反射镜表面。由于对这种表面的特殊抛光，该表面通常是般影系统中非常昂贵的部分。因此，投影系统的设计通常是使得光学作用表面的尺寸保持为最小值。上述颗粒和投影系统的相互作用可能对带图案的光束的强度和/或精确性产生不利的影响。由于颗粒和这些表面的相互作用导致光学作用表面的使用寿命减小，或者通过再抛光表面去除光学作用表面层可能导致至少在光刻装置的操作成本上有很大的增加。
为了减小这些颗粒到达投影系统的敏感部件即到达投影系统的光学作用表面的可能性，光刻装置包括流体供给装置，其布置成沿光学作用表面在基底和投影系统的光学作用表面之间的空间上或在基底上提供净化气流。通过使颗粒远离从它们朝投影系统的光学作用表面的路线转移，该净化气流可以保护投影系统的光学作用表面。
在本申请中值得注意的是，目前的趋势在于更加精确地投影，这就要求更高的数值孔径NA。通过使投影系统的底部靠近基底可以实现这点。可替换地，或者附加地，可以将具有相对高的折射率的流体如水提供到投影系统的底部和基底之间的空间。这种浸液也可以施加到光刻装置的其它空间，例如施加到掩模和投影系统之间。湿浸技术在本领域是公知的，用于增加光学系统的数值孔径，尤其是增加投影系统的数值孔径。光刻装置可以具有流体供给装置，其布置成提供浸液即具有相对高的折射率的液体，或者使液体保持在其位置。该液体可以流动以避免局部加热。从而流体供给装置可以提供净化气流，可以提供液体流或使液体保持在其位置，或者提供气体和液体的组合。在基底和投影系统的底部之间应用流体供给装置以及投影系统的底部和基底之间的距离的限制会导致可用于流体供给装置的空间非常有限。因此，流体供给装置应设计成在有限的空间中满足它们的功能要求。如果在上述情况下，可以理解几乎没有剩下什么空间来替换基底。
发明内容
本发明的一个方面提供一种光刻装置，其中可以替换基底，同时还满足关于NA数值的条件和/或满足良好的净化条件。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻投影装置。该装置包括构造成支撑基底的基底支座，配置成把带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统，和框架，该框架上安装有至少一部分投影系统。流体供给装置布置成在基底和投影系统的下游端之间提供流体。该装置还包括致动器，致动器与框架和流体供给装置连接，并布置成给流体供给装置定位，该装置还包括缓冲系统，其用于当致动器定位流体供给装置时缓冲振动力。
根据本发明的另一个方面，提供一种在光刻装置中使用的致动器。该致动器布置成与框架连接和与一装置连接，并进一步布置成给所述装置定位。致动器具有至少一个缓冲系统，用于缓冲当致动器定位所述装置时的振动力。
现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施例，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置；图2详细示出了根据本发明的一个实施例的图1中光刻装置的一部分；图3示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器；图4示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器；图5示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器；图6示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器；图7示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器；图8示意性地示出了根据本发明作为光刻装置的一部分的致动器。
具体实施例方式
图1示意性地表示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束B(例如UV辐射或DUV辐射)。支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数将该构图部件精确定位的第一定位装置PM连接；基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装置PW连接；以及投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其构造成将通过构图部件MA赋予给辐射光束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。
支撑结构可支撑也就是承受构图部件的重量。支撑结构以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述支撑结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于所需的位置。这种框架通常称为底部框架(MF)。它可以由INVAR或铝制成，并保持在千分之几K的预定温度，以便确保其稳定的位置。许多光刻装置中的装置与底部框架连接，并为装置中的位置提供相对精确的参考。这种装置的一个实例是位置传感器IF。
这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射光束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用微小反射镜的矩阵排列，每介反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予图案。
这里所用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用的浸液或使用的真空。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如这里指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者，该装置可以是反射型(例如采用可编程反射镜阵列，或采用反期掩模)。
光刻装置可以具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置可以是这样一种类型，其中至少部分基底被具有相对高的折射率如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。还可以将浸液应用于光刻装置中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。湿浸技术在现有技术中是公知的，用于增加投影系统的数值孔径。这里使用的术语“湿浸”并不意味着一种结构如基底必须浸没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体布置在投影系统特别是所谓的最后一个元件和基底之间。利用流体供给装置FP该流体可以提供和/或保持在所述空间。附加地或者可替换地，流体供给装置FP布置成提供净化气流，从而保护投影系统的底部免受颗粒的污染。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射光束，从而该光束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
辐射光束B入射到保持在支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上，并由构图部件进行图。横向穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射光束B的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)来使掩模MA相对于辐射光束B的光路精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PW的一部分。在步进器(与扫描装置相对)的情况下，掩模台MT可以只与短行程致动器连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，它们可以设置在各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地，在其中在掩模MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之间设置掩模对准标记。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步扫描掩模台MT和基底台WT(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C上时，掩模台MT基本保持不动地支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台WT。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。
图2更加详细地示出了根据本发明实施例的光刻装置的一部分。该装置包括构造成保持至少一个基底W的基底台WT。该装置还包括配置成将带图案的光束投影到基底W的靶部上的投影系统PS。该装置还包括框架MF，下文中称之为底部框架，在该框架上安装了至少部分投影系统。该装置还包括流体供给装置FP，其布置成在基底W和投影系统PS的下游端B之间提供流体。进一步地该装置包括至少一个致动器AC，其与框架MF和流体供给装置FP相联。该至少一个致动器AC布置成至少部分地定位流体供给装置FP。术语至少部分定位流体供给装置包括使流体供给装置相对框架MF和/或基底W定位。这可以仅仅需要粗定位，该粗定位应该进行补充、或其后紧随例如精定位或者例如由另一个致动器或甚至是仅仅与基底W相联的致动器进行的附加定位。
安装在致动器AC的任何一侧的框架MF上的是部件PCS，当讨论图3-8时将详细说明该部件。图2中的纵向箭头AW表示流体供给装置FP可向上和向下移动，基底台WT是可动的，使得可以将另一个基底W移动到投影光束聚焦的位置。流体供给装置可移动的方向不必是垂直方向。如果光轴具有与垂直方向不同的方向和/或晶片没有水平定位，因此流体供给装置的移动性可以与图中表示的方向不同。为了清楚的目的，图2中没有示出流体的连接。但是本领域技术人员应该理解，这种连接可以与流体供给装置FP连接。尽管只示出了两个致动器AC，但是流体供给装置FP与1至6之间任意数字的致动器连接都是可能的，也就是每个自由度具有一个致动器。每个致动器仅仅部分定位流体供给装置FP。通过使致动器与底部框架MF相联，以及反过来，通过流体供给装置FP与致动器AC相联，可以为定位流体供给装置FP提供良好的参考。
图3示意性地详细示出了在光刻装置中使用的根据本发明的致动器AC的第一实施例。根据本发明的该装置具有缓冲系统，用于当致动器AC定位流体供给装置FP时缓冲振动力。该流体供给装置FP在图3中的所述底部用虚线示意性示出。缓冲系统还可以适合于缓冲在流体供给装置FP中由于流体供给装置FP因至少一个与致动器AC的动作无关的情况如流体的流动导致的移动而产生的振动力。应该注意在示出的实施例中，缓冲系统和致动器AC至少彼此部分地构成一个整体。换句话说，一些部件可以执行完全与定位相关的功能，而这些部件是致动器的一部分。在本申请中线圈可以看作是致动器的一部分。其它部件可以执行完全与缓冲相关的功能。这些部件是缓冲系统的一部分。弹簧和一些单元可以属于这组部件。另一组部件可执行与致动和缓冲相关的功能。在这种情况下，缓冲系统和致动器至少彼此部分地构成一个整体。具有一定质量并与致动器的线圈相互作用的磁性材料可以看作是属于致动器和缓冲系统的部件。一些缓冲系统的部件例如部件PCS不与致动器AC形成一个整体。应该注意，只要知道这些部件的功能，在图3至图8中的一些部件既属于致动器AC又属于缓冲系统CS，一些部件仅属于缓冲系统CS，一些部件仅属于致动器AC。还应该清楚的是由于缓冲系统，致动器AC能够高速度和高频率地定位流体供给装置FP，而不会将较大的振动力传递给底部框架MF。
当在本实施例中致动器AC和缓冲系统至少部分构成为一个整体时，有时可以参考致动器/缓冲系统AC/CS。致动器/缓冲系统AC/CS具有第一单元(mass)M1，其与底部框架MF连接。该单元M1包括适合于在电磁铁中使用的材料MP1。部分单元M1即部件MP1被环形凹槽AR1围绕。线圈C1部分地插入到环形凹槽AR1中。通过感应穿过线圈C1的电流，在该实例中根据电流的方向，线圈C1可以沿图中的垂直方向(用箭头AW表示)向上或者向下移动，由此以本领域中公知的方式用作电磁铁。线圈C2与单元M2连接。用MP2表示的至少部分单元M2也包括适合于在电磁铁中使用的材料。此外，单元M2中的这些部分MP2由环形凹槽AR2围绕，该凹槽中插入有线圈C2。进一步地线圈C2通过杆件BR与流体供给装置FP连接。图3中仅示意性地示出了流体供给装置FP本身，但在图4-8中省略了流体供给装置。通过感应穿过线圈C2的电流，根据电流的方向，线圈C2可以在像电磁铁一样的环形凹槽AR2中向上或向下移动。缓冲系统包括相对于底部框架MF和相对于流体供给装置FP可动的至少一个单元M2。因此，从流体供给装置FP传递给本身不活动的单元M2的振动力不一定会从不活动的单元M2传递给框架MF。单元M2将用作缓冲器或使这些振动力减弱。为了清楚的目的，没有示出环绕线圈C1和C2的电线。
在如图3所示的实施例中，单元M2通过磁力与底部框架MF相联，可以按照以下方式产生这些磁力。部件PCS可靠地与底部框架MF连接，并使磁体MGF保持在预定的位置。此外，单元M2在预定位置具有磁体MG2。注意磁体MGF和MG2用N和S表示的极性设置为使得磁体相互吸引。当致动器保持流体供给装置FP时，使单元M2至少相对于基底保持在某一位置，该位置对应于每个磁体MGF靠近磁体MG2中的一个的位置。如所示出的，所有这些磁体可以是永磁体。但是也可以使用电磁铁。
在如图3所示的实施例中，单元M2还通过磁力与流体供给装置FP相联。该流体供给装置FP具有杆件BR，该杆件延伸穿过设置在单元M2中的通道C。杆件BR处于朝单元M2指向的端部，并具有至少一个磁体MG3。单元M2还可以具有与设置在杆件BR端部的磁体MG3相互作用的磁体。在如图3所示的实施例中，杆件的端部具有两个独立的磁体。每个磁体MG3与设置在单元M2中的磁体MG2相互作用。磁体MG2也可以与PCS中的磁体MGF相互作用。然而，单元M2还可以具有不同组与设置在PCS中的磁体以及与设置在杆件BR中的磁体相互作用的磁体。磁体的极性为使得当没有电流经过线圈C2时，流体供给装置FP保持在离基底预定的距离。同样这也可以应用于当没有电流经过线圈C2时单元M2相对于部件PCS的定位。换句话说，当没有提供功率给线圈C1和C2时，致动器AC布置成使得流体供给装置FP不与基底W或基底台WT接触。在不可预料的停电过程中，流体供给装置FP移动或保持在一个位置，在该位置它不会与基底W或基底台WT接触。这意味着经过C2的电流应该是使得在操作中即当致动器将要使流体供给装置FP至少部分定位成靠近基底W时，流体供给装置FP应该远离流体供给装置由磁体MG2和MG3和MGF保持的位置移动。
使用在如图3所示的实施例中产生的磁力具有的优点是，在不同的部件之间不会产生机械接触。因此，不会机械地传递振动力。使用电磁铁来致动可以允许相对容易的操作。
如图3所示，致动/缓冲系统的工作原理如下。当基底放置在基底台上时，流体供给装置FP向上移动，以便形成一定的空间。在替换晶片之后，流体供给装置FP可以朝基底移动。当假定流体供给装置FP朝基底移动时，线圈C2中的电流将流动使得部件3即流体供给装置FP沿杆件BR上示出的箭头AW方向朝基底移动。产生的电磁力必定部分地克服属于M2的磁体MG2和属于部件3的磁体MG3之间的磁力。当假定流体供给装置FP远离基底移动时，部件3将沿杆件BR上示出的箭头方向向上移动。通过断绝线圈C2中流动的电流，这可能导致杆件BR不受控制地加速，或者缓慢地减小线圈C2中流动的电流可以实现上述移动，从而能够控制往回向上的移动。上述后一种情况会将非常微小的振动力引入到致动器和/或缓冲系统中。然而，高频率和高速度可能是需要的，当沿远离基底W/基底台WT的方向或者沿朝向基底W/基底台WT的方向致动流体供给装置FP时，这也仍可能引入振动力。当产生振动力时，不应将高频振动传递到的底部框架MF，因为包括与流体供给装置FP和单元M1和/或底部框架MF相联的单元M2的缓冲系统应该“吸收”这些振动。低频振动可以传递给底部框架；但是，这些并不是实际问题。
在如图3所示的实施例中，可以定位磁体MG2和MGF使得考虑到电流的两个方向，平均电流的绝对值保持尽可能地低，从而产生尽可能小的热量，由此避免在单元M1与底部框架MF连接的那些位置局部地加热底部框架MF。
可以在部件PCS中提供气体轴承如孔AB所表示的，当单元M2移动时这些气体轴承可以导引单元M2和减小摩擦。气体轴承还可以形成缓冲系统的一部分。
因此可以应用气体轴承，使得可以提供另一缓冲器。
应该注意，杆件BR局限于远离部件M2移动到一定的程度，流体供给装置FP在杆件下端与杆件BR连接。杆件BR可以延伸到单元M2的空腔CA中，并且其在空腔中延伸的端部具有一种形状，使得它不能穿过通道C。在磁体MG3和MG2不是永磁体的情况下，这可以提供进一步的安全，但是在它们是电磁体的情况下，当发生停电时容易产生故障。
如之前所指出的，当致动器没有定位流体供给装置FP时，甚至当流体供给装置因至少一个与致动器AC的动作无关的情况如流体的流动导致的移动而产生了振动力时，在图3的实施例中示出的缓冲系统都能够使振动力相对于底部框架MF隔离。
图4示出了与图3类似的实施例，除了其具有两个单元M2和M3，所述两个单元可相对于框架MF和流体供给装置FP移动。这些单元M2和M3还可以相对于彼此移动。这种缓冲系统应该能够极其有效地吸收振动力，因为每个单元都能够吸收一些振动频率。这样就可以改进流体供给装置的定位，而不会损害底部框架的稳定性，并进一步得到在基底W中形成的良好且可复制品质的特征尺寸，从而得到良好的重叠。
图5示出了一个实施例，其中弹性元件如弹簧SP替换了图3中实施例的磁体MGF、MG2、MG3。尽管这些弹簧SP允许缓冲系统/致动器的不同部件之间的一些“串扰”，但是使用弹簧的优点是所有的部件都连接在一起，因此，例如由于停电导致磁力突然消失就不会导致任何部件向下掉落。
图6与图4示出的实施例相当，除了磁体MGF、MG2、MG3被弹簧替代之外。在讨论图5时提出的观点同样适用于图6。
图7和8示出了在实施例中不是所有的磁体MGF、MG2、MG3都必定由弹簧SP替代。例如还可以仅仅用弹簧SP替代磁体MG3。
关于图3给出的说明通常可以应用于图4-8。
本领域技术人员应该能够通过例行试验确定多大的磁力、多大的单元尺寸等等可以得到最佳的效果。
应该注意，尽管在上面的说明书中可以参考由例如电磁力启动，但是在本发明的范围内，附加地或者可替换地，还可以通过施加流体力产生致动。
美国专利公开申请案No.2003/0197914A1描述了一种致动器，其布置成定位光学元件，和减小光学元件中不期望的振动。这种光学元件通常不暴露于和致动器产生的力无关的力。此外，布置成定位光学元件的致动器是一种布置成使光学元件保持在其位置的致动器。相反，根据本发明的致动器是布置成使流体供给装置向一个位置移动和远离一个位置移动的致动器，该位置与基底台的移动相关。因此，如US 2003/0197914A1所描述的，致动器本身和其在光刻装置中的应用与根据本发明所描述的致动器和光刻装置不同。
尽管可以设计致动器/缓冲系统，使得相对于箭头AW表示的方向可以获得圆柱对称性，还可能的是本领域技术人员可以应用其它几何形状。
尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨迹器(通常将抗蚀剂层作用于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理的层的基底。
尽管在本申请的光学光刻法中可以具体参考使用本发明的实施例，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的形貌限定了在基底上形成的图案。构图部件的形貌还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中，在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合可以使抗蚀剂硬化。在抗蚀剂硬化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
该申请使用的术语“透镜”可以表示任何一个各种类型的光学部件或其组合，包括折射光学部件、反射光学部件磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者具有其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求书的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。
权利要求
1.一种光刻投影装置，包括构造成支撑基底的基底支座；配置成把带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；其上安装有至少一部分投影系统的框架；布置成在基底和投影系统的下游端之间提供流体的流体供给装置；致动器，其与框架和流体供给装置相联，并布置成将流体供给装置定位；以及缓冲系统，用于当致动器定位流体供给装置时缓冲振动力。
2.如权利要求1所述的光刻装置，其中缓冲系统基本上使振动力与框架隔离。
3.如权利要求1所述的光刻装置，其中缓冲系统基本上使流体供给装置中因与致动器AC的动作无关的情况导致的移动而产生的其它振动力与框架隔离。
4.如权利要求3所述的光刻装置，其中该情况包括流体的流动。
5.如权利要求1所述的光刻装置，其中该流体是净化气体。
6.如权利要求1所述的光刻装置，其中该流体是液体。
7.如权利要求1所述的光刻装置，其中缓冲系统包括相对于框架和流体供给装置可动的单元。
8.如权利要求7所述的光刻装置，其中该单元通过磁力与流体供给装置和/或框架相联。
9.如权利要求8所述的光刻装置，其中使用至少一个永磁体产生磁力。
10.如权利要求8所述的光刻装置，其中使用至少一个电磁铁产生磁力。
11.如权利要求10所述的光刻装置，其中致动器布置成通过增加或减小电磁力进行致动。
12.如权利要求11所述的光刻装置，其中该装置具有永磁体和/或弹性元件，该永磁体和/或弹性元件定位成使得当对致动器发生停电时流体供给装置远离基底移动。
13.如权利要求7所述的光刻装置，其中该单元通过弹性元件与流体供给装置和/或框架相联。
14.如权利要求7所述的光刻装置，其中缓冲系统具有用于导引所述单元的移动的气体轴承。
15.一种在光刻装置中使用的致动器，其中致动器布置成与框架和一装置相联，并进一步布置成将所述装置定位，其中致动器设有至少一个缓冲系统，用于当致动器定位装置时缓冲振动力。
16.如权利要求15所述的致动器，其中缓冲系统基本上使振动力与框架隔离。
17.如权利要求15所述的致动器，其中缓冲系统布置成使装置中固与致动器AC的动作无关的至少一个情况导致的移动而产生的其它振动力与框架隔离。
18.如权利要求17所述的致动器，其中该装置是流体供给装置，该情况包括流体供给装置中的流体的流动。
19.如权利要求18所述的致动器，其中该流体是净化气体。
20.如权利要求18所述的致动器，其中该流体是液体。
21.如权利要求15所述的致动器，其中当致动器与框架和所述装置相联时，缓冲系统包括相对于框架和所述装置可移动的单元。
22.如权利要求21所述的致动器，其中该单元布置成通过磁力与所述装置和/或框架相联。
23.如权利要求22所述的致动器，其中使用至少一个永磁体产生磁力。
24.如权利要求22所述的致动器，其中使用至少一个电磁铁产生磁力。
25.如权利要求21所述的致动器，其中该单元布置成通过弹性元件与所述装置和/或框架相联。
26.如权利要求15所述的致动器，其中致动器布置成通过增加或减小电磁力进行致动。
27.如权利要求26所述的致动器，其中致动器设有至少一个永磁体和/或弹性元件，该永磁体和/或弹性元件定位成使得当致动器发生停电时使所述装置沿预定方向移开。
28.如权利要求15所述的致动器，其中缓冲系统设有用于导引所述单元的移动的气体轴承。
全文摘要
本发明公开了一种光刻投影装置。该装置包括构造成支撑基底的基底台，配置成把带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统和其上安装有至少一部分投影系统的框架。一流体供给装置布置成在基底和投影系统的下游端之间提供流体。该装置还包括致动器，致动器与框架和流体供给装置相联，并布置成将流体供给装置定位，以及缓冲系统，用于当致动器定位流体供给装置时缓冲振动力。
文档编号H01L21/027GK1786831SQ200510131049
公开日2006年6月14日 申请日期2005年12月7日 优先权日2004年12月8日
发明者T·P·M·卡迪 申请人:Asml荷兰有限公司